JPH11112100A - 光半導体素子 - Google Patents
光半導体素子Info
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- JPH11112100A JPH11112100A JP26651997A JP26651997A JPH11112100A JP H11112100 A JPH11112100 A JP H11112100A JP 26651997 A JP26651997 A JP 26651997A JP 26651997 A JP26651997 A JP 26651997A JP H11112100 A JPH11112100 A JP H11112100A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半絶縁性半導体埋め込み構造から成り、高い
光出力を得ることが可能な光半導体素子を提供する。 【解決手段】 ｎ型ＩｎＰホール注入阻止層５をＦｅド
ープ半絶縁性ＩｎＰ埋め込み層４上のみならず、ｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層３上にまでかかるように形成する。
光出力を得ることが可能な光半導体素子を提供する。 【解決手段】 ｎ型ＩｎＰホール注入阻止層５をＦｅド
ープ半絶縁性ＩｎＰ埋め込み層４上のみならず、ｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層３上にまでかかるように形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光半導体素子に係わ
り、特に半絶縁性半導体埋め込み構造から成る光半導体
素子に関する。
り、特に半絶縁性半導体埋め込み構造から成る光半導体
素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、幹線系光通信システムの大容量化
の研究開発が盛んに展開されており、送信光源には、素
子寄生容量が小さく、電気信号により高速変調動作が可
能である光半導体素子が要求されている。また、光ファ
イバ増幅器の出現により伝送距離に対する光ファイバの
損失制限が除去された現状においては、波長チャープの
小さい外部変調器方式による伝送距離の拡大も望まれて
いる。特に、光源となる半導体レーザとのモノリシック
集積化が可能である半導体光変調器は、次世代の幹線系
光通信システムを担うキーデバイスとして期待されてい
る。
の研究開発が盛んに展開されており、送信光源には、素
子寄生容量が小さく、電気信号により高速変調動作が可
能である光半導体素子が要求されている。また、光ファ
イバ増幅器の出現により伝送距離に対する光ファイバの
損失制限が除去された現状においては、波長チャープの
小さい外部変調器方式による伝送距離の拡大も望まれて
いる。特に、光源となる半導体レーザとのモノリシック
集積化が可能である半導体光変調器は、次世代の幹線系
光通信システムを担うキーデバイスとして期待されてい
る。
【０００３】光導波層ストライプ側面を半絶縁性半導体
層により埋め込んだ構造は、単位面積当たりの寄生容量
を低減できるだけでなく、異なる光半導体素子の集積化
にも適している。特に、順バイアス動作させる半導体レ
ーザと、逆デバイス動作させる光半導体素子とを同一半
導体基板上にモノリシックに集積化する際に有効であ
る。このため、半絶縁性半導体埋め込み構造から成る光
半導体素子の開発は、極めて重要である。
層により埋め込んだ構造は、単位面積当たりの寄生容量
を低減できるだけでなく、異なる光半導体素子の集積化
にも適している。特に、順バイアス動作させる半導体レ
ーザと、逆デバイス動作させる光半導体素子とを同一半
導体基板上にモノリシックに集積化する際に有効であ
る。このため、半絶縁性半導体埋め込み構造から成る光
半導体素子の開発は、極めて重要である。
【０００４】図４には、従来の半絶縁性半導体埋め込み
構造から成る半導体レーザの導波方向に垂直に断面図を
示す。図中、１はｎ型ＩｎＰ基板、２はＩｎＧａＡｓＰ
多重量子井戸構造から成る活性層、３はｐ型ＩｎＰクラ
ッド層、４はＦｅドープ半絶縁性ＩｎＰ埋め込み層、５
はｎ型ＩｎＰホール注入阻止層、６はｐ型ＩｎＰオーバ
ークラッド層、７はｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層、８
はＳｉＯ2 膜、９はＡｕ／Ｚｎ／Ａｕから成るｐ型オー
ミック電極、１０はＴｉ／Ｐｔ／Ａｕから成る配線兼ボ
ンディングパッド、１１はＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕから成
るｎ型オーミック電極である。
構造から成る半導体レーザの導波方向に垂直に断面図を
示す。図中、１はｎ型ＩｎＰ基板、２はＩｎＧａＡｓＰ
多重量子井戸構造から成る活性層、３はｐ型ＩｎＰクラ
ッド層、４はＦｅドープ半絶縁性ＩｎＰ埋め込み層、５
はｎ型ＩｎＰホール注入阻止層、６はｐ型ＩｎＰオーバ
ークラッド層、７はｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層、８
はＳｉＯ2 膜、９はＡｕ／Ｚｎ／Ａｕから成るｐ型オー
ミック電極、１０はＴｉ／Ｐｔ／Ａｕから成る配線兼ボ
ンディングパッド、１１はＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕから成
るｎ型オーミック電極である。
【０００５】ここで、Ｆｅドープ半絶縁性ＩｎＰ埋め込
み層４は、電子をトラップするが、正孔はトラップしな
い。従って、ｐ型ＩｎＰクラッド層３およびｐ型ＩｎＰ
オーバークラッド層６から半絶縁性ＩｎＰ埋め込み層３
に正孔が注入されると、注入された正孔とトラップされ
ていた電子とが再結合することにより、リーク電流が流
れる。このリーク電流を低減することを目的として、半
絶縁性ＩｎＰ埋め込み層４上には、ｎ型ＩｎＰホール注
入阻止層５が設けられている。しかしながら、ｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層３の側面が半絶縁性ＩｎＰ埋め込み層４と
接しており、これがリーク電流の経路となっている。図
５には、ｐ型ＩｎＰクラッド層３の厚さを０．５μｍと
したときの活性層２直上における電流密度分布を示す。
ｐ型ＩｎＰクラッド層３が厚いために、ｐ型ＩｎＰクラ
ッド層３側面から半絶縁性ＩｎＰ埋め込み層４へのリー
ク電流が大きく、高い光出力を得ることが困難であっ
た。図６には、ｐ型ＩｎＰクラッド層３の厚さを０．１
μｍとしたときの活性層２直上における電流密度分布を
示す。ｐ型ＩｎＰクラッド層３の側面から半絶縁性Ｉｎ
Ｐ埋め込み層４へのリーク電流は小さいものの、ｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層３が薄いために、活性層２の両端近傍で
電流密度が高くなっている。このように活性層２へ注入
される電流密度分布が不均一であるために、高い光出力
を得ることが困難であった。
み層４は、電子をトラップするが、正孔はトラップしな
い。従って、ｐ型ＩｎＰクラッド層３およびｐ型ＩｎＰ
オーバークラッド層６から半絶縁性ＩｎＰ埋め込み層３
に正孔が注入されると、注入された正孔とトラップされ
ていた電子とが再結合することにより、リーク電流が流
れる。このリーク電流を低減することを目的として、半
絶縁性ＩｎＰ埋め込み層４上には、ｎ型ＩｎＰホール注
入阻止層５が設けられている。しかしながら、ｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層３の側面が半絶縁性ＩｎＰ埋め込み層４と
接しており、これがリーク電流の経路となっている。図
５には、ｐ型ＩｎＰクラッド層３の厚さを０．５μｍと
したときの活性層２直上における電流密度分布を示す。
ｐ型ＩｎＰクラッド層３が厚いために、ｐ型ＩｎＰクラ
ッド層３側面から半絶縁性ＩｎＰ埋め込み層４へのリー
ク電流が大きく、高い光出力を得ることが困難であっ
た。図６には、ｐ型ＩｎＰクラッド層３の厚さを０．１
μｍとしたときの活性層２直上における電流密度分布を
示す。ｐ型ＩｎＰクラッド層３の側面から半絶縁性Ｉｎ
Ｐ埋め込み層４へのリーク電流は小さいものの、ｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層３が薄いために、活性層２の両端近傍で
電流密度が高くなっている。このように活性層２へ注入
される電流密度分布が不均一であるために、高い光出力
を得ることが困難であった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の半
絶縁性半導体埋め込み構造から成る光半導体素子では、
活性層上のクラッド層厚を厚くするとリーク電流が増大
し、活性層上のクラッド層厚を薄くすると活性層へ注入
される電流密度分布が不均一になるために、高出力化が
困難であるという問題点があった。
絶縁性半導体埋め込み構造から成る光半導体素子では、
活性層上のクラッド層厚を厚くするとリーク電流が増大
し、活性層上のクラッド層厚を薄くすると活性層へ注入
される電流密度分布が不均一になるために、高出力化が
困難であるという問題点があった。
【０００７】本発明は、上記事情を考慮して成されたも
ので、その目的とするところは、リーク電流が小さく、
かつ活性層に均一に電流を注入することにより、高い光
出力が得られる光半導体素子を提供することにある。
ので、その目的とするところは、リーク電流が小さく、
かつ活性層に均一に電流を注入することにより、高い光
出力が得られる光半導体素子を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、キャリ
ア注入阻止層を半絶縁性半導体埋め込み層上のみなら
ず、メサストライプ上にまでかかるように設けることに
より、リーク電流の低減と光導波層への均一な電流注入
を同時に実現することにある。
ア注入阻止層を半絶縁性半導体埋め込み層上のみなら
ず、メサストライプ上にまでかかるように設けることに
より、リーク電流の低減と光導波層への均一な電流注入
を同時に実現することにある。
【０００９】即ち本発明は、第１の導電型の半導体基板
上に、、光導波層および第２の導電型のクラッド層が積
層されたメサストライプと、前記メサストライプの両側
面に形成された半絶縁性半導体埋め込み層と、前記半絶
縁性半導体埋め込み層および前記メサストライプ上に形
成され、前記メサストライプよりも幅の狭い開口部を前
記メサストライプ上に有する第１の導電型のキャリア注
入阻止層と、前記メサストライプおよび前記第１の導電
型のキャリア注入阻止層に形成された第２の導電型のオ
ーバーククラッド層と、を具備することを特徴とする。
上に、、光導波層および第２の導電型のクラッド層が積
層されたメサストライプと、前記メサストライプの両側
面に形成された半絶縁性半導体埋め込み層と、前記半絶
縁性半導体埋め込み層および前記メサストライプ上に形
成され、前記メサストライプよりも幅の狭い開口部を前
記メサストライプ上に有する第１の導電型のキャリア注
入阻止層と、前記メサストライプおよび前記第１の導電
型のキャリア注入阻止層に形成された第２の導電型のオ
ーバーククラッド層と、を具備することを特徴とする。
【００１０】本発明によれば、キャリア注入阻止層は、
半絶縁性半導体埋め込み層上のみならず、メサストライ
プ上にまでかかるように設けられている。したがって、
光導波層の両端近傍で電流密度が高くなることもなく、
メサストライプ側面から半絶縁性半導体埋め込み層への
リーク電流を低減することもできる。この結果、高い光
出力を得ることが可能である。
半絶縁性半導体埋め込み層上のみならず、メサストライ
プ上にまでかかるように設けられている。したがって、
光導波層の両端近傍で電流密度が高くなることもなく、
メサストライプ側面から半絶縁性半導体埋め込み層への
リーク電流を低減することもできる。この結果、高い光
出力を得ることが可能である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を図面を
参照して説明する。 （実施例１）図１は、本発明の第１の実施例に係わる光
半導体素子の導波方向に垂直な断面図である。図中、１
はｎ型ＩｎＰ基板、２はＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸構
造から成る活性層、３はｐ型ＩｎＰクラッド層、４はＦ
ｅドープ半絶縁性ＩｎＰ埋め込み層、５はｎ型ＩｎＰホ
ール注入阻止層、６はｐ型ＩｎＰオーバークラッド層、
７はｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層、８はＳｉＯ2 膜、
９はＡｕ／Ｚｎ／Ａｕから成るｐ型オーミック電極、１
０はＴｉ／Ｐｔ／Ａｕから成る配線兼ボンディングパッ
ド、１１はＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕから成るｎ型オーミッ
ク電極である。
参照して説明する。 （実施例１）図１は、本発明の第１の実施例に係わる光
半導体素子の導波方向に垂直な断面図である。図中、１
はｎ型ＩｎＰ基板、２はＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸構
造から成る活性層、３はｐ型ＩｎＰクラッド層、４はＦ
ｅドープ半絶縁性ＩｎＰ埋め込み層、５はｎ型ＩｎＰホ
ール注入阻止層、６はｐ型ＩｎＰオーバークラッド層、
７はｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層、８はＳｉＯ2 膜、
９はＡｕ／Ｚｎ／Ａｕから成るｐ型オーミック電極、１
０はＴｉ／Ｐｔ／Ａｕから成る配線兼ボンディングパッ
ド、１１はＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕから成るｎ型オーミッ
ク電極である。
【００１２】ここで、活性層２およびｐ型ＩｎＰクラッ
ド層３を含むメサストライプ１２の幅は１．４μｍ、ｐ
型ＩｎＰクラッド層３の厚さは０．３μｍである。ま
た、ｎ型ＩｎＰホール注入阻止層５は、半絶縁性ＩｎＰ
埋め込み層４上のみならず、メサストライプ１２の両端
上に０．２μｍずつかかっている。したがって、ｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層３とｐ型ＩｎＰオーバークラッド層６と
は、幅１．０μｍで接触している。
ド層３を含むメサストライプ１２の幅は１．４μｍ、ｐ
型ＩｎＰクラッド層３の厚さは０．３μｍである。ま
た、ｎ型ＩｎＰホール注入阻止層５は、半絶縁性ＩｎＰ
埋め込み層４上のみならず、メサストライプ１２の両端
上に０．２μｍずつかかっている。したがって、ｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層３とｐ型ＩｎＰオーバークラッド層６と
は、幅１．０μｍで接触している。
【００１３】図２には、活性層２直上における電流密度
分布を示す。ｎ型ＩｎＰホール注入阻止層５がｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層３の両端上に０．２μｍずつかかるように
形成されていることから、ｐ型ＩｎＰクラッド層３側面
から半絶縁性ＩｎＰ埋め込み層４へのリーク電流はほと
んどない。さらに、０．３μｍ厚のｐ型ＩｎＰクラッド
層３を流れる間に、電流密度分布は均一化されており、
活性層２に電流を均一に注入することができる。この結
果、高い光出力を得ることが可能である。
分布を示す。ｎ型ＩｎＰホール注入阻止層５がｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層３の両端上に０．２μｍずつかかるように
形成されていることから、ｐ型ＩｎＰクラッド層３側面
から半絶縁性ＩｎＰ埋め込み層４へのリーク電流はほと
んどない。さらに、０．３μｍ厚のｐ型ＩｎＰクラッド
層３を流れる間に、電流密度分布は均一化されており、
活性層２に電流を均一に注入することができる。この結
果、高い光出力を得ることが可能である。
【００１４】（実施例２）次に、本発明の第２の実施例
を図３を用いて説明する。図３は、本発明の第２の実施
例に係わる光半導体素子の斜視図であり、分布帰還型半
導体レーザと半導体光変調器とをモノリシックに集積化
した構造から成る。図３において、図１と同一の部分に
ついては、図１と同一の符号を付してその説明を省略す
る。
を図３を用いて説明する。図３は、本発明の第２の実施
例に係わる光半導体素子の斜視図であり、分布帰還型半
導体レーザと半導体光変調器とをモノリシックに集積化
した構造から成る。図３において、図１と同一の部分に
ついては、図１と同一の符号を付してその説明を省略す
る。
【００１５】変調器領域１３および電極分離領域１４で
は、光導波層はＩｎＧａＡｓＰ光吸収層１６から成って
いる。レーザ領域では、光導波層はＩｎＧａＡｓＰ多重
量子井戸活性層２から成り、活性層２上には回析格子１
７が設けられている。また、変調器側端面にはＳｉＮｘ
から成る無反射コーティング膜１８が、レーザ側端面に
はＳｉ／ＳｉＯ2 多層膜から成る高反射コーティング膜
１９が形成されている。変調器領域１３および電極分離
領域１４では、光導波層近傍が狭メサ形状に形成されて
おり、寄生容量が低減されている。
は、光導波層はＩｎＧａＡｓＰ光吸収層１６から成って
いる。レーザ領域では、光導波層はＩｎＧａＡｓＰ多重
量子井戸活性層２から成り、活性層２上には回析格子１
７が設けられている。また、変調器側端面にはＳｉＮｘ
から成る無反射コーティング膜１８が、レーザ側端面に
はＳｉ／ＳｉＯ2 多層膜から成る高反射コーティング膜
１９が形成されている。変調器領域１３および電極分離
領域１４では、光導波層近傍が狭メサ形状に形成されて
おり、寄生容量が低減されている。
【００１６】レーザ領域１５および変調器領域１３で
は、第１の実施例と同様に、ｎ型ＩｎＰホール注入阻止
層５は、半絶縁性ＩｎＰ埋め込み層４上のみならず、ｐ
型ＩｎＰクラッド層３の両端上に０．２μｍずつかかる
ように形成されている。この結果、リーク電流は小さ
く、電流密度分布も均一であることから、高い光出力を
得ることが可能である。また、電極分離領域１４では、
変調器領域１３とレーザ領域１５との間を電気的に分離
するために、ｎ型ＩｎＰホール注入阻止層５は設けられ
ていない。
は、第１の実施例と同様に、ｎ型ＩｎＰホール注入阻止
層５は、半絶縁性ＩｎＰ埋め込み層４上のみならず、ｐ
型ＩｎＰクラッド層３の両端上に０．２μｍずつかかる
ように形成されている。この結果、リーク電流は小さ
く、電流密度分布も均一であることから、高い光出力を
得ることが可能である。また、電極分離領域１４では、
変調器領域１３とレーザ領域１５との間を電気的に分離
するために、ｎ型ＩｎＰホール注入阻止層５は設けられ
ていない。
【００１７】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。実施例では、ＩｎＧａＡｓＰ系の光半
導体素子について説明したが、ＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＧ
ａＩｎＰ系、ＧａＩｎＮＡｓ系など、様々な材料系につ
いて本発明を適用することができる。また実施例では、
単体の半導体レーザ素子と、半導体光変調器と半導体レ
ーザの集積化素子について説明したが、他にも半導体レ
ーザ、光変調器、光増幅器、光スイッチ、光カップラ、
光導波路等を適宜集積化した素子構造においても、本発
明は有効である。また、光導波層にはバルク材料を用い
ても多重量子井戸構造を用いてもよい。さらに、半絶縁
性半導体埋め込み層ＩｎＰ層に限るものではなく、例え
ば、ＩｎＧａＡｓＰ層や、ＩｎＰ層とＩｎＧａＡｓＰ層
を積層した半導体層を用いてもよい。また、半導体基板
の導電型もｎ型基板に限るものではない。その他、本発
明の主旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施するこ
とができる。
るものではない。実施例では、ＩｎＧａＡｓＰ系の光半
導体素子について説明したが、ＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＧ
ａＩｎＰ系、ＧａＩｎＮＡｓ系など、様々な材料系につ
いて本発明を適用することができる。また実施例では、
単体の半導体レーザ素子と、半導体光変調器と半導体レ
ーザの集積化素子について説明したが、他にも半導体レ
ーザ、光変調器、光増幅器、光スイッチ、光カップラ、
光導波路等を適宜集積化した素子構造においても、本発
明は有効である。また、光導波層にはバルク材料を用い
ても多重量子井戸構造を用いてもよい。さらに、半絶縁
性半導体埋め込み層ＩｎＰ層に限るものではなく、例え
ば、ＩｎＧａＡｓＰ層や、ＩｎＰ層とＩｎＧａＡｓＰ層
を積層した半導体層を用いてもよい。また、半導体基板
の導電型もｎ型基板に限るものではない。その他、本発
明の主旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施するこ
とができる。
【００１８】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
リーク電流の低減と光導波層への均一な電流注入を同時
に実現可能な半絶縁性半導体埋め込み構造を提供するこ
とができる。この結果、高出力動作と高速変調動作が得
られ、かつ複数の光半導体素子の集積化にも適している
光半導体素子を提供することが可能であり、幹線系光通
信システム用送信光源の特性向上に大きく寄与すること
ができる。
リーク電流の低減と光導波層への均一な電流注入を同時
に実現可能な半絶縁性半導体埋め込み構造を提供するこ
とができる。この結果、高出力動作と高速変調動作が得
られ、かつ複数の光半導体素子の集積化にも適している
光半導体素子を提供することが可能であり、幹線系光通
信システム用送信光源の特性向上に大きく寄与すること
ができる。
【図１】図１の実施例に係わる光半導体素子の導波方向
に垂直な断面図、
に垂直な断面図、
【図２】第１の実施例に係わる光半導体素子の活性層直
上における電流密度分布、
上における電流密度分布、
【図３】第２の実施例に係わる光半導体素子の斜視図、
【図４】従来の半導体素子の導波方向に垂直な断面図、
【図５】従来の光半導体素子の活性層直上における電流
密度分布、
密度分布、
【図６】従来の光半導体素子の活性層直上における電流
密度分布。
密度分布。
１…ｎ型ＩｎＰ基板 ２…ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸活性層 ３…ｐ型ＩｎＰクラッド層 ４…Ｆｅドープ半絶縁性ＩｎＰ埋め込み層 ５…ｎ型ＩｎＰホール注入阻止層 ６…ｐ型ＩｎＰオーバークラッド層 ７…ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層 ８…ＳｉＯ2 膜 ９…ｐ型オーミック電極 １０…配線兼ボンディングパッド １１…ｎ型オーミック電極 １２…メサストライプ １３…変調器領域 １４…電極分離領域 １５…レーザ領域 １６…ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層 １７…回析格子 １８…無反射コーティング膜 １９…高反射コーティング膜
Claims (2)
- 【請求項１】第１の導電型の半導体基板上に、 光導波層および第２の導電型のクラッド層が順次積層さ
れたメサストライプと、 前記メサストライプの両側面に形成された半絶縁性半導
体埋め込み層と、 前記半絶縁性半導体埋め込み層および前記メサストライ
プ上に形成され、前記メサストライプよりも幅の狭い開
口部を前記メサストライプ上に有する第１の導電型のキ
ャリア注入阻止層と、 前記メサストライプおよび前記第１の導電型のキャリア
注入阻止層上に形成された第２の導電型のオーバークラ
ッド層と、 を具備することを特徴とする光半導体素子。 - 【請求項２】同一半導体基板上に複数の光半導体素子が
集積化されていることを特徴とする請求項１記載の光半
導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26651997A JPH11112100A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 光半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26651997A JPH11112100A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 光半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11112100A true JPH11112100A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17432029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26651997A Pending JPH11112100A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 光半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11112100A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005064080A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体素子及びその製造方法 |
| CN110943147A (zh) * | 2018-09-25 | 2020-03-31 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 提高反极性GaAs基AlGaInP红光LED芯片焊线性能的管芯制作方法 |
| US11552451B2 (en) | 2018-05-28 | 2023-01-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device |
| US11961948B2 (en) * | 2019-09-13 | 2024-04-16 | Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. | Optical semiconductor device |
-
1997
- 1997-09-30 JP JP26651997A patent/JPH11112100A/ja active Pending
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