JPH0581708A - 光デイスク原盤露光機 - Google Patents
光デイスク原盤露光機Info
- Publication number
- JPH0581708A JPH0581708A JP26836291A JP26836291A JPH0581708A JP H0581708 A JPH0581708 A JP H0581708A JP 26836291 A JP26836291 A JP 26836291A JP 26836291 A JP26836291 A JP 26836291A JP H0581708 A JPH0581708 A JP H0581708A
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- JP
- Japan
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- modulator
- modulation element
- optical disk
- lens
- deflection
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 露光レーザ光の露光スポットの光量変動を低
減すること、急峻度の高い露光溝断面形状を形成するこ
と、変調素子への入射光の光軸変動を低減し、次の変調
ユニットへの影響を低減し、さらに、各変調器の立ち上
がり時間を高速にすること、それぞれのユニットに互換
性をもたすこと、ビーム整形を容易に調整したり、Ａｒ
＋レーザをモニターしたりする。 【構成】 光ディスク原盤露光機の露光光学系におい
て、Ａｒ＋レーザ光源１、ビームエキスパンダ２、ピン
ホール３、各Ａ／Ｏ変調素子（光量変調素子６、パルス
変調素子７、偏向変調素子８）の順に配置した。各Ａ／
Ｏ変調素子６，７，８及びレンズ５ａ，５ｂに同じ変調
素子及びレンズを用いる。
減すること、急峻度の高い露光溝断面形状を形成するこ
と、変調素子への入射光の光軸変動を低減し、次の変調
ユニットへの影響を低減し、さらに、各変調器の立ち上
がり時間を高速にすること、それぞれのユニットに互換
性をもたすこと、ビーム整形を容易に調整したり、Ａｒ
＋レーザをモニターしたりする。 【構成】 光ディスク原盤露光機の露光光学系におい
て、Ａｒ＋レーザ光源１、ビームエキスパンダ２、ピン
ホール３、各Ａ／Ｏ変調素子（光量変調素子６、パルス
変調素子７、偏向変調素子８）の順に配置した。各Ａ／
Ｏ変調素子６，７，８及びレンズ５ａ，５ｂに同じ変調
素子及びレンズを用いる。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、光ディスクの原盤露光機、より
詳細には、光ディスク原盤露光機における露光光学系の
改良に関する。
詳細には、光ディスク原盤露光機における露光光学系の
改良に関する。
【０００２】
【従来技術】図８は、従来の光ディスク原盤露光機にお
ける露光光学系の一例を示す図で、図中、２１はＡｒ＋
レーザ光源、２２は光量変調器、２３はパルス変調器、
２４は偏向変調器、２５はレンズ、２６はビームエキス
パンダ、２７は対物レンズ、２８はレジスト板、２９は
ターンテーブル、３０はミラーで、図示のように、従来
の光ディスク原盤露光機における露光光学系は、そのレ
イアウトが、光量変調器２２、パルス変調器２３、偏向
変調器２４、ビームエキスパンダ２６の順で構成されて
おり、レジスト板２８に形成される露光溝の断面形状
が、ビームエキスパンダ２６によりレーザビームの径を
拡大して急峻度の高い溝断面形状になるように調整を行
なうようになっている。
ける露光光学系の一例を示す図で、図中、２１はＡｒ＋
レーザ光源、２２は光量変調器、２３はパルス変調器、
２４は偏向変調器、２５はレンズ、２６はビームエキス
パンダ、２７は対物レンズ、２８はレジスト板、２９は
ターンテーブル、３０はミラーで、図示のように、従来
の光ディスク原盤露光機における露光光学系は、そのレ
イアウトが、光量変調器２２、パルス変調器２３、偏向
変調器２４、ビームエキスパンダ２６の順で構成されて
おり、レジスト板２８に形成される露光溝の断面形状
が、ビームエキスパンダ２６によりレーザビームの径を
拡大して急峻度の高い溝断面形状になるように調整を行
なうようになっている。
【０００３】しかし、上記従来の光ディスク原盤露光機
の露光光学系では以下のような欠点がある。 １．Ａｒ＋レーザ自体の光軸変動がそのまま光量変調器
２２へ入射されるので、変調器による回折効率の低下が
生じて光量変動を起こす。 ２．光量変調器、偏向変調器２４はレーザチューブから
出射したレーザ光のビーム径そのままなのでパルス変調
器２３に比べて光量（偏向）立ち上がり時間がおそいの
でハーフ溝とピットのくりかえし露光ができない。 ３．偏向変調器２４の後にビームエキスパンダ２６を配
置すると、ビームを偏向させてもビームエキスパンダ２
６によって偏向角が小さくなってしまう。そのため、レ
ジスト板２８に、ウォブル溝を露光する場合、対物レン
ズ２７への必要な入射角を得るためには、それ以上の偏
向角を偏向変調器２４で与えなくてはならない。しか
し、偏向変調器２４の特性上、変調素子に印加する掃引
周波数がふえると、出射光量が下がってしまい、露光溝
の形状が変動してしまう。 ４．急峻度の高い溝形状を得るために、ビームエキスパ
ンダ２６でビームを拡大し、ピンホール等でビーム整形
を行なうが、これらの系が偏向変調器２４の後にある
為、偏向変調のかかったレーザ光をピンホール等でビー
ム整形をすることはできない。
の露光光学系では以下のような欠点がある。 １．Ａｒ＋レーザ自体の光軸変動がそのまま光量変調器
２２へ入射されるので、変調器による回折効率の低下が
生じて光量変動を起こす。 ２．光量変調器、偏向変調器２４はレーザチューブから
出射したレーザ光のビーム径そのままなのでパルス変調
器２３に比べて光量（偏向）立ち上がり時間がおそいの
でハーフ溝とピットのくりかえし露光ができない。 ３．偏向変調器２４の後にビームエキスパンダ２６を配
置すると、ビームを偏向させてもビームエキスパンダ２
６によって偏向角が小さくなってしまう。そのため、レ
ジスト板２８に、ウォブル溝を露光する場合、対物レン
ズ２７への必要な入射角を得るためには、それ以上の偏
向角を偏向変調器２４で与えなくてはならない。しか
し、偏向変調器２４の特性上、変調素子に印加する掃引
周波数がふえると、出射光量が下がってしまい、露光溝
の形状が変動してしまう。 ４．急峻度の高い溝形状を得るために、ビームエキスパ
ンダ２６でビームを拡大し、ピンホール等でビーム整形
を行なうが、これらの系が偏向変調器２４の後にある
為、偏向変調のかかったレーザ光をピンホール等でビー
ム整形をすることはできない。
【０００４】
【目的】本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなされた
もので、特に、露光レーザ光の露光スポット光量変動を
低減すること、急峻度の高い露光溝断面形状を形成する
こと、変調素子への入射光の光軸変動を低減して、次の
変調ユニットへの影響を低減し、さらに、各変調器の立
ち上がり時間を高速にすること、それぞれのユニットに
互換性をもたせること、ビーム整形を容易に調整した
り、Ａｒ＋レーザをモニターすることを目的としてなさ
れたもである。
もので、特に、露光レーザ光の露光スポット光量変動を
低減すること、急峻度の高い露光溝断面形状を形成する
こと、変調素子への入射光の光軸変動を低減して、次の
変調ユニットへの影響を低減し、さらに、各変調器の立
ち上がり時間を高速にすること、それぞれのユニットに
互換性をもたせること、ビーム整形を容易に調整した
り、Ａｒ＋レーザをモニターすることを目的としてなさ
れたもである。
【０００５】
【構成】本発明は、上記目的を達成するために、（１）
光ディスク原盤露光機の露光光学系において、Ａｒ＋レ
ーザ光源、ビームエキスパンダ、ピンホール、各Ａ／Ｏ
変調素子（光量変調素子、パルス変調素子、偏向変調素
子）の順に配置したことを特徴としたものであり、更に
は、（２）前記（１）におけるビームエキスパンダが、
レーザ光のビーム径を対物レンズの有効口径以上に拡大
していること、或いは、（３）前記（１）におけるピン
ホールが、対物レンズの有効口径と同等もしくはそれ以
下の径を有すること、或いは、（４）前記（１）におけ
る各Ａ／Ｏ変調素子（光量変調素子、パルス変調素子、
偏向変調素子）はそれぞれ第１のレンズによって入射ビ
ームを集光した位置に配置され、前記第１の入射側レン
ズと同じ焦点距離の出射側に配置された第２のレンズに
よってコリメートされること、或いは、（５）前記
（４）におけるレンズ及び変調素子が、すべて同一のレ
ンズ、同一の変調素子であること、或いは、（６）前記
（３）におけるピンホールの位置調整を該ピンホールの
後段に設けられたミラーの透過光をビーム形状測定器で
観察しながら調整することを特徴としたものである。以
下、本発明の実施例に基いて説明する。
光ディスク原盤露光機の露光光学系において、Ａｒ＋レ
ーザ光源、ビームエキスパンダ、ピンホール、各Ａ／Ｏ
変調素子（光量変調素子、パルス変調素子、偏向変調素
子）の順に配置したことを特徴としたものであり、更に
は、（２）前記（１）におけるビームエキスパンダが、
レーザ光のビーム径を対物レンズの有効口径以上に拡大
していること、或いは、（３）前記（１）におけるピン
ホールが、対物レンズの有効口径と同等もしくはそれ以
下の径を有すること、或いは、（４）前記（１）におけ
る各Ａ／Ｏ変調素子（光量変調素子、パルス変調素子、
偏向変調素子）はそれぞれ第１のレンズによって入射ビ
ームを集光した位置に配置され、前記第１の入射側レン
ズと同じ焦点距離の出射側に配置された第２のレンズに
よってコリメートされること、或いは、（５）前記
（４）におけるレンズ及び変調素子が、すべて同一のレ
ンズ、同一の変調素子であること、或いは、（６）前記
（３）におけるピンホールの位置調整を該ピンホールの
後段に設けられたミラーの透過光をビーム形状測定器で
観察しながら調整することを特徴としたものである。以
下、本発明の実施例に基いて説明する。
【０００６】図１は、本発明による光ディスク原盤露光
機における露光光学系のレイアウトを示す図で、図中、
１はＡｒ＋レーザ光源、２はビームエキスパンダ、３は
ピンホール、４はミラー、５ａ，５ｂはレンズ、６は光
量変調器、７はパルス変調器、８は偏向変調器、９は対
物レンズ、１０はレジスト板、１１はターンテーブル、
１２はビームスキャンで、Ａｒ＋レーザ光源１より出射
したレーザ光（ビーム径ｄ1）はビームエキスパンダ２
によりそのビーム径を例えば５倍（５ｄ1）に拡大す
る。このビームエキスパンダ２によってＡｒ＋レーザ本
体の光軸変動は、図２に示すように、エキスパンダ比
（ｎｆ／ｆ）に反比例（ここでは１／５）し、安定した
光軸のレーザ光を得ることができる。次に、拡大したレ
ーザ光はピンホール３によって対物レンズ９の有効径に
合わせたビーム径に調整する。このピンホール３によ
り、ガウス分布をしたレーザ光Ａは、図３に示すよう
に、対物レンズ有効径いっぱいの矩形分布に近い形状Ｂ
となり、対物レンズ９により効率良くレーザ光を集光し
てレジスト板１０上に、図４（ｂ）に示すように溝断面
が急峻度の高い溝形状（図６）を形成することが可能と
なる。レーザ光の径が小さい場合は、図４（ａ）に示す
ようにレジスト板１０上に形成される溝断面が急崚にな
らない。また、ピンホール３を調整する際はミラー４の
透過光をビーム形状測定器、たとえば、ビームスキャン
１２等で観察しながら調整すれば容易に調整することが
できる。
機における露光光学系のレイアウトを示す図で、図中、
１はＡｒ＋レーザ光源、２はビームエキスパンダ、３は
ピンホール、４はミラー、５ａ，５ｂはレンズ、６は光
量変調器、７はパルス変調器、８は偏向変調器、９は対
物レンズ、１０はレジスト板、１１はターンテーブル、
１２はビームスキャンで、Ａｒ＋レーザ光源１より出射
したレーザ光（ビーム径ｄ1）はビームエキスパンダ２
によりそのビーム径を例えば５倍（５ｄ1）に拡大す
る。このビームエキスパンダ２によってＡｒ＋レーザ本
体の光軸変動は、図２に示すように、エキスパンダ比
（ｎｆ／ｆ）に反比例（ここでは１／５）し、安定した
光軸のレーザ光を得ることができる。次に、拡大したレ
ーザ光はピンホール３によって対物レンズ９の有効径に
合わせたビーム径に調整する。このピンホール３によ
り、ガウス分布をしたレーザ光Ａは、図３に示すよう
に、対物レンズ有効径いっぱいの矩形分布に近い形状Ｂ
となり、対物レンズ９により効率良くレーザ光を集光し
てレジスト板１０上に、図４（ｂ）に示すように溝断面
が急峻度の高い溝形状（図６）を形成することが可能と
なる。レーザ光の径が小さい場合は、図４（ａ）に示す
ようにレジスト板１０上に形成される溝断面が急崚にな
らない。また、ピンホール３を調整する際はミラー４の
透過光をビーム形状測定器、たとえば、ビームスキャン
１２等で観察しながら調整すれば容易に調整することが
できる。
【０００７】ビーム整形されたレーザ光は、光量変調、
パルス変調、偏向変調を行なうが、これらの変調はＡ／
Ｏ（Acousto-optic）変調器により変調され、それぞれ
のＡ／Ｏ変調器へのレーザ光はレンズ５ａによって集光
し、又、変調された出射光は入射側のレンズ５ａと同じ
焦点距離のレンズ５ｂによってコリメートされる。この
２組のレンズ５ａ，５ｂによって、集光点にＡ／Ｏ変調
器を設置すれば、Ａ／Ｏ変調器の特性により、図５に示
すように、光量の立ち上がり時間を高速に行なうことが
できる。また、ここで用いているレンズ５ａ，５ｂは同
じ焦点距離を用いているため変調光は変調される前のビ
ーム径と同一で、入射側ですでに生じている光軸変動角
を増やすことなく次の変調ユニットへ伝達される。ここ
で行なわれる各変調では、光量変調により、露光溝幅の
大小、パルス変調によりピット形成、偏向変調によりウ
ォブル溝又はウォブルピットを作る為にレーザ光を偏向
させる機能を持つ。
パルス変調、偏向変調を行なうが、これらの変調はＡ／
Ｏ（Acousto-optic）変調器により変調され、それぞれ
のＡ／Ｏ変調器へのレーザ光はレンズ５ａによって集光
し、又、変調された出射光は入射側のレンズ５ａと同じ
焦点距離のレンズ５ｂによってコリメートされる。この
２組のレンズ５ａ，５ｂによって、集光点にＡ／Ｏ変調
器を設置すれば、Ａ／Ｏ変調器の特性により、図５に示
すように、光量の立ち上がり時間を高速に行なうことが
できる。また、ここで用いているレンズ５ａ，５ｂは同
じ焦点距離を用いているため変調光は変調される前のビ
ーム径と同一で、入射側ですでに生じている光軸変動角
を増やすことなく次の変調ユニットへ伝達される。ここ
で行なわれる各変調では、光量変調により、露光溝幅の
大小、パルス変調によりピット形成、偏向変調によりウ
ォブル溝又はウォブルピットを作る為にレーザ光を偏向
させる機能を持つ。
【０００８】偏向変調については、図６，７に示すよう
に、Ａ／Ｏ偏向素子８へ印加する周波数を変えることで
ビームの偏向角を変えている。この光学系レイアウトの
場合、偏向素子の後にビームエキスパンダを持っていな
いので、図２に示したように、ビーム偏向角がビームエ
キスパンダ比によって変わることがないので偏向素子へ
印加する周波数Ｆを中心に△Ｆを掃引させても、偏向角
が変わることがなく、又、偏向素子の後にビームエキス
パンダを持つレイアウトに比べて対物レンズへの入射角
を同じ角度だけ変える場合、露光溝を同じ量ウォブルさ
せる△Ｆは少なくすることができ、図７に示すような偏
向素子の特性により、中心周波数Ｆに対する△Ｆの時の
光量差が少なくすることができる。そして、これら各変
調されたレーザ光は、対物レンズ９によってレジスト面
上に集光し露光を行なう。その際の露光スポット形状は
図４（ｂ）に示したように急峻度の高い溝形状を得るこ
とができる。なお、本明細書において、Ａｒ＋レーザは
電子出願上やむなくこのように表記したもので、正しく
は、
に、Ａ／Ｏ偏向素子８へ印加する周波数を変えることで
ビームの偏向角を変えている。この光学系レイアウトの
場合、偏向素子の後にビームエキスパンダを持っていな
いので、図２に示したように、ビーム偏向角がビームエ
キスパンダ比によって変わることがないので偏向素子へ
印加する周波数Ｆを中心に△Ｆを掃引させても、偏向角
が変わることがなく、又、偏向素子の後にビームエキス
パンダを持つレイアウトに比べて対物レンズへの入射角
を同じ角度だけ変える場合、露光溝を同じ量ウォブルさ
せる△Ｆは少なくすることができ、図７に示すような偏
向素子の特性により、中心周波数Ｆに対する△Ｆの時の
光量差が少なくすることができる。そして、これら各変
調されたレーザ光は、対物レンズ９によってレジスト面
上に集光し露光を行なう。その際の露光スポット形状は
図４（ｂ）に示したように急峻度の高い溝形状を得るこ
とができる。なお、本明細書において、Ａｒ＋レーザは
電子出願上やむなくこのように表記したもので、正しく
は、
【０００９】
【数１】
【００１０】の通りである。
【００１１】
【効果】請求項１の光学系レイアウトにおいては、ビー
ムエキスピンダを最初に設置しているので、Ａｒ＋レー
ザ自体の光軸変動を減らし、変調器への影響をなくすこ
とで光量変動をなくすことができる。請求項２のビーム
エキスパンダにおいては、レーザ光の径を対物レンズの
有効口径以上に拡大するのでＡｒ＋レーザの発振モード
のチェックが容易に行なうことができる。請求項３のピ
ンホールにおいては、レーザ光の径が対物レンズ有効口
径と同等もしくはそれ以下の径なので対物レンズで光を
ケラレることなく、又、対物レンズを最も効率良くビー
ム整形が可能で良好な溝形状を得ることができる。請求
項４及び５のＡ／Ｏ変調器と２枚のレンズとの構成は、
全て同じユニットなので互換性があり、又、焦点距離も
同じため、光軸変動の少ない安定した光学系を形成でき
る。請求項６のビーム形状測定器は、ピンホールの後段
位置に設置するため、ピンホールの位置調整、そして、
Ａｒ＋レーザ自体の発振モードチェックが容易にでき
る。
ムエキスピンダを最初に設置しているので、Ａｒ＋レー
ザ自体の光軸変動を減らし、変調器への影響をなくすこ
とで光量変動をなくすことができる。請求項２のビーム
エキスパンダにおいては、レーザ光の径を対物レンズの
有効口径以上に拡大するのでＡｒ＋レーザの発振モード
のチェックが容易に行なうことができる。請求項３のピ
ンホールにおいては、レーザ光の径が対物レンズ有効口
径と同等もしくはそれ以下の径なので対物レンズで光を
ケラレることなく、又、対物レンズを最も効率良くビー
ム整形が可能で良好な溝形状を得ることができる。請求
項４及び５のＡ／Ｏ変調器と２枚のレンズとの構成は、
全て同じユニットなので互換性があり、又、焦点距離も
同じため、光軸変動の少ない安定した光学系を形成でき
る。請求項６のビーム形状測定器は、ピンホールの後段
位置に設置するため、ピンホールの位置調整、そして、
Ａｒ＋レーザ自体の発振モードチェックが容易にでき
る。
【図１】 本発明による露光光学系のレイアウトの一例
を示す図である。
を示す図である。
【図２】 ビームエキスパンダによる入射角変動を示す
図である。
図である。
【図３】 ピンホールによるビーム整形の一例を示す図
である。
である。
【図４】 ビーム径の違いによる溝形状の違いを示す図
である。
である。
【図５】 入射ビーム径と光量立ち上り時間を示す図で
ある。
ある。
【図６】 掃引周波数による偏向角を示す図である。
【図７】 掃引周波数による光量変動を示す図である。
【図８】 従来の露光光学系のレイアウトを示す図であ
る。
る。
１…Ａｒ＋レーザ光源、２…ビームエキスパンダ、３…
ピンホール、４…ミラー、５ａ，５ｂ…レンズ、６…光
量変調器、７…パルス変調器、８…偏向変調器、９…対
物レンズ、１０…レジスト板、１１…ターンテーブル、
１２…ビームスキャン。
ピンホール、４…ミラー、５ａ，５ｂ…レンズ、６…光
量変調器、７…パルス変調器、８…偏向変調器、９…対
物レンズ、１０…レジスト板、１１…ターンテーブル、
１２…ビームスキャン。
Claims (6)
- 【請求項１】 光ディスク原盤露光機の露光光学系にお
いて、Ａｒ＋レーザ光源、ビームエキスパンダ、ピンホ
ール、各Ａ／Ｏ変調素子（光量変調素子、パルス変調素
子、偏向変調素子）の順に配置したことを特徴とする光
ディスク原盤露光機。 - 【請求項２】 前記ビームエキスパンダは、レーザ光の
ビーム径を対物レンズの有効口径以上に拡大しているこ
とを特徴とする請求項１に記載の光ディスク原盤露光
機。 - 【請求項３】 前記ピンホールは、対物レンズの有効口
径と同等もしくはそれ以下の径を有することを特徴とす
る請求項１に記載の光ディスク原盤露光機。 - 【請求項４】 前記各Ａ／Ｏ変調素子（光量変調素子、
パルス変調素子、偏向変調素子）はそれぞれ第１のレン
ズによって入射ビームを集光した位置に配置され、前記
入射側の第１のレンズと同じ焦点距離の第２の出射側レ
ンズによってコリメートされていることを特徴とする請
求項１に記載の光ディスク原盤露光機。 - 【請求項５】 前記各Ａ／Ｏ変調素子は光量変調素子、
パルス変調素子、偏向変調素子であり、これら各変調素
子及び前記これら各変調素子に対する各レンズがすべて
同一のレンズ、同一の変調素子であることを特徴とする
請求項４に記載の光ディスク原盤露光機。 - 【請求項６】 前記ピンホールの位置調整を該ピンホー
ルの後段に設けられたミラーの透過光をビーム形状測定
器で観察しながら調整することを特徴とする請求項３に
記載の光ディスク原盤露光機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26836291A JPH0581708A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 光デイスク原盤露光機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26836291A JPH0581708A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 光デイスク原盤露光機 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0581708A true JPH0581708A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17457468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26836291A Pending JPH0581708A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 光デイスク原盤露光機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0581708A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7046613B2 (en) | 2001-06-29 | 2006-05-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Exposure apparatus of an optical disk master, method of exposing an optical disk master and pinhole mechanism |
-
1991
- 1991-09-19 JP JP26836291A patent/JPH0581708A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7046613B2 (en) | 2001-06-29 | 2006-05-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Exposure apparatus of an optical disk master, method of exposing an optical disk master and pinhole mechanism |
| US7236434B2 (en) | 2001-06-29 | 2007-06-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Exposure apparatus of an optical disk master, method of exposing an optical disk master, and wavefront fluctuation correction mechanism |
| CN1328723C (zh) * | 2001-06-29 | 2007-07-25 | 松下电器产业株式会社 | 光盘原盘曝光装置和光盘原盘曝光方法以及针孔机构 |
| US7272099B2 (en) | 2001-06-29 | 2007-09-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Exposure apparatus of an optical disk master, method of exposing an optical disk master and pinhole mechanism |
| CN100350483C (zh) * | 2001-06-29 | 2007-11-21 | 松下电器产业株式会社 | 光盘原盘曝光装置和光盘原盘曝光方法以及针孔机构 |
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