JPH0582907A - 半導体レーザアレイおよびその駆動方法 - Google Patents
半導体レーザアレイおよびその駆動方法Info
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- JPH0582907A JPH0582907A JP24091591A JP24091591A JPH0582907A JP H0582907 A JPH0582907 A JP H0582907A JP 24091591 A JP24091591 A JP 24091591A JP 24091591 A JP24091591 A JP 24091591A JP H0582907 A JPH0582907 A JP H0582907A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 モノリシックの半導体レーザアレイおよびそ
の駆動方法に関し，レーザ間のクロストークを低減する
ことを目的とする。 【構成】 １）同一基板に複数のレーザが配列して形成
されたレーザアレイであって，隣接するレーザ間に該基
板を露出する領域を設けその表面に１個以上のレーザ間
電極７を有する，２）前記レーザ間電極を一定電位に保
ち，各半導体レーザを独立に電流注入または電圧印加に
より変調する，３）前記レーザ間電極に，該レーザ間電
極に隣接するレーザに流す電流変動と逆相の電圧変動を
印加して変調する，４）同一基板に形成されたレーザア
レイの，一部のレーザに独立に電流を注入して制御し，
それに隣接するレーザに固定電位または逆相の電圧変動
を与える，５）上記の固定電位または逆相の電圧変動を
与えるレーザの上部電極と該基板とが電気的に接続され
ているように構成する。
の駆動方法に関し，レーザ間のクロストークを低減する
ことを目的とする。 【構成】 １）同一基板に複数のレーザが配列して形成
されたレーザアレイであって，隣接するレーザ間に該基
板を露出する領域を設けその表面に１個以上のレーザ間
電極７を有する，２）前記レーザ間電極を一定電位に保
ち，各半導体レーザを独立に電流注入または電圧印加に
より変調する，３）前記レーザ間電極に，該レーザ間電
極に隣接するレーザに流す電流変動と逆相の電圧変動を
印加して変調する，４）同一基板に形成されたレーザア
レイの，一部のレーザに独立に電流を注入して制御し，
それに隣接するレーザに固定電位または逆相の電圧変動
を与える，５）上記の固定電位または逆相の電圧変動を
与えるレーザの上部電極と該基板とが電気的に接続され
ているように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はモノリシックの半導体レ
ーザアレイおよびその駆動方法に関する。近年，光によ
る並列信号処理や，光による機器間，ボード間の信号伝
達を行う光インタコネクトが注目され，複数の半導体レ
ーザを独立に制御できる半導体レーザアレイが要求され
ている。
ーザアレイおよびその駆動方法に関する。近年，光によ
る並列信号処理や，光による機器間，ボード間の信号伝
達を行う光インタコネクトが注目され，複数の半導体レ
ーザを独立に制御できる半導体レーザアレイが要求され
ている。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザアレイは，単に半導
体レーザが１枚の基板上に配列して形成されているだけ
であった1)。
体レーザが１枚の基板上に配列して形成されているだけ
であった1)。
【０００３】1) 例えば, M.TSUNEKANE et.al.,HIGH POW
ER INDIVIDUALLY ADDRESSABLE MONOLITHIC LASER DIODE
ARRAY,ELECTRONICS LETTERS 3rd. August 1989, Vol.2
5 No16, pp1091.そのため，アレイを構成する半導体レ
ーザをそれぞれ独立に変調させた場合,１つの半導体レ
ーザにかかる電圧変化が，基板または基板上に形成され
たエピタキシャル層を経て，隣の半導体レーザに伝わ
り，結果的に隣の半導体レーザにも電気的変調をもたら
すという，電気的クロストークが大きかった。
ER INDIVIDUALLY ADDRESSABLE MONOLITHIC LASER DIODE
ARRAY,ELECTRONICS LETTERS 3rd. August 1989, Vol.2
5 No16, pp1091.そのため，アレイを構成する半導体レ
ーザをそれぞれ独立に変調させた場合,１つの半導体レ
ーザにかかる電圧変化が，基板または基板上に形成され
たエピタキシャル層を経て，隣の半導体レーザに伝わ
り，結果的に隣の半導体レーザにも電気的変調をもたら
すという，電気的クロストークが大きかった。
【０００４】図６ (A)〜(C) は従来例の説明図である。
図６(A) は半導体レーザアレイの断面図，図６(B) は等
価回路図(1) ，図６(C) は等価回路図(2) である。
図６(A) は半導体レーザアレイの断面図，図６(B) は等
価回路図(1) ，図６(C) は等価回路図(2) である。
【０００５】図６(B) の等価回路を簡略化すると，図６
(C) の等価回路が得られる。説明の便宜上，図は多数あ
るレーザの内隣接する２つだけを示している。図におい
て，１は半導体基板, ２はレーザの活性層，３はクラッ
ド層等，４は絶縁膜，５は上部電極，６は基板裏面に形
成された下部電極である。
(C) の等価回路が得られる。説明の便宜上，図は多数あ
るレーザの内隣接する２つだけを示している。図におい
て，１は半導体基板, ２はレーザの活性層，３はクラッ
ド層等，４は絶縁膜，５は上部電極，６は基板裏面に形
成された下部電極である。
【０００６】いま，左のレーザをLDa ，右のレーザをLD
b とする。レーザLDa に電流Ｉa を流したとき上部電極
の電圧をＶa とする。半導体レーザは発振する付近のバ
イアスでは, 半導体レーザの活性層にかかる電圧は一定
となり, これをＶpnとする。
b とする。レーザLDa に電流Ｉa を流したとき上部電極
の電圧をＶa とする。半導体レーザは発振する付近のバ
イアスでは, 半導体レーザの活性層にかかる電圧は一定
となり, これをＶpnとする。
【０００７】上部電極から活性層を経て流れた電流は下
部電極に向かって下方へＲa1，Ｒa2を経て流れるととも
に，拡散して横方向にも流れＲabを経て隣のレーザの下
部に流れ込む，この電流をＩabとする。
部電極に向かって下方へＲa1，Ｒa2を経て流れるととも
に，拡散して横方向にも流れＲabを経て隣のレーザの下
部に流れ込む，この電流をＩabとする。
【０００８】レーザLDb についても，同様にＩb ，
Ｖb ，Ｒb1，Ｒb2等を定義する。さらに，前記のように
Ｖpnが一定であるから，次式で示されるＶa0 ,Ｖb0を定
義する。
Ｖb ，Ｒb1，Ｒb2等を定義する。さらに，前記のように
Ｖpnが一定であるから，次式で示されるＶa0 ,Ｖb0を定
義する。
【０００９】 Ｖa0＝Ｖa −Ｖpn , Ｖb0＝Ｖb −Ｖpn . 図６(C) の等価回路の回路方程式(1) 〜(3）を解くと，
Ｖa0 ,Ｖb0は式(4），(5) で与えられる。
Ｖa0 ,Ｖb0は式(4），(5) で与えられる。
【００１０】 Ｖa0＝Ｒa1Ｉa ＋Ｒa2（Ｉa −Ｉab）・・・・・・・・・・・(1) Ｖb0＝Ｒb1Ｉb ＋Ｒb2（Ｉb ＋Ｉab）・・・・・・・・・・・(2) ここで，Ｉabは次式より求まる。
【００１１】 Ｒa2（Ｉa −Ｉab）＝ＲabＩab＋Ｒb2（Ｉb ＋Ｉab） Ｒa2Ｉa −Ｒb2Ｉb ＝（Ｒab＋Ｒa2＋Ｒb2）Ｉab Ｉab＝（Ｒa2Ｉa −Ｒb2Ｉb ）／（Ｒab＋Ｒa2＋Ｒb2）・・・(3） (3）式を(1) ，(2) 式に入れて， Ｖa0＝Ｒa1Ｉa ＋Ｒa2〔Ｉa −（Ｒa2Ｉa −Ｒb2Ｉb ）／（Ｒab＋Ｒa2＋Ｒb2）〕 ＝〔Ｒa1＋Ｒa2−Ｒa2 2 ／（Ｒab＋Ｒa2＋Ｒb2）〕Ｉa ＋〔Ｒa2Ｒb2／（Ｒab＋Ｒa2＋Ｒb2）〕Ｉb ・・・・・・(4） Ｖb0＝〔Ｒb1＋Ｒb2−Ｒb2 2 ／（Ｒab＋Ｒa2＋Ｒb2）〕Ｉb ＋〔Ｒa2Ｒb2／（Ｒab＋Ｒa2＋Ｒb2）〕Ｉa ・・・・・・(5) を得る。
【００１２】ここで，各レーザの構造が同じ場合は, Ｒ
a1＝Ｒb1＝Ｒ1,Ｒa2＝Ｒb2＝Ｒ2 とおくと, 次式が得ら
れる。 Ｖa0＝〔Ｒ1 ＋Ｒ2 −Ｒ2 ／（Ｒab／Ｒ2 ＋２）〕Ｉa ＋〔Ｒ2 ／（ＲabＲ2 ＋２）〕Ｉb 式(4）より，Ｖa0を決定するのはＩa だけでなく, 隣の
レーザに流す電流Ｉb の影響を受けることが分かる。
a1＝Ｒb1＝Ｒ1,Ｒa2＝Ｒb2＝Ｒ2 とおくと, 次式が得ら
れる。 Ｖa0＝〔Ｒ1 ＋Ｒ2 −Ｒ2 ／（Ｒab／Ｒ2 ＋２）〕Ｉa ＋〔Ｒ2 ／（ＲabＲ2 ＋２）〕Ｉb 式(4）より，Ｖa0を決定するのはＩa だけでなく, 隣の
レーザに流す電流Ｉb の影響を受けることが分かる。
【００１３】式(4）, (5) のＶa0 ,Ｖb0は各半導体レー
ザの活性層近傍の電位であり，これが制御電流以外の要
因で大きく変動すると, レーザ発振が誤動作になる。
ザの活性層近傍の電位であり，これが制御電流以外の要
因で大きく変動すると, レーザ発振が誤動作になる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は同一基板上に
形成された半導体レーザ間のクロストークを低減するこ
とを目的とする。
形成された半導体レーザ間のクロストークを低減するこ
とを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，１）
同一基板に複数のレーザが配列して形成されたレーザア
レイであって，隣接するレーザ間に該基板を露出する領
域を設けその表面に１個以上のレーザ間電極(7) を有す
る半導体レーザアレイ，あるいは２）前記レーザ間電極
(7) を一定電位に保ち，各半導体レーザを独立に電流注
入または電圧印加により変調する半導体レーザアレイの
駆動方法，あるいは３）前記レーザ間電極(7) に，該レ
ーザ間電極(7) に隣接するレーザに流す電流変動と逆相
の電圧変動を印加して変調する半導体レーザアレイの駆
動方法，あるいは４）同一基板に複数のレーザが配列し
て形成されたレーザアレイの，一部のレーザに独立に電
流を注入して制御し，それに隣接するレーザに固定電位
または逆相の電圧変動を与える半導体レーザアレイの駆
動方法，あるいは５）同一基板に複数のレーザが配列し
て形成されたレーザアレイであって，請求項４記載の固
定電位または逆相の電圧変動を与えるレーザの上部電極
と該基板とが電気的に接続されている半導体レーザアレ
イにより達成される。
同一基板に複数のレーザが配列して形成されたレーザア
レイであって，隣接するレーザ間に該基板を露出する領
域を設けその表面に１個以上のレーザ間電極(7) を有す
る半導体レーザアレイ，あるいは２）前記レーザ間電極
(7) を一定電位に保ち，各半導体レーザを独立に電流注
入または電圧印加により変調する半導体レーザアレイの
駆動方法，あるいは３）前記レーザ間電極(7) に，該レ
ーザ間電極(7) に隣接するレーザに流す電流変動と逆相
の電圧変動を印加して変調する半導体レーザアレイの駆
動方法，あるいは４）同一基板に複数のレーザが配列し
て形成されたレーザアレイの，一部のレーザに独立に電
流を注入して制御し，それに隣接するレーザに固定電位
または逆相の電圧変動を与える半導体レーザアレイの駆
動方法，あるいは５）同一基板に複数のレーザが配列し
て形成されたレーザアレイであって，請求項４記載の固
定電位または逆相の電圧変動を与えるレーザの上部電極
と該基板とが電気的に接続されている半導体レーザアレ
イにより達成される。
【００１６】
【作用】図１ (A)〜(C) は本発明の原理説明図である。
図１(A) は本発明の半導体レーザアレイの断面図，図１
(B) は等価回路図(1)，図１(C) は等価回路図(2) であ
る。
図１(A) は本発明の半導体レーザアレイの断面図，図１
(B) は等価回路図(1)，図１(C) は等価回路図(2) であ
る。
【００１７】図１(B) の等価回路を簡略化すると，図１
(C) の等価回路が得られる。図において，１は半導体基
板, ２はレーザの活性層，３はクラッド層等，４は絶縁
膜，５は上部電極，６は基板裏面に形成された下部電
極，７は本発明によるレーザ間電極である。
(C) の等価回路が得られる。図において，１は半導体基
板, ２はレーザの活性層，３はクラッド層等，４は絶縁
膜，５は上部電極，６は基板裏面に形成された下部電
極，７は本発明によるレーザ間電極である。
【００１８】本発明では，隣のレーザに流れる電流の影
響を減らすために，図１(A) のように各半導体レーザ間
の基板上に電極７を設けた。このレーザ間電極７に印加
する電圧をＶF とし，電極７が半導体レーザ間の中央に
あるとする。
響を減らすために，図１(A) のように各半導体レーザ間
の基板上に電極７を設けた。このレーザ間電極７に印加
する電圧をＶF とし，電極７が半導体レーザ間の中央に
あるとする。
【００１９】図１(C) の等価回路の回路方程式(6) ，
(7) を解くと，Ｖa0は式(9) で与えられる。 Ｖa0＝Ｒa1Ｉa ＋Ｒa2（Ｉa −Ｉa ' ）・・・・・・・・・(6) ＶF ＝（Ｒab／２）（−Ｉa ' ）＋Ｒa2（Ｉa −Ｉa ' ） ＝Ｒa2Ｉa −（Ｒab／２＋Ｒa2）Ｉa ' ・・・・・・・(7) 従って， Ｉa ' ＝（Ｒa2Ｉa −ＶF ）／（Ｒab／２＋Ｒa2）・・・・(8) 式(8) を式(6) に入れ， Ｖa0＝Ｒa1Ｉa ＋Ｒa2〔Ｉa −（Ｒa2Ｉa −ＶF ）／（Ｒab／２＋Ｒa2）〕 ＝〔Ｒa1＋Ｒa2 2 ／（Ｒab／２＋Ｒa2）〕Ｉa −〔Ｒa2 2 ／（Ｒab／２＋Ｒa2）〕ＶF ・・・・・・(9) 式(9) によると，ＶF を固定したとき，Ｖa0はＩa だけ
に依存し，隣のレーザに流れる電流の影響はない。
(7) を解くと，Ｖa0は式(9) で与えられる。 Ｖa0＝Ｒa1Ｉa ＋Ｒa2（Ｉa −Ｉa ' ）・・・・・・・・・(6) ＶF ＝（Ｒab／２）（−Ｉa ' ）＋Ｒa2（Ｉa −Ｉa ' ） ＝Ｒa2Ｉa −（Ｒab／２＋Ｒa2）Ｉa ' ・・・・・・・(7) 従って， Ｉa ' ＝（Ｒa2Ｉa −ＶF ）／（Ｒab／２＋Ｒa2）・・・・(8) 式(8) を式(6) に入れ， Ｖa0＝Ｒa1Ｉa ＋Ｒa2〔Ｉa −（Ｒa2Ｉa −ＶF ）／（Ｒab／２＋Ｒa2）〕 ＝〔Ｒa1＋Ｒa2 2 ／（Ｒab／２＋Ｒa2）〕Ｉa −〔Ｒa2 2 ／（Ｒab／２＋Ｒa2）〕ＶF ・・・・・・(9) 式(9) によると，ＶF を固定したとき，Ｖa0はＩa だけ
に依存し，隣のレーザに流れる電流の影響はない。
【００２０】レーザ間電極７がレーザ間の中央からずれ
ていても同様な効果が得られる。以上の説明は，等価回
路を用いた近似によるもので，厳密には隣のレーザの電
流の影響は皆無にならないものの，本発明により隣接す
るレーザの中間に電極を設け，そこの電位を固定（厳密
には変動を制限）できるので，隣のレーザからの電気的
な影響を低減でき，電気的クロストークを減らすことが
できる。
ていても同様な効果が得られる。以上の説明は，等価回
路を用いた近似によるもので，厳密には隣のレーザの電
流の影響は皆無にならないものの，本発明により隣接す
るレーザの中間に電極を設け，そこの電位を固定（厳密
には変動を制限）できるので，隣のレーザからの電気的
な影響を低減でき，電気的クロストークを減らすことが
できる。
【００２１】レーザ間電極の最も簡単なバイアス方法は
接地することである。また，クロストークを防止する別
の方法として，レーザの変調電流に応じてレーザ間電極
に印加する電圧を変調する方法がある。このためには，
図５に示すようにレーザ間に２つの電極をレーザ共振器
に平行に設ける。この駆動方法は，レーザLDa に流す電
流を変調したときにレーザ上部にかかる電圧Ｖaが, Ｖa ＝Ｖ’＋ΔＶa ・・・・・・・・・・・・・・・・(10) で変動するとき，レーザLDa の両側のレーザ間電極に,
ΔＶa に比例した電圧変動−αΔＶa を与える。
接地することである。また，クロストークを防止する別
の方法として，レーザの変調電流に応じてレーザ間電極
に印加する電圧を変調する方法がある。このためには，
図５に示すようにレーザ間に２つの電極をレーザ共振器
に平行に設ける。この駆動方法は，レーザLDa に流す電
流を変調したときにレーザ上部にかかる電圧Ｖaが, Ｖa ＝Ｖ’＋ΔＶa ・・・・・・・・・・・・・・・・(10) で変動するとき，レーザLDa の両側のレーザ間電極に,
ΔＶa に比例した電圧変動−αΔＶa を与える。
【００２２】すなわち，レーザLDa の両側のレーザ間電
極ＶFは, 固定電圧をＶF0とすると次式で表される。 ＶFa＝ＶF0−αΔＶa ・・・・・・・・・・・・・・・・(11) ここで, 比例係数αは正数であり，一般にα＜１で，負
の符号はレーザにかかる電圧変動と逆相にしてこれを打
ち消すことを表している。
極ＶFは, 固定電圧をＶF0とすると次式で表される。 ＶFa＝ＶF0−αΔＶa ・・・・・・・・・・・・・・・・(11) ここで, 比例係数αは正数であり，一般にα＜１で，負
の符号はレーザにかかる電圧変動と逆相にしてこれを打
ち消すことを表している。
【００２３】また，本発明は式(4）または(5) から分か
るように抵抗率の大きな基板を用いた素子に対して効果
が大きい。例えば，InPやGaAs等の半導体基板を用いる
場合, ｎ型基板よりｐ型基板に対して効果が大きい。
るように抵抗率の大きな基板を用いた素子に対して効果
が大きい。例えば，InPやGaAs等の半導体基板を用いる
場合, ｎ型基板よりｐ型基板に対して効果が大きい。
【００２４】
【実施例】図２は本発明の実施例１を説明する断面図で
ある。図において，１は半導体基板でp-InP 基板, ２は
レーザの活性層でInGaAsP 層, 3Aはクラッド層でn-InP
層, 3Bは埋込層でn-InP 層, 3Cは電流狭窄層でp-InP層,
3Dはクラッド層でn-InP 層, 3Eはコンタクト層で n+ -
InGaAsP層, ４は絶縁膜でSiO2膜, ５は上部電極でAuGe/
Au 電極, ６は基板裏面に形成された下部電極でAuZn/Au
電極，７は本発明によるレーザ間電極でAuGe/Au 電極
である。
ある。図において，１は半導体基板でp-InP 基板, ２は
レーザの活性層でInGaAsP 層, 3Aはクラッド層でn-InP
層, 3Bは埋込層でn-InP 層, 3Cは電流狭窄層でp-InP層,
3Dはクラッド層でn-InP 層, 3Eはコンタクト層で n+ -
InGaAsP層, ４は絶縁膜でSiO2膜, ５は上部電極でAuGe/
Au 電極, ６は基板裏面に形成された下部電極でAuZn/Au
電極，７は本発明によるレーザ間電極でAuGe/Au 電極
である。
【００２５】製造プロセスの概略を次に示す。p-InP 基
板１上に吸収波長端 1.3μｍ, 厚さ 0.1〜0.2 μｍのIn
GaAsP 活性層２, 厚さ 0.5μｍ程度のn-InPクラッド層3
Aをエピタキシャル成長する。
板１上に吸収波長端 1.3μｍ, 厚さ 0.1〜0.2 μｍのIn
GaAsP 活性層２, 厚さ 0.5μｍ程度のn-InPクラッド層3
Aをエピタキシャル成長する。
【００２６】次にリソグラフィ技術を用いて, n-InP ク
ラッド層3AとInGaAsP 活性層２を幅1.5μｍのメサとし
て残し, 且つメサの中心の間隔が 300μｍになるよう
に,SiO2膜をマスクにして選択メサエッチングする。
ラッド層3AとInGaAsP 活性層２を幅1.5μｍのメサとし
て残し, 且つメサの中心の間隔が 300μｍになるよう
に,SiO2膜をマスクにして選択メサエッチングする。
【００２７】次に、メサの両側に, n-InP 層3B, p-InP
電流狭窄層3Cをエピタキシャル成長し，SiO2マスクを除
去する。次に, n-InP 層クラッド層3D, n+-InGaAsPコ
ンタクト層3Eを成長する。
電流狭窄層3Cをエピタキシャル成長し，SiO2マスクを除
去する。次に, n-InP 層クラッド層3D, n+-InGaAsPコ
ンタクト層3Eを成長する。
【００２８】次に, リソグラフィ技術により，半導体レ
ーザの導波路（活性層）付近を幅10μｍ程度残すように
してメサエッチングを行い, レーザ間を p-InP基板１ま
で掘る。
ーザの導波路（活性層）付近を幅10μｍ程度残すように
してメサエッチングを行い, レーザ間を p-InP基板１ま
で掘る。
【００２９】次に, 基板表面にSiO2膜４を被着した後，
電極部を開口し，上部電極５およびレーザ間電極７とし
てAuGe/Au 電極を形成する。次に，基板裏面に下部電極
６としてAuZn/Au 電極を形成する。
電極部を開口し，上部電極５およびレーザ間電極７とし
てAuGe/Au 電極を形成する。次に，基板裏面に下部電極
６としてAuZn/Au 電極を形成する。
【００３０】下部電極６を接地し，レーザ間電極７に一
定電圧をかけておき，各レーザの上部電極５にそれぞれ
独立に信号により変調した電流を流して駆動させる。な
お，実際上，レーザ間電極７は接地するのが最も簡単で
ある。
定電圧をかけておき，各レーザの上部電極５にそれぞれ
独立に信号により変調した電流を流して駆動させる。な
お，実際上，レーザ間電極７は接地するのが最も簡単で
ある。
【００３１】図３は本発明の実施例２を説明する断面図
である。この例は実際にレーザアレイとして用いる場合
の半分の間隔で倍の数のレーザを作成しておき，駆動す
る際は，一つおきのレーザLDa , LDb を実際に変調する
のに用い，別の一つおきのレーザLDab, ・・を定電圧に
バイアスしておく。
である。この例は実際にレーザアレイとして用いる場合
の半分の間隔で倍の数のレーザを作成しておき，駆動す
る際は，一つおきのレーザLDa , LDb を実際に変調する
のに用い，別の一つおきのレーザLDab, ・・を定電圧に
バイアスしておく。
【００３２】製法は図2 に準拠してレーザの間隔だけを
半分にする。LDabの上部電極にかける一定電圧は微弱な
順方向電圧をかけておく。この構造では−0.5 V 程度が
適当である。
半分にする。LDabの上部電極にかける一定電圧は微弱な
順方向電圧をかけておく。この構造では−0.5 V 程度が
適当である。
【００３３】図４は本発明の実施例３を説明する断面図
である。この実施例は，図３の実施例２の一定電圧をか
ける中間レーザLDabの上部電極の下に亜鉛(Zn)を拡散し
て電極と基板をｐ型半導体で短絡したものである。
である。この実施例は，図３の実施例２の一定電圧をか
ける中間レーザLDabの上部電極の下に亜鉛(Zn)を拡散し
て電極と基板をｐ型半導体で短絡したものである。
【００３４】レーザLDabの導波路上側に幅４μｍ，深さ
２μｍ程度Znを拡散する。この際, レーザLDabの上部電
極にかける電圧は, 最も簡単な接地や，他に都合があれ
ば正負の電圧をかけてもよい。
２μｍ程度Znを拡散する。この際, レーザLDabの上部電
極にかける電圧は, 最も簡単な接地や，他に都合があれ
ば正負の電圧をかけてもよい。
【００３５】図５は本発明の実施例４を説明する断面図
である。この例は，実施例１の構造でレーザ間に電極を
２個設けている。次に, この場合の駆動方法の一例を説
明する。
である。この例は，実施例１の構造でレーザ間に電極を
２個設けている。次に, この場合の駆動方法の一例を説
明する。
【００３６】レーザLDa , LDb にそれぞれ独立した信号
による変調電流Ｉa (t),Ｉb (t)〔ｔ：時間〕を流す。
このとき，Ｉ0 を一定バイアス電流とするとＩa (t),Ｉ
b (t) は次式で表される。
による変調電流Ｉa (t),Ｉb (t)〔ｔ：時間〕を流す。
このとき，Ｉ0 を一定バイアス電流とするとＩa (t),Ｉ
b (t) は次式で表される。
【００３７】 Ｉa (t) ＝Ｉ0 ＋ΔＩa (t) Ｉb (t) ＝Ｉ0 ＋ΔＩb (t) ΔＩa , ΔＩb を, 例えば10 mA 程度とし, レーザの微
分抵抗Ｒd を５Ωとすると， ΔＶa (t) ＝Ｒd ΔＩa (t) ＝50mV ΔＶb (t) ＝Ｒd ΔＩb (t) ＝50 mV 前記の(11)式, ＶFa(t) ＝ＶF0−αΔＶa (t) におい
て, α＝0.2 とすると, ＶFa(t) の変化量は次式より10
mV 程度必要となる。
分抵抗Ｒd を５Ωとすると， ΔＶa (t) ＝Ｒd ΔＩa (t) ＝50mV ΔＶb (t) ＝Ｒd ΔＩb (t) ＝50 mV 前記の(11)式, ＶFa(t) ＝ＶF0−αΔＶa (t) におい
て, α＝0.2 とすると, ＶFa(t) の変化量は次式より10
mV 程度必要となる。
【００３８】 −αΔＶa (t) ＝−0.2 ×50 mV ＝−10 mV すなわち, レーザの変調電流が10 mA 程度であると，レ
ーザの両側の電極に10 mV 程度の逆相の電圧を印加す
る。
ーザの両側の電極に10 mV 程度の逆相の電圧を印加す
る。
【００３９】また，実施例２において，実施例４の場合
と同様に２つおきのレーザだけを実際に変調光源として
用い，その間の２つのレーザに，それに隣接するレーザ
の逆相の電圧をかけて使用してもよい。
と同様に２つおきのレーザだけを実際に変調光源として
用い，その間の２つのレーザに，それに隣接するレーザ
の逆相の電圧をかけて使用してもよい。
【００４０】さらに，逆相を印加するレーザに実施例３
と同様のプロセスを施してもよい。
と同様のプロセスを施してもよい。
【００４１】
【発明の効果】本発明によれば，同一基板上に形成され
た半導体レーザ間のクロストークを低減することができ
た。
た半導体レーザ間のクロストークを低減することができ
た。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の実施例１を説明する断面図
【図３】 本発明の実施例２を説明する断面図
【図４】 本発明の実施例３を説明する断面図
【図５】 本発明の実施例４を説明する断面図
【図６】 従来例の説明図
１ 半導体基板でp-InP 基板 ２ 活性層でInGaAsP 層 3A クラッド層でn-InP 層 3B 埋込層でn-InP 層 3C 電流狭窄層でp-InP 層 3D クラッド層でn-InP 層 3E コンタクト層で n+ -InGaAsP層 ４ 絶縁膜でSiO2膜 ５ 上部電極でAuGe/Au 電極 ６ 基板裏面に形成された下部電極でAuZn/Au 電極 ７ 本発明によるレーザ間電極でAuGe/Au 電極
Claims (5)
- 【請求項１】 同一基板に複数のレーザが配列して形成
されたレーザアレイであって，隣接するレーザ間に該基
板を露出する領域を設けその表面に１個以上のレーザ間
電極(7) を有することを特徴とする半導体レーザアレ
イ。 - 【請求項２】 前記レーザ間電極(7) を一定電位に保
ち，各半導体レーザを独立に電流注入または電圧印加に
より変調することを特徴とする半導体レーザアレイの駆
動方法。 - 【請求項３】 前記レーザ間電極(7) に，該レーザ間電
極(7) に隣接するレーザに流す電流変動と逆相の電圧変
動を印加して変調することを特徴とする半導体レーザア
レイの駆動方法。 - 【請求項４】 同一基板に複数のレーザが配列して形成
されたレーザアレイの，一部のレーザに独立に電流を注
入して制御し，それに隣接するレーザに固定電位または
逆相の電圧変動を与えることを特徴とする半導体レーザ
アレイの駆動方法。 - 【請求項５】 同一基板に複数のレーザが配列して形成
されたレーザアレイであって，請求項４記載の固定電位
または逆相の電圧変動を与えるレーザの上部電極と該基
板とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体
レーザアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24091591A JPH0582907A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 半導体レーザアレイおよびその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24091591A JPH0582907A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 半導体レーザアレイおよびその駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582907A true JPH0582907A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17066558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24091591A Withdrawn JPH0582907A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 半導体レーザアレイおよびその駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582907A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000024096A1 (en) * | 1998-10-20 | 2000-04-27 | Quantum Devices, Incorporated | Method and apparatus for reducing electrical and thermal crosstalk of a laser array |
| JP2001244540A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ |
| WO2007105328A1 (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | 面発光レーザ素子アレイ |
| JP2014154686A (ja) * | 2013-02-07 | 2014-08-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多チャネルレーザアレイ光源 |
| JP2014179455A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多チャネルレーザアレイ光源 |
| US20150092803A1 (en) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. | Laser diode and transmitter module |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP24091591A patent/JPH0582907A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000024096A1 (en) * | 1998-10-20 | 2000-04-27 | Quantum Devices, Incorporated | Method and apparatus for reducing electrical and thermal crosstalk of a laser array |
| US6553044B1 (en) | 1998-10-20 | 2003-04-22 | Quantum Devices, Inc. | Method and apparatus for reducing electrical and thermal crosstalk of a laser array |
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| JP5260958B2 (ja) * | 2006-03-14 | 2013-08-14 | 古河電気工業株式会社 | 面発光レーザ素子アレイ |
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| US20150092803A1 (en) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. | Laser diode and transmitter module |
| US9397473B2 (en) * | 2013-09-30 | 2016-07-19 | Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. | Laser diode and transmitter module |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |