JPH0588250B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 本発明は、新規な４−メチル−１−ペンテン系
重合体に関する。更に詳細には、本発明は、透明
性、耐水性及び流動性に優れた４−メチル−１−
ペンテン系重合体に関する。本発明の４−メチル
−１−ペンテン系重合体は、成形性及び透明性に
優れ、複屈折が少く、成形品の耐湿性に優れかつ
反りの少ない光学メモリデイスクを製造するため
の光透過性素材として使用することができる。 〔従来の技術〕 最近、録音、録画などの情報記録の分野におい
て、従来のアナログ式もしくは磁気式の記録に代
わつて、光エネルギーの変化に変換し得る記録層
を形成させ、これに光を照射することによつて記
録された情報を光に変換して読み取る光学メモリ
デイスクが新しい情報記録システムとして注目さ
れており、光学式ビデオデイスクまたは光学式デ
ジタルオーデイオデイスクなどの情報記録の分野
で急速に発展している。この光学メモリデイスク
には、光透過性素材からなるデイスク基盤の片面
に光エネルギーの変化に変換し得る記録層（情報
ピツト）を形成させ、その露出側に金属被膜層を
形成させ、さらにその金属被膜層の表面に保護膜
層を形成させた構造、すなわち、 〔光透過性素材層・記録層金属被膜層保護膜
層〕 の積層構造からなる片面光学メモリデイスク、お
よびこの２枚の片面デイスク基盤の保護膜層を背
合わせに積層させた構造、すなわち、 〔光透過性素材層・記録層金属被膜層保護膜
層金属被膜層記録層・光透過性素材層〕 の積層構造からなる両面光学メモリデイスクなど
の構造のものがある。これらの光学メモリデイス
クの記録層は通常は光透過性素材からなるデイス
ク基盤の片面上に同種の素材で形成されるが、該
デイスク基盤の片面上に他の素材からなる記録層
を形成させる場合もある。 該光学メモリデイスクを構成する光透過性素材
層（デイスク基盤層）に要求される光透過性素材
の性能としては、透明性に優れていること、デイ
スク基盤に成形した場合に複屈析が少ないこと、
流動特性及び精密成形加工性に優れていること、
成形時に歪みを生じないこと、寸法安定性に優れ
成形後に反りを生じないこと、金属の蒸着性能に
優れていること、耐熱性に優れていること、耐湿
性に優れていること、などがある。光学メモリデ
イスクに従来から使用されている光透過性素材と
しては、ガラスまたは透明性樹脂がある。ガラス
透明性、耐熱性、耐湿性に優れ、複屈折が少な
く、成形時の歪み及び成形後の反りがないなどの
利点はあるが、耐衝撃性に劣り、成形加工性にも
劣り大量生産に適していないなどの欠点があり、
ガラスに代わる光透過性素材として透明性樹脂が
広く使用されている。 光学メモリデイスクの光透過性素材用の透明性
樹脂としては、従来硬質塩化ビニル系樹脂、ポリ
メチルメタクリート、ポリカーボネートなどが提
案されている。しかし、硬質塩化ビニル樹脂では
種々の添加剤を改質のために配合しなければなら
ず、この添加剤が成形後に経時的にデイスク表面
にブリードアウトすることにより光学メモリデイ
スクの記録再生性能が低下するという欠点があ
る。また、ポリメチルメタクリレート又はポリカ
ーボネートを光透過性素材とする光学メモリデイ
スクは透明性に優れ、複屈折が小さいという利点
はあるが、耐湿性に乏しく空気中の水分を吸収し
てデイスク基盤の表面が膨張し、反りが生じ易い
という欠点がある。 ポリメチルメタクリレート又はポリカーボネー
トを光透過性素材とする光学メモリデイスクの前
述の欠点を回避するものとして、４−メチル−１
−ペンテン系重合体を光透過性素材とする光学メ
モリデイスクが、特開昭58−160306号公報、特開
昭58−121150号公報、特開昭58−121151号公報、
特開昭58−176204号公報にそれぞれ提案されてい
る。これらの先行技術文献のうちで特開昭58−
160306号公報、特開昭58−121150号公報及び特開
昭58−121151号公報において具体的に開示された
光学メモリデイスクの光透過性素材は、それぞれ
の実施例の記載から明らかなように、いずれもか
なり高分子量すなわち極限粘度〔η〕の大きい４
−メチル−１−ペンテン系重合体であることがわ
かる。しかし、このように極限粘度〔η〕の大き
い４−メチル−１−ペンテン系重合体を光学メモ
リデイスクの光透過性素材として使用しようとす
ると、流動特性が低下すると共に精密成形性が低
下ししかも成形時の樹脂の配向による複屈折が大
きくなるので、高性能の光学メモリデイスクを成
形することができないという欠点がある。この高
極限粘度の４−メチル−１−ペンテン系重合体を
光透過性素材として使用した光学メモリデイスク
の欠点を改善しようとして溶融射出成形時の温度
を高くすると、該４−メチル−１−ペンテン系重
合体の加熱溶融時の熱分解が起こり、流動特性及
び精密成形性が向上ししかも複屈折も低下するよ
うになる。このような改善結果に基づく発明が本
出願人による特開昭58−176204号公報の提案であ
る。しかし、特開昭58−176204号公報に開示され
ているように、高温加熱溶融により熱分解を起こ
させることによつて得られた４−メチル−１−ペ
ンテン系重合体は前述の高極限粘度の４−メチル
−１−ペンテン系重合体の前記欠点は解消するも
のの、該熱分解４−メチル−１−ペンテン系重合
体は熱分解時の着色により透明性の低下ならびに
熱分解時に発生した極微小の気体粒子を含有しこ
れによる光散乱が僅かに起こるためか、これを光
透過性素材として光学メモリデイスクの性能は未
だ充分であるとは言い難い。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明者らは、従来の高極限粘度〔η〕の４−
メチル−１−ペンテン系重合体及び熱分解４−メ
チル−１−ペンテン系重合体を光学メモリデイス
クの光透過性素材の用途に利用しても、いずれも
前述の欠点が存在し、高性能の光学メモリデイス
クが得られないことを認識し、従来のこれらの４
−メチル−１−ペンテン系重合体にくらべて光学
メモリデイスクの光透過性素材として優れた４−
メチル−１−ペンテン系重合体を提供すること、
ならびに従来の４−メチル−１−ペンテン系重合
体を光透過性素材としたものにくらべて高性能の
光学メモリデイスクを提供することを目的として
開発研究を行つてきた。その結果、本発明は、４
−メチル−１−ペンテンを主成分としかつ特定の
極限粘度、分子量分布、融点、結晶化度、沃素価
及びｎ−デカンへの可溶分量で特定される４−メ
チル−１−ペンテン系重合体は、従来の４−メチ
ル−１−ペンテン系重合体にくらべて、透明性に
優れ、溶融流動特性が良好であるので精密成形加
工性に優れており、成形加工時に歪みを生じ難
く、寸法安定性に優れ、耐湿性が良好であるので
成形後に反りを生じないこと、成形時の配向が少
なく成形品の透過光の複屈折が著しく少ないこ
と、重合体中に分散した微小気泡が存在しないの
で透過光の散乱が起こらないこと、耐熱性に優
れ、着色がないなどの優れた性質を有することを
見出したことに基づくものであり、さらには該４
−メチル−１−ペンテン系重合体を光透過性素材
として使用した光学メモリデイスクは前述の性質
を備えた優れた性質を発揮することを見出したこ
とに基づくものである。 従つて、本発明の目的は、光学メモリデイスク
の光透過性素材として優れた性質を有する新規な
４−メチル−１−ペンテン系重合体を提供するこ
とにある。 本発明の上記目的ならびにさらに多くの他の目
的ならびに利点は以下の記載により一層明らかに
なるであろう。 〔問題点を解決するための手段及び作用〕 本発明によれば、 (A) ４−メチル−１−ペンテン成分(a)が80ないし
100モル％及び４−メチル−１−ペンテン以外
の炭素原子数が２ないし20の範囲にあるα−オ
レフイン成分(b)が０ないし20モル％の範囲〔こ
こで、(a)と(b)との合計は100モル％である〕に
あること、 (B) 135℃のデカリン中で測定した極限粘度〔η〕
が0.1ないし1.5dl／ｇの範囲にあること、 (C) 数平均分子量に対する重量平均分子量の比で
表わした分子量分布（ｗ／ｎ）が２ないし
７の範囲にあること、 (D) 示差走査型熱量計で測定した融点が200ない
し245℃の範囲にあること、 (E) Ｘ線回折法で測定した結晶化度が10ないし50
％の範囲にあること、及び (F) 沃素価が２以下の範囲にあること、 (G) 10℃におけるｎ−デカンへの可溶分量が40重
量％以下の範囲にあること、 によつて特徴付けられる４−メチル−１−ペンテ
ン系重合体が提供される。 本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体
は、４−メチル−１−ペンテンの単独重合体の場
合もあるし、４−メチル−１−ペンテン成分(a)と
４−メチル−１−ペンテン以外の炭素原子数が２
ないし20の範囲にあるα−オレフイン成分(b)との
ランダム共重合体である場合もある。該４−メチ
ル−１−ペンテン系重合体の組成(A)は、４−メチ
ル−１−ペンテン成分(a)が80ないし100モル％、
好ましくは90ないし100モル％の範囲及び炭素原
子数が２ないし20の範囲のα−オレフイン成分(b)
が０ないし20モル％、好ましくは０ないし10モル
％の範囲である。ここで、４−メチル−１−ペン
テン成分(a)と該α−オレフイン成分(b)の合計は
100モル％である。４−メチル−１−ペンテン系
重合体の該α−オレフイン成分の含有率が20モル
％より多くなると、４−メチル−１−ペンテン系
重合体の剛性と耐熱性が低下するようになり、該
４−メチル−１−ペンテン系重合体を光透過性素
材とする光学メモリデイスクの剛性と耐熱性が低
下し、金属蒸着した光メモリデイスクが反りやす
くなる。該α−オレフイン成分として具体的に
は、エチレン、プロピレン、１−ブテン１−ペン
テン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセ
ン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキ
サデセン、１−オクタデセン、１−エイコセンな
どを例示することができる。 本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体に
おいて、135℃のデカリン中で測定した極限粘度
〔η〕は0.1ないし1.5、好ましくは0.5ないし1.0の
範囲である。該４−メチル−１−ペンテン重合体
の極限粘度〔η〕が1.5より大きくなると、溶融
流動性が低下し精密成形加工性が低下するように
なり、また光学メモリデイスクを射出成形した場
合に該重合体の配合性が大きくなりその結果透過
光の複屈折が多くなるので、高性能の光学メモリ
デイスクが得られなくなる。また、該４−メチル
−１−ペンテン系重合体の極限粘度〔η〕が0.1
より小さくなると、耐衝撃強度、力学強度が低下
し、射出成形を行なうとデイスクが金型中で割れ
やすくなり、満足な成形体を得るのが困難とな
る。この特性値は本発明の４−メチル−１−ペン
テン系重合体の分子量を示す尺度であり、他の特
性値と結合することにより、前述の優れた性質の
４−メチル−１−ペンテン系重合体の提供に役立
つている。 本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体に
おいて、数平均分子量に対する重量平均分子量の
比で表わした分子量分布（ｗ／ｎ）が２ない
し７、好ましくは2.2ないし５の範囲にある。該
４−メチル−１−ペンテン系重合体の分子量分布
が７より大きくなると、耐衝撃強度が低下し、複
屈折が大きくなり、また分子量分布が２より小さ
くなると、溶融流動性が低下し、精密成形性が悪
くなる。この分子量分布はゲルパーミエイシヨン
クロマトグラフイーによつて測定したものであ
る。この特性値は他の特性値と結合することによ
つて前述の優れた性質の４−メチル−１−ペンテ
ン系重合体の提供に役立つている。 本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体に
おいて、示差走査型熱量計によつて測定した融点
〔以下、DSC融点と略記することがある〕(D)は
200ないし245℃、好ましくは210ないし245℃の範
囲にある。この特性値も他の特性値と結合するこ
とによつて前述の優れた性質の４−メチル−１−
ペンテン系重合体の提供に役立つている。DSC
融点は、試料を300℃で５分間放置後−40℃で５
分間放置した後、10℃／minの昇温速度で−40℃
から300℃まで測定を行うことにより求めた。 本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体に
おいて、Ｘ線回折法で測定した結晶化度(E)は10な
いし50％、好ましくは20ないし48％の範囲にあ
る。この特性値も他の特性値と結合することによ
り、前述の優れた性質の４−メチル−１−ペンテ
ン系重合体の提供に役立つている。 本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体に
おいて、沃素価は２以下、たとえば0.01〜２、好
ましくは0.01〜１、とくに好ましくは0.02〜0.2の
範囲である。沃素価が２より大きい４−メチル−
１−ペンテン系重合体、たとえば熱分解法で得ら
れた４−メチル−１−ペンテン系重合体及び該重
合体を光透過性素材として使用した光学メモリデ
イスクの欠点は前述のとおりである。この特性値
は４−メチル−１−ペンテン系重合体中に存在す
る炭素・炭素不飽和結合、とくに分子未端に存在
する炭素・炭素不飽和結合の存在量を示す尺度で
あり、他の特性値と結合することにより、前述の
優れた性質の４−メチル−１−ペンテン系重合体
の提供に役立つている。該４−メチル−１−ペン
テン系重合体の沃素価は次の方法により測定し
た。すなわち、2gの４−メチル−１−ペンテン
系重合体を100mlのデカリンに150℃で溶解し、50
℃になるまで室温放置後、1mmolの一塩化沃素
の溶解した20mlの酢酸を添加する。時々撹拌しな
がら30分暗所に放置後、10％沃化カリウム水溶液
を20ml添加し、0.1Nチオ硫酸ナトリウム水溶液
で滴定した。100gの試料に付加した沃素のｇ数
を示す沃素価を次式で計算した。 沃素価＝1.269（Ｂ−Ａ）／Ｃ ここで、ＡとＢはそれぞれ試料と空実験で滴定
に要したチオ硫酸ナトリウムのml数、Ｃは試料の
ｇ数である。 本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体に
おいて、10℃におけるｎ−デカンへの可溶分量
〔w₁重量％〕(G)は該共重合体の重量に基づいてて
40重量％以下、好ましくは30重量％以下の範囲に
ある。また、該４−メチル−１−ペンテン系重合
体の10℃におけるｎ−デカンへの可溶分量〔W₁
重量％〕は、たとえば一般式 0.5≦W₁≦20＋ａ 好ましくは、1.0≦W₁≦15＋ａ 〔式中、ａは該α−オレフイン成分の含有率（モ
ル％）を示す〕で表わされる範囲にある。また、
該４−メチル−１−ペンテン系重合体の10℃にお
けるｎ−デカンへの可溶分量〔W₁重量％〕は通
常は20×〔η〕^-1重量％未満、好ましくは15×〔η〕
^-1重量％未満の範囲にある（ここで、〔η〕は該
共重合体の極限粘度の数値であつて、デイメンジ
ヨンを除いた値を示す）。これらの特性値は、本
発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体におけ
る低分子量重合体成分の含有率を示しかつ該重合
体の組成分布及び分子量分布の広狭を示す尺度で
あり、他の特性値と結合することにより、前述の
優れた４−メチル−１−ペンテン系重合体の提供
に役立つている。本発明において、10℃における
ｎ−デカンへの該重合体の可溶分量は次の方法に
よつて測定決定される。すなわち、撹拌羽根付
150mlのフラスコに、1.0gの重合体試料、0.1gの
2.6−ジtert−ブチル−４−メチルフエノール、
100mlのｎ−デカンを入れ、150℃の油浴上で溶解
させる。溶解後30分間室温下で自然放冷し、10℃
の水浴上で60分間冷却する。折出した重合体と非
晶性重合体成分の溶解した溶液をグラスフイルタ
ーで過分離し、溶液を10mmHgで150℃で恒量に
なるまで乾燥し、その重量を測定し、前記溶媒中
への重合体の可溶分量を試料重合体の重量に対す
る百分率として算出決定した。なお、前記測定法
において撹拌は溶解時から過の直前まで連続し
て行つた。 本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体は
以上に述べた(A)ないし(G)によつて表わされる結合
因子を満足し、さらに好ましい本発明の４−メチ
ル−１−ペンテン系重合体は次の(H)の特性値をも
充足する。 本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体の
ASTMD1003の方法で測定した厚さ２mmの霞度
(H)は５％以下、好ましくは４％以下、とくに好ま
しくは３％以下である。 本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体
は、たとえば、 (a) マグネシウム化合物、チタン化合物、ジエス
テル及び必要に応じてハロゲン化合物（マグネ
シウム化合物又はチタン化合物がハロゲン原子
を含む場合には必ずしも必要としない）を相互
に反応させることによつて形成されるマグネシ
ウム、チタン、ハロゲン及びジエステルを必須
成分とする高活性チタン触媒成分、 (b) 有機アルミニウム化合物触媒成分、及び (c) 一般式（R¹）₃Si（OR²） （式中、R¹及びR²は炭化水素基であり、３個
のR¹はそれぞれ同一もしくは異なつていても
よい）で表わされる有機硅素化合物触媒成分、 から形成される触媒の存在下に、約20ないし約
100℃の温度で４−メチル−１−ペンテンを単独
で重合するかあるいは４−メチル−１−ペンテン
と前記α−オレフインを共重合させることによつ
て得ることができる。触媒成分、共重合条件その
他の共重合体製造条件は以下に詳しく述べるよう
に、本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体
に前記特性(A)ないし(G)を目安として、実験的に容
易に選択設定することができる。本発明におい
て、従来の文献未記載の特性値を有する本発明の
４−メチル−１−ペンテン系重合体の存在ならび
に該重合体の優れた性質が明らかにされたのであ
るから、本発明の重合体に特定された特性値(A)な
いし(G)、さらに補助的な特性値(H)を目安にして、
本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体の製
造条件を実験的に容易にかつ適宜に選択設定する
ことができる。 高活性チタン触媒成分(a)は、マグネシウム、チ
タン、ハロゲンおよびジエステルを必須成分とし
て含有する。このようなチタン触媒成分(a)として
は、マグネシウム／チタン（原子比）が好ましく
は約２ないし約100、一層好ましくは約４ないし
約70、ハロゲン／チタン（原子比）が好ましくは
約４ないし約100、一層好ましくは約６ないし約
40、ジエステル／チタン（モル比）が好ましくは
約0.2ないし約10、一層好ましくは約0.4ないし約
６の範囲にあるのが好ましい。また、その比表面
積は、好ましくは約３m²／ｇ以上、一層好ましく
は約40m²／ｇ以上、さらに好ましくは約100m²／
ｇないし約800m²／ｇである。 このようなチタン触媒成分(a)は、室温における
ヘキサン洗浄のような簡単な手段によつて実質的
にチタン化合物を脱離しないのが普通である。そ
のＸ線スペクトルが触媒調製に用いた原料マグネ
シウム化合物の如何にかかわらず、マグネシウム
化合物に関して非晶性を示すか、またはマグネシ
ウムジハライドの通常の市販品のそれに比べ、好
ましくは非常に非晶化された状態にある。 チタン触媒成分(a)は、前記必須成分以外に、触
媒性能を大きく悪化させない限定において、他の
元素、金属、官能基、電子供与体などを含有して
いてもよい。さらに有機や無機の希釈剤で希釈さ
れていてもよい。他の元素、金属、希釈剤などを
含有する場合には、比表面積や非晶性に影響を及
ぼすことがあり、その場合には、そのような他成
分を除去したときに前述したような比表面積の値
を示しかつ非晶性を示すものであることが好まし
い。 該チタン触媒成分(a)としてはまた、平均粒子径
が好ましくは約１ないし約200μ、一層好ましく
は約５ないし約100μであつてかつその粒度分布
の幾何標準偏差6gが好ましくは2.1未満、一層好
ましくは1.95以下であるものが好ましい。また、
その形状は真球状、楕円球状、顆粒状などの整つ
たものであることが好ましい。 チタン触媒成分(a)を製造するには、マグネシウ
ム化合物（またはマグネシウム金属）、チタン化
合物およびジエステルまたはジエステル形成性化
合物（ジエステルを形成する化合物）を、他の反
応試剤を用いまたは用いずして相互に接触させる
方法を採用するのがよい。その調製は、マグネシ
ウム、チタン、ハロゲンおよび電子供与体を必須
成分とする従来公知の高活性チタン触媒成分の調
製法と同様に行うことができる。例えば、特開昭
50−108385号、同50−126590号、同51−20297号、
同51−28189号、同51−64586号、同51−92885号、
同51−136625号、同52−87489号、同52−100596
号、同52−147688号、同52−104593号、同53−
2580号、同53−40093号、同53−43094号、同55−
135102号、51−135103号、同56−811号、同56−
11908号、同56−18606号などに開示された方法に
準じて製造することができる。 これらチタン触媒成分(a)の製造方法の数例につ
いて、以下に例示する。 (1) マグネシウム化合物あるいはマグネシウム化
合物と電子供与体の鎖化合物を、電子供与体、
粉砕助剤等の存在下または不存在下に、粉砕し
または粉砕することなく、電子供与体および／
または有機アルミニウム化合物やハロゲン含有
ケイ素化合物のような反応助剤で予備処理し、
または予備処理せずに得た固体と、反応条件下
を液相をなすチタン化合物とを反応させる。但
し、上記電子供与体を少なくとも一回は使用す
る。 (2) 還元能を有しないマグネシウム化合物の液状
物と、液状チタン化合物を電子供与体の存在下
で反応させて固体状のチタン複合体を析出させ
る。 (3) (2)で得られるものに、チタン化合物をさらに
反応させる。 (4) (1)や(2)で得られるものに電子供与体およびチ
タン化合物をさらに反応させる。 (5) マグネシウム化合物あるいはマグネシウム化
合物と電子供与体の鎖化合物を、電子供与体、
粉砕助剤等の存在下または不存在下に、および
チタン化合物の存在下に粉砕し、電子供与体お
よび／または有機アルミニウム化合物やハロゲ
ン含有ケイ素化合物のような反応助剤で予備処
理し、または予備処理せずに得た固体を、ハロ
ゲンまたはハロゲン化合物または芳香族炭化水
素で処理する。但し、上記電子供与体を少なく
とも一回は使用する。 これらの調製法の中では、触媒調製において、
液状のハロゲン化チタンを使用したものあるいは
チタン化合物使用後、あるいは使用の際にハロゲ
ン化炭化水素を使用したものが好ましい。 上記調製において用いられる電子供与体は、ジ
エステルまたはジエステル形成性化合物のみであ
る必要はなく、たとえばアルコール、フエノー
ル、アルデヒド、ケトン、エーテル、カルボン
酸、カルボン酸無水物、炭酸エステル、モノエス
テル、アミンなどジエステル以外の電子供与体も
使用することができる。 高活性チタン触媒成分(a)中の必須成分であるジ
エステルとしては、１個の炭素原子に２個のカル
ボキシル基が結合しているジカルボン酸のエステ
ルもしくは相隣る２個の炭素原子にそれぞれカル
ボキシル基が結合しているジカルボン酸のエステ
ルであることが好ましい。このようなジカルボン
酸のエステルにおけるジカルボン酸の例として
は、マロン酸、置換マロン酸、コハク酸、置換コ
ハク酸、マレイン酸、置換マレイン酸、フマル
酸、置換フマル酸、脂環を形成する１個の炭素原
子に２個のカルボキシル基が結合した脂環ジカル
ボン酸、脂環を形成する相隣る２個の炭素原子に
それぞれカルボキシル基が結合した脂環ジカルボ
ン酸、オルソ位にカルボキシル基を有する芳香族
ジカルボン酸、複素環の形成する相隣る２個の炭
素原子にカルボキシル基を有する複素環ジカルボ
ン酸などのジカルボン酸のエステルを挙げること
ができる。 上記ジカルボン酸のより具体的な例としては、
マロン酸；メチルマロン酸、エチルマロン酸、イ
ソプロピルマロン酸、アリル（allyl）マロン酸、
フエニルマロン酸、などの置換マロン酸；コハク
酸；メチルコハク酸、ジメチルコハク酸、エチル
コハク酸、メチルエチルコハク酸、イタコン酸な
どの置換コハク酸；マレイン酸；シトラコン酸、
ジメチルマレイン酸などの置換マレイン酸；シク
ロペンタン−１，１−ジカルボン酸、シクロペン
タン−１，２−ジカルボン酸、シクロヘキサン−
１，２−ジカルボン酸、シクロヘキセン−１，６
−ジカルボン酸、シクロヘキセン−３，４−ジカ
ルボン酸、シクロヘキセン−４，５−ジカルボン
酸、ナジツク酸、メチルナジツク酸、１−アリル
シクロヘキサン−３，４−ジカルボン酸などの脂
環族ジカルボン酸；フタル酸、ナフタリン−１，
２−ジカルボン酸、ナフタリン−２，３−ジカル
ボン酸などの芳香族ジカルボン酸；フラン−３，
４−ジカルボン酸、４，５−ジヒドロフラン−
２，６−ジカルボン酸、ベンゾビラン−３，４−
ジカルボン酸、ピロール−２，３−ジカルボン
酸、ビリジン−２，３−ジカルボン酸、チオフエ
ン−３，４−ジカルボン酸、インドール−２，３
−ジカルボン酸などの複素環ジカルボン酸；の如
きジカルボン酸を例示することができる。 上記ジカルボン酸のエステルのアルコール成分
のうち少なくとも一方が炭素数２以上、とくには
炭素数３以上のものが好ましく、とりわけ両アル
コール成分ともに炭素数２以上、とくには炭素数
３以上のものが好ましい。例えば上記ジカルボン
酸のジエチルエステル、ジイソプロピルエステ
ル、ジｎ−プロピルエステル、ジｎ−ブチルエス
テル、ジイソブチルエステル、ジ−tert−ブチル
エステル、ジイソアミルエステル、ジｎ−ヘキシ
ルエステル、ジ−２−エチルヘキシルエステル、
ジｎ−オクチルエステル、ジイソデシルエステ
ル、エチルｎ−ブチルエステルなどを例示するこ
とができる。 前記高活性チタン触媒成分(a)の調製に用いられ
るマグネシウム化合物は還元能を有するまたは有
しないマグネシウム化合物である。前者の例とし
てはマグネシウム・炭素結合やマグネシウム・水
素結合を有するマグネシウム化合物、例えばジメ
チルマグネシウム、ジエチルマグネシウム、ジプ
ロピルマグネシウム、ジプチルマグネシウム、ジ
アミルマグネシウム、ジヘキシルマグネシウム、
ジデシルマグネシウム、エチル塩化マグネシウ
ム、プロピル塩化マグネシウム、ブチル塩化マグ
ネシウム、ヘキシル塩化マグネシウム、アミル塩
化マグネシウム、ブチルエトキシマグネシウム、
エチルブチルマグネシウム、ブチルマグネシウム
ハイドライドなどがあげられる。これらマグネシ
ウム化合物は、例えば有機アルミニウム等との錯
化合物の形で用いる事もでき、また、液状状態で
あつても固体状態であつてもよい。後者の還元能
を有しないマグネシウム化合物の例としては、塩
化マグネシウム、臭化マグネシウム、沃化マグネ
シウム、弗化マグネシウムのようなハロゲン化マ
グネシウム；メトキシ塩化マグネシウム、エトキ
シ塩化マグネシウム、イソプロポキシ塩化マグネ
シウム、ブトキシ塩化マグネシウム、オクトキシ
塩化マグネシウムのようなアルコキシマグネシウ
ムハライド；フエノキシ塩化マグネシウム、メチ
ルフエノキシ塩化マグネシウムのようなアリロキ
シマグネシウムハライド；エトキシマグネシウ
ム、イソプロポキシマグネシウム、ブトキシマグ
ネシウム、ｎ−オクトキシマグネシウム、２−エ
チルヘキソキマグネシウムのようなアルコキシマ
グネシウム；フエノキシマグネシウム、ジメチル
フエノキシマグネシウムのようなアリロキシマグ
ネシウム；ラウリン酸マグネシウム、ステアリン
酸マグネシウムのようなマグネシウムのカルボン
酸塩などを例示することができる。また、これら
還元能を有しないマグネシウム化合物は、上述し
た還元性を有するマグネシウム化合物から誘導し
たものあるいは、触媒成分の調製時に誘導したも
のであつてもよい。また、該マグネシウム化合物
は他の金属との鎖化合物、複化合物あるいは他の
金属化合物との混合物であつてもよい。さらにこ
れらの化合物の２種以上の混合物であつてもよ
い。これらの中で好ましいマグネシウム化合物は
還元能を有しない化合物であり、特に好ましくは
ハロゲン含有マグネシウム化合物、とりわけ塩化
マグネシウム、アルコキシ塩化マグネシウム、ア
リロキシ塩化マグネシウムである。 チタン触媒成分(a)の調製に用いられるチタン化
合物として例えばTi（OR）gX_4-g（Ｒは炭化水素
基、Ｘはハロゲン、０≦ｇ≦４）で示される４価
のチタン化合物が好適である。より具体的には、
TiCl₄、TiBr₄、TiI₄などのテトラハロゲン化チ
タン；Ti（OCH₃）Cl₃、Ti（OC₂H₅）Cl₃、Ti（On
−C₄H₃）Cl₃、Ti（OC₂H₅）Br₃、Ti（Oi₃₀C₄H₉）
Br₃などのトリハロゲン化アルコキシチタン；Ti
（OCH₃）₂Cl₂、Ti（OC₂H₅）₂Cl₂、Ti（On−
C₄H₉）₂Cl₂、Ti（OC₂H₅）₂Br₂などのジハロゲン化
アルコキシチタン；Ti（OCH₃）₃Cl、Ti
（OC₂H₅）₃Cl、Ti（On−C₄H₉）₃Cl、Ti
（OC₂H₅）₃Brなどのモノハロゲン化トリアルコキ
シチタン；Ti（OCH₃）₄、Ti（OC₂H₅）₄、Ti（On−
C₄H₉）₄などのテトラアルコキシチタンなどを例
示することができる。これらの中で好ましいもの
はハロゲン含有チタン化合物、とくにはテトラハ
ロゲン化チタンであり、とくに好ましいのは四塩
化チタンである。これらチタン化合物は単味で用
いてよいし、混合物の形で用いてもよい。あるい
は炭化水素やハロゲン炭化水素などに希釈して用
いてもよい。 チタン触媒成分(a)の調製において、チタン化合
物、マグネシウム化合物および担持すべき電子供
与体、さらに必要に応じて使用されることのある
他の電子供与体、例えばアルコール、フエノー
ル、モノカルボン酸エステルなど、ケイ素化合
物、アルミニウム化合物などの使用量は、調製方
法によつて異なり一概に規定できないが、例え
ば、マグネシウム化合物１モル当り、担持すべき
電子供与体約0.1ないし約10モル、チタン化合物
約0.05ないし約1000モル程度の割合を例示するこ
とができる。 以上のようにして得られる高活性チタン触媒成
分(a)と、有機アルミニウム化合物触媒成分(b)およ
びSi−Ｏ−Ｃ結合を有する有機ケイ素化合物触媒
成分(c)の組合せ触媒を用いる。 上記(b)成分としては、(i)少なくとも分子内に１
個のAl−炭素結合を有する有機アルミニウム化
合物、例えば一般式 R¹mAl（OR²）nHpXq （ここでR¹およびR²は炭素原子、通常／ないし
15個、好ましくは１ないし４個を含む炭化水素基
で互いに同一でも異なつていてもよい。Ｘはハロ
ゲン、ｍは０＜ｍ≦３、０＜ｎ＜３、ｐは０≦ｐ
＜３、ｑは０≦ｑ＜３の数であつて、しかもｍ＋
ｎ＋ｐ＋ｑ＝３である）で表わされる有機アルミ
ニウム化合物、(ii)一般式 M¹AlR¹ ₄ （ここでM¹はLi、Na、Ｋであり、R¹は前記と同
じ）で表わされる第１族金属とアルミニウムとの
錯アルキル化物などを挙げることができる。 前記の(i)に属する有機アルミニウム化合物とし
ては、次のものを例示できる。一般式 R¹mAl（OR²）_3-m （ここでR¹は前記と同じ。Ｘはハロゲン、ｍは
好ましくは０＜ｍ＜３である。）、一般式 R¹mAlH_3-m （ここでR₁は前記と同じ。ｍは好ましくは２≦
ｍ＜３である。）、一般式 R¹mAl（OR²）nXq （ここでR¹およびR²は前記と同じ。Ｘはハロゲ
ン、０＜ｍ≦３、０≦ｎ＜３、０≦ｑ＜３で、ｍ
＋ｎ＋ｑ＝３である）で表わされるものなどを例
示できる。 (i)に属するアルミニウム化合物の例としては、
以下の如き化合物を例示できる。トリエチルアル
ミニウム、トリブチルアルミニウムなどをトリア
ルキルアルミニウム；トリイソブレニルアルミニ
ウムのようなトリアルケニルアルミニウム；ジエ
チルアルミニウムエトキシド、ジブチルアルミニ
ウムブトキシドなどの如きジアルキルアルミニウ
ムアルコキシド；エチルアルミニウムセスキエト
キシド、ブチルアルミニウムセスキブトキシドな
どの如きアルキルアルミニウムセスキアルコキシ
ドのほかに、R¹ _2.5Al（OR²）_0.5などで表わされる平
均組成を有する部分的にアルコキシ化されたアル
キルアルミニウム；ジエチルアルミニウムクロリ
ド、ジブチルアルミニウムクロリド、ジエチルア
ルミニウムプロミドのようなジアルキルアルミニ
ウムハライド；エチルアルミニウムセスキクロリ
ド、ブチルアルミニウムセスキクロリド、エチル
アルミニウムセスキブロミドのようなアルキルア
ルミニウムセスキハライド；エチルアルミニウム
ジクロリド、プロピルアルミニウムジクロリド、
ブチルアルミニウムジブロミドなどのようなアル
キルアルミニウムジハライドなどの部分的にハロ
ゲン化されたアルキルアルミニウム；ジエチルア
ルミニウムヒドリド、ジブチルアルミニウムヒド
リドなどの如きジアルキルアルミニウムヒドリ
ド；エチルアルミニウムジヒドリド、プロピルア
ルミニウムジヒドリドなどの如きアルキルアルミ
ニウムジヒドリドなど、その他の部分的に水素化
されたアルキルアルミニウム；エチルアルミニウ
ムエトキシクロリド、ブチルアルミニウムブトキ
シクロリド、エチルアルミニウムエトキシブロミ
ドなどの部分的にアルコキシ化およびハロゲン化
されたアルキルアルミニウム。 前記(ii)に属する化合物としては、LiAl
（C₂H₅）₄、LiAl（C₇H₁₅）₄などを例示できる。 また(i)に類似する化合物として酸素原子や窒素
原子を介して２以上のアルミニウムが結合した有
機アルミニウム化合物であつてもよい。このよう
な化合物として、例えば（C₂H₅）₂AlOAl
（C₂H₅）₂、（C₄H₉）₂AlOAl（C₄H₉）₂、
（C₂H₅）₂AlNAl（C₂H₅）₂、などを例示できる。 これらの中では、とくにトリアルキルアルミニ
ウムや上記した２以上のアルミニウムが結合した
アルキルアルミニウムの使用が好ましい。 重合触媒を構成する有機ケイ素化合物触媒成分
(c)は、下記式 （R¹）₃Si（OR²） （式中、R¹及びR²は炭化水素基であり、３個の
R¹は、それぞれ同一又は異なるものである）で
表わされる有機硅素化合物であるR¹，R²の炭化
水素基としては、例えば、アルキル基、アルケニ
ル基、シクロアルキル基、アリール基、ハロアル
キル基、アルコキシアルキル基などを例示するこ
とができる。有機ケイ素化合物(c)のより具体的な
例としては、トリメチルメトキシシラン、トリメ
チルエトキシシラン、トリメチル−ｎ−プロポキ
シシラン、トリエチルメトキシシラン、トリ−ｎ
−プロピルメトキシシラン、トリ−iso−プロピ
ルメトキシシラン、トリフエニルメトキシシラン
などを例示することができる。 重合反応に際しては、上記(a)、(b)及び(c)から形
成される触媒の存在下に、４−メチル−１−ペン
テンの重合もしくは共重合を行うものであるが、
それに先立つて、前記(a)成分、前記(b)成分の少な
くとも一部及び前記(c)成分の少なくとも一部を用
いて、炭化水素媒体中で、メチルペンテン類を(a)
成分中のチタン１ミリモル当り約１ないし約
1000gの割合で予備重合させておく。この予備重
合処理を行うことにより、後で行う４−メチル−
１−ペンテンのスラリー重合において嵩密度の大
きい粉末重合体を得ることができるので、スラリ
ー性状も良好であり、かつ高濃度運転ができる利
点がある。さらに単位触媒当りの重合体収量も大
きくかつ立体規則性重合体も高率で製造すること
ができる利点もある。 予備重合に用いられるメチルペンテン類として
は、３−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１
−ペンテン、４，４−ジメチル−１−ペンテンな
どから選択できる。予備重合は比較的温和な条件
下でかつ予備重合体が重合媒体に溶解しない条件
下で行うのが好ましい。このために重合媒体とし
て不活性炭化水素、例えばブタン、ペンタン、ヘ
キサン、ヘブタン、オクタン、デカン、ドデカ
ン、灯油などの脂肪族炭化水素、シクロペンタ
ン、シクロヘキサンなどの脂環族炭化水素を用い
るのが好ましい。 予備重合においては、例えば、炭化水素媒体１
当り、チタン触媒成分(a)をチタン原子に換算し
て約0.5ないし約100ミリモル、とくには約１ない
し約10ミリモル、有機アルミニウム化合物触媒成
分(b)をAl／Ti（原子比）が約１ないし約100、と
くには約２ないし約20となるように、また、有機
ケイ素化合物(c)を(b)成分１モル当り約0.01ないし
約２モル、とくには約0.02ないし約１モルとなる
ような範囲でそれぞれ用いるのが好ましい。 予備重合されるメチルペンテン類の重合量は、
(a)成分中のチタン１ミリモル当り約１ないし約
1000g、好ましくは約３ないし約100gの範囲であ
る。上記量の重合を行うためには、通常メチルペ
ンテン類は、所定量使用するのみで充分である。
尚、予備重合におけるメチルペンテン類の濃度は
炭化水素媒体１当り約１モル以下、とくには約
0.5モル以下であることが好ましい。 予備重合は、生成する予備重合体が炭化水素媒
体に溶解しない温度で行うのが望ましく、炭化水
素媒体の種類によつても異なるが、例えば、約−
20ないし約＋70℃、好ましくは約0゜ないし約50℃
の範囲を例示できる。 本発明においては、予備重合処理した触媒を用
いて４−メチル−１−ペンテンの重合もしくは共
重合を行う。この際、新たに前記(b)成分及び／又
は(c)成分を追加使用してもよい。好ましくは、(b)
成分をチタン１モル当り約１ないし約1000モル、
とくには約10ないし約500モル、(c)成分を(b)成分
１モル当り約0.005ないし約２モル、とくには約
0.01ないし約１モル追加使用するのがよい。 上記４−メチル−１−ペンテンの重合におい
て、共重合を行う場合には、共重合成分としては
４−メチル−１−ペンテン以外の炭素原子数が２
ないし20の範囲の任意のα−オレフインを選択す
ることができる。例えばエチレン、プロピレン、
１−ブテン、１−ベンテン、１−ヘキセン、１−
オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テト
ラデセン、１−オクタデセン、３−メチル−１−
ペンテンなどから一種又は二種以上選択すること
ができる。これら共重合においては、共重合体中
の４−メチル−１−ペンテンの含有量が約80モル
％以上、とくに約90モル％以上となるように共重
合成分を使用するのがよい。 ４−メチル−１−ペンテンの重合は好ましくは
スラリー重合で行われる。重合媒体としては４−
メチル−１−ペンテンそれ自体であつてもよく、
あるいは不活性炭化水素、例えば予備重合の際に
使用できるものとして先に例示したものであつて
もよい。 重合温度としてはスラリー重合可能な範囲で適
宜に選択するのが好ましく、重合媒体の種類によ
つても異なるが、好ましくは約20゜ないし100℃、
とくに好ましくは約30゜ないし約80℃の範囲を例
示できる。生成する重合体の分子量を調製するた
め、任意に水素の如き分子量調節剤を使用するこ
とができる。 本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体
は、透明性に優れ、溶融流動特性が良好であるの
で精密成形加工性に優れており、成形加工時に歪
みを生じ難く、寸法安定性に優れ、耐湿性が良好
であるので成形後に反りを生じないこと、射出成
形時の配向が少なく成形品の透過光の複屈折が起
こらないこと、重合体中に分散した微小気泡が存
在しないので透過光の散乱が起こらないこと、耐
熱性に優れ、着色がないなどの優れた性質を有し
ている。特に従来から公知の立体規則性触媒の存
在下の重合又は共重合で得られた４−メチル−１
−ペンテン系重合体にくらべて、溶融流動特性が
良好であるので精密成形加工性に優れており、射
出成形時の配向が少なく成形品の透過光の複屈折
が起こらないなどの特徴を有しており、また従来
から公知の熱分解で得られた４−メチル−１−ペ
ンテン系重合体にくらべて、重合体中に分散した
微小気泡が存在しないので透過光の散乱が起こら
ないこと、着色がなく透明性に優れているなどの
特徴を有している。 本発明の光学メモリデイスクは、前記本発明の
４−メチル−１−ペンテン系重合体を光透過性素
材として使用した光学メモリデイスクである。本
発明の光学メモリデイスクの光透過性素材層は前
記４−メチル−１−ペンテン系重合体のみから構
成されていてもよいし、該４−メチル−１−ペン
テン系重合体に必要に応じて、耐熱安定剤、耐候
安定剤、塩酸吸収剤、帯電防止剤などの各種の添
加剤が配合された４−メチル−１−ペンテン系重
合体組成物から構成されていても差しつかえな
い。 本発明の光学メモリデイスクは、該４−メチル
−１−ペンテン系重合体からなる光透過性素材の
デイスクの片面に光エネルギーの変化に変換し得
る記録層（情報ピツト）を設け、その露出側に金
属被膜層を形成させ、さらにその金属被膜層の表
面に保護膜層を形成させた構造、すなわち、 〔光透過性素材層・記録層金属被膜層保護膜
層〕 の積層構造からなる片面光学メモリデイスクであ
つてもよいし、また２枚の該片面デイスクを保護
膜層を背合わせ積層させた構造、すなわち、 〔光透過性素材層・記録層金属被膜層保護膜
層金属被膜層記録層・光透過性素材層〕 の積層構造からなる両面光学メモリデイスクであ
つてもよい。 本発明の光学メモリデイスクは従来から公知の
方法によつて製造することができる。たとえば、
ガラス基盤上のフオトレジスト面に蒸着又は無電
解メツキ法で導電性膜を形成させた後ニツケル電
解を行うことによりマスター盤を形成させ、次い
でマザー盤、次いで大量複製のためのスタンバー
を作製する。次に、該スタンバーを母型にして本
発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体の溶融
物を用いた通常の溶融成形法でデイスク基盤の成
形と同時に情報ピツトを形成させ、次いで該デイ
スク基盤の情報ピツト形成面に金属被膜層を形成
させる。該金属被膜層は透明なデイスク基盤の表
面側から照射される光線を情報ピツト面で反射さ
せる為のものであり、金属の種類としてたとえば
アルミニウム、クロム、金、銀、銅、スズ等を例
示することができ、金属被膜層を形成させる方法
としては蒸着法などの従来から公知の方法を採用
することができる。該金属被膜層の層さは光が充
分に反射する限りにおいて任意であるが、通常は
500ないし1500Åの範囲である。また、４−メチ
ル−１−ペンテン系重合体からなる光透過性素材
層（デイスク基盤層）の厚さは通常は0.1ないし
10mm、好ましくは0.5ないし５mmの範囲である。 本発明の光学メモリデイスクは前記デイスク基
材層及び金属被膜層の２層からなる構成によりそ
の目的は達成できるが、実用的には金属被膜層の
損傷や剥離を防ぐために、該金属被膜層の表面に
保護膜層が通常形成される。該金属被膜層の保護
膜層としてはエポキシ樹脂、メタクリル系樹脂、
ウレタン系樹脂、シリコン系樹脂などを例示する
ことができる。また、該デイスク基盤の光線入射
側表面にも同様に透明性の硬化性保護膜層を形成
させることが可能である。 前記デイスク基盤の溶融成形においては、射出
成形、押出成形などの従来から公知の方法が採用
されるが、射出成形法、とくにセンターゲートに
よる射出成形法を採用すると、配向状態が同心円
状に同質であり、反りが少なく、細部に渡り金型
の転射性、精密成形加工性に優れているので好ま
しい。溶融成形加工時の４−メチル−１−ペンテ
ン系重合体の温度は著しい熱分解を起こさない温
度であること好ましく、通常は240ないし350℃、
好ましくは250ないし330℃である。 〔発明の効果〕 本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体は
透明性に優れ、溶融流動特性が良好であるので精
密成形加工性に優れており、成形加工時に歪みを
生じ難く、寸法安定性に優れ、耐湿性が良好であ
るので成形後に反りを生じないこと、射出成形時
の配向が少なく成形品の透過光の複屈折が起こら
ないこと、重合体中に分散した微小気泡が存在し
ないので透過光の散乱が起こらないこと、耐熱性
に優れ、着色がないなどの優れた性質を有してい
る。本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体
は、特に従来から公知の立体規則性触媒の存在下
の重合又は共重合で得られた４−メチル−１−ペ
ンテン系重合体にくらべて、溶融流動特性が良好
であるので精密成形加工性に優れており、射出成
形時の配向が少なく成形品の透過光の複屈折が起
こらないなどの特徴を有しており、また従来から
公知の熱分解で得られた４−メチル−１−ペンテ
ン系重合体にくらべて、重合体中に分散した気泡
が存在しないので透過光の散乱が起こらないこ
と、着色がなく透明性に優れているなどの特徴を
有している。また、本発明の光学メモリデイスク
は、前記本発明の４−メチル−１−ペンテン系重
合体の特徴をいずれも具備したものであり、優れ
た性質を有している。 〔実施例〕 次に本発明を実施例により具体的に説明する。 本発明の実施例および比較例でのデイスクの複
屈折と誤りピツト数は次の方法で測定した。 複屈折はアルミニウム蒸着する前のデイスクを
780nmのレーザーを用いて透過法で測定した。 誤りピツト数はアルミニウム蒸着したデイスク
を780nmのレーザーを用い、1.2m／秒の速度で
読み、１秒当りのピツトの誤りの個数を求めた。 実施例 １ ＜チタン触媒成分(a)の調製＞ 無水塩化マグネシウム4.76g（50mmol）、デカン
25mlおよび２−エチルヘキシルアルコール23.4ml
（150mmol）を130℃で２時間加熱反応を行い均
一溶液とした後、この溶液中に無水フタル酸
1.11g（7.5mmol）を添加し、130℃にて更に１時
間撹拌混合を行い、無水フタル酸を該均一溶液に
溶解させる。この様にして得られた均一溶液を室
温に冷却した後、−20℃に保持された四塩化チタ
ン200ml（1.8mol）中に１時間に渡つて全量滴下
装入する。装入終了後、この混合液の温度を４時
間かけて110℃に昇温し、110℃に達したところで
ジイソブチルフタレート2.68ml（12.5mmol）を
添加しこれより２時間同温度にて撹拌下保持す
る。２時間の反応終了後熱過にて固体部を採取
し、この固体部を200mlのTiCl₄にて再懸濁させ
た後、再び110℃で２時間、加熱反応を行う。反
応終了後、再び熱過にて固体部を採取し、110
℃デカン及びヘキサンにて、洗液中に遊離のチタ
ン化合物が検出されなくなる迄充分洗浄する。以
上の製造方法にて調製されたチタン触媒成分(a)は
ヘキサンスラリーとして保存するが、このうち一
部を触媒組成を調べる目的で乾燥する。この様に
して得られたチタン触媒成分(a)の組成はチタン
3.1重量％、塩素56.0重量％、マグネシウム17.0wt
％およびジイソブチルフタレート20.9重量％であ
つた。 ＜予備重合＞ 1000mlのフラスコに500mlのｎ−デカン、
50mmolのトリエチルアルミニウム、10mmolの
トリメチルメトキシシラン、チタン原子に換算し
て5mmolのチタン触媒成分(a)を入れる。 温度を25℃に保ちながら50gの４−メチル−１
−ペンテンを60分で添加し、更に25℃で30分反応
した。反応物をグラスフイルターで過し、合計
300mlのｎ−デカンで３回洗浄し、200mlのデカン
に再懸濁した。 ＜重合＞ 20のSUS製オートクレーブに10のｎ−デ
カン、10mmolのトリエチルアルミニウム、
10mmolのトリメチルメトキシシラン、チタン原
子に換算して4mmolの予備重合触媒、25の水
素を装入する。オートクレーブ内を60℃に合せた
後、4.0Kgの４−メチル−１−ペンテンを１時間
で添加し、更に２時間重合した。１のイソブチ
ルアルコールを添加し重合を停止し、60℃で１時
間反応後過し、更に60℃のｎ−デカン／イソブ
チルアルコール（９／１）混合液で洗浄した。得
られたパウダーは〔η〕＝0.67、Mw／Mn＝3.2で
あつた。 ＜ペレダイズとペレツトの物性＞ 重合パウダーに0.2％の２，６−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−メチルフエノールと0.2％のIrganox1010
を添加し、280℃でペレタイズした。ペレツトの
物性を表１に示した。 ＜コンパクト・デイスクの成形とその評価＞ 直径120mm、厚さ1.2mmのコンパクト・デイスク
を成形温度280℃、金型温度80℃でスタンバ上に
射出成形し、５×10^-5mmHgで厚さ0.1μのアルミ
ニウム蒸着をした。評価結果を表２に示した。 実施例 ２ ヘキセンを３モル％含む４−メチル−１−ペン
テンを用いて重合する以外は実施例１と全く同様
に実験し、結果を表１と表２に示した。 実施例 ３ ヘキセンを６モル％含む４−メチル−１−ペン
テンを用いて重合する以外は実施例１と全く同様
に実験し、結果を表１と表２に示した。 実施例 ４，５ デセンまたはテトラデセンを１モル％含む４−
メチル−１−ペンテンを用いて重合する以外は実
施例１と全く同様に実験し、結果を表１と表２に
示した。 比較例 １ 水素の使用量を３に変更する以外は実施例１
と同様に重合した。パウダーは〔η〕＝1.84、
Mw／Mn＝3.6であつた。このパウダーを用いて
次の３実験を行なつた。 280℃ペレタイズ、280℃デイスク成形 280℃ペレタイズ、360℃デイスク成形 360℃ペレタイズ、280℃デイスク成形 結果を表１と表２に示した。 比較例 ２ 水素の使用量を150に変更する以外は実施例
１と同様に実験した。重合パウダーは〔η〕＝
0.09、Mw／Mn＝2.9であつた。デイスクを成形
したが金型中で割れたため、デイスクの性能評価
は行なわなかつた。 比較例 ３ 触媒として500mmolのジエチルアルミニウム
クロリドと250mmolの三塩化チタン（東邦チタ
ニウム社、TAC−131）を用い50の水素を使用
した実施例１と同様に重合した。重合パウダーは
〔η〕＝0.71、Mw／Mn＝9.6であつた。実施例１
と同様にペレタイズとデイスクの成形を行ない、
結果を表１と表２に示した。

【表】

【表】

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Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ (A) ４−メチル−１−ペンテン成分(a)が80な
   いし100モル％及び４−メチル−１−ペンテン
   以外の炭素原子数が２ないし20の範囲にあるα
   −オレフイン成分(b)が０ないし20モル％の範囲
   〔ここで、(a)と(b)との合計は100モル％である〕
   にあること、 (B) 135℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］
   が0.1ないし1.5dl／ｇの範囲にあること、 (c) 数平均分子量に対する重量平均分子量の比で
   表わした分子量分布（ｗ／ｎ）が２ないし
   ７の範囲にあること、 (D) 示差走査型熱量計で測定した融点が200ない
   し245℃の範囲にあること、 (E) Ｘ線回折法で測定した結晶化度が10ないし50
   ％の範囲にあること、及び (F) 沃素価が２以下の範囲にあること、 (G) 10℃におけるｎ−デカンへの可溶分量が40重
   量％以下の範囲にあること、 によつて特徴づけられる４−メチル−１−ペンテ
   ン系重合体。