JPH0575426A - 出力バツフア回路 - Google Patents
出力バツフア回路Info
- Publication number
- JPH0575426A JPH0575426A JP3234241A JP23424191A JPH0575426A JP H0575426 A JPH0575426 A JP H0575426A JP 3234241 A JP3234241 A JP 3234241A JP 23424191 A JP23424191 A JP 23424191A JP H0575426 A JPH0575426 A JP H0575426A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- signal
- level
- circuit
- channel mos
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体集積回路の出力バッファ回路において、
外部出力端子の出力信号でPチャネルMOSトランジス
タまたはNチャネルMOSトランジスタを制御すること
により、GNDより低いレベルの電位,電源より高いレ
ベルの電位の様なノイズ防止を可能とする。 【構成】外部出力端子の出力信号を駆動するPチャネル
MOSトランジスタ4及びNチャネルMOSトランジス
タ5と6において、外部出力端子の出力信号が“H”レ
ベルから“L”レベルに変化する際、外部出力端子の出
力信号自身によりNチャネルMOSトランジスタ6を制
御している。
外部出力端子の出力信号でPチャネルMOSトランジス
タまたはNチャネルMOSトランジスタを制御すること
により、GNDより低いレベルの電位,電源より高いレ
ベルの電位の様なノイズ防止を可能とする。 【構成】外部出力端子の出力信号を駆動するPチャネル
MOSトランジスタ4及びNチャネルMOSトランジス
タ5と6において、外部出力端子の出力信号が“H”レ
ベルから“L”レベルに変化する際、外部出力端子の出
力信号自身によりNチャネルMOSトランジスタ6を制
御している。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は出力バッファ回路に関
し、特に半導体集積回路からなる出力バッファ回路に関
する。
し、特に半導体集積回路からなる出力バッファ回路に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来の出力バッファ回路のブロック図
を、図4に示す。
を、図4に示す。
【0003】図4において、入力信号C2 は出力制御回
路から出力される信号,入力信号D2 は入力データ信
号,出力信号O2 は外部出力端子の出力信号,NAND
回路7は出力制御回路から出力される信号C2 と入力デ
ータ信号D2 とを入力とする2NANDゲート,NOR
回路8は出力制御回路から出力される信号C2 の否定と
入力データ信号D2 とを入力とする2NORゲート,ゲ
ート入力信号a2 は2NAND回路7からの出力信号,
ゲート入力信号b2 は2NOR回路8からの出力信号,
トランジスタ9はソースが電源にドレインが外部出力端
子の出力信号O2 にゲートが2NAND回路7からの出
力信号a2 に接続されたPチャネルMOSトランジス
タ,トランジスタ10はソースが接地(GND)にドレ
インが外部出力端子の出力信号O2にゲートが2NOR
回路8からの出力信号b2 に接続されたNチャネルMO
Sトランジスタである。
路から出力される信号,入力信号D2 は入力データ信
号,出力信号O2 は外部出力端子の出力信号,NAND
回路7は出力制御回路から出力される信号C2 と入力デ
ータ信号D2 とを入力とする2NANDゲート,NOR
回路8は出力制御回路から出力される信号C2 の否定と
入力データ信号D2 とを入力とする2NORゲート,ゲ
ート入力信号a2 は2NAND回路7からの出力信号,
ゲート入力信号b2 は2NOR回路8からの出力信号,
トランジスタ9はソースが電源にドレインが外部出力端
子の出力信号O2 にゲートが2NAND回路7からの出
力信号a2 に接続されたPチャネルMOSトランジス
タ,トランジスタ10はソースが接地(GND)にドレ
インが外部出力端子の出力信号O2にゲートが2NOR
回路8からの出力信号b2 に接続されたNチャネルMO
Sトランジスタである。
【0004】このような従来の技術では、出力制御回路
から出力される信号C2 が低即ち“L”レベルの時、入
力データ信号D2 のレベルに影響されることなく、2N
AND回路7からの出力信号a2 は高即ち“H”レベル
に、2NOR回路8からの出力信号b2 は“L”レベル
となる。従って、PチャネルMOSトランジスタ9もN
チャネルMOSトランジスタ10も非導通(OFF)と
なり、外部出力端子の出力信号O2 は不定状態になる。
から出力される信号C2 が低即ち“L”レベルの時、入
力データ信号D2 のレベルに影響されることなく、2N
AND回路7からの出力信号a2 は高即ち“H”レベル
に、2NOR回路8からの出力信号b2 は“L”レベル
となる。従って、PチャネルMOSトランジスタ9もN
チャネルMOSトランジスタ10も非導通(OFF)と
なり、外部出力端子の出力信号O2 は不定状態になる。
【0005】次に入力データ信号D2 が“L”レベル,
出力制御回路から出力される信号C2 が“H”レベルの
時、2NAND回路7からの出力信号a2 は“H”レベ
ルに、2NOR回路8からの出力信号b2 は“H”レベ
ルとなる。従って、PチャネルMOSトランジスタ9は
OFFし、NチャネルMOSトランジスタ10はONと
なり、外部出力端子の出力信号O2 は“L”レベルとな
る。
出力制御回路から出力される信号C2 が“H”レベルの
時、2NAND回路7からの出力信号a2 は“H”レベ
ルに、2NOR回路8からの出力信号b2 は“H”レベ
ルとなる。従って、PチャネルMOSトランジスタ9は
OFFし、NチャネルMOSトランジスタ10はONと
なり、外部出力端子の出力信号O2 は“L”レベルとな
る。
【0006】また、入力データ信号D2 が“H”レベ
ル,出力制御回路から出力される信号C2 が“H”レベ
ルの時、2NAND回路7からの出力信号a2 は“L”
レベルに、2NOR回路8からの出力信号b2 は“L”
レベルとなる。従って、PチャネルMOSトランジスタ
9は導通(ON)し、NチャネルMOSトランジスタ1
0はOFFとなり、外部出力端子の出力信号O2 は
“H”レベルとなる。
ル,出力制御回路から出力される信号C2 が“H”レベ
ルの時、2NAND回路7からの出力信号a2 は“L”
レベルに、2NOR回路8からの出力信号b2 は“L”
レベルとなる。従って、PチャネルMOSトランジスタ
9は導通(ON)し、NチャネルMOSトランジスタ1
0はOFFとなり、外部出力端子の出力信号O2 は
“H”レベルとなる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来の出力バ
ッファ回路では、外部出力端子の出力信号O2 に大きな
負荷が付いた場合、PチャネルMOSトランジスタ9と
NチャネルMOSトランジスタ10のトランジスタのチ
ャネル幅を大きくする必要がある。この際、外部出力端
子の出力信号O2 のレベルが“H”レベルから“L”レ
ベルへ、又は“L”レベルから“H”レベルへ変化する
時、電位がGNDより低い電位(図3の曲線Q)又は電
源よりも高い電位になってしまう問題点があった。
ッファ回路では、外部出力端子の出力信号O2 に大きな
負荷が付いた場合、PチャネルMOSトランジスタ9と
NチャネルMOSトランジスタ10のトランジスタのチ
ャネル幅を大きくする必要がある。この際、外部出力端
子の出力信号O2 のレベルが“H”レベルから“L”レ
ベルへ、又は“L”レベルから“H”レベルへ変化する
時、電位がGNDより低い電位(図3の曲線Q)又は電
源よりも高い電位になってしまう問題点があった。
【0008】本発明の目的は、前記問題点を解決し、変
化時の電位が接地よりも低くなったり、電源電位より高
くなったりしないようにした出力バッファ回路を提供す
ることにある。
化時の電位が接地よりも低くなったり、電源電位より高
くなったりしないようにした出力バッファ回路を提供す
ることにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の構成は、第1,
第2の入力信号がいずれも入力に導入される第1,第2
の論理回路と、第1,第2のトランジスタの直列体とを
備え、前記第1,第2の論理回路の出力をそれぞれ前記
第1,第2のトランジスタのゲート入力となし、前記第
1,第2のトランジスタの共通接続点を出力端子となし
た出力バッファ回路において、前記出力端子に主電極が
接続された第3のトランジスタを設け、前記第1,第2
の入力端子が入力に導入されかつ前記出力端子の信号が
入力に導入される第3の論理回路を設け、前記第3の論
理回路の出力を前記第3のトランジスタのゲートに接続
したことを特徴とする。
第2の入力信号がいずれも入力に導入される第1,第2
の論理回路と、第1,第2のトランジスタの直列体とを
備え、前記第1,第2の論理回路の出力をそれぞれ前記
第1,第2のトランジスタのゲート入力となし、前記第
1,第2のトランジスタの共通接続点を出力端子となし
た出力バッファ回路において、前記出力端子に主電極が
接続された第3のトランジスタを設け、前記第1,第2
の入力端子が入力に導入されかつ前記出力端子の信号が
入力に導入される第3の論理回路を設け、前記第3の論
理回路の出力を前記第3のトランジスタのゲートに接続
したことを特徴とする。
【0010】
【実施例】図1は本発明の一実施例の出力バッファ回路
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【0011】図1において、本実施例の出力バッファ回
路では、入力信号C1 は出力制御回路から出力される信
号,入力信号D1 は入力データ信号,出力信号O1 は外
部出力端子の出力信号,NAND回路1は出力制御回路
から出力される信号C1 と入力データ信号D1 とを入力
とする2NANDゲート,NOR回路2は出力制御回路
から出力される信号C1 の否定と入力データ信号D1 と
を入力とする2NORゲート,NOR回路3は出力制御
回路から出力される信号C1 の否定と入力データ信号D
1 と外部出力端子の出力信号O1 の否定とを入力とする
3NORゲート,ゲート入力信号a1 は2NAND回路
1からの出力信号,ゲート入力信号b1 は2NOR回路
2からの出力信号,ゲート入力信号e1 は3NOR回路
3からの出力信号,トランジスタ4はソースが電源にド
レインが外部出力端子の出力信号O1 にゲートが2NA
ND回路1からの出力信号a1 に接続されたPチャネル
MOSトランジスタ,トランジスタ5はソースがGND
にドレインが外部出力端子の出力信号O1 にゲートが2
NOR回路2からの出力信号b1 に接続されたNチャネ
ルMOSトランジスタ,トランジスタ6はソースがGN
Dにドレインが外部出力端子の出力信号O1 にゲートが
3NOR回路3からの出力信号e1 に接続されたNチャ
ネルMOSトランジスタである。
路では、入力信号C1 は出力制御回路から出力される信
号,入力信号D1 は入力データ信号,出力信号O1 は外
部出力端子の出力信号,NAND回路1は出力制御回路
から出力される信号C1 と入力データ信号D1 とを入力
とする2NANDゲート,NOR回路2は出力制御回路
から出力される信号C1 の否定と入力データ信号D1 と
を入力とする2NORゲート,NOR回路3は出力制御
回路から出力される信号C1 の否定と入力データ信号D
1 と外部出力端子の出力信号O1 の否定とを入力とする
3NORゲート,ゲート入力信号a1 は2NAND回路
1からの出力信号,ゲート入力信号b1 は2NOR回路
2からの出力信号,ゲート入力信号e1 は3NOR回路
3からの出力信号,トランジスタ4はソースが電源にド
レインが外部出力端子の出力信号O1 にゲートが2NA
ND回路1からの出力信号a1 に接続されたPチャネル
MOSトランジスタ,トランジスタ5はソースがGND
にドレインが外部出力端子の出力信号O1 にゲートが2
NOR回路2からの出力信号b1 に接続されたNチャネ
ルMOSトランジスタ,トランジスタ6はソースがGN
Dにドレインが外部出力端子の出力信号O1 にゲートが
3NOR回路3からの出力信号e1 に接続されたNチャ
ネルMOSトランジスタである。
【0012】出力制御回路から出力される信号C1 が、
“L”レベルの時、入力データ信号D1 のレベルに影響
されることなく、2NAND回路1からの出力信号a1
は“H”レベルに、2NOR回路2からの出力信号b1
は“L”レベルに、3NOR回路3からの出力信号e1
は“L”レベルとなる。
“L”レベルの時、入力データ信号D1 のレベルに影響
されることなく、2NAND回路1からの出力信号a1
は“H”レベルに、2NOR回路2からの出力信号b1
は“L”レベルに、3NOR回路3からの出力信号e1
は“L”レベルとなる。
【0013】従って、PチャネルMOSトランジスタ4
もNチャネルMOSトランジスタ5及び6もOFFとな
り、外部出力端子の出力信号O1 は不定状態になる。
もNチャネルMOSトランジスタ5及び6もOFFとな
り、外部出力端子の出力信号O1 は不定状態になる。
【0014】次に入力データ信号D1 が“H”レベル,
出力制御回路から出力される信号C1 が“H”レベルの
時、2NAND回路1からの出力信号a1 は“L”レベ
ルに、2NOR回路2からの出力信号b1 は“L”レベ
ルに、3NOR回路3からの出力信号e1 は“L”レベ
ルとなる。従って、PチャネルMOSトランジスタ4は
ONし、NチャネルMOSトランジスタ5及び6はOF
Fとなり、外部出力端子の出力信号O1 は“H”レベル
となる。
出力制御回路から出力される信号C1 が“H”レベルの
時、2NAND回路1からの出力信号a1 は“L”レベ
ルに、2NOR回路2からの出力信号b1 は“L”レベ
ルに、3NOR回路3からの出力信号e1 は“L”レベ
ルとなる。従って、PチャネルMOSトランジスタ4は
ONし、NチャネルMOSトランジスタ5及び6はOF
Fとなり、外部出力端子の出力信号O1 は“H”レベル
となる。
【0015】ここで、図2に示す様に、入力データ信号
D1 が“L”レベル、出力制御回路から出力される信号
C1 が“H”レベルの状態になると、2NAND回路1
からの出力信号a1 は“H”レベルに、2NOR回路2
からの出力信号b1 は“H”レベルに、3NOR回路3
からの出力信号e1 は“H”レベルとなる。従って、P
チャネルMOSトランジスタ4はOFFし、Nチャネル
MOSトランジスタ5及び6はONとなり、外部出力端
子の出力信号O1 は“H”レベルから“L”レベルへと
急激に変化し、それに伴い3NOR回路3からの出力信
号e1 は“H”レベルから“L”レベルへ変化する。こ
れによって、NチャネルMOSトランジスタ6はOFF
する。出力信号は、図3の曲線Pに示すように、GND
より低下するようなことはなくなる。
D1 が“L”レベル、出力制御回路から出力される信号
C1 が“H”レベルの状態になると、2NAND回路1
からの出力信号a1 は“H”レベルに、2NOR回路2
からの出力信号b1 は“H”レベルに、3NOR回路3
からの出力信号e1 は“H”レベルとなる。従って、P
チャネルMOSトランジスタ4はOFFし、Nチャネル
MOSトランジスタ5及び6はONとなり、外部出力端
子の出力信号O1 は“H”レベルから“L”レベルへと
急激に変化し、それに伴い3NOR回路3からの出力信
号e1 は“H”レベルから“L”レベルへ変化する。こ
れによって、NチャネルMOSトランジスタ6はOFF
する。出力信号は、図3の曲線Pに示すように、GND
より低下するようなことはなくなる。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、出力信
号を駆動する例えばPチャネルMOSトランジスタ又は
NチャネルMOSトランジスタを外部出力端子の出力信
号で制御することにより、GNDより低いレベルが電位
や電源より高いレベルの電位などのノイズをなくすとい
う効果がある。
号を駆動する例えばPチャネルMOSトランジスタ又は
NチャネルMOSトランジスタを外部出力端子の出力信
号で制御することにより、GNDより低いレベルが電位
や電源より高いレベルの電位などのノイズをなくすとい
う効果がある。
【図1】本発明の一実施例の出力バッファ回路を示す回
路図である。
路図である。
【図2】図1に示した回路の動作を示すタイミング図で
ある。
ある。
【図3】図1の回路の出力信号波形を示す波形図であ
る。
る。
【図4】従来の出力バッファ回路を示す回路図である。
1,7 2NAND回路 2,8 2NOR回路 3 3NOR回路 4,9 PチャネルMOSトランジスタ 5,6,10 NチャネルMOSトランジスタ Q,P 曲線
Claims (3)
- 【請求項1】 第1,第2の入力信号がいずれも入力に
導入される第1,第2の論理回路と、第1,第2のトラ
ンジスタの直列体とを備え、前記第1,第2の論理回路
の出力をそれぞれ前記第1,第2のトランジスタのゲー
ト入力となし、前記第1,第2のトランジスタの共通接
続点を出力端子となした出力バッファ回路において、前
記出力端子に主電極が接続された第3のトランジスタを
設け、前記第1,第2の入力端子が入力に導入されかつ
前記出力端子の信号が入力に導入される第3の論理回路
を設け、前記第3の論理回路の出力を前記第3のトラン
ジスタのゲートに接続したことを特徴とする出力バッフ
ァ回路。 - 【請求項2】 第3のトランジスタは、ソースが電源に
ドレインが出力端子に接続されたPチャネルMOSトラ
ンジスタである請求項1記載の出力バッファ回路。 - 【請求項3】 第3のトランジスタは、ソースが接地に
ドレインが出力端子に接続されたNチャネルMOSトラ
ンジスタである請求項1記載の出力バッファ回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3234241A JPH0575426A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 出力バツフア回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3234241A JPH0575426A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 出力バツフア回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0575426A true JPH0575426A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16967896
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3234241A Pending JPH0575426A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 出力バツフア回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0575426A (ja) |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP3234241A patent/JPH0575426A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2909990B2 (ja) | Cmos回路 | |
JPH04130770A (ja) | 半導体集積回路 | |
US20030189448A1 (en) | MOSFET inverter with controlled slopes and a method of making | |
KR100432573B1 (ko) | 임피던스 조절이 가능한 출력 구동 회로를 갖는 반도체 장치 | |
JP3077840B2 (ja) | 半導体集積回路の出力バッファ | |
JPH0575426A (ja) | 出力バツフア回路 | |
JPH05122049A (ja) | 出力バツフア回路 | |
JPH11312969A (ja) | 半導体回路 | |
KR940003399B1 (ko) | 저잡음 데이타 출력 버퍼 | |
JP2697024B2 (ja) | 出力回路 | |
JP2544796B2 (ja) | 半導体集積回路装置の入力回路 | |
JPH03258115A (ja) | インバータ回路装置 | |
JPH05259880A (ja) | 入出力バッファ回路 | |
JP2550674B2 (ja) | バス・ドライバ | |
JPH04217116A (ja) | 出力回路 | |
JP3050168B2 (ja) | デューティ制御回路 | |
JPH06104732A (ja) | Icの出力回路 | |
JPH05191258A (ja) | Cmos出力回路 | |
KR20010004028A (ko) | 씨모스 출력 버퍼 회로 | |
JPH05160706A (ja) | Cmos出力バッファ回路 | |
JPH0750562A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH05199099A (ja) | 出力バッファ回路 | |
JPH0879046A (ja) | 出力回路 | |
JPH04271516A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
KR19990054556A (ko) | 씨모스 전압 레벨 쉬프트 회로 |