JPH03129757A - 熱放散型半導体パッケージ - Google Patents
熱放散型半導体パッケージInfo
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- JPH03129757A JPH03129757A JP1266782A JP26678289A JPH03129757A JP H03129757 A JPH03129757 A JP H03129757A JP 1266782 A JP1266782 A JP 1266782A JP 26678289 A JP26678289 A JP 26678289A JP H03129757 A JPH03129757 A JP H03129757A
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- Japan
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明はビングリ・ンドアレイなどの半導体パッケージ
において半導体チップの熱を放熱するようにした熱放散
型半導体バ７ケーノに関するものである。
において半導体チップの熱を放熱するようにした熱放散
型半導体バ７ケーノに関するものである。
【従来の技術１
ては、例えば第８図（ａ）（ｂ）に示すように絶縁体で
形成せる基板１の一方の片面に設けた凹所２に牛醇体チ
ップ３を実装し、基板１内に銅コアのような金属コア４
を埋設し、基板１の他方の片面から金属コア４に連通す
る穴５を穿孔し、ヒートシンク６の脚部６ａを穴５に挿
入して金属コア４とヒートシンク６の３！４１部６ａと
を接合しである。また他のものとしては第９図に示すよ
うに基＠１に他方の片面から一部が突出するようにＴＩ
４：Ｉアのような金属コア４を埋設し、金属コア４の突
出部４ａにヒートシンク６を接合したものがある。
形成せる基板１の一方の片面に設けた凹所２に牛醇体チ
ップ３を実装し、基板１内に銅コアのような金属コア４
を埋設し、基板１の他方の片面から金属コア４に連通す
る穴５を穿孔し、ヒートシンク６の脚部６ａを穴５に挿
入して金属コア４とヒートシンク６の３！４１部６ａと
を接合しである。また他のものとしては第９図に示すよ
うに基＠１に他方の片面から一部が突出するようにＴＩ
４：Ｉアのような金属コア４を埋設し、金属コア４の突
出部４ａにヒートシンク６を接合したものがある。
［発明が解決しようとする課題］
しかしかかる従来例の前者にあっては、金属フ７４を表
面に露出させるのに穴５を加工しなければならなく、穴
５を加工するのに工数が増える上、ヒートシンク６が取
り付けにくいという問題があった。また従来例の後者に
あってはヒートシンク６を取り付けやすいが、金属コア
４が外れやすいという問題があった。
面に露出させるのに穴５を加工しなければならなく、穴
５を加工するのに工数が増える上、ヒートシンク６が取
り付けにくいという問題があった。また従来例の後者に
あってはヒートシンク６を取り付けやすいが、金属コア
４が外れやすいという問題があった。
て、本発明の目的とするところはヒートシンクを簡単に
取り付けることができると共にヒートシンクを確実に取
り付けることができる熱放散型半導体パッケージを提供
するにある。
取り付けることができると共にヒートシンクを確実に取
り付けることができる熱放散型半導体パッケージを提供
するにある。
ＥａＢを解決するための手段］
上記目的を遠戚するため本発明熱放散型半導体パッケー
ジは、絶縁体で形成せる基板１の一方の片面に半導体チ
ップ３を実装し、基板１内に半導体チップ３からの熱を
伝達する金属コア４を内装すると共に基板１の他方の片
面に積層した４を属箔７と金属コア４とを高熱伝導性接
着剤８にて接着し、金属［７にヒートシンク６と接続す
る突出部７ａを設けで戒ることを特徴とする。
ジは、絶縁体で形成せる基板１の一方の片面に半導体チ
ップ３を実装し、基板１内に半導体チップ３からの熱を
伝達する金属コア４を内装すると共に基板１の他方の片
面に積層した４を属箔７と金属コア４とを高熱伝導性接
着剤８にて接着し、金属［７にヒートシンク６と接続す
る突出部７ａを設けで戒ることを特徴とする。
【作用］
金属コア４から高熱伝導性接着剤８を介して金属Ｍ７の
突出部７ａに熱がスムーズに伝達され、突出部７ａに取
り付けたヒートシンク６からスムーズに放熱できる。ヒ
ートシンク６を突出部７ａに取り付けるので簡単にヒー
トシンク６を取り付けることができる。突出部マａがあ
っても高熱伝導性接着剤８にて基板１に埋設した金属ニ
ア７５に一体化されているので外れないように確実に取
り付けることができる。
突出部７ａに熱がスムーズに伝達され、突出部７ａに取
り付けたヒートシンク６からスムーズに放熱できる。ヒ
ートシンク６を突出部７ａに取り付けるので簡単にヒー
トシンク６を取り付けることができる。突出部マａがあ
っても高熱伝導性接着剤８にて基板１に埋設した金属ニ
ア７５に一体化されているので外れないように確実に取
り付けることができる。
【実施例１
基板１は例えばガラスポリイミド積層板、ガラスエポキ
シ積層板等の絶縁体にて形成されている。
シ積層板等の絶縁体にて形成されている。
第１図に示すように基板１の下面には凹所２が設けられ
、この凹所２内に半導体チップ３が実装されている。基
板１の一方の片面には回路９が形成されており、この回
路９と半導体チップ３とがツーイヤ１０等によるボンデ
ィングにて接続しである。
、この凹所２内に半導体チップ３が実装されている。基
板１の一方の片面には回路９が形成されており、この回
路９と半導体チップ３とがツーイヤ１０等によるボンデ
ィングにて接続しである。
基板１内には半導体チップ３がらの熱を伝達する銅コア
のような金属コア４を埋設しである。基板１の他方の片
面には比較的厚さの厚い０！箔のような金属［７が積層
されており、この金属箔７と金属コア５とは高熱伝導性
接着剤８にて接着されている。この高熱伝導性接着剤８
としては例えば樹脂含浸がラス線維のようなプリプレグ
タイプのものがある。このプリプレグタイプの場合、グ
ラスエポキシやがフスポリイミドがあり、熱伝導性をよ
くするためアルミナ等を加えである。この高熱伝導性接
着Ｍ８としては〃ラス繊維のないプリプレグタイプでな
いものでもよいが、この場合樹脂の粘度を増すために微
粉シリカやタルクを加えである。上記金属Ｍ７には化学
的なエツチング加工が施され、金属コア４に対応する部
分に突出部７ａが形成されると共に残りの部分に回路部
７ｂが形成されている。かがる突出部７ａの高さＨはエ
ツチングで任意の高さに変えることができる。基板１に
上下に貫通するようにスルホール１１が設けられ、スル
ホール１１にピン１２を挿通してピン１２が取り付けら
れている。ヒートシンク６は放熱をよくするため多数の
ひれ１３を設けて形成され、第２図に示すようにヒート
シンク６の底面を突出部７ａに重ねて接合されている。
のような金属コア４を埋設しである。基板１の他方の片
面には比較的厚さの厚い０！箔のような金属［７が積層
されており、この金属箔７と金属コア５とは高熱伝導性
接着剤８にて接着されている。この高熱伝導性接着剤８
としては例えば樹脂含浸がラス線維のようなプリプレグ
タイプのものがある。このプリプレグタイプの場合、グ
ラスエポキシやがフスポリイミドがあり、熱伝導性をよ
くするためアルミナ等を加えである。この高熱伝導性接
着Ｍ８としては〃ラス繊維のないプリプレグタイプでな
いものでもよいが、この場合樹脂の粘度を増すために微
粉シリカやタルクを加えである。上記金属Ｍ７には化学
的なエツチング加工が施され、金属コア４に対応する部
分に突出部７ａが形成されると共に残りの部分に回路部
７ｂが形成されている。かがる突出部７ａの高さＨはエ
ツチングで任意の高さに変えることができる。基板１に
上下に貫通するようにスルホール１１が設けられ、スル
ホール１１にピン１２を挿通してピン１２が取り付けら
れている。ヒートシンク６は放熱をよくするため多数の
ひれ１３を設けて形成され、第２図に示すようにヒート
シンク６の底面を突出部７ａに重ねて接合されている。
かがるヒートシンク６の形状は第３図に示すようなもの
でも第４図に示すようなものでも、放熱性のよいもので
あればその他の形状であってもよい。しかして半導体チ
ップ３で発生する熱は金属コア５、高熱伝導性接着剤８
、金属箔マの突出部７ａを介してヒートシンク６に伝達
されて効果的に放熱される。
でも第４図に示すようなものでも、放熱性のよいもので
あればその他の形状であってもよい。しかして半導体チ
ップ３で発生する熱は金属コア５、高熱伝導性接着剤８
、金属箔マの突出部７ａを介してヒートシンク６に伝達
されて効果的に放熱される。
またＰＩＩＪ５図は他の実施例を示す。本実施例の場合
、基板１の他方の片面に全面に亘って高熱伝導性接着剤
８を設けて金属Ｍ７を積層しである。この実施例の場合
の！！遣方法を具体的に第６図により説明する。先ずｔ
ｊ４ｉ３図（ａ）に示すように基板１の主要部となるコ
ア材１ａの略中夫の開口に銅コアのような金属コア５が
配置され、コア材１ａの上下に高熱伝導性接着剤８が積
層され、上の高熱伝導性接着剤８の上に厚さの厚い銅箔
のような金属箔７が積層され、下の高熱伝導性接着剤８
の下に回路９を形成するための薄い銅箔のような金属箔
１４が積層される。次いで加熱加圧成形して第６図（ｂ
）のような積層板が形成され、次いで第６図（ｃ）に座
ぐり加工及びドリル加工にてスルホール１１と凹部２が
形成される。次いでパネルメッキの工程でスルホール１
１や金属箔７，１４の表面の全面に銅メツキのようなメ
ツキが施される。
、基板１の他方の片面に全面に亘って高熱伝導性接着剤
８を設けて金属Ｍ７を積層しである。この実施例の場合
の！！遣方法を具体的に第６図により説明する。先ずｔ
ｊ４ｉ３図（ａ）に示すように基板１の主要部となるコ
ア材１ａの略中夫の開口に銅コアのような金属コア５が
配置され、コア材１ａの上下に高熱伝導性接着剤８が積
層され、上の高熱伝導性接着剤８の上に厚さの厚い銅箔
のような金属箔７が積層され、下の高熱伝導性接着剤８
の下に回路９を形成するための薄い銅箔のような金属箔
１４が積層される。次いで加熱加圧成形して第６図（ｂ
）のような積層板が形成され、次いで第６図（ｃ）に座
ぐり加工及びドリル加工にてスルホール１１と凹部２が
形成される。次いでパネルメッキの工程でスルホール１
１や金属箔７，１４の表面の全面に銅メツキのようなメ
ツキが施される。
次いで第６図（ｅ）に示すように金属Ｍ７に一次回路脱
虐加Ｔが行なわれで突出部７ａと蒲令属層７勺が形成さ
れる。このとき突出部７ａの高さＨはエツチングで自由
１こコントロールできる０次いでＩｓ６図（ｆ）に示す
ようにｔｉｔ属層７ｃに二次回路形成加工が施されて回
路部７ｂが形成される。次いで第６図（８）に示すよう
に回路部７ｂにツルグーレジスト１５が印刷される。な
お金属１！ｆ１４をエツチングして回路９を形成する工
程はパネルメッキした後なら何処で行ってもよい。上記
のように加工した後、半導体チップ３を実装してポンデ
ィングし、端子１２やヒートシンク６を取り付けて熱放
散型半導体パッケージが組み立てられる。
虐加Ｔが行なわれで突出部７ａと蒲令属層７勺が形成さ
れる。このとき突出部７ａの高さＨはエツチングで自由
１こコントロールできる０次いでＩｓ６図（ｆ）に示す
ようにｔｉｔ属層７ｃに二次回路形成加工が施されて回
路部７ｂが形成される。次いで第６図（８）に示すよう
に回路部７ｂにツルグーレジスト１５が印刷される。な
お金属１！ｆ１４をエツチングして回路９を形成する工
程はパネルメッキした後なら何処で行ってもよい。上記
のように加工した後、半導体チップ３を実装してポンデ
ィングし、端子１２やヒートシンク６を取り付けて熱放
散型半導体パッケージが組み立てられる。
なお上記実施例ではピングリッドアレイと称される半導
体バッケーノについて述べたが、ピン１２の代わりに第
７図（ａ）（ｂ）に示すようにリード線１６を用いたも
のでも同禄に実施できる。
体バッケーノについて述べたが、ピン１２の代わりに第
７図（ａ）（ｂ）に示すようにリード線１６を用いたも
のでも同禄に実施できる。
【発明の効果］
本発明は叙述の如く基板内に半導体チップがらの熱を伝
達する金属コアを内装すると共に基板の他方の片面に積
層した金属箔と金属コアとを高熱伝導性接着剤にて接着
し、金属箔にヒートシンクと接続する突出部を設けてい
るので、基板内に金属コアを埋設してあっても高熱伝導
性接着剤を介して突出部に熱をスムーズに伝達できると
共にこの突出部にヒートシンクを取り付けることができ
るものであって、金属コアが外れないように確実に取り
付けるできると共にヒートシンクを簡単に取り付けるこ
とができるものであり、しかも従来のように穴を設けた
りすることがないので組み立ての工程も少なくできるも
のであり、さらに熱抵抗が少なくてスムーズに放熱でき
るものである。
達する金属コアを内装すると共に基板の他方の片面に積
層した金属箔と金属コアとを高熱伝導性接着剤にて接着
し、金属箔にヒートシンクと接続する突出部を設けてい
るので、基板内に金属コアを埋設してあっても高熱伝導
性接着剤を介して突出部に熱をスムーズに伝達できると
共にこの突出部にヒートシンクを取り付けることができ
るものであって、金属コアが外れないように確実に取り
付けるできると共にヒートシンクを簡単に取り付けるこ
とができるものであり、しかも従来のように穴を設けた
りすることがないので組み立ての工程も少なくできるも
のであり、さらに熱抵抗が少なくてスムーズに放熱でき
るものである。
第１図は本発明の一実施例の概略断面図、第２図は同上
のヒートシンクを取り付けた状態の断面図、第３図（ａ
）（ｂ）（ｃ）は同上のヒートシンクの一例の正面図、
平面図及び側面図、第４図（ａ）（ｂ）（ｃ）は同上の
ヒートシンクの他例の正面図、平面図及び側面図、第５
図は同上の他例の概略断面図、第６図（ａ）（ｂ）（ｃ
）（ｄ）（ｅ）（ｆ）（ｇ）は同上の製造工程を説明す
る断面図、第７図（ａ）（ｂ）は同上のさらに他の実施
例の断面図、第８図（ａ）は従来例の断面図、第８図（
ｂ）はＰＩＳ８図（ａ）のヒートシンクを取り付けた状
態の断面図、＃Ｓ９図は同上の他の従来例の断面図であ
って、１は基板、３は半導体チップ、４は金属コア、６
はヒートシンク、７は金属箔、７ａは突出部である。
のヒートシンクを取り付けた状態の断面図、第３図（ａ
）（ｂ）（ｃ）は同上のヒートシンクの一例の正面図、
平面図及び側面図、第４図（ａ）（ｂ）（ｃ）は同上の
ヒートシンクの他例の正面図、平面図及び側面図、第５
図は同上の他例の概略断面図、第６図（ａ）（ｂ）（ｃ
）（ｄ）（ｅ）（ｆ）（ｇ）は同上の製造工程を説明す
る断面図、第７図（ａ）（ｂ）は同上のさらに他の実施
例の断面図、第８図（ａ）は従来例の断面図、第８図（
ｂ）はＰＩＳ８図（ａ）のヒートシンクを取り付けた状
態の断面図、＃Ｓ９図は同上の他の従来例の断面図であ
って、１は基板、３は半導体チップ、４は金属コア、６
はヒートシンク、７は金属箔、７ａは突出部である。
Claims (1)
- ［１］絶縁体で形成せる基板の一方の片面に半導体チッ
プを実装し、基板内に半導体チップからの熱を伝達する
金属コアを内装すると共に基板の他方の片面に積層した
金属箔と金属コアとを高熱伝導性接着剤にて接着し、金
属箔にヒートシンクと接続する突出部を設けて成ること
を特徴とする熱放散型半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1266782A JP2686156B2 (ja) | 1989-10-14 | 1989-10-14 | 熱放散型半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1266782A JP2686156B2 (ja) | 1989-10-14 | 1989-10-14 | 熱放散型半導体パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03129757A true JPH03129757A (ja) | 1991-06-03 |
| JP2686156B2 JP2686156B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=17435615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1266782A Expired - Lifetime JP2686156B2 (ja) | 1989-10-14 | 1989-10-14 | 熱放散型半導体パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2686156B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6097598A (en) * | 1997-02-24 | 2000-08-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermal conductive member and electronic device using same |
-
1989
- 1989-10-14 JP JP1266782A patent/JP2686156B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6097598A (en) * | 1997-02-24 | 2000-08-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermal conductive member and electronic device using same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2686156B2 (ja) | 1997-12-08 |
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