JPH0697278A - Contaminant preventing dicing device - Google Patents

Contaminant preventing dicing device

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Publication number
JPH0697278A
JPH0697278A JP26561892A JP26561892A JPH0697278A JP H0697278 A JPH0697278 A JP H0697278A JP 26561892 A JP26561892 A JP 26561892A JP 26561892 A JP26561892 A JP 26561892A JP H0697278 A JPH0697278 A JP H0697278A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
nozzle
wafer
cleaning nozzle
water
Prior art date
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Pending
Application number
JP26561892A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ryuji Dobashi
隆二 土橋
Narutoshi Ozawa
成俊 小沢
Masanori Yoshida
正徳 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP26561892A priority Critical patent/JPH0697278A/en
Publication of JPH0697278A publication Critical patent/JPH0697278A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To provide a dicing device where cleaning water of high pressure is spouted out from the tip of a cleaning nozzle to surely remove contaminants from the surface of a wafer and also from the inside of a gouged groove. CONSTITUTION:A cleaning nozzle 2 facing down is provided to the center of one side of a wheel cover 1, and a cooling water nozzle 3 is mounted in front of the cleaning nozzle 2 as tilted. The cleaning nozzle 2 is set separate from the surface of a semiconductor wafer 5 fixed to a chuck table 4 by a height, H of 20mm. The feed pressure of cleaning water 6 spouted out from a cleaning nozzle is set to a pressure of 30 to 300kg/cm<2>. By this setup, as cleaning water of high pressure is spouted out from a cleaning nozzle arranged adjacent to the surface of the wafer 5, contaminants on the surface of a wafer are surely removed by flushing.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ボンディングパット等
にコンタミが付着するのを防止したダイシング装置に関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dicing device which prevents contamination from adhering to a bonding pad or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体ウェーハ等のワークを切削
するダイシング装置においては、例えば図5、図6に示
すように回転ブレードaを冷却するための冷却ノズルb
を、回転ブレードaの下部に近接させて設け、切削時に
冷却水cを噴射すると共に、回転ブレードaのやや側部
の上方にウェーハの表面を洗浄するための洗浄ノズルd
を設けて洗浄水eをほぼ扇形状に噴射させ、切り粉等の
コンタミをウェーハfの表面から洗い流すようにしてい
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a dicing apparatus for cutting a work such as a semiconductor wafer, a cooling nozzle b for cooling a rotary blade a as shown in FIGS. 5 and 6, for example.
Is provided close to the lower part of the rotary blade a, sprays cooling water c at the time of cutting, and a cleaning nozzle d for cleaning the surface of the wafer slightly above the side part of the rotary blade a.
Is provided so that the cleaning water e is sprayed in a substantially fan shape so that contaminants such as chips are washed off from the surface of the wafer f.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上記従来例の場合、冷
却水cは切削時に水圧約3kg/cm2 、流量約0.7
5l/minで冷却ノズルbから噴射させ、洗浄水eは
水圧約3kg/cm2 、流量約1.5l/minで洗浄
ノズルdから噴射させているが、ダイシング後に顕微鏡
で調べてみると、時には図7に示すようにウェーハfの
表面全体にコンタミ付着Aの現象が見られ、又図8に示
すように切り溝gからコンタミが浮き上がって表面付着
Bする現象が見られた。本発明は、このような従来の問
題点を解決するためになされ、ウェーハの表面からコン
タミを確実に除去し、且つ切り溝内部のコンタミも確実
に除去できるようにした、ダイシング装置を提供するこ
とを課題としたものである。
In the case of the above conventional example, the cooling water c has a water pressure of about 3 kg / cm 2 and a flow rate of about 0.7 when cutting.
It is jetted from the cooling nozzle b at 5 l / min, and the washing water e is jetted from the washing nozzle d at a water pressure of about 3 kg / cm 2 and a flow rate of about 1.5 l / min. As shown in FIG. 7, the phenomenon of adhesion of contamination A was observed on the entire surface of the wafer f, and as shown in FIG. 8, the phenomenon of contamination being raised from the kerf g and adhering to the surface B was observed. The present invention has been made to solve such conventional problems, and provides a dicing device capable of surely removing contaminants from the surface of a wafer and also capable of reliably removing contaminants inside a kerf. Is the subject.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】前記課題を技術的に解決
するための手段として、本発明は、半導体ウェーハ等の
ワークを切削するダイシング装置において、このダイシ
ング装置にはブレードを冷却するブレード冷却ノズルの
外に、ウェーハ表面を洗浄する洗浄ノズルが装着されて
おり、この洗浄ノズルの先端はウェーハ表面から20m
m以下に設定されると共に、洗浄水の供給圧が30kg
/cm2 〜300kg/cm2 に設定されていることを
要旨とするものである。
As a means for technically solving the above-mentioned problems, the present invention provides a dicing apparatus for cutting a work such as a semiconductor wafer, in which the blade cooling nozzle for cooling the blade. A cleaning nozzle for cleaning the wafer surface is mounted outside the wafer, and the tip of this cleaning nozzle is 20 m from the wafer surface.
m or less and the supply pressure of washing water is 30 kg
/ Cm 2 to 300 kg / cm 2 is set as the gist.

【0005】[0005]

【作 用】ウェーハの表面に近接配置した洗浄ノズルの
先端から強い水圧の洗浄水を噴射することで、ウェーハ
表面のコンタミを確実に洗い流すことができると共に、
冷却ノズルから噴射される冷却水によって切り溝内部の
コンタミも追い出すことができる。
[Operation] By injecting cleaning water with strong water pressure from the tip of the cleaning nozzle located close to the wafer surface, the contamination on the wafer surface can be surely washed away.
Contamination inside the kerf can also be expelled by the cooling water sprayed from the cooling nozzle.

【0006】[0006]

【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面により詳細
に説明する。図1において、1はダイシング切削部に設
けられたホイールカバーであり、その一側面の中央部に
洗浄ノズル2が下向きに設けられると共に、前方部には
冷却水ノズル3が傾斜させて取り付けられている。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a wheel cover provided in a dicing cutting part, and a cleaning nozzle 2 is provided downward at a central portion of one side surface thereof, and a cooling water nozzle 3 is obliquely attached to a front portion thereof. There is.

【0007】前記洗浄ノズル2は、その先端がチャック
テーブル4上に載置固定された半導体ウェーハ5の表面
からの高さHが20mm以下に設定されると共に、その
洗浄ノズルから噴射される洗浄水6の供給圧は30kg
/cm2 〜300kg/cm 2 に設定されている。
The tip of the cleaning nozzle 2 is a chuck.
Surface of semiconductor wafer 5 mounted and fixed on table 4
The height H from is set to 20 mm or less and
The supply pressure of the cleaning water 6 sprayed from the cleaning nozzle is 30 kg
/ Cm2 ~ 300kg / cm 2 Is set to.

【0008】前記冷却水ノズル3は、その軸線方向と水
平とのなす角度θ1 が10°〜60°となるように傾斜
して取り付けられ、且つその冷却水ノズルから噴射され
る冷却水7の放射角度(開き角度)θ2 が7°〜10°
で、流量は0.5l/min〜2.0l/minとなる
ように設定されている。
The cooling water nozzle 3 is attached so as to be inclined such that an angle θ 1 formed by the axial direction and the horizontal is 10 ° to 60 °, and the cooling water 7 jetted from the cooling water nozzle is attached. Radiation angle (opening angle) θ 2 is 7 ° to 10 °
The flow rate is set to 0.5 l / min to 2.0 l / min.

【0009】8は回転ブレードであり、図2に示すよう
にスピンドルハウジング9に保持されたスピンドル10
の先端部に装着され、前記ホイールカバー1によりほぼ
上半部が覆われるようにしてある。
Reference numeral 8 is a rotary blade, and a spindle 10 held in a spindle housing 9 as shown in FIG.
The wheel cover 1 is attached to the tip of the wheel cover 1 so that the upper half of the wheel cover 1 is covered.

【0010】本発明に係るダイシング装置は上記のよう
に構成され、前記チャックテーブル4に載置固定された
半導体ウェーハ5を回転ブレード8によりダイシングす
るが、この切削時に冷却水ノズル3から冷却水7が噴射
されると共に、洗浄ノズル2からは洗浄水6が噴射され
る。
The dicing apparatus according to the present invention is constructed as described above, and the semiconductor wafer 5 mounted and fixed on the chuck table 4 is diced by the rotary blade 8. During this cutting, the cooling water nozzle 3 to the cooling water 7 are used. And the cleaning water 2 is sprayed from the cleaning nozzle 2.

【0011】冷却水ノズル3から噴射される冷却水7
は、回転ブレード8の前方から切削部分に向けてその両
側面にほぼ均等に掛かるように噴射されるので回転ブレ
ードの刃部を冷却することができ、しかも切断ラインに
沿って勢い良く跳ね返るので切り溝5a内に入り混んだ
コンタミを追い出すことができる。
Cooling water 7 jetted from the cooling water nozzle 3
Is sprayed from the front of the rotary blade 8 toward the cutting portion so as to be evenly applied to both side surfaces thereof, so that the blade portion of the rotary blade can be cooled, and moreover it bounces vigorously along the cutting line, so It is possible to expel mixed contaminants that have entered the groove 5a.

【0012】一方、洗浄ノズル2から勢い良く噴射され
たは洗浄水6は、半導体ウェーハ5の表面中心部で跳ね
返ると共に周辺部に向けて速く流れるため、表面に付着
したコンタミや切り溝から追い出されたコンタミ等を半
導体ウェーハ5の表面から確実に洗い流すことができ
る。
On the other hand, the cleaning water 6 jetted vigorously from the cleaning nozzle 2 bounces off at the center of the surface of the semiconductor wafer 5 and flows rapidly toward the periphery, so that it is expelled from the contaminants and kerfs adhering to the surface. The contaminants and the like can be reliably washed off the surface of the semiconductor wafer 5.

【0013】ダイシング後の半導体ウェーハを顕微鏡で
観察したところ、図3のように半導体ウェーハ5の表面
全体に渡ってコンタミの付着は見られず、且つ図4に示
すように切り溝5aの近辺もきれいであって従来のよう
にコンタミが浮き上がって表面に付着する現象も見られ
なかった。
When the semiconductor wafer after dicing is observed with a microscope, no contamination is observed over the entire surface of the semiconductor wafer 5 as shown in FIG. 3 and the vicinity of the kerf 5a is also shown as shown in FIG. It was clean, and there was no phenomenon of contamination rising and attaching to the surface as in the past.

【0014】[0014]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ダイシング装置においてウェーハの表面に近接配置した
洗浄ノズルの先端から強い水圧の洗浄水を噴射すること
で、ウェーハ表面のコンタミを確実に洗い流すことがで
きると共に、冷却ノズルから噴射される冷却水によって
切り溝内部のコンタミも追い出すことができる等の優れ
た効果を奏する。
As described above, according to the present invention,
In the dicing machine, by injecting cleaning water with strong water pressure from the tip of the cleaning nozzle located near the surface of the wafer, the contamination on the wafer surface can be surely washed out, and the cutting water is sprayed from the cooling nozzle. It has excellent effects such as being able to drive out internal contamination.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明に係るダイシング装置の要部の正面図
である。
FIG. 1 is a front view of a main part of a dicing device according to the present invention.

【図2】 同、側面図である。FIG. 2 is a side view of the same.

【図3】 ダイシング後に半導体ウェーハ表面の一部を
顕微鏡で見た状態図である。
FIG. 3 is a state diagram of a part of the surface of a semiconductor wafer as seen with a microscope after dicing.

【図4】 同、切り溝近辺を顕微鏡で見た状態図であ
る。
FIG. 4 is a state diagram of the vicinity of a kerf as seen with a microscope.

【図5】 従来例の要部の正面図である。FIG. 5 is a front view of a main part of a conventional example.

【図6】 同、一部切欠き側面図である。FIG. 6 is a partially cutaway side view of the same.

【図7】 従来例におけるダイシング後に半導体ウェー
ハ表面の一部を顕微鏡で見た状態図である。
FIG. 7 is a state view of a part of the surface of a semiconductor wafer as observed with a microscope after dicing in a conventional example.

【図8】 同、切り溝近辺を顕微鏡で見た状態図であ
る。
FIG. 8 is a state diagram of the vicinity of the kerf as seen with a microscope.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ホイールカバー 2…洗浄ノズル 3…冷却水
ノズル 4…チャックテーブル 5…半導体ウェー
ハ 5a…切り溝 6…洗浄水 7…冷却水
8…回転ブレード 9…スピンドルハウジング 1
0…スピンドル
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wheel cover 2 ... Cleaning nozzle 3 ... Cooling water nozzle 4 ... Chuck table 5 ... Semiconductor wafer 5a ... Cut groove 6 ... Cleaning water 7 ... Cooling water
8 ... Rotating blade 9 ... Spindle housing 1
0 ... Spindle

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウェーハ等のワークを切削するダ
イシング装置において、このダイシング装置にはブレー
ドを冷却するブレード冷却ノズルの外に、ウェーハ表面
を洗浄する洗浄ノズルが装着されており、この洗浄ノズ
ルの先端はウェーハ表面から20mm以下に設定される
と共に、洗浄水の供給圧が30kg/cm2 〜300k
g/cm2 に設定されていることを特徴とする、コンタ
ミ付着を防止したダイシング装置。
1. A dicing apparatus for cutting a work such as a semiconductor wafer, wherein the dicing apparatus is equipped with a cleaning nozzle for cleaning the wafer surface, in addition to a blade cooling nozzle for cooling the blade. The tip is set to 20 mm or less from the wafer surface, and the supply pressure of cleaning water is 30 kg / cm 2 to 300 k.
A dicing device which prevents contamination from adhering, which is set to g / cm 2 .
JP26561892A 1992-09-09 1992-09-09 Contaminant preventing dicing device Pending JPH0697278A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020065742A (en) * 2001-02-07 2002-08-14 주식회사 칩팩코리아 Device for sawing wafer in fabrication semiconductor package
KR100475524B1 (en) * 1996-11-27 2005-05-17 삼성전자주식회사 Board Cutting Method
KR20180103768A (en) 2017-03-09 2018-09-19 가부시기가이샤 디스코 Cutting blade, mount flange

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100475524B1 (en) * 1996-11-27 2005-05-17 삼성전자주식회사 Board Cutting Method
KR20020065742A (en) * 2001-02-07 2002-08-14 주식회사 칩팩코리아 Device for sawing wafer in fabrication semiconductor package
KR20180103768A (en) 2017-03-09 2018-09-19 가부시기가이샤 디스코 Cutting blade, mount flange
CN108568915A (en) * 2017-03-09 2018-09-25 株式会社迪思科 Cutting tool and mounting flange
CN108568915B (en) * 2017-03-09 2021-12-21 株式会社迪思科 Cutting tool and mounting flange

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