JPS6185885A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPS6185885A JPS6185885A JP20861184A JP20861184A JPS6185885A JP S6185885 A JPS6185885 A JP S6185885A JP 20861184 A JP20861184 A JP 20861184A JP 20861184 A JP20861184 A JP 20861184A JP S6185885 A JPS6185885 A JP S6185885A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- diffusion
- type
- electrode
- refractive index
- Prior art date
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- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光偏同艷能を有する光半導体装置に関する。
（従来の技術およびその問題点）
近年、半導体レーザと他の能動素子を組み合わせたり、
あるいは半導体レーザに発光装置以外の新たな機能を持
たせて複合装置を構成する素子が種々開発されている。
あるいは半導体レーザに発光装置以外の新たな機能を持
たせて複合装置を構成する素子が種々開発されている。
それらは光スィッチ、光変調器等であり、多くは結晶体
の電気光学効果を利用し、光源である半導体レーザと変
調器等の結晶体をそれぞれ独立した素子として構成した
ものである。しかし、このような複合装置においては、
半導体レーザと他の能動素子や光変調器、光スィッチな
どの素子との位置合わせに困難がわり、また結合損失が
大きかったシ、高消費電力である等の問題を抱えている
。
の電気光学効果を利用し、光源である半導体レーザと変
調器等の結晶体をそれぞれ独立した素子として構成した
ものである。しかし、このような複合装置においては、
半導体レーザと他の能動素子や光変調器、光スィッチな
どの素子との位置合わせに困難がわり、また結合損失が
大きかったシ、高消費電力である等の問題を抱えている
。
（発明の目的）
本発明の目的は上記の問題点を解決するために。
構造的に光を偏向する機能を有する単体の光半導体装置
を提供することである。
を提供することである。
（発明の構成と原理）
一般に、半導体レーザはストライプ状の導波路を結晶中
に有しており、注入電流はこの部分に集中して流れる。
に有しており、注入電流はこの部分に集中して流れる。
このストライプに沿りてレーザ光が放射されるわけであ
るが、ここでストライプ領域内の屈折率分布に不均一性
、非対称性が発生した場合、高い屈折率の部分は光波の
位相速度が遅れるととＫなる。即ち、ストライプ領域と
直角方向の屈折率の不均一さがストライプ全体で生じた
場合には、結果的に屈折率の高い側にレーザ光が偏向す
ることが知られている。一方、キャリア密度が高い程一
般にプラズマ効果により屈折率は小さくなる。
るが、ここでストライプ領域内の屈折率分布に不均一性
、非対称性が発生した場合、高い屈折率の部分は光波の
位相速度が遅れるととＫなる。即ち、ストライプ領域と
直角方向の屈折率の不均一さがストライプ全体で生じた
場合には、結果的に屈折率の高い側にレーザ光が偏向す
ることが知られている。一方、キャリア密度が高い程一
般にプラズマ効果により屈折率は小さくなる。
本発明は、活性層である第１の半導体層のストライプ形
発光領域の近傍のストライプ外側より。
発光領域の近傍のストライプ外側より。
発光を主に支配する電流とは別個に制御される電流を注
入できるように、クラッド層である半導体層中に狭いス
トライプ状の高濃度領域を設け、その高濃度領域につな
がる電極を半導体レーザ用の電極と別個に設けることに
より、対称的な発光の生じているストライプ領域の片側
に過剰なキャリアを注入し、その側の屈折率を低下させ
、光を反対１１１に偏向させるというものである。
入できるように、クラッド層である半導体層中に狭いス
トライプ状の高濃度領域を設け、その高濃度領域につな
がる電極を半導体レーザ用の電極と別個に設けることに
より、対称的な発光の生じているストライプ領域の片側
に過剰なキャリアを注入し、その側の屈折率を低下させ
、光を反対１１１に偏向させるというものである。
（実施例）
第４図は本発明の一実施例を示す断面図である。
ｎ型ＩｎＰ基板ＩＫＱさ０．１μｍ幅約４μｍ（Ｄ溝２
をエツチングで堀シ、その上にｎ型ＩｎＧａＡｓＰガイ
ド層３．ＩｎＧａＡｓＰ活性層４． ｐ型ＩｎＰクラｙ
Ｖ層５．ｎｌ！ＩｎＧａＡｓＰキャｙプ層６を連続して
エピタキシャル成長したクエハーに、Ｚｎ拡散を行い、
さらにプロトン照射を選択的に行って高抵抗領域９を形
成し、高濃度ｐ型Ｚｎ拡散領域を７と８に分離して付加
したものである。通常のレーザ発光は主電極１０と層面
電極１２間に電圧を印加し、Ｚｎ拡散領域７よりミ流が
選択的に注入され、直下の活性層４の部分が発光領域と
なっている。この時のキャリア密度分布、屈折率分布。
をエツチングで堀シ、その上にｎ型ＩｎＧａＡｓＰガイ
ド層３．ＩｎＧａＡｓＰ活性層４． ｐ型ＩｎＰクラｙ
Ｖ層５．ｎｌ！ＩｎＧａＡｓＰキャｙプ層６を連続して
エピタキシャル成長したクエハーに、Ｚｎ拡散を行い、
さらにプロトン照射を選択的に行って高抵抗領域９を形
成し、高濃度ｐ型Ｚｎ拡散領域を７と８に分離して付加
したものである。通常のレーザ発光は主電極１０と層面
電極１２間に電圧を印加し、Ｚｎ拡散領域７よりミ流が
選択的に注入され、直下の活性層４の部分が発光領域と
なっている。この時のキャリア密度分布、屈折率分布。
遠視野像を第２図に示す。次にこの状態で偏向用電極１
１に正の電圧をパルス状に印加した時、第３図に示すよ
うにキャリア密度分布および屈折率分布が変化し、半導
体レーザのストライプの左側の屈折率が減少するのでレ
ーザ光は右側方向く曲げられ、遠視野像は図上右側に偏
向するととＫなる。
１に正の電圧をパルス状に印加した時、第３図に示すよ
うにキャリア密度分布および屈折率分布が変化し、半導
体レーザのストライプの左側の屈折率が減少するのでレ
ーザ光は右側方向く曲げられ、遠視野像は図上右側に偏
向するととＫなる。
上記実施例では、ＩｎＧａＡｓＰ０ＰＣＷＩＩＩＩ造の
半導体レーザ装置を基にしたものでありたが、本発明は
材料、主の導波機構などで拘束されるものではなく、ス
トライプ発光領域の近傍に側電極のとれる高ａ度ストラ
イプ領域を構築し、そこよりストライプの片側に偏よっ
た電流注入全行なわせ。
半導体レーザ装置を基にしたものでありたが、本発明は
材料、主の導波機構などで拘束されるものではなく、ス
トライプ発光領域の近傍に側電極のとれる高ａ度ストラ
イプ領域を構築し、そこよりストライプの片側に偏よっ
た電流注入全行なわせ。
それによる光の偏向を実現できる単体の光半導体全てく
およんで効果を示すものである。
およんで効果を示すものである。
（発明の効果）
以上のように、本発明は半導体レーザと偏向用素子が一
体に同一基板上に形成されているので位置合わせも容易
でろ）、結合損失などのない光半導体装置を得ることが
できる。
体に同一基板上に形成されているので位置合わせも容易
でろ）、結合損失などのない光半導体装置を得ることが
できる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は第１図の
主電極１０のみの場合の活性領域３のキャリア密度分布
および屈折率分布および遠視野像、第３図は偏向用電極
１１に順方向電８：を印加した場合のキャリア密度分布
および屈折率分布および遠視野像である。 ｌ・・・・・・ｎ型ＩｎＰ基板、２・・団・基板上にエ
ツチングで作成したストライプ溝、３・・・・・・ｎ
ｆＪＩ ＩｎＧａＡｓ）’ガイド層、４・・・・・・Ｉ
ｎＧａＡｓＰ活性層、５・・・・・・ｐ型ＩｎＰクラッ
ド層、６・・・・・・ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ午ヤップ層、
７・・・・・・Ｚｎ拡散領域、８・・・・・・偏向用Ｚ
ｎ拡散領域、 ９． ９’・・・・・・プロトン照射領
域、１０・回・主電極、１１・・・・・・偏向用電極、
１２・・・・・・Ｍ面電極。 箔２図 第３図
主電極１０のみの場合の活性領域３のキャリア密度分布
および屈折率分布および遠視野像、第３図は偏向用電極
１１に順方向電８：を印加した場合のキャリア密度分布
および屈折率分布および遠視野像である。 ｌ・・・・・・ｎ型ＩｎＰ基板、２・・団・基板上にエ
ツチングで作成したストライプ溝、３・・・・・・ｎ
ｆＪＩ ＩｎＧａＡｓ）’ガイド層、４・・・・・・Ｉ
ｎＧａＡｓＰ活性層、５・・・・・・ｐ型ＩｎＰクラッ
ド層、６・・・・・・ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ午ヤップ層、
７・・・・・・Ｚｎ拡散領域、８・・・・・・偏向用Ｚ
ｎ拡散領域、 ９． ９’・・・・・・プロトン照射領
域、１０・回・主電極、１１・・・・・・偏向用電極、
１２・・・・・・Ｍ面電極。 箔２図 第３図
Claims (1)
- レーザ発振を起す第１の半導体層と、該第１の半導体
の禁制帯幅より大きい禁制帯幅を有し、かつ、該第１の
半導体層を上下から挾んだ第２及び第３の半導体層とを
有するストライプ形二重ヘテロ構造の光半導体装置に於
いて、ストライプ形発光領域の少なくとも一方の外側近
傍の半導体層中に前記第１の半導体層の近傍まで延びる
狭いストライプ状の高濃度領域を有し、且つ、該高濃度
領域への選択的電流注入を行う電極を備えていることを
特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20861184A JPS6185885A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20861184A JPS6185885A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6185885A true JPS6185885A (ja) | 1986-05-01 |
Family
ID=16559077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20861184A Pending JPS6185885A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6185885A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01165189A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-29 | Canon Inc | 半導体レーザー |
-
1984
- 1984-10-04 JP JP20861184A patent/JPS6185885A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01165189A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-29 | Canon Inc | 半導体レーザー |
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