JPH0574972A - Icパツケージ - Google Patents
IcパツケージInfo
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- JPH0574972A JPH0574972A JP26127891A JP26127891A JPH0574972A JP H0574972 A JPH0574972 A JP H0574972A JP 26127891 A JP26127891 A JP 26127891A JP 26127891 A JP26127891 A JP 26127891A JP H0574972 A JPH0574972 A JP H0574972A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frame
- chip
- circuit pattern
- package
- heat sink
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 リードを不要にして小型化し、高密度実装に
適するICパッケージを提供する。 【構成】 樹脂絶縁層間に形成したリード用回路パター
ンを有するプリント板からなる枠状のフレームと、この
フレームの下面から下方へ突出しないようにフレームの
枠内に形成されたICチップ収容部と、フレームの下面
に形成されリード用回路パターンに接続された電極パタ
ーンとを備える。ここに電極パターンは、フレームに設
けたスルーホールの一端が接続されたパッドで形成した
り、フレームに設けたスルーホールを縦に2分割する前
記フレームの端面で分割された半円環状のパッドで形成
することができる。ICチップ収容部は、フレームの上
面に固着されたヒートシンクと、前記フレームの枠内面
とで形成し、ICチップを前記ヒートシンクに固着して
もよい。
適するICパッケージを提供する。 【構成】 樹脂絶縁層間に形成したリード用回路パター
ンを有するプリント板からなる枠状のフレームと、この
フレームの下面から下方へ突出しないようにフレームの
枠内に形成されたICチップ収容部と、フレームの下面
に形成されリード用回路パターンに接続された電極パタ
ーンとを備える。ここに電極パターンは、フレームに設
けたスルーホールの一端が接続されたパッドで形成した
り、フレームに設けたスルーホールを縦に2分割する前
記フレームの端面で分割された半円環状のパッドで形成
することができる。ICチップ収容部は、フレームの上
面に固着されたヒートシンクと、前記フレームの枠内面
とで形成し、ICチップを前記ヒートシンクに固着して
もよい。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線板へIC
を高密度実装する場合に適するICパッケージに関する
ものである。
を高密度実装する場合に適するICパッケージに関する
ものである。
【0002】
【従来の技術および発明の背景】従来より種々のICパ
ッケージがある。例えばDIP(Dual Inline Packag
e)型、ミニフラット型、PGA(Pin Grid Aray )型
などが公知である。これら従来のICパッケージは、い
ずれも樹脂製の容器から突出する多数のリードを有す
る。このように多数のリードを有する場合にはパッケー
ジが大型化し、プリント配線板への実装密度を高める際
に、このリードの存在が障害になるという問題があっ
た。
ッケージがある。例えばDIP(Dual Inline Packag
e)型、ミニフラット型、PGA(Pin Grid Aray )型
などが公知である。これら従来のICパッケージは、い
ずれも樹脂製の容器から突出する多数のリードを有す
る。このように多数のリードを有する場合にはパッケー
ジが大型化し、プリント配線板への実装密度を高める際
に、このリードの存在が障害になるという問題があっ
た。
【0003】
【発明の目的】本発明はこのような事情に鑑みなされた
ものであり、リードを不要にして小型化し、高密度実装
に適するICパッケージを提供することを目的とする。
ものであり、リードを不要にして小型化し、高密度実装
に適するICパッケージを提供することを目的とする。
【0004】
【発明の構成】本発明によればこの目的は、樹脂絶縁層
間に形成したリード用回路パターンを有するプリント板
からなる枠状のフレームと、このフレームの下面から下
方へ突出しないように前記フレームの枠内に形成された
ICチップ収容部と、前記フレームの下面に形成され前
記リード用回路パターンに接続された電極パターンとを
備えることを特徴とするICパッケージにより達成され
る。
間に形成したリード用回路パターンを有するプリント板
からなる枠状のフレームと、このフレームの下面から下
方へ突出しないように前記フレームの枠内に形成された
ICチップ収容部と、前記フレームの下面に形成され前
記リード用回路パターンに接続された電極パターンとを
備えることを特徴とするICパッケージにより達成され
る。
【0005】
【実施例】図1は本発明の一実施例の概念を示す一部断
面した斜視図であり、斜め下から見た図である。図2は
そのプリント配線板への実装方法を示す断面図、図3は
製造工程説明図、図4は製造工程の流れ図である。
面した斜視図であり、斜め下から見た図である。図2は
そのプリント配線板への実装方法を示す断面図、図3は
製造工程説明図、図4は製造工程の流れ図である。
【0006】図1、2において符号10は枠状のフレー
ムであり、樹脂絶縁層間にリード用回路パターン18が
形成されたプリント板からなる。このフレーム10は図
3の(A)〜(F)、および図4のステップ100〜1
14に示す手順で作られるものである。そこで、その製
造方法につき説明しておく。
ムであり、樹脂絶縁層間にリード用回路パターン18が
形成されたプリント板からなる。このフレーム10は図
3の(A)〜(F)、および図4のステップ100〜1
14に示す手順で作られるものである。そこで、その製
造方法につき説明しておく。
【0007】まず銅張り積層板14を用意する(図4、
ステップ100)。この積層板14は、ガラス繊維にエ
ポキシ樹脂を含浸させて硬化させたガラスエポキシ板の
両面に銅箔を張ったものである。この積層板14の上面
には、その周縁より僅かに内側に沿って後記するスルー
ホール26のパッド16となる回路パターンが形成さ
れ、また下面にはリード用回路パターン18(図1参
照)が形成される(ステップ102)。これらパッド1
6、回路パターン18は公知のフォトレジストを用いた
エッチングにより形成される(図3の(A))。
ステップ100)。この積層板14は、ガラス繊維にエ
ポキシ樹脂を含浸させて硬化させたガラスエポキシ板の
両面に銅箔を張ったものである。この積層板14の上面
には、その周縁より僅かに内側に沿って後記するスルー
ホール26のパッド16となる回路パターンが形成さ
れ、また下面にはリード用回路パターン18(図1参
照)が形成される(ステップ102)。これらパッド1
6、回路パターン18は公知のフォトレジストを用いた
エッチングにより形成される(図3の(A))。
【0008】次に回路パターン18の一部、すなわち後
の工程でワイヤがボンディングされる部分に金メッキ2
0が施される(ステップ104、図3の(B))。そし
てこの回路パターン18の面にポリイミドの板22およ
び銅箔が積層される(ステップ106、図3の
(C))。この銅箔にはパッド16に対向するパッド2
4がエッチングにより形成される(ステップ108、図
3の(C))。
の工程でワイヤがボンディングされる部分に金メッキ2
0が施される(ステップ104、図3の(B))。そし
てこの回路パターン18の面にポリイミドの板22およ
び銅箔が積層される(ステップ106、図3の
(C))。この銅箔にはパッド16に対向するパッド2
4がエッチングにより形成される(ステップ108、図
3の(C))。
【0009】このように積層したプリント板には、前記
の各パッド16を貫通するスルーホール26が形成され
る(ステップ110、図3の(D))。このスルーホー
ル26は公知のように、上下面のパッド16、24を貫
通するドリル孔を明け、このドリル孔内面に金属メッキ
を施して両パッド16、24および内層の回路パターン
18とを電気的に接続するものである。
の各パッド16を貫通するスルーホール26が形成され
る(ステップ110、図3の(D))。このスルーホー
ル26は公知のように、上下面のパッド16、24を貫
通するドリル孔を明け、このドリル孔内面に金属メッキ
を施して両パッド16、24および内層の回路パターン
18とを電気的に接続するものである。
【0010】このようにスルーホール26ができると、
次にポリイミド層22の不要な部分をケミカルエッチン
グによって除去する(ステップ112、図3の
(E))。すなわち回路パターン18の金メッキ20を
形成した部分付近のポリイミド層22を除去する。そし
て積層板14の不要な部分である中央部分をNCルータ
により四角形に切り抜いたり、打抜き機により四角形に
打抜き、枠状のフレーム10ができ上がる(ステップ1
14、図3の(F))。
次にポリイミド層22の不要な部分をケミカルエッチン
グによって除去する(ステップ112、図3の
(E))。すなわち回路パターン18の金メッキ20を
形成した部分付近のポリイミド層22を除去する。そし
て積層板14の不要な部分である中央部分をNCルータ
により四角形に切り抜いたり、打抜き機により四角形に
打抜き、枠状のフレーム10ができ上がる(ステップ1
14、図3の(F))。
【0011】このようにフレーム10ができあがると、
その上面にヒートシンク28が接着され、フレーム10
の上面の開口部を気密に塞ぐ(ステップ116、図3の
(G))。ここにヒートシンク28はアルミニウム板や
ステンレス板などの熱伝導性の良い板で作られる。この
結果、フレーム10の枠内面とこのヒートシンク28の
下面とで囲まれ、下方に開いたICチップ収容部30が
形成される。
その上面にヒートシンク28が接着され、フレーム10
の上面の開口部を気密に塞ぐ(ステップ116、図3の
(G))。ここにヒートシンク28はアルミニウム板や
ステンレス板などの熱伝導性の良い板で作られる。この
結果、フレーム10の枠内面とこのヒートシンク28の
下面とで囲まれ、下方に開いたICチップ収容部30が
形成される。
【0012】次にフレーム10の周縁に沿って並んだ多
数のスルーホール26の中心を通る平面で周縁がカット
される(ステップ118、図3の(G)参照)。このカ
ットにより半分に割られたスルーホール26の内面がフ
レーム10の端面に現れ、その上・下端はそれぞれ半分
にカットされたパッド16a、24aに接続している。
下面のパッド24aはスルーホール26を介して前記リ
ード用回路パターン18に接続された外部接続用の電極
パターンとなるものである。すなわちこの実施例では、
回路パターン18およびスルーホール26、パッド24
aにより、通常のICにおけるリードが形成される。
数のスルーホール26の中心を通る平面で周縁がカット
される(ステップ118、図3の(G)参照)。このカ
ットにより半分に割られたスルーホール26の内面がフ
レーム10の端面に現れ、その上・下端はそれぞれ半分
にカットされたパッド16a、24aに接続している。
下面のパッド24aはスルーホール26を介して前記リ
ード用回路パターン18に接続された外部接続用の電極
パターンとなるものである。すなわちこの実施例では、
回路パターン18およびスルーホール26、パッド24
aにより、通常のICにおけるリードが形成される。
【0013】32はICチップであり、このICチップ
32の裏面はこのチップ収容部30の内側からヒートシ
ンク28に接着固定される(ステップ120、図3の
(H))。そしてこのICチップ32と回路パターン1
8の金めっき20の部分とが、金線などのワイヤ34に
より接続される(ステップ122)。この状態でチップ
収容部30には封止用樹脂36が充填される(ステップ
124)。ここに封止用樹脂36はフレーム10の下面
よりも下方へ突出しないようにする。
32の裏面はこのチップ収容部30の内側からヒートシ
ンク28に接着固定される(ステップ120、図3の
(H))。そしてこのICチップ32と回路パターン1
8の金めっき20の部分とが、金線などのワイヤ34に
より接続される(ステップ122)。この状態でチップ
収容部30には封止用樹脂36が充填される(ステップ
124)。ここに封止用樹脂36はフレーム10の下面
よりも下方へ突出しないようにする。
【0014】このように作られたICパッケージ38
は、図2に示すようにクリームはんだ40を用いてプリ
ント配線板42に実装される。ここにプリント配線板4
2には、このICパッケージ38の周縁に作られた半円
環状の各パッド24aに対応する回路パターン44が形
成されている。クリームはんだ40はICパッケージ3
8側の各パッド24aに対応する回路パターン44上の
所定位置に、印刷やディスペンサなどを用いて供給され
る。ICパッケージ38はこのクリームはんだ40によ
って仮止めされた後、リフロー炉において加熱される。
この加熱によってクリームはんだ40が溶融し、はんだ
40は表面張力によってスルーホール26の半円弧状の
内面に吸い上げられて凝固する。
は、図2に示すようにクリームはんだ40を用いてプリ
ント配線板42に実装される。ここにプリント配線板4
2には、このICパッケージ38の周縁に作られた半円
環状の各パッド24aに対応する回路パターン44が形
成されている。クリームはんだ40はICパッケージ3
8側の各パッド24aに対応する回路パターン44上の
所定位置に、印刷やディスペンサなどを用いて供給され
る。ICパッケージ38はこのクリームはんだ40によ
って仮止めされた後、リフロー炉において加熱される。
この加熱によってクリームはんだ40が溶融し、はんだ
40は表面張力によってスルーホール26の半円弧状の
内面に吸い上げられて凝固する。
【0015】図5は他の実施例の一部断面図、図6はそ
の下面の斜視図である。この実施例のパッケージ38A
では、フレーム10Aに、前記図1〜3に示したスルー
ホール26の他に、各スルーホール26の間にあってフ
レーム10Aの周縁よりも内側に位置する他のスルーホ
ール26Aを形成した。このためスルーホール26およ
び26Aのパッド24a、24Aは、図6に示すように
ジグザグに配置される。なお各スルーホール26、26
Aには、異なるリード用回路パターン18Aが接続され
るのは勿論である。またこの実施例では図5に示すよう
に、ヒートシンク28Aに多数の円柱型または角柱型の
突起50を設け、ヒートシンク28Aの放熱性を向上さ
せた。
の下面の斜視図である。この実施例のパッケージ38A
では、フレーム10Aに、前記図1〜3に示したスルー
ホール26の他に、各スルーホール26の間にあってフ
レーム10Aの周縁よりも内側に位置する他のスルーホ
ール26Aを形成した。このためスルーホール26およ
び26Aのパッド24a、24Aは、図6に示すように
ジグザグに配置される。なお各スルーホール26、26
Aには、異なるリード用回路パターン18Aが接続され
るのは勿論である。またこの実施例では図5に示すよう
に、ヒートシンク28Aに多数の円柱型または角柱型の
突起50を設け、ヒートシンク28Aの放熱性を向上さ
せた。
【0016】以上の実施例はヒートシンク28、28A
にICチップ32を直接接着することにより固定したの
で放熱性が良くなり、特にLSIや発熱量の大きい電力
用IC、特定用途向けIC(ASIC)などに好適なも
のとなる。
にICチップ32を直接接着することにより固定したの
で放熱性が良くなり、特にLSIや発熱量の大きい電力
用IC、特定用途向けIC(ASIC)などに好適なも
のとなる。
【0017】
【発明の効果】請求項1の発明は以上のように、絶縁層
(14、22)間にリード用回路パターン(18)を形
成したプリント板からなる枠状のフレーム(10、10
A)の下面に電極パターン(24a、24A)を形成
し、これをリード用回路パターン(18、18A)に接
続する一方、フレーム(10、10A)の枠内にICチ
ップ(32)を収容したものであるから、DIP型、ミ
ニフラット型、PGA型などのようにフレームから突出
する金属製のリードを用いることなく、パッケージ(3
8、38A)の下面を直接プリント配線板(42)には
んだ付けすることが可能になる。リードが不要であるか
らパッケージ(38、38A)を小型化でき、実装密度
を高めることが可能になる。
(14、22)間にリード用回路パターン(18)を形
成したプリント板からなる枠状のフレーム(10、10
A)の下面に電極パターン(24a、24A)を形成
し、これをリード用回路パターン(18、18A)に接
続する一方、フレーム(10、10A)の枠内にICチ
ップ(32)を収容したものであるから、DIP型、ミ
ニフラット型、PGA型などのようにフレームから突出
する金属製のリードを用いることなく、パッケージ(3
8、38A)の下面を直接プリント配線板(42)には
んだ付けすることが可能になる。リードが不要であるか
らパッケージ(38、38A)を小型化でき、実装密度
を高めることが可能になる。
【0018】ここに電極パターンはフレームに設けたス
ルーホール(26、26A)の一方のパッド(24a、
24A)で形成し、このスルーホール(26、26A)
によってフレーム(10、10A)内のリード用回路パ
ターン(18)とこのパッド(24a、24A)とを接
続することができる(請求項2)。このスルーホールお
よびパッドをフレーム外周縁のカットと同時に半分に割
り、半円環状のパッド24aを電極パターンとしてもよ
い(請求項3)。さらにフレーム(10、10A)の上
面にヒートシンク(28、28A)を固着してICチッ
プ収容部(30)を形成し、このヒートシンク(28、
28A)にICチップ収容部(30)側から接着すれ
ば、放熱性が向上する(請求項4)。
ルーホール(26、26A)の一方のパッド(24a、
24A)で形成し、このスルーホール(26、26A)
によってフレーム(10、10A)内のリード用回路パ
ターン(18)とこのパッド(24a、24A)とを接
続することができる(請求項2)。このスルーホールお
よびパッドをフレーム外周縁のカットと同時に半分に割
り、半円環状のパッド24aを電極パターンとしてもよ
い(請求項3)。さらにフレーム(10、10A)の上
面にヒートシンク(28、28A)を固着してICチッ
プ収容部(30)を形成し、このヒートシンク(28、
28A)にICチップ収容部(30)側から接着すれ
ば、放熱性が向上する(請求項4)。
【図1】本発明の一実施例の概念を示す一部断面した斜
視図
視図
【図2】そのプリント配線板への実装方法を示す断面図
【図3】製造工程説明図
【図4】製造工程の流れ図
【図5】他の実施例の断面図
【図6】同じく下面の斜視図
10、10A フレーム 14 絶縁層としての銅張積層板 18 リード用回路パターン 20 金メッキ 22 絶縁層としてのポリイミド板 24a、24A 電極パターンとしてのパッド 26、26A スルーホール 28、28A ヒートシンク 30 ICチップ収容部 32 ICチップ 38、38A ICパッケージ
Claims (4)
- 【請求項1】 樹脂絶縁層間に形成したリード用回路パ
ターンを有するプリント板からなる枠状のフレームと、
このフレームの下面から下方へ突出しないように前記フ
レームの枠内に形成されたICチップ収容部と、前記フ
レームの下面に形成され前記リード用回路パターンに接
続された電極パターンとを備えることを特徴とするIC
パッケージ。 - 【請求項2】 電極パターンは、前記フレームに設けた
スルーホールの一端が接続されたパッドで形成されてい
る請求項1のICパッケージ。 - 【請求項3】 電極パターンは、前記フレームに設けた
スルーホールを縦に2分割する前記フレームの端面で分
割された半円環状のパッドで形成されている請求項2の
ICパッケージ。 - 【請求項4】 ICチップ収容部は、前記フレームの上
面に固着されたヒートシンクと、前記フレームの枠内面
とで形成され、ICチップは前記ヒートシンクに固着さ
れている請求項1のICパッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26127891A JPH0574972A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | Icパツケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26127891A JPH0574972A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | Icパツケージ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0574972A true JPH0574972A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17359601
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26127891A Pending JPH0574972A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | Icパツケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0574972A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08255850A (ja) * | 1995-03-16 | 1996-10-01 | Nec Corp | 半導体装置 |
US5646444A (en) * | 1995-10-05 | 1997-07-08 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for mounting a component to an electrical circuit |
KR100533762B1 (ko) * | 2000-07-18 | 2005-12-06 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59198739A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-10 | Nec Corp | チツプキヤリア |
JPS6082300A (ja) * | 1983-10-08 | 1985-05-10 | Katsuyuki Hata | 空缶の圧潰装置 |
JPS63107129A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-12 | Nec Corp | チツプキヤリア |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP26127891A patent/JPH0574972A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59198739A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-10 | Nec Corp | チツプキヤリア |
JPS6082300A (ja) * | 1983-10-08 | 1985-05-10 | Katsuyuki Hata | 空缶の圧潰装置 |
JPS63107129A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-12 | Nec Corp | チツプキヤリア |
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KR100533762B1 (ko) * | 2000-07-18 | 2005-12-06 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지 |
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