JPH058853B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH058853B2 JPH058853B2 JP61154389A JP15438986A JPH058853B2 JP H058853 B2 JPH058853 B2 JP H058853B2 JP 61154389 A JP61154389 A JP 61154389A JP 15438986 A JP15438986 A JP 15438986A JP H058853 B2 JPH058853 B2 JP H058853B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- synchrotron radiation
- shock wave
- vibrating mirror
- vacuum
- wave delay
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 claims description 21
- 230000035939 shock Effects 0.000 claims description 18
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 11
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70841—Constructional issues related to vacuum environment, e.g. load-lock chamber
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシンクロトロン放射線源を用いたＸ線
露光装置に関する。
露光装置に関する。
近年、サブミクロン幅パターンの高速転写技術
として、高強度Ｘ線源であるシンクロトロン放射
線源を用いたＸ線露光技術が一段と脚光を浴び
て、各所で精力的に研究、開発が行われ始めた。
シンクロトロン放射線源を用いた露光装置の代表
例として、例えば、1984年に発行された刊行物ニ
ユークリア・インスツルメント・アンド・メソツ
ド・イン・フイジイクス・リサーチ（Nuclear
Instruments and Methods in Physics
Research）第222巻、291〜301頁に示されたビー
ムライン、露光部構成図がある。第２図にその概
略図を示す。すなわち、シンクロトロン放射光源
から放射された放射光１がビームライン７に導入
される。
として、高強度Ｘ線源であるシンクロトロン放射
線源を用いたＸ線露光技術が一段と脚光を浴び
て、各所で精力的に研究、開発が行われ始めた。
シンクロトロン放射線源を用いた露光装置の代表
例として、例えば、1984年に発行された刊行物ニ
ユークリア・インスツルメント・アンド・メソツ
ド・イン・フイジイクス・リサーチ（Nuclear
Instruments and Methods in Physics
Research）第222巻、291〜301頁に示されたビー
ムライン、露光部構成図がある。第２図にその概
略図を示す。すなわち、シンクロトロン放射光源
から放射された放射光１がビームライン７に導入
される。
まず、真空バルブ２を通過した放射光１は、振
動ミラー３で垂直方向のビーム幅が拡大される。
さらに衝撃波遅延管４、放射線取出し用Be窓５
を通つた放射光１が、Ｘ線マスク及び露光ウエハ
ーを設置した露光部６に導入される。なお、通常
ビームライン７は真空に保たれ、特にシンクロト
ロン放射光源に近い真空バルブ２より上流側は、
超高真空に保たれる。
動ミラー３で垂直方向のビーム幅が拡大される。
さらに衝撃波遅延管４、放射線取出し用Be窓５
を通つた放射光１が、Ｘ線マスク及び露光ウエハ
ーを設置した露光部６に導入される。なお、通常
ビームライン７は真空に保たれ、特にシンクロト
ロン放射光源に近い真空バルブ２より上流側は、
超高真空に保たれる。
ところで、衝撃波遅延管４の役割は重要であ
る。すなわち、放射光取出し用Be窓５は通常数
十μｍ厚と極めて薄いため、大気圧力等の衝撃に
よつて破損しやすい。そこで、Be窓５の破損事
故に備えて、衝撃波遅延管４が設置されている。
Be窓が破損したとき、流入する大気の流れを遅
らせるために衝撃波遅延管４がある。流入する大
気は一種の衝撃波である。衝撃波遅延管４の構造
は、スリツトを有する仕切り板を一定間隔に多数
枚設けたものであり、前述の衝撃波の伝播を遅ら
せるものである。この衝撃波の伝播が遅れている
間に、より上流側にある真空バルブ２を閉めて、
シンクロトロン放射光源に対するリークを防ぐこ
とができる。次に、振動ミラー３の役割も重要で
ある。シンクロトロン放射光源から発生する放射
光１は、水平方向には一様な強度分布を有してい
るが、垂直方向では一様な強度分布の得られる領
域は極めて狭い。一例として、垂直方向へのビー
ムの広がりは発光点において0.4ｍrad程度である
が、この場合10ｍ位の露光位置でも４mmにすぎな
い。露光ウエハーの照射域は、少なくとも数cm角
が必要である。したがつて、水平方向は一様な強
度分布が得られるので、垂直方向に数cm幅位に渡
つて一様なビーム強度分布を得るための手段を講
じる必要がある。このため、ミラーを垂直方向に
振動させて、垂直方向の露光領域を拡大する機構
として、振動ミラーを用いられているものであ
る。振動ミラーはシステム構成上のキーデバイス
の一つである。
る。すなわち、放射光取出し用Be窓５は通常数
十μｍ厚と極めて薄いため、大気圧力等の衝撃に
よつて破損しやすい。そこで、Be窓５の破損事
故に備えて、衝撃波遅延管４が設置されている。
Be窓が破損したとき、流入する大気の流れを遅
らせるために衝撃波遅延管４がある。流入する大
気は一種の衝撃波である。衝撃波遅延管４の構造
は、スリツトを有する仕切り板を一定間隔に多数
枚設けたものであり、前述の衝撃波の伝播を遅ら
せるものである。この衝撃波の伝播が遅れている
間に、より上流側にある真空バルブ２を閉めて、
シンクロトロン放射光源に対するリークを防ぐこ
とができる。次に、振動ミラー３の役割も重要で
ある。シンクロトロン放射光源から発生する放射
光１は、水平方向には一様な強度分布を有してい
るが、垂直方向では一様な強度分布の得られる領
域は極めて狭い。一例として、垂直方向へのビー
ムの広がりは発光点において0.4ｍrad程度である
が、この場合10ｍ位の露光位置でも４mmにすぎな
い。露光ウエハーの照射域は、少なくとも数cm角
が必要である。したがつて、水平方向は一様な強
度分布が得られるので、垂直方向に数cm幅位に渡
つて一様なビーム強度分布を得るための手段を講
じる必要がある。このため、ミラーを垂直方向に
振動させて、垂直方向の露光領域を拡大する機構
として、振動ミラーを用いられているものであ
る。振動ミラーはシステム構成上のキーデバイス
の一つである。
しかしながら、従来のビームライン構成におい
て重大な問題点がある。
て重大な問題点がある。
第２図の振動ミラーは、真空外部よりミラーを
振動させる必要があるが、このため、真空外部の
ミラー駆動機構と真空内部のミラーとの接続を行
う機構部が必要であるが、この機構が真空保持に
対して十分な性能を保有させることが難しい。す
なわち、この機構は常時運動を伴うような機構系
となるために真空リークの可能性が増大する。仮
に、第２図において、振動ミラー部において真空
リークが生じた場合にはシンクロトロン放射光源
ヘリークが伝わることになり、これは放射光源の
ダウンにつながり、ひいては全システムの長期的
安定運転に対して大きなダメージを与えることに
なる。
振動させる必要があるが、このため、真空外部の
ミラー駆動機構と真空内部のミラーとの接続を行
う機構部が必要であるが、この機構が真空保持に
対して十分な性能を保有させることが難しい。す
なわち、この機構は常時運動を伴うような機構系
となるために真空リークの可能性が増大する。仮
に、第２図において、振動ミラー部において真空
リークが生じた場合にはシンクロトロン放射光源
ヘリークが伝わることになり、これは放射光源の
ダウンにつながり、ひいては全システムの長期的
安定運転に対して大きなダメージを与えることに
なる。
本発明の目的は、このような従来の問題点を除
去せしめて、ビームラインの真空リークに対して
対処可能で、長期的に安定運転を保証するＸ線露
光装置を提供することにある。
去せしめて、ビームラインの真空リークに対して
対処可能で、長期的に安定運転を保証するＸ線露
光装置を提供することにある。
本発明は、シンクロトロン放射光源と、振動ミ
ラー、衝撃波遅延管及び放射光取出し窓を主構成
要素とするビームラインと、Ｘ線マスク及びウエ
ハーを設置した露光部を有するＸ線露光装置にお
いて、前記振動ミラーの上流側に、高速しや断バ
ルブと衝撃波遅延管とを設置したことを特徴とす
るＸ線露光装置である。
ラー、衝撃波遅延管及び放射光取出し窓を主構成
要素とするビームラインと、Ｘ線マスク及びウエ
ハーを設置した露光部を有するＸ線露光装置にお
いて、前記振動ミラーの上流側に、高速しや断バ
ルブと衝撃波遅延管とを設置したことを特徴とす
るＸ線露光装置である。
以下本発明の実施例について、図面を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
第１図に本発明の実施例を示す。本発明による
Ｘ線露光装置は以下の主構成要素からなる。すな
わち、ビームライン７に沿つて高速しや断バルブ
８、衝撃波遅延管４、振動ミラー３、放射光取出
し用Be窓５及びＸ線マスク９と露光部６とを順
に設置したものである。１０は露光ウエハーを示
している。放射光１は高速しや断バルブ８の上流
側から導入される。高速しや断バルブ８は、数十
ｍsec以下の短い時間でしや断できる性能を有し
ており、真空リークの信号が伝わると数十ｍsec
以下でバルブを閉として、より上流の真空悪化を
防止することができる。第１図において本発明は
振動ミラー３の上流側に衝撃波遅延管４を、さら
にその上流に高速しや断バルブ８を設置した構成
が重要である。本発明では、振動ミラー３におい
て真空リークが生じた場合、リークした空気が衝
撃波遅延管４まで伝わり、この管４の中をリーク
した空気がより上流に向けて流入してゆくが、そ
の速度が遅くなる間に、高速しや断バルブ８を閉
とすればより上流の超高真空系へのリークによる
ダメージを防ぐことができる。放射光取出し用
Be窓９の破損による真空リークの場合にも同様
な効果を得ることができる。
Ｘ線露光装置は以下の主構成要素からなる。すな
わち、ビームライン７に沿つて高速しや断バルブ
８、衝撃波遅延管４、振動ミラー３、放射光取出
し用Be窓５及びＸ線マスク９と露光部６とを順
に設置したものである。１０は露光ウエハーを示
している。放射光１は高速しや断バルブ８の上流
側から導入される。高速しや断バルブ８は、数十
ｍsec以下の短い時間でしや断できる性能を有し
ており、真空リークの信号が伝わると数十ｍsec
以下でバルブを閉として、より上流の真空悪化を
防止することができる。第１図において本発明は
振動ミラー３の上流側に衝撃波遅延管４を、さら
にその上流に高速しや断バルブ８を設置した構成
が重要である。本発明では、振動ミラー３におい
て真空リークが生じた場合、リークした空気が衝
撃波遅延管４まで伝わり、この管４の中をリーク
した空気がより上流に向けて流入してゆくが、そ
の速度が遅くなる間に、高速しや断バルブ８を閉
とすればより上流の超高真空系へのリークによる
ダメージを防ぐことができる。放射光取出し用
Be窓９の破損による真空リークの場合にも同様
な効果を得ることができる。
また、高速しや断バルブ８、衝撃波遅延管４及
び振動ミラー３は、シンクロトロン放射線源を用
いたＸ線露光装置にとつて重要な構成要素である
ことは述べた通りであるが、これらをビームライ
ン７の上流側に設置することによつて、振動ミラ
ー３より下流側のビームラインの構成は設計上自
由度が大きくなる。すなわち、露光部６までの距
離設定、ビームライン（振動ミラーより下流）の
傾き角度設定、また他の重要構成要素（例えば差
動排気系）の設置等が容易にできるようになる。
傾き角度の意味は、ミラーにて反射された放射光
が傾きを有してくるため、露光部６に至るビーム
ラインを傾ける必要があるということである。
び振動ミラー３は、シンクロトロン放射線源を用
いたＸ線露光装置にとつて重要な構成要素である
ことは述べた通りであるが、これらをビームライ
ン７の上流側に設置することによつて、振動ミラ
ー３より下流側のビームラインの構成は設計上自
由度が大きくなる。すなわち、露光部６までの距
離設定、ビームライン（振動ミラーより下流）の
傾き角度設定、また他の重要構成要素（例えば差
動排気系）の設置等が容易にできるようになる。
傾き角度の意味は、ミラーにて反射された放射光
が傾きを有してくるため、露光部６に至るビーム
ラインを傾ける必要があるということである。
以上説明したように本発明によれば、シンクロ
トロン放射光を通過させて露光部に導くビームラ
インの長期安定稼動及び信頼性を向上し、シンク
ロトロン放射光を用いたＸ線露光装置の実用化に
大きく寄与できる効果を有する。
トロン放射光を通過させて露光部に導くビームラ
インの長期安定稼動及び信頼性を向上し、シンク
ロトロン放射光を用いたＸ線露光装置の実用化に
大きく寄与できる効果を有する。
第１図は本発明の一実施例を示すビームライン
構成図、第２図は従来の代表的ビームライン構成
図である。 １……放射光、２……真空バルブ、３……振動
ミラー、４……衝撃波遅延管、５……放射光取出
し用Be窓、６……露光部、７……ビームライン、
８……高速しや断バルブ、９……Ｘ線マスク、１
０……露光ウエハー。
構成図、第２図は従来の代表的ビームライン構成
図である。 １……放射光、２……真空バルブ、３……振動
ミラー、４……衝撃波遅延管、５……放射光取出
し用Be窓、６……露光部、７……ビームライン、
８……高速しや断バルブ、９……Ｘ線マスク、１
０……露光ウエハー。
Claims (1)
- １ シンクロトロン放射光源と、振動ミラー、衝
撃波遅延管及び放射光取出し窓を主構成要素とす
るビームラインと、Ｘ線マスク及びウエハーを設
置した露光部とを有するＸ線露光装置において、
前記振動ミラーの上流側に、高速しや断バルブと
衝撃波遅延管とを設置したことを特徴とするＸ線
露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61154389A JPS639929A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61154389A JPS639929A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | Ｘ線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS639929A JPS639929A (ja) | 1988-01-16 |
| JPH058853B2 true JPH058853B2 (ja) | 1993-02-03 |
Family
ID=15583067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61154389A Granted JPS639929A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS639929A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2627543B2 (ja) * | 1988-09-05 | 1997-07-09 | キヤノン株式会社 | Ｓｏｒ露光システム |
-
1986
- 1986-06-30 JP JP61154389A patent/JPS639929A/ja active Granted
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| PROCEEDING OF SPIE-THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING=S58 * |
| REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS=1976 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS639929A (ja) | 1988-01-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0174877B1 (en) | X-ray application system | |
| US8988652B2 (en) | Method and apparatus for ultraviolet (UV) patterning with reduced outgassing | |
| JPH058853B2 (ja) | ||
| US4484339A (en) | Providing X-rays | |
| EP0105261B1 (en) | Providing x-rays | |
| NO327594B1 (no) | Framgangsmate for nedihulls, ikke-isotopisk framstilling av ionisert straling samt apparat for anvendelse ved utovelse av framgangsmaten | |
| JP3070085B2 (ja) | Ｓｏｒ光装置の光取り出しライン | |
| JP3090708B2 (ja) | シンクロトロン放射光照射装置及びｘ線露光装置 | |
| JPH08241847A (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
| JPS6182490A (ja) | 外部反射鏡レ−ザ装置 | |
| JP2584490Y2 (ja) | シンクロトロンにおけるｓｏｒ光出射用窓装置 | |
| JPH0338026A (ja) | 放射光露光装置 | |
| JPS62296516A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPH04282500A (ja) | Ｓｏｒ光装置におけるｓｏｒ光出射用窓装置 | |
| JPH0669101A (ja) | Ｘ線リソグラフィ装置 | |
| JPS639930A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| SU650008A1 (ru) | Устройство дл оптической регистрации ударной волны | |
| JPH0630336B2 (ja) | 荷電粒子装置 | |
| JPH0754960Y2 (ja) | Ｓｏｒ光装置におけるｓｏｒ光出射用窓装置 | |
| JP3069832B2 (ja) | テフロン加工装置 | |
| JPS6062116A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPS61242022A (ja) | 光照射装置 | |
| JPH04125500A (ja) | Ｓｏｒ光装置におけるｓｏｒ光出射用窓装置 | |
| JPH04264399A (ja) | Ｓｏｒ光取出部のシールド壁構造 | |
| JPH06120122A (ja) | Ｘ線リソグラフィ装置 |