JPH0580930B2 - - Google Patents

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JPH0580930B2
JPH0580930B2 JP61307985A JP30798586A JPH0580930B2 JP H0580930 B2 JPH0580930 B2 JP H0580930B2 JP 61307985 A JP61307985 A JP 61307985A JP 30798586 A JP30798586 A JP 30798586A JP H0580930 B2 JPH0580930 B2 JP H0580930B2
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JP
Japan
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ion
polymer
general formula
mol
tetrafluoroborate
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JP61307985A
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Susumu Tanaka
Kyoji Kaeryama
Masao Suda
Toshio Mitsuhara
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Shinto Paint Co Ltd
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Agency of Industrial Science and Technology
Shinto Paint Co Ltd
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  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野) 本発明は、新規なチオフエン重合体、その製造
方法およびそれを用いた有機表示材料に関するも
のである。 (従来の技術) 従来、ポリ(3−メチルチエニレン)、または
チオフエンと3−メチルチオフエンの共重合体等
のチオフエン化合物を電解重合して有機表示材料
組成物を得ることは知られている(例えば、特開
昭60−65062号公報、特開昭60−120722号公報)。
そして、これら組成物は成形性、可塑性および可
とう性に優れており高分子半導体としてはあるい
はそのエレクトロクロミツク現象を利用した表示
素子として利用しうる物であるが、発現される色
調は赤、青の二色だけであるので多様性の点で不
十分であり、利用分野が制限されるのを免れなか
つた。 (解決すべき問題点) 本発明者らは、このような欠点を克服すべく鋭
意研究を行つた結果、ある種のチオフエン系化合
物の重合体がその目的に適合することを見出し、
本発明を完成するに至つたもので、本発明の目的
は、従来の赤、青二色に加えて緑色に発色しうる
チオフエン誘導体を開発し、三原色を揃えること
によりフルカラーの表示を可能とすることにあ
る。 (問題点を解決しようとする手段) すなわち、本発明は一般式
【化】 (式中のRは1,3−フエニレン基、p,p′−ジ
フエニレン基または置換基を有してもよい1,3
フエニレン基)で示される繰返し単位から成る重
合体であり、此の製法として一般式
【化】 (式中はRは1,3−フエニレン基、p,p′−ジ
フエニレン基または置換基を有してもよい1,3
フエニレン基)で示される化合物を電解重合させ
ることを特徴とする 一般式
【化】 (式中のRは前記と同じ) で示される繰返し単位から成る重合体の製造方法
であつて、更に、得られた一般式
【化】 (式中のRは1,3−フエニレン基、p,p′−ジ
フエニレン基または置換基を有してもよい1,3
フエニレン基)で示される繰返し単位から成る重
合体に陰イオンをドーピングさせて成る有機表示
材料である。そして、具体的に本発明の重合体を
列挙すると次のような一般式を有する繰返し単位
から成る重合体であつて、これら重合体は何れも
新規な重合体であり、これらの重合体はそのまま
では電気的に絶縁体であるが、テトラフルオロホ
ウ酸イオン、過塩素酸イオン、ヘキサフルオロリ
ン酸イオン、ヘキサフルオロヒ素酸イオン、硫酸
イオン、硫酸水素イオン、トリフルオル酢酸イオ
ン、またはp−トルエンスルホン酸イオンのよう
な陰イオンをドーピングすると半導体の性質を示
すようになる。
【化】
【化】
【化】
【化】 そして、これらの重合体は化合物()、()、
()、()で表わされるチオフエン系化合物を
極性溶媒中、支持電解質存在下、不活性雰囲気下
で電解重合させることにより製造することができ
る。
【化】
【化】
【化】
【化】 これらの化合物は一般式
【化】 (式中のX′はハロゲン原子である) で示されるハロゲン芳香族化合物と、 一般式
【化】 (式中のX′はハロゲン原子である) で示されるチエニルマグネシウムハライドと反応
させて製造できる。電解重合で得られる重合体は
一般に不溶不融である。 例えば化合物()は2−ブロムチオフエンお
よび1,3−ジヨ−ドヘンゼンとのグリニヤール
反応により合成され、化合物()は2−ブロム
チオフエンおよび3,5−ジブロムトルエンのグ
リニヤール反応により合成され、化合物()は
2−ブロムチオフエンおよび3,5−ジブロムア
ニソールのグリニヤール反応により合成され、化
合物()は2−ブロムチオフエンおよび4,
4′−ジブロムビフエニルのグリニヤール反応によ
り合成される。 次にこの化合物を重合するのであるが、その条
件は前述のように極性溶媒中、支持電解質存在
下、不活性雰囲気下で電解重合させるのである。
この際の極性溶媒としては、アセトニトリル、ニ
トロベンゼン、ニトロメタン、ベンゾニトリル、
炭酸プロピレン、テトラヒドロフラン、塩化メチ
レン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド、ヘキサメチルホスホルトリアミド、1−メ
チル−2−ピロリジノン、ジメチル硫酸、ジエチ
ル硫酸などが好ましい。また不活性雰囲気として
は窒化、アルゴンなどが用いられる。このように
不活性雰囲気下で行なうことにより反応中間体が
酸素と化合物として副生物を生じるのを防ぐこと
ができる。電極材料には、金、白金などの貴金属
のほかに、酸化第二スズなどをガラス表面に蒸着
したガラス電極も用いられる。支持電解質として
は、テトラフルオロホウ酸テトラメチルアンモニ
ウム、テトラフルオロホウ酸テトラエチルアンモ
ニウム、テトラフルオロホウ酸テトラ−n−ブチ
ルアンモニウム、テラフルオロホウ酸リチウム、
過塩素酸テトラエチルアンモンニウム、過塩素酸
テトラ−n−ブチルアンモンニウム、過塩素酸リ
チウム、ヘキサフルオロリン酸テトラメチルアン
モニウム、エキサフルオロリン酸テトラ−n−ブ
チルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸ナトリ
ウム、ヘキサフルオロヒ素酸テトラ−n−ブチル
アンモニウム、ヘキサフルオロヒ素酸ナトリウ
ム、硫酸、硫酸水素テトラメチルアンモニウム、
トリフルオロ酢酸ナトリウム、P−トルエンスル
ホン酸テトラメチルアンモニウム、P−トルエン
スルホン酸テトラ−n−ブチルアンモニウムなど
があげられる。 また、ガラス電極上に電解重合して得た薄膜重
合体は、エレクトロクロミツク現象で緑色を示
し、従来のチオフエン系化合物と組み合わせて、
三原色フルカラーを示すことができる。先に列挙
した本発明の代表的な重合体の製造方法について
述べると次のようである。 本発明の()は、貴金属あるいはガラス電極
等の電極を備えた電解槽に()で示される化合
物0.001〜1モル/、望ましくは0.05〜0.2モ
ル/と支持電解質例えばテトラフルオロホウ酸
テトラ−n−ブチルアンモニウム0.001〜1モ
ル/、望ましくは0.01〜0.1モル/とを極性
溶媒例えばニトロベンゼンに溶解させ、不活性雰
囲気下、電流密度0.1〜10mA/cm2、望ましくは
0.5〜2mA/cm2、温度0〜40℃、望ましくは20
〜30℃で電解重合を行なうと、陽極上にテトラフ
ルオロホウ酸イオンがドーピングされた重合体と
して製造される。 本発明の()は、上記と同様な電解槽に
()で示される化合物0.001〜1モル/望まし
くは0.05〜0.2モル/と支持電解質、例えばテ
トラフルオロホウ酸テトラ−n−ブチルアンモニ
ウム0.001〜1モル/、望ましくは0.01〜0.1モ
ル/とを極性溶媒例えばニトロベンゼンに溶解
させ、不活性雰囲気下、電流密度0.1〜10mA/
cm2、望ましくは0.5〜2mA/cm2、温度0〜40℃、
望ましくは20〜30℃で電解重合を行なうと、陽極
上にテトラフルオロホウ酸イオンがドーピングさ
れた重合体として製造される。 本発明の()は、上記と同様な電解槽に
()で示される化合物0.001〜1モル/望まし
くは0.05〜0.2モル/と支持電解質、例えばテ
トラフルオロホウ酸テトラ−n−ブチルアンモニ
ウム0.001〜1モル/、望ましくは0.01〜0.1モ
ル/とを極性溶媒例えばニトロベンゼンに溶解
させ、不活性雰囲気下、電流密度0.1〜10mA/
cm2、望ましくは0.5〜2mA/cm2、温度0〜40℃、
望ましくは20〜30℃で電解重合を行なうと、陽極
上にテトラフルオロホウ酸イオンがドーピングさ
れた重合体として製造される。 本発明の()は、上記と同様な電解槽に
()で示される化合物0.001〜1モル/望まし
くは0.002〜0.1モル/と支持電解質、例えばテ
トラフルオロホウ酸テトラ−n−ブチルアンモニ
ウム0.001〜1モル/、望ましくは0.01〜0.1モ
ル/とを極性溶媒例えばニトロベンゼンに溶解
させ、不活性雰囲気下、電流密度0.1〜10mA/
cm2、望ましくは0.5〜2mA/cm2、温度0〜50℃、
望ましくは30〜50℃で電解重合を行なうと、陽極
上にテトラフルオロホウ酸イオンがドーピングさ
れた重合体として製造される。 電解重合によつて得られた本発明の重合体は、
使用した支持電解質の陰イオン、例えばテトラフ
ルオロホウ酸イオン、過塩素酸イオン、ヘキサフ
ルオロリン酸イオン、ヘキサフルオロヒ素酸イオ
ン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、トリフルオル
酢酸イオン、またはP−トルエンスルホン酸イオ
ンがドーピングされた構造で得られ、これは半導
体としての性質を持つている。特に薄膜状態では
緑色あるいは青緑色を示し、陰イオンを脱ドープ
することにより黄色を示す。このようなエレクト
ロクロミツク現象を利用してエレクトロミツク表
示素子としての利用が可能である。重合体の形状
は電極面上に膜として形成され、膜厚は電解槽に
通じた電気量により調整できるので成形加工工程
を省略することが可能となる。更にドーピングさ
れる陰イオンは中性の支持電解質から供給される
が、これは空気中で安定なものが多く、作業性を
向上させ、毒性の点でも有利である。本発明の重
合体は溶媒に不溶であり、赤外吸収スペクトル
は、例えば4,4′−ジ(2−チエニル)ビフエニ
ルの場合は、単量体では2位置換チオフエンの吸
収(830cm-1、705cm-1)が観測され、重合体では
2,5位置換チオフエンの吸収(795cm-1)が観
測された。 次の実施例および参考例により本発明を更に詳
細に説明する。 参考例 1 還流冷却器、かきまぜ機、滴下漏斗付50ml三頚
フラスコにアルゴン雰囲気下で、金属マグネシウ
ム1.50g(61.7ミリモル)と脱水ジエチルエーテ
ル15mlを入れた。滴下漏斗に2−ブロムチオフエ
ン9.13g(56.0ミリモル)と脱水ジエチルエーテ
ル25mlを仕込、還流温度を保ちながら滴下した。
滴下後反応を完結させるため30分間還流温度を保
持し、チエニルマグネシウムブロミドを合成し
た。次に還流冷却器、かきまぜ機、滴下漏斗付
200ml三頚フラスコに、アルゴン雰囲気下で1,
3−ジヨ−ドベンゼン8.40g(25.2ミリモル)、
ジクロロ〔ビス(ジフエニルホスフイノ)プロパ
ン〕ニツケル0.14g(0.25ミリモル)、脱水ジエ
チルエーテル56mlを仕込んだ。滴下漏斗に上記の
ようにして製造したチエニルマグネシウムブロミ
ドを仕込、滴下した。滴下後還流下20時間かきま
ぜ、加水分解後エーテル抽出を行つた。留去後メ
タノールで再結晶を行ない、黄色結晶である1,
3−ジ−(2−チエニル)−ベンゼン1.78g(28.8
%)が得られた。融点80〜81℃であり、元素分析
の結果は次の通りであつた。 計算値(%) C;69.38、H;4.16、 S;26.46 実測値(%) C;68.99、H;4.13、 S;26.51 赤外吸収スペクトルの結果より、2位置換チオ
フエンを示す850cm-1、705cm-1の吸収が観測さ
れ、核磁気共鳴スペクトルの結果は次の通りであ
つた。 δ7.08(dd、J(3−4)3.4Hz、J(4−5)5、
2Hz、2H、H4) δ7.29(d、2H、H5):δ7.38(d、2H、H3) δ7.37(d、J(4′−5′)7.7Hz、1H、H5′) δ7.51(d、2H、H4′):δ7.83(S、1H、H2′) 赤外吸収スペクトルを第1図に示し、核磁気共
鳴スペクトルおよび核磁気共鳴スペクトルに対応
する水素の位置を示す構造式をそれぞれ第2,3
図に示す。 参考例 2 還流冷却器、かきまぜ機、滴下漏斗付三頚フラ
スコにアルゴン雰囲気下で、4,4′−ジブロムビ
フエニル7.53g(24.1ミリモル)、ジグロロ〔ビ
ス(ジフエニルオスフイノ)プロパン〕ニツケル
0.15g(0.28ミリモル)、脱水テトロヒドフラン
110mlを仕込んだ。滴下漏斗に参考例1において
脱水ジエチルエーテルのかわりに脱水テトラヒド
ロフランで合成したチエニルマグネシウムブロミ
ドを仕込、滴下した。滴下後還流下で20時間かき
まぜ加水分解後エーテル抽出を行なつた。抽出時
の不溶物をベンゾニトリルで再結晶を行ない、黄
色結晶である4,4′−ジ(2−チエニル)ジフエ
ニル1.28g(16.7%)が得られた。融点は310〜
315℃であり、元素分析の結果は次の通りであつ
た。 計算値(%) C;75.43、H;4.43、 S;20.14 実測値(%) C;75.30、H;4.16、 S;19.98 赤外吸収スペクトルの結果より、2位置換チオ
フエンを示す830cm-1、705cm-1の吸収が観測され
た。赤外吸収スペクトルを第4図に示す。 実施例 1 1cmの間隔で2枚の白金板(1×1=1cm2)を
取付けた電解槽に1,3−ジ(2−チエニル)ベ
ンゼン0.243g(1ミリモル)、テトラフルオロホ
ウ酸テトラ−n−ブチルアンモニウム0.163g
(0.5ミリモル)、ニトロベンゼン10mlを入れ溶解
させた。アルゴンを15分間吹き込んだ後、25℃で
電解重合を行つた。電流密度1mA/cm2で2時間
30分重合させると、陽極上にテトラフルオロホウ
酸イオンがドーピングされた黒緑色膜状重合体
(3mg)が得られ、体積抵抗値は9.8×103Ω・cmで
あつた。赤外吸収スペクトルの結果より、2,5
位置換チオフエンを示す780cm-1の吸収が観測さ
れた。赤外吸収スペクトルを第5図に示す。 実施例 2 実施例1において、陽極の白金板の代りにガラ
ス電極(1×2=2cm2)を用いて電流密度1m
A/cm2で20秒電解重合させるとガラス電極上にテ
トラフルオロホウ酸イオンがドーピングされた緑
色薄膜重合体(30nm)が得られた。空気中に数
日間放置しても、緑色のままであつた。逆電流を
流し電気的脱ドープを行なつた結果、黄色の透明
膜が得られた。 実施例 3 実施例1において、電流密度1mA/cm2で20秒
電解重合させて、白金板上にテトラフルオロホウ
酸イオンがドーピングされた緑色薄膜重合体
(30nm)を得た。この薄膜を用い電解質溶液と
してテトラフルオロホウ酸、テトラ−n−ブチル
アンモニウムの0.033モル/アセトニトリル溶
液を用いてサイクリツクボルタモグラムを測定す
ると、−0.2v←→+0.7v vsAg/Ag+の走査範囲で
電気化学的に活性であり酸化還元反応が観測さ
れ、繰り返しの走査でも膜は安定であつた。−
0.2v vsAg/Ag+で黄色を示し、0v→+0.7v
vsAg/Ag+で緑色を示した。 実施例 4 1cmの間隔で陽極にガラス電極(1×2=2
cm2)、陰極に白金板(1×1=1cm2を取り付けた
電解槽に、4,4′−ジ(2−チエニル)ジフエニ
ル0.012g(0.038ミリモル)、テトラフルオロホ
ウ酸テトラ−n−ブチルアンモニウム0.038g
(0.12ミリモル)、ニトロベンゼン10mlを入れ溶解
させた。アルゴンを15分間吹込んだ後、40℃で電
解重合を行つた。電流密度1mA/cm2で10秒電解
重合させると、ガラス電極上にテトラフルオロホ
ウ酸イオンが、ドーピングされた青緑色薄膜重合
体が得られた。空気中に放置すると、青→青緑→
緑に変化した。電気的脱ドープを行なうと黄色の
透明膜が得られた。赤外吸収スペクトルの結果よ
り、2,5位置換チオフエンを示す795cm-1の吸
収が観測された。赤外吸収スペクトルを第6図に
示す。 (発明の効果) 本発明の重合体は電解重合により陰イオンがド
ーピングされた構造で得られ、重合とドーピング
過程が実質的に一段階で行ないうるという長所を
有する。酸化第二インジウムをガラス表面に蒸着
したガラス電極上に形成した()の薄膜(30n
m)は、従来チオフエン系重合体より成る有機半
導体にはなかつた緑色を示した。また空気中に放
置しても緑色のままであり、非常に優れたメモリ
ー効果がある。()、()、()に関しても同
様の効果が得られた。
【図面の簡単な説明】
第1図は、1,3−ジ(2−チエニル)ベンゼ
ンの赤外吸収スペクトル、第2図は、1,3−ジ
(2−チエニル)ベンゼンの核磁気共鳴スペクト
ル、第3図は、1,3−ジ(2−チエニル)ベン
ゼンの核磁気共鳴スペクトルに対応する水素の位
置を示す構造式、第4図は、4,4′−ジ(2−チ
エニル)ジフエニルの赤外吸収スペクトル、第5
図は、ポリ{1,3−ジ(2−チエニル)ベンゼ
ン}の赤外吸収スペクトル、第6図は、ポリ
(4,4′−ジ(2−チエニル)ジフエニル}の赤
外吸収スペクトルを示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 【化】 (式中のRは1,3−フエニレン基、p,p′−ジ
    フエニレン基または置換基を有してもよい1,3
    フエニレン基)で示される繰返し単位から成る重
    合体。 2 一般式 【化】 (式中のRは1,3−フエニレン基、p,p′−ジ
    フエニレン基または置換基を有してもよい1,3
    フエニレン基)で示される化合物を電解重合させ
    ることを特徴とする 一般式 【化】 (式中のRは前記と同じ) で示される繰返し単位から成る重合体の製造方
    法。 3 一般式 【化】 (式中のRは1,3−フエニレン基、p,p′−ジ
    フエニレン基または置換基を有してもよい1,3
    フエニレン基)で示される繰返し単位から成る重
    合体に陰イオンをドーピングさせて成る有機表示
    材料。 4 陰イオンがテトラフルオロホウ酸イオン、過
    塩素酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、ヘ
    キサフルオロヒ素酸イオン、硫酸イオン、硫酸水
    素イオン、トリフルオル酢酸イオン、またはp−
    トルエンスルホン酸イオンである特許請求の範囲
    第3項記載の有機表示材料。
JP30798586A 1986-12-25 1986-12-25 新規なチオフエン系重合体、その製造方法およびそれを用いた有機表示材料 Granted JPS63161024A (ja)

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EP1580209A4 (en) 2002-12-25 2006-07-05 Semiconductor Energy Lab COMPOUNDS WITH HIGH MOLECULAR WEIGHT, LIGHT-EMITTING DEVICES AND LIGHT-EMITTING DEVICES
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