JPH0582041U - コールドウォール型減圧cvd装置 - Google Patents
コールドウォール型減圧cvd装置Info
- Publication number
- JPH0582041U JPH0582041U JP3041392U JP3041392U JPH0582041U JP H0582041 U JPH0582041 U JP H0582041U JP 3041392 U JP3041392 U JP 3041392U JP 3041392 U JP3041392 U JP 3041392U JP H0582041 U JPH0582041 U JP H0582041U
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- JP
- Japan
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 異なった二種類以上のガスが十分に混ぜら
れ、均一な生成ガスをウェハに吹きつけることができる
ようにし、ウェハ表面膜厚の均一化を図る。 【構成】 ウェハ面13aへ異なる二種類以上のガスを
吹きつける出口9aがチャンバー壁21に設けられたコ
ールドウォール型LPCVD装置において、ガス通過手
段39を有する面同士が対向されるとともに互いがこの
面に直交する軸23、25まわりで逆方向に回転される
一対のバッフル板37a、37bを、ウェハ面13aと
ほぼ平行にして、ウェハ面13aと出口9aとの間に設
ける。
れ、均一な生成ガスをウェハに吹きつけることができる
ようにし、ウェハ表面膜厚の均一化を図る。 【構成】 ウェハ面13aへ異なる二種類以上のガスを
吹きつける出口9aがチャンバー壁21に設けられたコ
ールドウォール型LPCVD装置において、ガス通過手
段39を有する面同士が対向されるとともに互いがこの
面に直交する軸23、25まわりで逆方向に回転される
一対のバッフル板37a、37bを、ウェハ面13aと
ほぼ平行にして、ウェハ面13aと出口9aとの間に設
ける。
Description
【0001】
本考案は、コールドウォール型減圧CVD(以下単にコールドウォール型LP CVDと称す)装置の生成ガス出口の構造に関するものである。
【0002】
真空中のウェハに薄膜を形成する装置の一つにコールドウォール型LPCVD 装置がある。 図3は従来のコールドウォール型LPCVD装置のプロセスチャンバーを表す 説明図、図4は図3のA部拡大図である。 図3に示すように、真空室となるプロセスチャンバー(チャンバー)1の中央 部には一対のウェハチャック3が設けられ、それぞれのウェハチャック3は外側 がウェハチャック面3aとなっている。ウェハチャック3同士の間となるプロセ スチャンバー1の中央部にはセンターチャンバーエグゾースト(エグゾースト) 5が設けられ、エグゾースト5は外部と連通し、プロセスチャンバー1内のガス を外部に排出するようになっている。プロセスチャンバー1の両側にはガスプリ ミックスチャンバー7が取り付けられ、ガスプリミックスチャンバー7はウェハ チャック3のそれぞれのウェハチャック面3aに対向している。
【0003】 図4に示すように、ガスプリミックスチャンバー7にはガスライン9が接続さ れ、ガスライン9からは異なる二種類以上のガスがガスプリミックスチャンバー 7内に供給されるようになっている。ガスライン9の出口9aには板状のバッフ ル板11が間隙を有して取り付けられ、出口9aから吐出されたガスはバッフル 板11に当たるようになっている。つまり、バッフル板11に当たったガスは乱 流を起こし、ガスプリミックスチャンバー7内で混ぜられ、生成ガスとなる。
【0004】 このように構成された従来のコールドウォール型LPCVD装置において、プ ロセスチャンバー1が真空状態にされ、ガスライン9から異なった二種類以上の ガスが送られると、ガスはガスライン9の出口9aから吐出され、バッフル板1 1に当たり、生成ガスGとなってそれぞれのウェハチャック3方向へ流れる。ウ ェハチャック3ではウェハ13がクランプ15により固定されており、生成ガス Gがウェハ13に吹きつけられることで、ウェハ13の表面には薄膜が形成され る。ウェハ13に吹きつけられた後の残ガス(反応ガス及び生成ガス)は、ウェ ハチャック3を通り抜け、エグゾースト5から外部へ排気されるようになってい るのである。
【0005】
従来のコールドウォール型LPCVD装置では、異なった二種類以上のガスを バッフル板11に当て、乱流を起こすことで、生成ガスGを得ていた。 しかしながら、プロセスチャンバー1は真空とはなっているものの、ガスライ ン9の出口9aから吐出された二種類以上のガスをバッフル板11に当て、乱流 を起こさせて混ぜるのみでは、十分に混ざりきらない部分が発生することがあり 、そのガス、即ち、均一でない生成ガスがウェハ13に吹きつけられた場合には 、ウェハ13表面の膜厚がばらつく恐れがあった。
【0006】 本考案は上記状況に鑑みてなされたもので、異なった二種類以上のガスが十分 に混ぜられ、均一な生成ガスをウェハに吹きつけることができるコールドウォー ル型LPCVD装置を提供し、もって、ウェハ表面膜厚の均一化を図ることを目 的とする。
【0007】
上記目的を達成するための本考案に係るコールドウォール型LPCVD装置の 構成は、ウェハチャックがチャンバー内に設けられ、ウェハチャックに保持され たウェハへ異なる二種類以上のガスを吹きつける出口が、チャンバー壁に設けら れたコールドウォール型LPCVD装置において、ガス通過手段を有する面同士 が対向されるとともに互いがこの面に直交する軸まわりで逆方向に回転される一 対のバッフル板を、ウェハ面と略平行にしてウェハ面とガスを吹きつける出口と の間に並設したことを特徴とするものである。
【0008】
出口から異なった二種類以上のガスが吹出されると、それぞれのガスは最初の バッフル板である一方のバッフル板に当たり、ガス通過手段の通過に際し、バッ フル板の回転に伴って一方方向に攪拌される。一方方向に攪拌されたガスが今度 は他方のバッフル板に当たり、ガス通過手段の通過に際し、バッフル板の回転に 伴って更に他方方向に攪拌され、十分に混ぜ合わされた生成ガスとなってガス通 過手段からウェハ面へ吹出される。
【0009】
以下、本考案に係るコールドウォール型LPCVD装置の好適な実施例を図面 を参照して詳細に説明する。 図1は本考案に係るコールドウォール型LPCVD装置の要部を表す説明図、 図2はバッフル板の正面図である。 真空室となるプロセスチャンバー(チャンバー)と大気はチャンバー壁21で 仕切られ、ウェハチャック3のチャック面3aに対向するチャンバー壁21には 外軸23が貫通されている。外軸23の内部には同軸状に内軸25が内設され、 内軸25は外軸23の内部で回動自在となっている。チャンバー壁21の外側の 外軸23、内軸25のそれぞれの端部には歯車27、29が固定され、歯車27 、29はモータ31、33によりそれぞれ逆方向に回転されるようになっている 。外軸23、内軸25はモータ31、33の駆動により、50rpm程度で低速 回転する。また、外軸23近傍のチャンバー壁21にはガスライン9の出口9a が配設され、出口9aからは異なった二種類以上のガスが吹き出されるようにな っている。
【0010】 チャンバー壁21と外軸23との間、及び外軸23と内軸25との間は磁気シ ール35により密閉され、プロセスチャンバー内の真空が保持できるようになっ ている。チャンバー壁21の内側では、内軸25の端部が外軸23の端部から突 出されており、外軸23、内軸25のそれぞれの端部にはガス通過手段である複 数の穿孔39(図2参照)が放射状に形成されたバッフル板(孔のあいた板)3 7a、37bが平行状態となって固定されている。従って、外軸23、内軸25 が逆方向に回転されることで、バッフル板37a、37bは互いに逆方向に回転 されるようになっているのである。
【0011】 このように構成されたコールドウォール型LPCVD装置において、モータ3 1、33が駆動され、ガスライン9の出口9aから異なった二種類以上のガスが 吹出されると、それぞれのガスは先ず、バッフル板37bに当たり、バッフル板 37bの穿孔39を通過する。この際、バッフル板37bが一方方向に回転され ているため、ガスは一方向に攪拌される。バッフル板37bの穿孔39を通過し たガスは、今度はバッフル板37aに当たり、バッフル板37aの穿孔39を通 過する。この際、バッフル板37aが他方向に回転されているため、ガスは更に 他方向に攪拌され、穿孔39から生成ガスGとなって吹き出される。 また、バッフル板37aと37bとの間のガスは、それぞれのバッフル板表面 近傍で摩擦によりバッフル板37a、37bの回転方向と同一方向に移動される ため、複雑な気流となり(乱流)、しかも、バッフル板37a、37b間で一定 時間滞留するため、確実に攪拌されバッフル板37aの穿孔39から吹き出され ることとなる。 バッフル板37aの穿孔39から吹き出されたガスは、十分に混ぜ合わされた 生成ガスGとなって、ウェハチャック3に保持されたウェハ13のウェハ面13 aに吹きつけられるのである。
【0012】 尚、上述の実施例では、バッフル板37a、37bを穿孔(ガス通過手段)3 9が形成されたもので説明したが、ガス通過手段としては、穿孔39に限られる ものではなく、例えば、スリットであってもよく、更には、バッフル板37a、 37bの外周を含んで欠切した切欠であってもよい。
【0013】
【考案の効果】 以上詳細に説明したように、本考案に係るコールドウォール型LPCVD装置 は、ガス通過手段を有し、互いが逆方向に回転される一対のバッフル板をウェハ 面とガス吐出出口との間に並設したので、出口から異なった二種類以上のガスが 吹出されると、ガスはバッフル板の回転に伴って一方方向、他方方向に攪拌され 、十分に混ぜ合わされた生成ガスとなってウェハ面へ吹出される。この結果、均 一な生成ガスをウェハに吹きつけることができ、ウェハ表面に均一な膜厚を形成 することができる。
【図1】本考案コールドウォール型LPCVD装置の要
部を表す説明図である。
部を表す説明図である。
【図2】バッフル板の正面図である。
【図3】従来のコールドウォール型LPCVD装置のプ
ロセスチャンバーを表す説明図である。
ロセスチャンバーを表す説明図である。
【図4】図3のA部拡大図である。
3 ウェハチャック 9a 出口 13 ウェハ 13a ウェハ面 21 チャンバー壁 23 外軸(軸) 25 内軸(軸) 37a、37b バッフル板 39 穿孔(ガス通過手段)
Claims (1)
- 【請求項1】 ウェハチャックがチャンバー内に設けら
れ、該ウェハチャックのウェハ面へ異なる二種類以上の
ガスを吹きつける出口がチャンバー壁に設けられたコー
ルドウォール型減圧CVD装置において、 ガス通過手段を有する面同士が対向されるとともに互い
が該面に直交する軸まわりで逆方向に回転される一対の
バッフル板を前記ウェハ面と略平行にして前記ウェハ面
と前記出口との間に並設したことを特徴とするコールド
ウォール型減圧CVD装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3041392U JPH0582041U (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | コールドウォール型減圧cvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3041392U JPH0582041U (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | コールドウォール型減圧cvd装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0582041U true JPH0582041U (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=12303266
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3041392U Pending JPH0582041U (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | コールドウォール型減圧cvd装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0582041U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002506570A (ja) * | 1997-06-25 | 2002-02-26 | ラム・リサーチ・コーポレーション | 基板をパッシベートするためのプラズマ反応炉 |
-
1992
- 1992-04-08 JP JP3041392U patent/JPH0582041U/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002506570A (ja) * | 1997-06-25 | 2002-02-26 | ラム・リサーチ・コーポレーション | 基板をパッシベートするためのプラズマ反応炉 |
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