JPH0582429A - 荷電粒子露光装置 - Google Patents

荷電粒子露光装置

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JPH0582429A
JPH0582429A JP24145391A JP24145391A JPH0582429A JP H0582429 A JPH0582429 A JP H0582429A JP 24145391 A JP24145391 A JP 24145391A JP 24145391 A JP24145391 A JP 24145391A JP H0582429 A JPH0582429 A JP H0582429A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】荷電粒子露光装置の設備コストの低減,レイア
ウトフリー化、布線作業の簡便化、耐ノイズ性の向上、
種々の感光感度に対応したレジストへの描画を可能とす
る。 【構成】電子線描画用の荷電粒子発生部19,試料搬送
機構15等の装置本体部21と偏向制御部7等を収容す
る本体ラック23をクリーンルーム内に配置し、制御計
算機1,操作表示部2,バッファメモリ4,描画制御部
5等のデジタル制御部をクリーンルーム外に配置し、こ
れらのクリーンルーム内外の装置各部を光ケーブルによ
るシリアル転送方式デジタル伝送路3a,3b,3c,
3d,3h,3i,3jで接続する。荷電粒子をリアル
タイムで偏向制御するビーム偏向制御部7とシリアル転
送路3dとの間にファーストイン/ファーストアウト形
記憶素子3gを配置し、記憶素子3gからのデータ読み
出し周期を可変にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、荷電粒子露光装置(例
えば半導体製造プロセスに用いる電子線描画装置等)に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来の電子線描画装置では、荷電粒子発
生部,試料搬送機構等の装置本体と、これらを制御する
制御部とを一体化して設置する方式と、分離して設置す
る方式のいずれかが採用されている。
【0003】このうち、一体化設置方式は全ての装置各
部がクリーンルーム内に設置される。一方、分離設置方
式は、前記の装置本体と制御部とを例えばアナログ信号
ケーブル等を介して接続するのが一般的である。
【0004】なお、この種の装置に関連する従来技術と
しては、例えば特開昭57−204131号公報に開示
されるように、電子線描画装置の制御部と描画部のドラ
イバ回路とをアナログ信号ケーブルに代えて耐ノイズ性
に優れたデジタル光伝送路を用いて接続したり、特開昭
63−213929号公報に開示されるように、クリー
ンルーム外に露光装置のレーザ光源を配置し、クリーン
ルーム内に露光部を配置し、これらを光ケーブルを用い
て接続して、クリーンルームの外部から内部にレーザビ
ームを導く技術等が提案されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】前記従来技術のうち、
電子描画装置等の装置本体と制御部とを一体化する方式
は、設備コストの高価なクリーンルームを必要以上に増
大させるため、合理性に欠ける。その意味からすれば、
前記の分離方式を採用するのが望ましい。
【0006】しかし、装置本体と制御部とをアナログ信
号ケーブルを用いて接続する場合には、信号ノイズの影
響を受け易いために、接続対象同士の分離距離は約10
m程度の制限を受け、装置のレイアウトに制限を受け
る。なお、前掲の特開昭57−204131号公報に
は、制御部と描画部のドライブ回路を耐ノイズ対処のた
めデジタル光伝送路を用いる技術が開示されているが、
このような従来技術でも、クリーンルーム内における装
置の設置スペースを合理的に節約するためには必要最小
限どのようなものをクリーンルーム内に設置すればよい
のかといった点や、装置を導入する立場にたっての製造
ライン構成の思想に合わせた自由度の高い装置レイアウ
トの保証、装置据付時におけるケーブル布線の容易性等
の設備の合理化を図る技術については提案されていなか
った。
【0007】本発明は以上の点に鑑みてなされ、その目
的は、クリーンルーム内の装置設置床面積を減少させ、
ケーブル布線の容易性を確保し、制御信号のノイズ耐性
を向上させ、さらに装置配置の自由度高めたレイアウト
フリーを可能にする荷電粒子露光装置を提供することに
ある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために基本的には次のような課題解決手段を提案す
る。
【0009】すなわち、ウエハ等に代表される試料、前
記試料を搬送する搬送機構、前記搬送機構により装着し
た試料に荷電粒子を照射する荷電粒子発生部、前記荷電
粒子発生部により照射する荷電粒子を試料に向けて偏向
制御する偏向器/制御部、前記装置各部を制御するデジ
タル制御部、及び前記装置各部を操作し、状態等を表示
する操作表示部とを備えて成る荷電粒子露光装置におい
て、少なくとも前記荷電粒子発生部,偏向器/制御部,
試料搬送機構をクリーンルーム内に配置し、一方、前記
デジタル制御部をクリーンルーム外に配置すると共に、
前記操作表示部については前記クリーンルーム内外のい
ずれかに選択的に配置し、これらのクリーンルーム内外
に配置される双方の前記装置各部を1チャンネルもしく
は複数チャンネルの光ケーブルによるシリアル転送方式
デジタル伝送路で接続した(これを第1の課題解決手段
とする)。
【0010】さらに、上記発明に関連するものとして、
前記デジタル制御部と前記偏向器/制御部との間を接続
するシリアル転送方式デジタル伝送路の出力部にファー
ストイン/ファーストアウト形メモリに代表される記憶
素子を配し、荷電粒子露光条件に応じて、前記出力部記
憶素子からのデータ読み出し周期を可変に設定したもの
を提案する(これを第2の課題解決手段とする)。
【0011】
【作用】第1の課題解決手段の作用…上記構成によれ
ば、クリーン度及び温度・湿度安定性が必要な試料搬送
機構,荷電粒子発生部,荷電粒子の偏向器及びその偏向
に必要なデジタル−アナログコンバータ等を含むアナロ
グ制御部(偏向器/制御部)がクリーンルーム内に設置
され、耐ノイズ性に優れクリーン度をさほど重要視され
ないデジタル制御部,操作表示部がクリーンルーム外に
配置されるため(操作表示部はさほどのスペースを要し
ないので、後述のようにクリーンルーム内に配置するこ
とも可能)、クリーンルームには必要最小限のものが選
択して配置される。
【0012】またクリーンルーム内外の装置各部が耐ノ
イズ性に優れた光ケーブルによるシリアル転送方式デジ
タル伝送路のみで接続されるので、クリーンルーム内外
での装置配置距離を50−100mとする事が可能とな
る。これにより、例えば設置建屋の階を違えて、試料搬
送機構,荷電粒子発生部,偏向器/制御部等の装置本体
とデジタル関係制御部を分割配置でき、装置を導入する
側の立場に立って製造ライン構成の思想に合わせた装置
配置に十分対応しうるレイアウトフリーな装置が実現で
きる。さらに信号伝達をシリアル転送方式としているの
で、クリーンルーム内外を接続するケーブル本数が減少
し、布線作業が容易となる。
【0013】なお、操作表示部は光ケーブルによるシリ
アル転送方式デジタル伝送路を介しデジタル制御部より
分離可能であるため、操作表示部をクリーンルーム内の
装置本体近傍に配置することもできる。これにより装置
導入側の思想に合わせた使い勝手を可能とする。
【0014】第2の課題解決手段の作用…デジタル制御
部から描画に関する偏向データを光ケーブルによるシリ
アル転送方式デジタル伝送路を介して偏向器/制御部に
送る過程において、そのシリアルデータがファーストイ
ン/ファーストアウト形等の記憶素子に一時記憶され、
この記憶素子に入った順に偏向器/制御部に順次読み出
される。そして、この記憶素子からのデータの読み出し
周期を可変にすることで、荷電粒子露光条件(例えば、
各種レジスタの感光感度に対応した必要露光時間)に適
合するデータの読み出し周期を選定できる。
【0015】
【実施例】以下、本発明の一実施例を電子線描画装置を
例にとり、図1及び図2により説明する。図1は、本実
施例に係る電子線描画装置のブロック図を示す。
【0016】まず、本実施例における電子線描画装置の
各構成要素について説明する。
【0017】図1において、制御計算機1は、操作表示
部2の入力に従い装置各部にデータ/命令を出力する。
すなわち、制御計算機1は、パラレル/シリアル変換部
3e,シリアル転送用光ケーブル3c,シリアル/パラ
レル変換部3fを介してバッファメモリ4に描画図形デ
ータを転送後、パラレル/シリアル変換部3e,シリア
ル転送用光ケーブル3a,シリアル/パラレル変換部3
fを介して描画制御部5に起動をかける。
【0018】描画制御部5は、バッファメモリ4より描
画図形データを順次読みだし、電子ビームでショット可
能な図形に分解後、電子ビームをリアルタイムに偏向制
御するデジタル/アナログコンバータ(ビーム偏向制御
部)7に設定するデータ及びビームをオン/オフするデ
ータを生成し、これらのデータをパラレル/シリアル変
換部3e,シリアル転送用光ケーブル3d,シリアル/
パラレル変換部3fを介してビーム偏向制御部7に転送
する。この場合、シリアル/パラレル変換部3fの後段
には、ファーストイン/ファーストアウト形メモリに代
表される記憶素子3gを配し、電子ビームをリアルタイ
ムに制御する偏向データを記憶素子3gにまず格納(一
時記憶)する。ビーム偏向制御部7は、各種レジスタの
感光感度等の荷電粒子露光条件に応じて、上記記憶素子
3gからのデータ読み出し周期を可変としながら記憶素
子3gに入ってきた順のデータを読みだし、ビームをリ
アルタイムに偏向制御する。
【0019】ビーム偏向制御部7が生成した信号は、電
子鏡筒(荷電粒子発生部)19内の偏向器(図示省略)
などを制御し、高圧電源14により高圧を印加した電子
銃より照射した電子ビームをウエハなどの試料18上に
位置決め照射する。またビーム偏向制御部7からの情報
は、パラレル/シリアル変換部3e,シリアル転送用光
ケーブル3h,シリアル/パラレル変換部3f,描画制
御部5,パラレル/シリアル変換部3e,シリアル転送
用光ケーブル3i,シリアル/パラレル変換部3fを介
して制御計算機1が読み取る。
【0020】電子線露光によりLSIパターンなどを描
画する場合は、既にウエハ等の試料18上に描画してあ
る図形パターンに重ね合わせて描画するのが一般的であ
る。この重ね合わせを正確に実施する為、描画前に、ウ
エハ上に設けてある基準マーク、及びウエハの高さを正
確に検出して、ウエハと電子ビームのX、Y、フォーカ
ス方向の相対位置関係を把握する必要がある。上記した
ウエハ上の基準マーク、ウエハ高さ等は、電子ビーム,
光等を利用し検出する。これらの検出信号は、ディテク
タ17により捕足され、信号検出部9が位置情報を抽出
する。抽出された位置情報は、パラレル信号を分配/統
合するインターフェイス6,パラレル/シリアル変換部
3e,シリアル転送用光ケーブル3j,シリアル/パラ
レル変換部3f,描画制御部5,パラレル/シリアル変
換部3e,シリアル転送用光ケーブル3i,シリアル/
パラレル変換部3fを介して制御計算機1が読み取り、
重ねあわせ描画に利用する。
【0021】信号検出部9への起動は、制御計算機1の
指令がパラレル/シリアル変換部3e,シリアル転送用
光ケーブル3a,シリアル/パラレル変換部3f,描画
制御部5,パラレル/シリアル変換部3e,シリアル転
送用光ケーブル3b,シリアル/パラレル変換部3f,
インターフェイス6を介して実行される。
【0022】描画に先だって、電子鏡筒19内の電子ビ
ームをX,Y,回転,フォーカス方向等にアライメント
する必要がある。アライメント用のデータは、制御計算
機1がパラレル/シリアル変換部3e,シリアル転送用
光ケーブル3a,シリアル/パラレル変換部3f,描画
制御部5,パラレル/シリアル変換部3e,シリアル転
送用光ケーブル3b,シリアル/パラレル変換部3f,
インターフェイス6を介してレンズ/アライナレジスタ
8に設定する。レンズ/アライナレジスタ8に設定され
たデータにより、電子鏡筒19内の電子レンズ及びアラ
イナが制御され、電子ビームの軸調整が完了する。
【0023】ウエハ等の試料18を搭載するステージ1
6は、真空に保たれた試料室20内にあり、前記した描
画と連携して移動し、電子ビーム偏向範囲以上の面積を
カバーした描画を可能とする。
【0024】ステージドライバ10は、ステージ16を
駆動する電源であるが、起動は、制御計算機1がパラレ
ル/シリアル変換部3e,シリアル転送用光ケーブル3
a,シリアル/パラレル変換部3f,描画制御部5,パ
ラレル/シリアル変換部3e,シリアル転送用光ケーブ
ル3b,シリアル/パラレル変換部3f,インターフェ
イス6を介して指令することで実行される。
【0025】ウエハ等の試料18をステージ16上に着
脱するローダ等の搬送/アライメント機構部15は、搬
送/アライメントドライバ11が駆動するが、起動は、
ステージドライバと同様の方式で制御計算機1が実施す
る。
【0026】電子鏡筒19,試料室20を真空排気する
真空排気系12,高圧電源14,本体各部の温度監視部
13に関しても、ステージドライバ10と同様の方式で
制御計算機1が制御する。
【0027】以上において、図1に示すように制御計算
機1と操作表示部2を1つのユニットとし、バッファメ
モリ4,描画制御部5を1つのユニットとし、更にビー
ム偏向制御部7,レンズ/アライナレジスタ8,信号検
出部9,ステージドライバ10,搬送/アライメントド
ライバ11,真空排気系12,温度監視部13,高圧電
源14を1つのユニットとし、上記3ユニット間を光ケ
ーブルによるシリアル転送方式デジタル伝送路3a,3
b,3c,3d,3h,3i,3jを介して接続する。
【0028】上記装置各部の配置を図2に示す。装置と
しての本体部21は、電子鏡筒19,試料室20,搬送
/アライメント機構部15,真空排気系12中の機構
部,高圧電源14等より構成され、この本体部21が恒
温チャンバ22に収納される。
【0029】またビーム偏向制御部7,レンズ/アライ
ナレジスタ8,信号検出部9,ステージドライバ10,
搬送/アライメントドライバ11,真空排気系12中の
制御部,温度監視部13が本体ラック23に組み込まれ
る。バッファメモリ4,描画制御部5をデジタルラック
24に組み込まれる。本体ラック23に組み込まれる要
素は、本体部21の近傍に配置する必要がある。また、
本体部21はクリーン度及び温度・湿度安定性が必要で
あるため、図2に示すようにクリーンルーム内に配置さ
れ、これに伴って本体ラック23もクリーンルーム内に
配置される。
【0030】一方、上記のようなクリーン度,温度・湿
度安定に厳しい要求のないデジタルラック24(バッフ
ァメモリ4,描画制御部5),制御計算機1,操作表示
部2についてはクリーンルーム外に配置される。本体ラ
ック23とデジタルラック24の間、デジタルラック2
4と制御計算機1/操作表示部2との間は、光ケーブル
のみで接続してあるので、50から100mの距離で配
置できる。
【0031】本実施例によれば、デジタル制御部を構成
するデジタルラック24,制御計算機1,操作表示部2
をクリーンルーム外に配置し、クリーン度,温度・湿度
に厳しい管理要求がある装置本体部21及びこれに付属
する本体ラック23の必要最小限の装置各部のみをクリ
ーンルーム内に配置するので、クリーンルーム内の装置
設置スペースをできるだけ小さくすることができる。
【0032】また、上記デジタル制御部は50〜100
mの距離でクリーンルーム外に配置可能であるので、ク
リーンルーム内の装置設置床面積を減少できる。本体ラ
ック23とデジタルラック24の間、デジタルラック2
4と制御計算機1/操作表示部2との間を光ケーブルに
よるシリアル転送方式デジタル伝送路のみで接続してあ
るので、ケーブル本数が減少し、ケーブル布線の容易性
を確保できる。また、光伝送であるので、制御信号のノ
イズ耐性を向上させることが可能となる。さらに、前述
の通り、本体ラック23とデジタルラック24の間、デ
ジタルラック24と制御計算機1/操作表示部2との間
は、50〜100mの距離で分離可能であるため、装置
配置の自由度高めたレイアウトフリーな装置を提供でき
る。
【0033】さらにデジタル制御部1,5と偏向器/制
御部(ビーム偏向制御部)7との間を接続するシリアル
転送方式デジタル伝送路の出力部にファーストイン/フ
ァーストアウト形メモリに代表される記憶素子3gを配
し、荷電粒子露光条件に応じて、上記記憶素子3gから
のデータ読み出し周期を可変とするため、種々の感光感
度に対応したレジストに描画が可能となる。
【0034】なお、制御計算機1及び操作表示部2は、
装置導入先の製造ライン構成に合わせ、図2のごとくス
タンドアロン構成とするか、デジタルラック24に組み
込んでもよく、また、操作表示部2についてはクリーン
ルーム内の本体ラック23に組み込んで、これを光ケー
ブルを介してクリーンルーム外の制御計算機1と接続す
るようにしてもよい。
【0035】また本実施例では、1つ当りの光ケーブル
の転送方向を片方向としているが、光ケーブルを双方向
で使用し、データ転送を実施すれば、ケーブルの本数が
更に減少するのは明らかである。
【0036】
【発明の効果】第1の課題解決手段によれば、クリーン
ルーム内には必要最小限の装置各部を配置するので、ク
リーンルーム内での装置設置面積を増大させず設備コス
トの合理化を図り得る。デジタル制御部、操作表示部を
本体より50〜100mの距離で配置できるので、装置
各部のレイアウトフリーを実現し、導入する側の立場に
たって、製造ライン構成の思想による装置レイアウトを
可能にする。
【0037】クリーンルーム内における装置本体とクリ
ーンルーム外のデジタル制御部等を長距離布線する場合
も、シリアル転送方式光ケーブルを使用するので、布線
部分への電気的ノイズの影響が無くなり、耐ノイズ性が
向上する。更に、シリアル転送を使用するので、布線ケ
ーブルが減少し、布線作業が容易になる。
【0038】また、第2の課題解決手段によれば、光ケ
ーブルのシリアル転送方式デジタル伝送路を介して出力
される荷電粒子露光用の偏向データを偏向器/制御部に
読み出す場合に、そのデータ読み出し周期を露光条件に
合わせて可変にできるので、種々の感光感度のレジスト
を露光対象としても、その最適描画を可能にする。
【0039】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示すブロック図。
【図2】上記実施例の実装図。
【符号の説明】
1,5…デジタル制御部(制御計算機,描画制御部)、
2…操作表示部、3a,3b,3c,3d,3h,3
i,3j…光ケーブル、3e…パラレル/シリアル変換
器、3f…シリアル/パラレル変換器、3g…記憶素子
(ファーストイン/ファーストアウト形メモリ)、7…
ビーム偏向制御部、15…試料搬送機構、18…試料、
19…電子鏡筒(荷電粒子発生部)、20…試料室、2
1…本体部、23…本体ラック、24…デジタルラッ
ク。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウエハ等に代表される試料、前記試料を
    搬送する搬送機構、前記搬送機構により装着した試料に
    荷電粒子を照射する荷電粒子発生部、前記荷電粒子発生
    部により照射する荷電粒子を試料に向けて偏向制御する
    偏向器/制御部、前記装置各部を制御するデジタル制御
    部、及び前記装置各部を操作し、状態等を表示する操作
    表示部とを備えて成る荷電粒子露光装置において、少な
    くとも前記荷電粒子発生部,偏向器/制御部,試料搬送
    機構をクリーンルーム内に配置し、一方、前記デジタル
    制御部をクリーンルーム外に配置すると共に、前記操作
    表示部については前記クリーンルーム内外のいずれかに
    選択的に配置し、これらのクリーンルーム内外に配置さ
    れる双方の前記装置各部を1チャンネルもしくは複数チ
    ャンネルの光ケーブルによるシリアル転送方式デジタル
    伝送路で接続したことを特徴とする荷電粒子露光装置。
  2. 【請求項2】 請求項1において、前記デジタル制御部
    と前記偏向器/制御部との間を接続する前記シリアル転
    送方式デジタル伝送路の出力部にファーストイン/ファ
    ーストアウト形メモリに代表される記憶素子を配し、荷
    電粒子露光条件に応じて、前記記憶素子からのデータの
    読み出し周期を可変としたことを特徴とする荷電粒子露
    光装置。
  3. 【請求項3】 請求項1又は請求項2において、前記荷
    電粒子露光装置は、半導体製造プロセスに使用される電
    子線描画装置よりなる荷電粒子露光装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003041135A1 (fr) * 2001-11-07 2003-05-15 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Dispositif d'exposition a faisceau d'electrons
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