JP2686156B2 - 熱放散型半導体パッケージ - Google Patents
熱放散型半導体パッケージInfo
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- JP2686156B2 JP2686156B2 JP1266782A JP26678289A JP2686156B2 JP 2686156 B2 JP2686156 B2 JP 2686156B2 JP 1266782 A JP1266782 A JP 1266782A JP 26678289 A JP26678289 A JP 26678289A JP 2686156 B2 JP2686156 B2 JP 2686156B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- substrate
- heat sink
- metal
- semiconductor package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はピングリッドアレイなどの半導体パッケージ
において半導体チップの熱を放熱するようにした熱放散
型半導体パッケージに関するものである。
において半導体チップの熱を放熱するようにした熱放散
型半導体パッケージに関するものである。
［従来の技術］ 従来のこの種の熱放散型半導体パッケージにあって
は、例えば第８図（ａ）（ｂ）に示すように絶縁体で形
成せる基板１の一方の片面に設けた凹所２に半導体チッ
プ３を実装し、基板１内に銅コアのような金属コア４を
埋設し、基板１の他方の片面から金属コア４に連通する
穴５を穿孔し、ヒートシンク６の脚部6aを穴５に挿入し
て金属コア４とヒートシンク６の脚部6aとを接合してあ
る。また他のものとしては第９図に示すように基板１に
他方の片面から一部が突出するように銅コアのような金
属コア４を埋設し、金属コア４の突出部4aにヒートシン
ク６を接合したものがある。
は、例えば第８図（ａ）（ｂ）に示すように絶縁体で形
成せる基板１の一方の片面に設けた凹所２に半導体チッ
プ３を実装し、基板１内に銅コアのような金属コア４を
埋設し、基板１の他方の片面から金属コア４に連通する
穴５を穿孔し、ヒートシンク６の脚部6aを穴５に挿入し
て金属コア４とヒートシンク６の脚部6aとを接合してあ
る。また他のものとしては第９図に示すように基板１に
他方の片面から一部が突出するように銅コアのような金
属コア４を埋設し、金属コア４の突出部4aにヒートシン
ク６を接合したものがある。
［発明が解決しようとする課題］ しかしかかる従来例の前者にあっては、金属コア４を
表面に露出させるのに穴５を加工しなければならなく、
穴５を加工するのに工数が増える上、ヒートシンク６が
取り付けにくいという問題があった。また従来例の後者
にあってはヒートシンク６を取り付けやすいが、金属コ
ア４が外れやすいという問題があった。
表面に露出させるのに穴５を加工しなければならなく、
穴５を加工するのに工数が増える上、ヒートシンク６が
取り付けにくいという問題があった。また従来例の後者
にあってはヒートシンク６を取り付けやすいが、金属コ
ア４が外れやすいという問題があった。
本発明は叙述の点に鑑みてなされたものであって、本
発明の目的とするところはヒートシンクを簡単に取り付
けることができると共にヒートシンクを確実に取り付け
ることができる熱放散型半導体パッケージを提供するに
ある。
発明の目的とするところはヒートシンクを簡単に取り付
けることができると共にヒートシンクを確実に取り付け
ることができる熱放散型半導体パッケージを提供するに
ある。
［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するため本発明熱放散型半導体パッケ
ージは、絶縁体で形成せる基板１の一方の片面に半導体
チップ３を実装し、基板１内に半導体チップ３からの熱
を伝達する金属コア４を内装すると共に基板１の他方の
片面に積層した金属箔７と金属コア４とを高熱伝導性接
着剤８にて接着し、金属箔７にヒートシンク６と接続す
る突出部7aを設けて成ることを特徴とする。
ージは、絶縁体で形成せる基板１の一方の片面に半導体
チップ３を実装し、基板１内に半導体チップ３からの熱
を伝達する金属コア４を内装すると共に基板１の他方の
片面に積層した金属箔７と金属コア４とを高熱伝導性接
着剤８にて接着し、金属箔７にヒートシンク６と接続す
る突出部7aを設けて成ることを特徴とする。
［作用］ 金属コア４から高熱伝導性接着剤８を介して金属箔７
の突出部7aに熱がスムーズに伝達され、突出部7aに取り
付けたヒートシンク６からスムーズに放熱できる。ヒー
トシンク６を突出部7aに取り付けるので簡単にヒートシ
ンク６を取り付けることができる。突出部7aがあっても
高熱伝導性接着剤８にて基板１に埋設した金属コア５に
一体化されているので外れないように確実に取り付ける
ことができる。
の突出部7aに熱がスムーズに伝達され、突出部7aに取り
付けたヒートシンク６からスムーズに放熱できる。ヒー
トシンク６を突出部7aに取り付けるので簡単にヒートシ
ンク６を取り付けることができる。突出部7aがあっても
高熱伝導性接着剤８にて基板１に埋設した金属コア５に
一体化されているので外れないように確実に取り付ける
ことができる。
［実施例］ 基板１は例えばガラスポリイミド積層板、ガラスエポ
キシ積層板等の絶縁体にて形成されている。第１図に示
すように基板１の下面には凹所２が設けられ、この凹所
２内に半導体チップ３が実装されている。基板１の一方
の片面には回路９が形成されており、この回路９と半導
体チップ３とがワイヤ10等によるボンディングにて接続
してある。基板１内には半導体チッブ３からの熱を伝達
する銅コアのような金属コア４を埋設してある。基板１
の他方の片面には比較的厚さの厚い銅箔のような金属箔
７が積層されており、この金属箔７と金属コア５とは高
熱伝導性接着剤８にて接着されている。この高熱伝導性
接着剤８としては例えば樹脂含浸ガラス繊維のようなプ
リプレグタイプのものがある。このプリプレグタイプの
場合、ガラスエポキシやガラスポリイミドがあり、熱伝
導性をよくするためアルミナ等を加えてある。この高熱
伝導性接着剤８としてはガラス繊維のないプリプレグタ
イプでないものでもよいが、この場合樹脂の粘度を増す
ために微粉シリカやタルクを加えてある。上記金属箔７
には化学的なエッチング加工が施され、金属コア４に対
応する部分に突出部7aが形成されると共に残りの部分に
回路部7bが形成されている。かかる突出部7aの高さＨは
エッチングで任意の高さを変えることができる。基板１
に上下に貫通するようにスルホール11が設けられ、スル
ホール11にピン12を挿通してピン12が取り付けられてい
る。ヒートシンク６は放熱をよくするため多数のひれ13
を設けて形成され、第２図に示すようにヒートシンク６
の底面を突出部7aに重ねて接合されている。かかるヒー
トシンク６の形状は第３図に示すようなものでも第４図
に示すようなものでも、放熱性のよいものであればその
他の形状であってもよい。しかして半導体チップ３で発
生する熱は金属コア５、高熱伝導性接着剤８、金属箔７
の突出部7aを介してヒートシンク６に伝達されて効果的
に放熱される。
キシ積層板等の絶縁体にて形成されている。第１図に示
すように基板１の下面には凹所２が設けられ、この凹所
２内に半導体チップ３が実装されている。基板１の一方
の片面には回路９が形成されており、この回路９と半導
体チップ３とがワイヤ10等によるボンディングにて接続
してある。基板１内には半導体チッブ３からの熱を伝達
する銅コアのような金属コア４を埋設してある。基板１
の他方の片面には比較的厚さの厚い銅箔のような金属箔
７が積層されており、この金属箔７と金属コア５とは高
熱伝導性接着剤８にて接着されている。この高熱伝導性
接着剤８としては例えば樹脂含浸ガラス繊維のようなプ
リプレグタイプのものがある。このプリプレグタイプの
場合、ガラスエポキシやガラスポリイミドがあり、熱伝
導性をよくするためアルミナ等を加えてある。この高熱
伝導性接着剤８としてはガラス繊維のないプリプレグタ
イプでないものでもよいが、この場合樹脂の粘度を増す
ために微粉シリカやタルクを加えてある。上記金属箔７
には化学的なエッチング加工が施され、金属コア４に対
応する部分に突出部7aが形成されると共に残りの部分に
回路部7bが形成されている。かかる突出部7aの高さＨは
エッチングで任意の高さを変えることができる。基板１
に上下に貫通するようにスルホール11が設けられ、スル
ホール11にピン12を挿通してピン12が取り付けられてい
る。ヒートシンク６は放熱をよくするため多数のひれ13
を設けて形成され、第２図に示すようにヒートシンク６
の底面を突出部7aに重ねて接合されている。かかるヒー
トシンク６の形状は第３図に示すようなものでも第４図
に示すようなものでも、放熱性のよいものであればその
他の形状であってもよい。しかして半導体チップ３で発
生する熱は金属コア５、高熱伝導性接着剤８、金属箔７
の突出部7aを介してヒートシンク６に伝達されて効果的
に放熱される。
また第５図は他の実施例を示す。本実施例の場合、基
板１の他方の片面に全面に亘って高熱伝導性接着剤８を
設けて金属箔７を積層してある。この実施例の場合の製
造方法を具体的に第６図により説明する。先ず第６図
（ａ）に示すように基板１の主要部となるコア材1aの略
中央の開口に銅コアのような金属コア５が配置され、コ
ア材1aの上下に高熱伝導性接着剤８が積層され、上の高
熱伝導性接着剤８の上に厚さの厚い銅箔のような金属箔
７が積層され、下の高熱伝導性接着剤８の下に回路９を
形成するための薄い銅箔のような金属箔14が積層され
る。次いで加熱加圧成形して第６図（ｂ）のような積層
板が形成され、次いで第６図（ｃ）に座ぐり加工及びド
リル加工にてスルホール11と凹部２が形成される。次い
でパネルメッキの工程でスルホール11や金属箔7,14の表
面の全面に銅メッキのようなメッキが施される。次いで
第６図（ｅ）に示すように金属箔７に一次回路形成加工
が行なわれて突出部7aと薄金属層7cが形成される。この
とき突出部7aの高さＨはエッチングで自由にコントロー
ルできる。次いで第６図（ｆ）に示すように薄金属層7c
に二次回路形成加工が施されて回路部7bが形成される。
次いで第６図（ｇ）に示すように回路部7bにソルダーレ
ジスト15が印刷される。なお金属箔14をエッチングして
回路９を形成する工程はパネルメッキした後なら何処で
行ってもよい。上記のように加工した後、半導体チップ
３を実装してボンディングし、端子12やヒートシンク６
を取り付けて熱放散型半導体パッケージが組み立てられ
る。
板１の他方の片面に全面に亘って高熱伝導性接着剤８を
設けて金属箔７を積層してある。この実施例の場合の製
造方法を具体的に第６図により説明する。先ず第６図
（ａ）に示すように基板１の主要部となるコア材1aの略
中央の開口に銅コアのような金属コア５が配置され、コ
ア材1aの上下に高熱伝導性接着剤８が積層され、上の高
熱伝導性接着剤８の上に厚さの厚い銅箔のような金属箔
７が積層され、下の高熱伝導性接着剤８の下に回路９を
形成するための薄い銅箔のような金属箔14が積層され
る。次いで加熱加圧成形して第６図（ｂ）のような積層
板が形成され、次いで第６図（ｃ）に座ぐり加工及びド
リル加工にてスルホール11と凹部２が形成される。次い
でパネルメッキの工程でスルホール11や金属箔7,14の表
面の全面に銅メッキのようなメッキが施される。次いで
第６図（ｅ）に示すように金属箔７に一次回路形成加工
が行なわれて突出部7aと薄金属層7cが形成される。この
とき突出部7aの高さＨはエッチングで自由にコントロー
ルできる。次いで第６図（ｆ）に示すように薄金属層7c
に二次回路形成加工が施されて回路部7bが形成される。
次いで第６図（ｇ）に示すように回路部7bにソルダーレ
ジスト15が印刷される。なお金属箔14をエッチングして
回路９を形成する工程はパネルメッキした後なら何処で
行ってもよい。上記のように加工した後、半導体チップ
３を実装してボンディングし、端子12やヒートシンク６
を取り付けて熱放散型半導体パッケージが組み立てられ
る。
なお上記実施例ではピングリッドアレイと称される半
導体パッケージについて述べたが、ピン12の代わりに第
７図（ａ）（ｂ）に示すようにリード線16を用いたもの
でも同様に実施できる。
導体パッケージについて述べたが、ピン12の代わりに第
７図（ａ）（ｂ）に示すようにリード線16を用いたもの
でも同様に実施できる。
［発明の効果］ 本発明は叙述の如く基板内に半導体チップからの熱を
伝達する金属コアを内装すると共に基板の他方の片面に
積層した金属箔と金属コアとを高熱伝導性接着剤にて接
着し、金属箔にヒートシンクと接続する突出部を設けて
いるので、基板内に金属コアを埋設してあっても高熱伝
導性接着剤を介して突出部に熱をスムーズに伝達できる
と共にこの突出部にヒートシンクを取り付けることがで
きるものであって、金属コアが外れないように確実に取
り付けるできると共にヒートシンクを簡単に取り付ける
ことができるものであり、しかも従来のように穴を設け
たりすることがないので組み立ての工程も少なくできる
ものであり、さらに熱抵抗が少なくてスムーズに放熱で
きるものである。
伝達する金属コアを内装すると共に基板の他方の片面に
積層した金属箔と金属コアとを高熱伝導性接着剤にて接
着し、金属箔にヒートシンクと接続する突出部を設けて
いるので、基板内に金属コアを埋設してあっても高熱伝
導性接着剤を介して突出部に熱をスムーズに伝達できる
と共にこの突出部にヒートシンクを取り付けることがで
きるものであって、金属コアが外れないように確実に取
り付けるできると共にヒートシンクを簡単に取り付ける
ことができるものであり、しかも従来のように穴を設け
たりすることがないので組み立ての工程も少なくできる
ものであり、さらに熱抵抗が少なくてスムーズに放熱で
きるものである。
第１図は本発明の一実施例の概略断面図、第２図は同上
のヒートシンクを取り付けた状態の断面図、第３図
（ａ）（ｂ）（ｃ）は同上のヒートシンクの一例の正面
図、平面図及び側面図、第４図（ａ）（ｂ）（ｃ）は同
上のヒートシンクの他例の正面図、平面図及び側面図、
第５図は同上の他例の概略断面図、第６図（ａ）（ｂ）
（ｃ）（ｄ）（ｅ）（ｆ）（ｇ）は同上の製造工程を説
明する断面図、第７図（ａ）（ｂ）は同上のさらに他の
実施例の断面図、第８図（ａ）は従来例の断面図、第８
図（ｂ）は第８図（ａ）のヒートシンクを取り付けた状
態の断面図、第９図は同上の他の従来例の断面図であっ
て、１は基板、３は半導体チップ、４は金属コア、６は
ヒートシンク、７は金属箔、7aは突出部である。
のヒートシンクを取り付けた状態の断面図、第３図
（ａ）（ｂ）（ｃ）は同上のヒートシンクの一例の正面
図、平面図及び側面図、第４図（ａ）（ｂ）（ｃ）は同
上のヒートシンクの他例の正面図、平面図及び側面図、
第５図は同上の他例の概略断面図、第６図（ａ）（ｂ）
（ｃ）（ｄ）（ｅ）（ｆ）（ｇ）は同上の製造工程を説
明する断面図、第７図（ａ）（ｂ）は同上のさらに他の
実施例の断面図、第８図（ａ）は従来例の断面図、第８
図（ｂ）は第８図（ａ）のヒートシンクを取り付けた状
態の断面図、第９図は同上の他の従来例の断面図であっ
て、１は基板、３は半導体チップ、４は金属コア、６は
ヒートシンク、７は金属箔、7aは突出部である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加納 武司 大阪府門真市大字門真1048番地 松下電 工株式会社内 (72)発明者 樋口 徹 大阪府門真市大字門真1048番地 松下電 工株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁体で形成せる基板の一方の片面に半導
体チップを実装し、基板内に半導体チップからの熱を伝
達する金属コアを内装すると共に基板の他方の片面に積
層した金属箔と金属コアとを高熱伝導性接着剤にて接着
し、金属箔にヒートシンクと接続する突出部を設けて成
ることを特徴とする熱放散型半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1266782A JP2686156B2 (ja) | 1989-10-14 | 1989-10-14 | 熱放散型半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1266782A JP2686156B2 (ja) | 1989-10-14 | 1989-10-14 | 熱放散型半導体パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03129757A JPH03129757A (ja) | 1991-06-03 |
| JP2686156B2 true JP2686156B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=17435615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1266782A Expired - Lifetime JP2686156B2 (ja) | 1989-10-14 | 1989-10-14 | 熱放散型半導体パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2686156B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10242354A (ja) * | 1997-02-24 | 1998-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱伝導部材およびそれを用いた電子装置 |
-
1989
- 1989-10-14 JP JP1266782A patent/JP2686156B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03129757A (ja) | 1991-06-03 |
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