JPH0580930B2 - - Google Patents
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- JPH0580930B2 JPH0580930B2 JP61307985A JP30798586A JPH0580930B2 JP H0580930 B2 JPH0580930 B2 JP H0580930B2 JP 61307985 A JP61307985 A JP 61307985A JP 30798586 A JP30798586 A JP 30798586A JP H0580930 B2 JPH0580930 B2 JP H0580930B2
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Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Description
(産業上の利用分野)
本発明は、新規なチオフエン重合体、その製造
方法およびそれを用いた有機表示材料に関するも
のである。 (従来の技術) 従来、ポリ(3−メチルチエニレン)、または
チオフエンと3−メチルチオフエンの共重合体等
のチオフエン化合物を電解重合して有機表示材料
組成物を得ることは知られている(例えば、特開
昭60−65062号公報、特開昭60−120722号公報)。
そして、これら組成物は成形性、可塑性および可
とう性に優れており高分子半導体としてはあるい
はそのエレクトロクロミツク現象を利用した表示
素子として利用しうる物であるが、発現される色
調は赤、青の二色だけであるので多様性の点で不
十分であり、利用分野が制限されるのを免れなか
つた。 (解決すべき問題点) 本発明者らは、このような欠点を克服すべく鋭
意研究を行つた結果、ある種のチオフエン系化合
物の重合体がその目的に適合することを見出し、
本発明を完成するに至つたもので、本発明の目的
は、従来の赤、青二色に加えて緑色に発色しうる
チオフエン誘導体を開発し、三原色を揃えること
によりフルカラーの表示を可能とすることにあ
る。 (問題点を解決しようとする手段) すなわち、本発明は一般式
方法およびそれを用いた有機表示材料に関するも
のである。 (従来の技術) 従来、ポリ(3−メチルチエニレン)、または
チオフエンと3−メチルチオフエンの共重合体等
のチオフエン化合物を電解重合して有機表示材料
組成物を得ることは知られている(例えば、特開
昭60−65062号公報、特開昭60−120722号公報)。
そして、これら組成物は成形性、可塑性および可
とう性に優れており高分子半導体としてはあるい
はそのエレクトロクロミツク現象を利用した表示
素子として利用しうる物であるが、発現される色
調は赤、青の二色だけであるので多様性の点で不
十分であり、利用分野が制限されるのを免れなか
つた。 (解決すべき問題点) 本発明者らは、このような欠点を克服すべく鋭
意研究を行つた結果、ある種のチオフエン系化合
物の重合体がその目的に適合することを見出し、
本発明を完成するに至つたもので、本発明の目的
は、従来の赤、青二色に加えて緑色に発色しうる
チオフエン誘導体を開発し、三原色を揃えること
によりフルカラーの表示を可能とすることにあ
る。 (問題点を解決しようとする手段) すなわち、本発明は一般式
【化】
(式中のRは1,3−フエニレン基、p,p′−ジ
フエニレン基または置換基を有してもよい1,3
フエニレン基)で示される繰返し単位から成る重
合体であり、此の製法として一般式
フエニレン基または置換基を有してもよい1,3
フエニレン基)で示される繰返し単位から成る重
合体であり、此の製法として一般式
【化】
(式中はRは1,3−フエニレン基、p,p′−ジ
フエニレン基または置換基を有してもよい1,3
フエニレン基)で示される化合物を電解重合させ
ることを特徴とする 一般式
フエニレン基または置換基を有してもよい1,3
フエニレン基)で示される化合物を電解重合させ
ることを特徴とする 一般式
【化】
(式中のRは前記と同じ)
で示される繰返し単位から成る重合体の製造方法
であつて、更に、得られた一般式
であつて、更に、得られた一般式
【化】
(式中のRは1,3−フエニレン基、p,p′−ジ
フエニレン基または置換基を有してもよい1,3
フエニレン基)で示される繰返し単位から成る重
合体に陰イオンをドーピングさせて成る有機表示
材料である。そして、具体的に本発明の重合体を
列挙すると次のような一般式を有する繰返し単位
から成る重合体であつて、これら重合体は何れも
新規な重合体であり、これらの重合体はそのまま
では電気的に絶縁体であるが、テトラフルオロホ
ウ酸イオン、過塩素酸イオン、ヘキサフルオロリ
ン酸イオン、ヘキサフルオロヒ素酸イオン、硫酸
イオン、硫酸水素イオン、トリフルオル酢酸イオ
ン、またはp−トルエンスルホン酸イオンのよう
な陰イオンをドーピングすると半導体の性質を示
すようになる。
フエニレン基または置換基を有してもよい1,3
フエニレン基)で示される繰返し単位から成る重
合体に陰イオンをドーピングさせて成る有機表示
材料である。そして、具体的に本発明の重合体を
列挙すると次のような一般式を有する繰返し単位
から成る重合体であつて、これら重合体は何れも
新規な重合体であり、これらの重合体はそのまま
では電気的に絶縁体であるが、テトラフルオロホ
ウ酸イオン、過塩素酸イオン、ヘキサフルオロリ
ン酸イオン、ヘキサフルオロヒ素酸イオン、硫酸
イオン、硫酸水素イオン、トリフルオル酢酸イオ
ン、またはp−トルエンスルホン酸イオンのよう
な陰イオンをドーピングすると半導体の性質を示
すようになる。
【化】
【化】
【化】
【化】
そして、これらの重合体は化合物()、()、
()、()で表わされるチオフエン系化合物を
極性溶媒中、支持電解質存在下、不活性雰囲気下
で電解重合させることにより製造することができ
る。
()、()で表わされるチオフエン系化合物を
極性溶媒中、支持電解質存在下、不活性雰囲気下
で電解重合させることにより製造することができ
る。
【化】
【化】
【化】
【化】
これらの化合物は一般式
【化】
(式中のX′はハロゲン原子である)
で示されるハロゲン芳香族化合物と、
一般式
【化】
(式中のX′はハロゲン原子である)
で示されるチエニルマグネシウムハライドと反応
させて製造できる。電解重合で得られる重合体は
一般に不溶不融である。 例えば化合物()は2−ブロムチオフエンお
よび1,3−ジヨ−ドヘンゼンとのグリニヤール
反応により合成され、化合物()は2−ブロム
チオフエンおよび3,5−ジブロムトルエンのグ
リニヤール反応により合成され、化合物()は
2−ブロムチオフエンおよび3,5−ジブロムア
ニソールのグリニヤール反応により合成され、化
合物()は2−ブロムチオフエンおよび4,
4′−ジブロムビフエニルのグリニヤール反応によ
り合成される。 次にこの化合物を重合するのであるが、その条
件は前述のように極性溶媒中、支持電解質存在
下、不活性雰囲気下で電解重合させるのである。
この際の極性溶媒としては、アセトニトリル、ニ
トロベンゼン、ニトロメタン、ベンゾニトリル、
炭酸プロピレン、テトラヒドロフラン、塩化メチ
レン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド、ヘキサメチルホスホルトリアミド、1−メ
チル−2−ピロリジノン、ジメチル硫酸、ジエチ
ル硫酸などが好ましい。また不活性雰囲気として
は窒化、アルゴンなどが用いられる。このように
不活性雰囲気下で行なうことにより反応中間体が
酸素と化合物として副生物を生じるのを防ぐこと
ができる。電極材料には、金、白金などの貴金属
のほかに、酸化第二スズなどをガラス表面に蒸着
したガラス電極も用いられる。支持電解質として
は、テトラフルオロホウ酸テトラメチルアンモニ
ウム、テトラフルオロホウ酸テトラエチルアンモ
ニウム、テトラフルオロホウ酸テトラ−n−ブチ
ルアンモニウム、テラフルオロホウ酸リチウム、
過塩素酸テトラエチルアンモンニウム、過塩素酸
テトラ−n−ブチルアンモンニウム、過塩素酸リ
チウム、ヘキサフルオロリン酸テトラメチルアン
モニウム、エキサフルオロリン酸テトラ−n−ブ
チルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸ナトリ
ウム、ヘキサフルオロヒ素酸テトラ−n−ブチル
アンモニウム、ヘキサフルオロヒ素酸ナトリウ
ム、硫酸、硫酸水素テトラメチルアンモニウム、
トリフルオロ酢酸ナトリウム、P−トルエンスル
ホン酸テトラメチルアンモニウム、P−トルエン
スルホン酸テトラ−n−ブチルアンモニウムなど
があげられる。 また、ガラス電極上に電解重合して得た薄膜重
合体は、エレクトロクロミツク現象で緑色を示
し、従来のチオフエン系化合物と組み合わせて、
三原色フルカラーを示すことができる。先に列挙
した本発明の代表的な重合体の製造方法について
述べると次のようである。 本発明の()は、貴金属あるいはガラス電極
等の電極を備えた電解槽に()で示される化合
物0.001〜1モル/、望ましくは0.05〜0.2モ
ル/と支持電解質例えばテトラフルオロホウ酸
テトラ−n−ブチルアンモニウム0.001〜1モ
ル/、望ましくは0.01〜0.1モル/とを極性
溶媒例えばニトロベンゼンに溶解させ、不活性雰
囲気下、電流密度0.1〜10mA/cm2、望ましくは
0.5〜2mA/cm2、温度0〜40℃、望ましくは20
〜30℃で電解重合を行なうと、陽極上にテトラフ
ルオロホウ酸イオンがドーピングされた重合体と
して製造される。 本発明の()は、上記と同様な電解槽に
()で示される化合物0.001〜1モル/望まし
くは0.05〜0.2モル/と支持電解質、例えばテ
トラフルオロホウ酸テトラ−n−ブチルアンモニ
ウム0.001〜1モル/、望ましくは0.01〜0.1モ
ル/とを極性溶媒例えばニトロベンゼンに溶解
させ、不活性雰囲気下、電流密度0.1〜10mA/
cm2、望ましくは0.5〜2mA/cm2、温度0〜40℃、
望ましくは20〜30℃で電解重合を行なうと、陽極
上にテトラフルオロホウ酸イオンがドーピングさ
れた重合体として製造される。 本発明の()は、上記と同様な電解槽に
()で示される化合物0.001〜1モル/望まし
くは0.05〜0.2モル/と支持電解質、例えばテ
トラフルオロホウ酸テトラ−n−ブチルアンモニ
ウム0.001〜1モル/、望ましくは0.01〜0.1モ
ル/とを極性溶媒例えばニトロベンゼンに溶解
させ、不活性雰囲気下、電流密度0.1〜10mA/
cm2、望ましくは0.5〜2mA/cm2、温度0〜40℃、
望ましくは20〜30℃で電解重合を行なうと、陽極
上にテトラフルオロホウ酸イオンがドーピングさ
れた重合体として製造される。 本発明の()は、上記と同様な電解槽に
()で示される化合物0.001〜1モル/望まし
くは0.002〜0.1モル/と支持電解質、例えばテ
トラフルオロホウ酸テトラ−n−ブチルアンモニ
ウム0.001〜1モル/、望ましくは0.01〜0.1モ
ル/とを極性溶媒例えばニトロベンゼンに溶解
させ、不活性雰囲気下、電流密度0.1〜10mA/
cm2、望ましくは0.5〜2mA/cm2、温度0〜50℃、
望ましくは30〜50℃で電解重合を行なうと、陽極
上にテトラフルオロホウ酸イオンがドーピングさ
れた重合体として製造される。 電解重合によつて得られた本発明の重合体は、
使用した支持電解質の陰イオン、例えばテトラフ
ルオロホウ酸イオン、過塩素酸イオン、ヘキサフ
ルオロリン酸イオン、ヘキサフルオロヒ素酸イオ
ン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、トリフルオル
酢酸イオン、またはP−トルエンスルホン酸イオ
ンがドーピングされた構造で得られ、これは半導
体としての性質を持つている。特に薄膜状態では
緑色あるいは青緑色を示し、陰イオンを脱ドープ
することにより黄色を示す。このようなエレクト
ロクロミツク現象を利用してエレクトロミツク表
示素子としての利用が可能である。重合体の形状
は電極面上に膜として形成され、膜厚は電解槽に
通じた電気量により調整できるので成形加工工程
を省略することが可能となる。更にドーピングさ
れる陰イオンは中性の支持電解質から供給される
が、これは空気中で安定なものが多く、作業性を
向上させ、毒性の点でも有利である。本発明の重
合体は溶媒に不溶であり、赤外吸収スペクトル
は、例えば4,4′−ジ(2−チエニル)ビフエニ
ルの場合は、単量体では2位置換チオフエンの吸
収(830cm-1、705cm-1)が観測され、重合体では
2,5位置換チオフエンの吸収(795cm-1)が観
測された。 次の実施例および参考例により本発明を更に詳
細に説明する。 参考例 1 還流冷却器、かきまぜ機、滴下漏斗付50ml三頚
フラスコにアルゴン雰囲気下で、金属マグネシウ
ム1.50g(61.7ミリモル)と脱水ジエチルエーテ
ル15mlを入れた。滴下漏斗に2−ブロムチオフエ
ン9.13g(56.0ミリモル)と脱水ジエチルエーテ
ル25mlを仕込、還流温度を保ちながら滴下した。
滴下後反応を完結させるため30分間還流温度を保
持し、チエニルマグネシウムブロミドを合成し
た。次に還流冷却器、かきまぜ機、滴下漏斗付
200ml三頚フラスコに、アルゴン雰囲気下で1,
3−ジヨ−ドベンゼン8.40g(25.2ミリモル)、
ジクロロ〔ビス(ジフエニルホスフイノ)プロパ
ン〕ニツケル0.14g(0.25ミリモル)、脱水ジエ
チルエーテル56mlを仕込んだ。滴下漏斗に上記の
ようにして製造したチエニルマグネシウムブロミ
ドを仕込、滴下した。滴下後還流下20時間かきま
ぜ、加水分解後エーテル抽出を行つた。留去後メ
タノールで再結晶を行ない、黄色結晶である1,
3−ジ−(2−チエニル)−ベンゼン1.78g(28.8
%)が得られた。融点80〜81℃であり、元素分析
の結果は次の通りであつた。 計算値(%) C;69.38、H;4.16、 S;26.46 実測値(%) C;68.99、H;4.13、 S;26.51 赤外吸収スペクトルの結果より、2位置換チオ
フエンを示す850cm-1、705cm-1の吸収が観測さ
れ、核磁気共鳴スペクトルの結果は次の通りであ
つた。 δ7.08(dd、J(3−4)3.4Hz、J(4−5)5、
2Hz、2H、H4) δ7.29(d、2H、H5):δ7.38(d、2H、H3) δ7.37(d、J(4′−5′)7.7Hz、1H、H5′) δ7.51(d、2H、H4′):δ7.83(S、1H、H2′) 赤外吸収スペクトルを第1図に示し、核磁気共
鳴スペクトルおよび核磁気共鳴スペクトルに対応
する水素の位置を示す構造式をそれぞれ第2,3
図に示す。 参考例 2 還流冷却器、かきまぜ機、滴下漏斗付三頚フラ
スコにアルゴン雰囲気下で、4,4′−ジブロムビ
フエニル7.53g(24.1ミリモル)、ジグロロ〔ビ
ス(ジフエニルオスフイノ)プロパン〕ニツケル
0.15g(0.28ミリモル)、脱水テトロヒドフラン
110mlを仕込んだ。滴下漏斗に参考例1において
脱水ジエチルエーテルのかわりに脱水テトラヒド
ロフランで合成したチエニルマグネシウムブロミ
ドを仕込、滴下した。滴下後還流下で20時間かき
まぜ加水分解後エーテル抽出を行なつた。抽出時
の不溶物をベンゾニトリルで再結晶を行ない、黄
色結晶である4,4′−ジ(2−チエニル)ジフエ
ニル1.28g(16.7%)が得られた。融点は310〜
315℃であり、元素分析の結果は次の通りであつ
た。 計算値(%) C;75.43、H;4.43、 S;20.14 実測値(%) C;75.30、H;4.16、 S;19.98 赤外吸収スペクトルの結果より、2位置換チオ
フエンを示す830cm-1、705cm-1の吸収が観測され
た。赤外吸収スペクトルを第4図に示す。 実施例 1 1cmの間隔で2枚の白金板(1×1=1cm2)を
取付けた電解槽に1,3−ジ(2−チエニル)ベ
ンゼン0.243g(1ミリモル)、テトラフルオロホ
ウ酸テトラ−n−ブチルアンモニウム0.163g
(0.5ミリモル)、ニトロベンゼン10mlを入れ溶解
させた。アルゴンを15分間吹き込んだ後、25℃で
電解重合を行つた。電流密度1mA/cm2で2時間
30分重合させると、陽極上にテトラフルオロホウ
酸イオンがドーピングされた黒緑色膜状重合体
(3mg)が得られ、体積抵抗値は9.8×103Ω・cmで
あつた。赤外吸収スペクトルの結果より、2,5
位置換チオフエンを示す780cm-1の吸収が観測さ
れた。赤外吸収スペクトルを第5図に示す。 実施例 2 実施例1において、陽極の白金板の代りにガラ
ス電極(1×2=2cm2)を用いて電流密度1m
A/cm2で20秒電解重合させるとガラス電極上にテ
トラフルオロホウ酸イオンがドーピングされた緑
色薄膜重合体(30nm)が得られた。空気中に数
日間放置しても、緑色のままであつた。逆電流を
流し電気的脱ドープを行なつた結果、黄色の透明
膜が得られた。 実施例 3 実施例1において、電流密度1mA/cm2で20秒
電解重合させて、白金板上にテトラフルオロホウ
酸イオンがドーピングされた緑色薄膜重合体
(30nm)を得た。この薄膜を用い電解質溶液と
してテトラフルオロホウ酸、テトラ−n−ブチル
アンモニウムの0.033モル/アセトニトリル溶
液を用いてサイクリツクボルタモグラムを測定す
ると、−0.2v←→+0.7v vsAg/Ag+の走査範囲で
電気化学的に活性であり酸化還元反応が観測さ
れ、繰り返しの走査でも膜は安定であつた。−
0.2v vsAg/Ag+で黄色を示し、0v→+0.7v
vsAg/Ag+で緑色を示した。 実施例 4 1cmの間隔で陽極にガラス電極(1×2=2
cm2)、陰極に白金板(1×1=1cm2を取り付けた
電解槽に、4,4′−ジ(2−チエニル)ジフエニ
ル0.012g(0.038ミリモル)、テトラフルオロホ
ウ酸テトラ−n−ブチルアンモニウム0.038g
(0.12ミリモル)、ニトロベンゼン10mlを入れ溶解
させた。アルゴンを15分間吹込んだ後、40℃で電
解重合を行つた。電流密度1mA/cm2で10秒電解
重合させると、ガラス電極上にテトラフルオロホ
ウ酸イオンが、ドーピングされた青緑色薄膜重合
体が得られた。空気中に放置すると、青→青緑→
緑に変化した。電気的脱ドープを行なうと黄色の
透明膜が得られた。赤外吸収スペクトルの結果よ
り、2,5位置換チオフエンを示す795cm-1の吸
収が観測された。赤外吸収スペクトルを第6図に
示す。 (発明の効果) 本発明の重合体は電解重合により陰イオンがド
ーピングされた構造で得られ、重合とドーピング
過程が実質的に一段階で行ないうるという長所を
有する。酸化第二インジウムをガラス表面に蒸着
したガラス電極上に形成した()の薄膜(30n
m)は、従来チオフエン系重合体より成る有機半
導体にはなかつた緑色を示した。また空気中に放
置しても緑色のままであり、非常に優れたメモリ
ー効果がある。()、()、()に関しても同
様の効果が得られた。
させて製造できる。電解重合で得られる重合体は
一般に不溶不融である。 例えば化合物()は2−ブロムチオフエンお
よび1,3−ジヨ−ドヘンゼンとのグリニヤール
反応により合成され、化合物()は2−ブロム
チオフエンおよび3,5−ジブロムトルエンのグ
リニヤール反応により合成され、化合物()は
2−ブロムチオフエンおよび3,5−ジブロムア
ニソールのグリニヤール反応により合成され、化
合物()は2−ブロムチオフエンおよび4,
4′−ジブロムビフエニルのグリニヤール反応によ
り合成される。 次にこの化合物を重合するのであるが、その条
件は前述のように極性溶媒中、支持電解質存在
下、不活性雰囲気下で電解重合させるのである。
この際の極性溶媒としては、アセトニトリル、ニ
トロベンゼン、ニトロメタン、ベンゾニトリル、
炭酸プロピレン、テトラヒドロフラン、塩化メチ
レン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド、ヘキサメチルホスホルトリアミド、1−メ
チル−2−ピロリジノン、ジメチル硫酸、ジエチ
ル硫酸などが好ましい。また不活性雰囲気として
は窒化、アルゴンなどが用いられる。このように
不活性雰囲気下で行なうことにより反応中間体が
酸素と化合物として副生物を生じるのを防ぐこと
ができる。電極材料には、金、白金などの貴金属
のほかに、酸化第二スズなどをガラス表面に蒸着
したガラス電極も用いられる。支持電解質として
は、テトラフルオロホウ酸テトラメチルアンモニ
ウム、テトラフルオロホウ酸テトラエチルアンモ
ニウム、テトラフルオロホウ酸テトラ−n−ブチ
ルアンモニウム、テラフルオロホウ酸リチウム、
過塩素酸テトラエチルアンモンニウム、過塩素酸
テトラ−n−ブチルアンモンニウム、過塩素酸リ
チウム、ヘキサフルオロリン酸テトラメチルアン
モニウム、エキサフルオロリン酸テトラ−n−ブ
チルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸ナトリ
ウム、ヘキサフルオロヒ素酸テトラ−n−ブチル
アンモニウム、ヘキサフルオロヒ素酸ナトリウ
ム、硫酸、硫酸水素テトラメチルアンモニウム、
トリフルオロ酢酸ナトリウム、P−トルエンスル
ホン酸テトラメチルアンモニウム、P−トルエン
スルホン酸テトラ−n−ブチルアンモニウムなど
があげられる。 また、ガラス電極上に電解重合して得た薄膜重
合体は、エレクトロクロミツク現象で緑色を示
し、従来のチオフエン系化合物と組み合わせて、
三原色フルカラーを示すことができる。先に列挙
した本発明の代表的な重合体の製造方法について
述べると次のようである。 本発明の()は、貴金属あるいはガラス電極
等の電極を備えた電解槽に()で示される化合
物0.001〜1モル/、望ましくは0.05〜0.2モ
ル/と支持電解質例えばテトラフルオロホウ酸
テトラ−n−ブチルアンモニウム0.001〜1モ
ル/、望ましくは0.01〜0.1モル/とを極性
溶媒例えばニトロベンゼンに溶解させ、不活性雰
囲気下、電流密度0.1〜10mA/cm2、望ましくは
0.5〜2mA/cm2、温度0〜40℃、望ましくは20
〜30℃で電解重合を行なうと、陽極上にテトラフ
ルオロホウ酸イオンがドーピングされた重合体と
して製造される。 本発明の()は、上記と同様な電解槽に
()で示される化合物0.001〜1モル/望まし
くは0.05〜0.2モル/と支持電解質、例えばテ
トラフルオロホウ酸テトラ−n−ブチルアンモニ
ウム0.001〜1モル/、望ましくは0.01〜0.1モ
ル/とを極性溶媒例えばニトロベンゼンに溶解
させ、不活性雰囲気下、電流密度0.1〜10mA/
cm2、望ましくは0.5〜2mA/cm2、温度0〜40℃、
望ましくは20〜30℃で電解重合を行なうと、陽極
上にテトラフルオロホウ酸イオンがドーピングさ
れた重合体として製造される。 本発明の()は、上記と同様な電解槽に
()で示される化合物0.001〜1モル/望まし
くは0.05〜0.2モル/と支持電解質、例えばテ
トラフルオロホウ酸テトラ−n−ブチルアンモニ
ウム0.001〜1モル/、望ましくは0.01〜0.1モ
ル/とを極性溶媒例えばニトロベンゼンに溶解
させ、不活性雰囲気下、電流密度0.1〜10mA/
cm2、望ましくは0.5〜2mA/cm2、温度0〜40℃、
望ましくは20〜30℃で電解重合を行なうと、陽極
上にテトラフルオロホウ酸イオンがドーピングさ
れた重合体として製造される。 本発明の()は、上記と同様な電解槽に
()で示される化合物0.001〜1モル/望まし
くは0.002〜0.1モル/と支持電解質、例えばテ
トラフルオロホウ酸テトラ−n−ブチルアンモニ
ウム0.001〜1モル/、望ましくは0.01〜0.1モ
ル/とを極性溶媒例えばニトロベンゼンに溶解
させ、不活性雰囲気下、電流密度0.1〜10mA/
cm2、望ましくは0.5〜2mA/cm2、温度0〜50℃、
望ましくは30〜50℃で電解重合を行なうと、陽極
上にテトラフルオロホウ酸イオンがドーピングさ
れた重合体として製造される。 電解重合によつて得られた本発明の重合体は、
使用した支持電解質の陰イオン、例えばテトラフ
ルオロホウ酸イオン、過塩素酸イオン、ヘキサフ
ルオロリン酸イオン、ヘキサフルオロヒ素酸イオ
ン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、トリフルオル
酢酸イオン、またはP−トルエンスルホン酸イオ
ンがドーピングされた構造で得られ、これは半導
体としての性質を持つている。特に薄膜状態では
緑色あるいは青緑色を示し、陰イオンを脱ドープ
することにより黄色を示す。このようなエレクト
ロクロミツク現象を利用してエレクトロミツク表
示素子としての利用が可能である。重合体の形状
は電極面上に膜として形成され、膜厚は電解槽に
通じた電気量により調整できるので成形加工工程
を省略することが可能となる。更にドーピングさ
れる陰イオンは中性の支持電解質から供給される
が、これは空気中で安定なものが多く、作業性を
向上させ、毒性の点でも有利である。本発明の重
合体は溶媒に不溶であり、赤外吸収スペクトル
は、例えば4,4′−ジ(2−チエニル)ビフエニ
ルの場合は、単量体では2位置換チオフエンの吸
収(830cm-1、705cm-1)が観測され、重合体では
2,5位置換チオフエンの吸収(795cm-1)が観
測された。 次の実施例および参考例により本発明を更に詳
細に説明する。 参考例 1 還流冷却器、かきまぜ機、滴下漏斗付50ml三頚
フラスコにアルゴン雰囲気下で、金属マグネシウ
ム1.50g(61.7ミリモル)と脱水ジエチルエーテ
ル15mlを入れた。滴下漏斗に2−ブロムチオフエ
ン9.13g(56.0ミリモル)と脱水ジエチルエーテ
ル25mlを仕込、還流温度を保ちながら滴下した。
滴下後反応を完結させるため30分間還流温度を保
持し、チエニルマグネシウムブロミドを合成し
た。次に還流冷却器、かきまぜ機、滴下漏斗付
200ml三頚フラスコに、アルゴン雰囲気下で1,
3−ジヨ−ドベンゼン8.40g(25.2ミリモル)、
ジクロロ〔ビス(ジフエニルホスフイノ)プロパ
ン〕ニツケル0.14g(0.25ミリモル)、脱水ジエ
チルエーテル56mlを仕込んだ。滴下漏斗に上記の
ようにして製造したチエニルマグネシウムブロミ
ドを仕込、滴下した。滴下後還流下20時間かきま
ぜ、加水分解後エーテル抽出を行つた。留去後メ
タノールで再結晶を行ない、黄色結晶である1,
3−ジ−(2−チエニル)−ベンゼン1.78g(28.8
%)が得られた。融点80〜81℃であり、元素分析
の結果は次の通りであつた。 計算値(%) C;69.38、H;4.16、 S;26.46 実測値(%) C;68.99、H;4.13、 S;26.51 赤外吸収スペクトルの結果より、2位置換チオ
フエンを示す850cm-1、705cm-1の吸収が観測さ
れ、核磁気共鳴スペクトルの結果は次の通りであ
つた。 δ7.08(dd、J(3−4)3.4Hz、J(4−5)5、
2Hz、2H、H4) δ7.29(d、2H、H5):δ7.38(d、2H、H3) δ7.37(d、J(4′−5′)7.7Hz、1H、H5′) δ7.51(d、2H、H4′):δ7.83(S、1H、H2′) 赤外吸収スペクトルを第1図に示し、核磁気共
鳴スペクトルおよび核磁気共鳴スペクトルに対応
する水素の位置を示す構造式をそれぞれ第2,3
図に示す。 参考例 2 還流冷却器、かきまぜ機、滴下漏斗付三頚フラ
スコにアルゴン雰囲気下で、4,4′−ジブロムビ
フエニル7.53g(24.1ミリモル)、ジグロロ〔ビ
ス(ジフエニルオスフイノ)プロパン〕ニツケル
0.15g(0.28ミリモル)、脱水テトロヒドフラン
110mlを仕込んだ。滴下漏斗に参考例1において
脱水ジエチルエーテルのかわりに脱水テトラヒド
ロフランで合成したチエニルマグネシウムブロミ
ドを仕込、滴下した。滴下後還流下で20時間かき
まぜ加水分解後エーテル抽出を行なつた。抽出時
の不溶物をベンゾニトリルで再結晶を行ない、黄
色結晶である4,4′−ジ(2−チエニル)ジフエ
ニル1.28g(16.7%)が得られた。融点は310〜
315℃であり、元素分析の結果は次の通りであつ
た。 計算値(%) C;75.43、H;4.43、 S;20.14 実測値(%) C;75.30、H;4.16、 S;19.98 赤外吸収スペクトルの結果より、2位置換チオ
フエンを示す830cm-1、705cm-1の吸収が観測され
た。赤外吸収スペクトルを第4図に示す。 実施例 1 1cmの間隔で2枚の白金板(1×1=1cm2)を
取付けた電解槽に1,3−ジ(2−チエニル)ベ
ンゼン0.243g(1ミリモル)、テトラフルオロホ
ウ酸テトラ−n−ブチルアンモニウム0.163g
(0.5ミリモル)、ニトロベンゼン10mlを入れ溶解
させた。アルゴンを15分間吹き込んだ後、25℃で
電解重合を行つた。電流密度1mA/cm2で2時間
30分重合させると、陽極上にテトラフルオロホウ
酸イオンがドーピングされた黒緑色膜状重合体
(3mg)が得られ、体積抵抗値は9.8×103Ω・cmで
あつた。赤外吸収スペクトルの結果より、2,5
位置換チオフエンを示す780cm-1の吸収が観測さ
れた。赤外吸収スペクトルを第5図に示す。 実施例 2 実施例1において、陽極の白金板の代りにガラ
ス電極(1×2=2cm2)を用いて電流密度1m
A/cm2で20秒電解重合させるとガラス電極上にテ
トラフルオロホウ酸イオンがドーピングされた緑
色薄膜重合体(30nm)が得られた。空気中に数
日間放置しても、緑色のままであつた。逆電流を
流し電気的脱ドープを行なつた結果、黄色の透明
膜が得られた。 実施例 3 実施例1において、電流密度1mA/cm2で20秒
電解重合させて、白金板上にテトラフルオロホウ
酸イオンがドーピングされた緑色薄膜重合体
(30nm)を得た。この薄膜を用い電解質溶液と
してテトラフルオロホウ酸、テトラ−n−ブチル
アンモニウムの0.033モル/アセトニトリル溶
液を用いてサイクリツクボルタモグラムを測定す
ると、−0.2v←→+0.7v vsAg/Ag+の走査範囲で
電気化学的に活性であり酸化還元反応が観測さ
れ、繰り返しの走査でも膜は安定であつた。−
0.2v vsAg/Ag+で黄色を示し、0v→+0.7v
vsAg/Ag+で緑色を示した。 実施例 4 1cmの間隔で陽極にガラス電極(1×2=2
cm2)、陰極に白金板(1×1=1cm2を取り付けた
電解槽に、4,4′−ジ(2−チエニル)ジフエニ
ル0.012g(0.038ミリモル)、テトラフルオロホ
ウ酸テトラ−n−ブチルアンモニウム0.038g
(0.12ミリモル)、ニトロベンゼン10mlを入れ溶解
させた。アルゴンを15分間吹込んだ後、40℃で電
解重合を行つた。電流密度1mA/cm2で10秒電解
重合させると、ガラス電極上にテトラフルオロホ
ウ酸イオンが、ドーピングされた青緑色薄膜重合
体が得られた。空気中に放置すると、青→青緑→
緑に変化した。電気的脱ドープを行なうと黄色の
透明膜が得られた。赤外吸収スペクトルの結果よ
り、2,5位置換チオフエンを示す795cm-1の吸
収が観測された。赤外吸収スペクトルを第6図に
示す。 (発明の効果) 本発明の重合体は電解重合により陰イオンがド
ーピングされた構造で得られ、重合とドーピング
過程が実質的に一段階で行ないうるという長所を
有する。酸化第二インジウムをガラス表面に蒸着
したガラス電極上に形成した()の薄膜(30n
m)は、従来チオフエン系重合体より成る有機半
導体にはなかつた緑色を示した。また空気中に放
置しても緑色のままであり、非常に優れたメモリ
ー効果がある。()、()、()に関しても同
様の効果が得られた。
第1図は、1,3−ジ(2−チエニル)ベンゼ
ンの赤外吸収スペクトル、第2図は、1,3−ジ
(2−チエニル)ベンゼンの核磁気共鳴スペクト
ル、第3図は、1,3−ジ(2−チエニル)ベン
ゼンの核磁気共鳴スペクトルに対応する水素の位
置を示す構造式、第4図は、4,4′−ジ(2−チ
エニル)ジフエニルの赤外吸収スペクトル、第5
図は、ポリ{1,3−ジ(2−チエニル)ベンゼ
ン}の赤外吸収スペクトル、第6図は、ポリ
(4,4′−ジ(2−チエニル)ジフエニル}の赤
外吸収スペクトルを示す。
ンの赤外吸収スペクトル、第2図は、1,3−ジ
(2−チエニル)ベンゼンの核磁気共鳴スペクト
ル、第3図は、1,3−ジ(2−チエニル)ベン
ゼンの核磁気共鳴スペクトルに対応する水素の位
置を示す構造式、第4図は、4,4′−ジ(2−チ
エニル)ジフエニルの赤外吸収スペクトル、第5
図は、ポリ{1,3−ジ(2−チエニル)ベンゼ
ン}の赤外吸収スペクトル、第6図は、ポリ
(4,4′−ジ(2−チエニル)ジフエニル}の赤
外吸収スペクトルを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 【化】 (式中のRは1,3−フエニレン基、p,p′−ジ
フエニレン基または置換基を有してもよい1,3
フエニレン基)で示される繰返し単位から成る重
合体。 2 一般式 【化】 (式中のRは1,3−フエニレン基、p,p′−ジ
フエニレン基または置換基を有してもよい1,3
フエニレン基)で示される化合物を電解重合させ
ることを特徴とする 一般式 【化】 (式中のRは前記と同じ) で示される繰返し単位から成る重合体の製造方
法。 3 一般式 【化】 (式中のRは1,3−フエニレン基、p,p′−ジ
フエニレン基または置換基を有してもよい1,3
フエニレン基)で示される繰返し単位から成る重
合体に陰イオンをドーピングさせて成る有機表示
材料。 4 陰イオンがテトラフルオロホウ酸イオン、過
塩素酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、ヘ
キサフルオロヒ素酸イオン、硫酸イオン、硫酸水
素イオン、トリフルオル酢酸イオン、またはp−
トルエンスルホン酸イオンである特許請求の範囲
第3項記載の有機表示材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30798586A JPS63161024A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 新規なチオフエン系重合体、その製造方法およびそれを用いた有機表示材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30798586A JPS63161024A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 新規なチオフエン系重合体、その製造方法およびそれを用いた有機表示材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63161024A JPS63161024A (ja) | 1988-07-04 |
JPH0580930B2 true JPH0580930B2 (ja) | 1993-11-10 |
Family
ID=17975516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30798586A Granted JPS63161024A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 新規なチオフエン系重合体、その製造方法およびそれを用いた有機表示材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63161024A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6046229A (en) * | 1998-01-06 | 2000-04-04 | Industrial Technology Research Institute | Polyaryl antitumor agents |
AUPP765598A0 (en) * | 1998-12-11 | 1999-01-14 | Securency Pty Ltd | Organic salt-containing light-emitting polymer device |
EP1580209A4 (en) | 2002-12-25 | 2006-07-05 | Semiconductor Energy Lab | COMPOUNDS WITH HIGH MOLECULAR WEIGHT, LIGHT-EMITTING DEVICES AND LIGHT-EMITTING DEVICES |
JP6704389B2 (ja) * | 2015-03-27 | 2020-06-03 | 綜研化学株式会社 | 重合体、酸化重合体、重合体組成物、ゲル状重合体組成物及びその用途 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61175035A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-06 | 株式会社日立製作所 | 樹脂と無機材料との複合体 |
-
1986
- 1986-12-25 JP JP30798586A patent/JPS63161024A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61175035A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-06 | 株式会社日立製作所 | 樹脂と無機材料との複合体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63161024A (ja) | 1988-07-04 |
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