JPH0589664A - ダイナミツク型ランダムアクセスメモリ装置 - Google Patents

ダイナミツク型ランダムアクセスメモリ装置

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JPH0589664A
JPH0589664A JP3277188A JP27718891A JPH0589664A JP H0589664 A JPH0589664 A JP H0589664A JP 3277188 A JP3277188 A JP 3277188A JP 27718891 A JP27718891 A JP 27718891A JP H0589664 A JPH0589664 A JP H0589664A
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Takashi Kusakari
隆 草刈
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明の目的は動画像圧縮伸長用動き検出メ
モリをダイナミック型ランダムアクセスメモリ装置で実
現することである。 【構成】 メモリセルアレイ1は16のサブアレイA〜
Pに分割されており、MPEGメモリのアクセス手段に
対応した4×4ピクセルのデータは各々別のサブアレイ
A〜P上に保持する制御信号発生回路6はアドレスのラ
ッチ、デジット線のバランス、センス動作、データ出力
をパイプライン化し、高速アクセスを可能にしている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体記憶装置に関し、
特にデータレート高速化技術に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のダイナミック型ランダムアクセス
メモリ装置(以下、DRAMと称す)は、データレート
の高速化を図るために連続してアクセス可能なアドレス
を限定して、シリアルアクセスするページ動作や、アド
レスラッチとデータ出力を同時に実施する2段パイプラ
イン動作を取り入れている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、動画像
圧縮・伸長用動き検出メモリ(以下、MPEGメモリと
称す)は、3種類の特定されたアクセス手順のもとで、
現状の4倍以上の高速なデータレートを必要とされるの
で、従来のDRAMに採用されている高速化技術では不
十分であるという問題点があった。
【0004】一方、MPEGメモリを高速スタティック
RAMを用いることは記憶容量が不足し、また、スタテ
ィックRAMはコストパフォーマンスの点で、DRAM
に劣るという問題点があった。
【0005】
【課題を解決するための手段】本願発明の第1の要旨
は、ロウアドレスとカラムアドレスの2相の信号を時分
割に指定するダイナミックランダムアクセスメモリ(以
下、ダイナミックRAMと称す)であって、カラムアド
レスを16(4×4)のモードとして16の群に分割
し、それぞれを1つのセルアレイに構成し、各群独立に
4段のパイプライン動作をカラムアドレスのストローブ
信号のサイクルに同期して行うこととである。
【0006】本願発明の第2の要旨は、16個のメモリ
セルサブアレイと、各メモリセルサブアレイにそれぞれ
アドレスを供給する複数アドレスレジスタと、各メモリ
セルサブアレイとのデータの授受を実行する複数のリー
ドライトアンプと、リードライトアンプとデータ入出力
端子との間に設けられたデータ入出力ユニットと、クロ
ック信号に同期して一連の制御信号を発生する制御信号
発生回路とを備え、上記一連の制御信号はアドレス信号
のアドレスレジスタへのラッチと、アドレス信号で指定
されたメモリセルサブブロックのデジット線のバランス
と、アドレス信号で指定されたメモリセルサブブロック
から読み出されたデータの供給されたリード・ライトア
ンプの活性化と、リードライトアンプから供給されたデ
ータのデータ入出力ユニットからの出力をパイプライン
方式で制御することである。
【0007】
【発明の作用】制御信号はアドレス信号をラッチして4
つのメモリセルサブブロックを順次指定するとともに、
デジット線のバランス、センス動作、データの出力をパ
イプライン制御する。
【0008】
【実施例】次に本発明について図面に示された実施例を
通して説明する。図1は本発明の第1実施例を示すブロ
ック図である。メモリセルアレイ1は16に分割された
サブアレイA〜Pからなり、各サブアレイA〜Pは各々
アドレスレジスタ3とライト/リードアンプ4に接続さ
れている。クロック入力5からクロック信号の供給され
る制御信号発生回路6は一連の制御信号を形成し、パイ
プライン制御を可能にする。制御信号はアドレス入力7
のアドレスレジスタ3への転送からデータの入出力バッ
ファ8を介した入力まで制御する。
【0009】ところで、MPEGメモリのアクセス手段
は16×16のピクセルを1つの単位とした領域に対
し、図2に示す3通りのパターンで特定されている。す
なわち、第1のパターン21では各行とも左端のピクセ
ルから右端のピクセルに移行し、第2のパターン22で
は、ピクセルは折り返しつつ指定され、第3のパターン
23では斜め方向に折り返しつつピクセルは指定されて
いる。これに対し、図3に示すように4×4=16ピク
セルのデータをメモリセルアレイ1上で別々のサブアレ
イA〜Pに4個づつ割り当ててあり、4段のパイプライ
ン動作が可能になる。
【0010】次に、本実施例の4段パイプライン動作に
ついて読み出し動作を例にとって図4,図5を参照して
説明する。
【0011】時刻t1に行アドレスストローブ信号RA
S(オーハ゛ーライン)を降下させ、行アドレスXをラッチする。
時刻t2〜t5に列アドレスストローブ信号CAS(オーハ゛ー
ライン)をそれぞれ降下させ、列アドレスYA,YB,Y
C,YDを順次アドレスレジスタ3にラッチすると、デ
ータ(X,YA)(X,YB)(X,YC)(X,Y
D)がサブアレイA〜Dから読み出され、データレート
の高速化を図ることが可能になる。
【0012】すなわち、4段の各々の動作は図5に示す
ように(1)アドレスラッチ、デコーダ動作(2)デジ
ット線バランス(3)データセンスラッチ(4)出力を
4つのサブアレイA〜Dについて繰り返すことになる。
また、高速化のためにページ動作を実施し、CAS(オーハ
゛ーライン)により4段の動作を同期させて実施している。例
えば、図5中t=Tの時には、サブアレイAのデータが
出力され、サブアレイBのデータがセンスアンプにラッ
チされ、サブアレイCのデジット線がバランスされ、サ
ブアレイDのアドレスがラッチされデコーダ動作を実施
していることになる。
【0013】しかしながら、かかる4段のパイプライン
動作中に、同一サブアレイが異なる段階でアクセスされ
ると不具合が生じる。そこで、不都合なアクセスを検出
する検出回路を備えてもよい。例えば、図5のt=Tの
タイミングで再びサブアレイAを選択するアドレス入力
がラッチされた場合には、サブアレイAからデータ出力
中にも係わらず、アドレスラッチとデコードがサブアレ
イAについてなされることになる。このような不具合が
起きたことを感知するには、列アドレスストローブ信号
CAS(オーハ゛ーライン)に同期して入力されたアドレスを先行
する3クロックに同期して入力されたアドレスと比較し
て同一サブアレイを選択しているか否か中を判断するこ
とにより実現できる。
【0014】具体的には図6に示すように、アドレス入
力バッファ10に取り込まれたアドレスは列アドレスス
トローブ信号CAS(オーハ゛ーライン)に同期してシフトレジス
タ11に順次ラッチされ、先行する3クロック分のアド
レスはアドレス比較回路12で最新のアドレスと比較さ
れる。その比較結果はOR回路13に入力されOR回路
の出力がミスマッチ出力信号14として出力される。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、MPEG
メモリ特有のアクセス手段のもとで、ページ動作を4段
パイプライン化が実現でき、かつ現在のページ動作の4
倍の高速化が実現できる。従って、本機能を有したダイ
ナミックRAMは大容量化、コストパフォーマンスの点
で優れ、ダイナミックRAMの適用範囲を広げることが
できるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例を示すブロック図である。
【図2】MPEGメモリのアクセス手段を示す図であ
る。
【図3】第1実施例のサブアレイの割当を示す図であ
る。
【図4】第1実施例の動作を示すタイミングチャートで
ある。
【図5】図4のタイミングでの各サブアレイの動作内容
の時系列変化を示す図である。
【図6】ミスマッチ信号発生回路を示すブロック図であ
る。
【符号の説明】
1 メモリセルアレイ 3 アドレスレジスタ 4 ライトリードアンプ 5 クロック入力 6 制御信号発生回路 7 アドレス入力 8 入出力バッファ 9 データ入出力 10 アドレス入力バッファ 11 シフトレジスタ 12 アドレス比較回路 13 OR回路 14 ミスマッチ出力信号

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ロウアドレスとカラムアドレスの2相の
    信号を時分割に指定するダイナミックランダムアクセス
    メモリ(以下、ダイナミックRAMと称す)であって、
    カラムアドレスを16(4×4)のモードとして16の
    群に分割し、それぞれを1つのセルアレイに構成し、各
    群独立に4段のパイプライン動作をカラムアドレスのス
    トローブ信号のサイクルに同期して行うこととを特徴と
    するダイナミック型ランダムアクセスメモリ。
  2. 【請求項2】 16個のメモリセルサブアレイと、各メ
    モリセルサブアレイにそれぞれアドレスを供給する複数
    アドレスレジスタと、各メモリセルサブアレイとのデー
    タの授受を実行する複数のリードライトアンプと、リー
    ドライトアンプとデータ入出力端子との間に設けられた
    データ入出力ユニットと、クロック信号に同期して一連
    の制御信号を発生する制御信号発生回路とを備え、上記
    一連の制御信号はアドレス信号のアドレスレジスタへの
    ラッチと、アドレス信号で指定されたメモリセルサブブ
    ロックのデジット線のバランスと、アドレス信号で指定
    されたメモリセルサブブロックから読み出されたデータ
    の供給されたリード・ライトアンプの活性化と、リード
    ライトアンプから供給されたデータのデータ入出力ユニ
    ットからの出力をパイプライン方式で制御することを特
    徴とするダイナミック型ランダムアクセスメモリ装置。
  3. 【請求項3】 上記一連の制御信号が同時に同一のメモ
    リセルサブブロックに関し供給されたことを検出してミ
    スマッチ信号を出力する検出回路をさらに備えた請求項
    2記載のダイナミック型ランダムアクセスメモリ装置。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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