JPH0574781A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0574781A JPH0574781A JP23211191A JP23211191A JPH0574781A JP H0574781 A JPH0574781 A JP H0574781A JP 23211191 A JP23211191 A JP 23211191A JP 23211191 A JP23211191 A JP 23211191A JP H0574781 A JPH0574781 A JP H0574781A
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- Japan
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- gettering
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Abstract
(57)【要約】
【目的】比較的低い熱処理によっても十分なゲッタリン
グ効果をあげる。 【構成】半導体集積回路形成面内の、チップとチップの
間のスクライブ領域13に露出しているシリコン基板11ａ
を、選択ドライエッチングによってエッチングすること
により、スクライブ領域13に結晶欠陥を発生させ、この
結晶欠陥層16を重金属のゲッタリング源とすることによ
り、比較的低い熱処理においても容易にゲッタリング用
結晶欠陥層16に重金属を捕獲して十分なゲッタリング効
果を得、これにより、重金属汚染による悪影響が少ない
半導体集積回路が形成される。また、ゲッタリング用結
晶欠陥層16を、集積回路チップ内ではなく、チップ切り
分け用のスクライブレーンを利用して形成するので、集
積回路チップ面積の増大を招くことはない。
グ効果をあげる。 【構成】半導体集積回路形成面内の、チップとチップの
間のスクライブ領域13に露出しているシリコン基板11ａ
を、選択ドライエッチングによってエッチングすること
により、スクライブ領域13に結晶欠陥を発生させ、この
結晶欠陥層16を重金属のゲッタリング源とすることによ
り、比較的低い熱処理においても容易にゲッタリング用
結晶欠陥層16に重金属を捕獲して十分なゲッタリング効
果を得、これにより、重金属汚染による悪影響が少ない
半導体集積回路が形成される。また、ゲッタリング用結
晶欠陥層16を、集積回路チップ内ではなく、チップ切り
分け用のスクライブレーンを利用して形成するので、集
積回路チップ面積の増大を招くことはない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はゲッタリング方法により
重金属汚染による素子特性劣化を抑制する半導体装置の
製造方法に関するものである。
重金属汚染による素子特性劣化を抑制する半導体装置の
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路は、重金属による
汚染によって大きな特性劣化を生じるが、この劣化を緩
和するために、半導体装置の製造工程において、通常、
ゲッタリングと称する処理がなされている。このゲッタ
リング方法の主流は裏面ゲッタリングと呼ばれる方法が
一般的であった。
汚染によって大きな特性劣化を生じるが、この劣化を緩
和するために、半導体装置の製造工程において、通常、
ゲッタリングと称する処理がなされている。このゲッタ
リング方法の主流は裏面ゲッタリングと呼ばれる方法が
一般的であった。
【０００３】図２は従来の裏面ゲッタリング法の概念を
示す半導体集積回路の断面図である。図２において、半
導体基板１の表面には素子形成部２が形成されており、
また、この半導体基板１の裏側には裏面近傍部３が設け
られている。この裏面近傍部３がゲッタリング領域であ
り、この領域に、高濃度の不純物を導入したり、機械的
な応力・傷を与えるなどしてダメージ層を形成し、その
ダメージ層に重金属を捕獲するのが裏面ゲッタリング法
であった。
示す半導体集積回路の断面図である。図２において、半
導体基板１の表面には素子形成部２が形成されており、
また、この半導体基板１の裏側には裏面近傍部３が設け
られている。この裏面近傍部３がゲッタリング領域であ
り、この領域に、高濃度の不純物を導入したり、機械的
な応力・傷を与えるなどしてダメージ層を形成し、その
ダメージ層に重金属を捕獲するのが裏面ゲッタリング法
であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の裏面ゲッタ
リング法では、ゲッタリング層がウエハ裏面にあり、し
たがって、ウエハ表面の重金属は、半導体基板内部を通
り抜けることが可能な程度の高温熱処理がなされた場合
にしかゲッタリング層に捕獲されることはなかった。そ
のため、最近の集積回路製造時の熱処理温度の低温化に
ともなって、裏面ゲッタリングのみでは十分なゲッタリ
ング効果をあげることが不可能になってきたという問題
を有していた。
リング法では、ゲッタリング層がウエハ裏面にあり、し
たがって、ウエハ表面の重金属は、半導体基板内部を通
り抜けることが可能な程度の高温熱処理がなされた場合
にしかゲッタリング層に捕獲されることはなかった。そ
のため、最近の集積回路製造時の熱処理温度の低温化に
ともなって、裏面ゲッタリングのみでは十分なゲッタリ
ング効果をあげることが不可能になってきたという問題
を有していた。
【０００５】本発明は上記従来の問題を解決するもの
で、比較的低い熱処理によっても十分なゲッタリング効
果をあげることができる半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
で、比較的低い熱処理によっても十分なゲッタリング効
果をあげることができる半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の半導体装置の製造方法は、一導電型半導体ウ
エハ上に形成する半導体集積回路形成面と同一面上に、
重金属ゲッタリング用結晶欠陥発生領域を形成すること
を特徴とするものである。
に本発明の半導体装置の製造方法は、一導電型半導体ウ
エハ上に形成する半導体集積回路形成面と同一面上に、
重金属ゲッタリング用結晶欠陥発生領域を形成すること
を特徴とするものである。
【０００７】また、本発明の半導体装置の製造方法にお
ける重金属ゲッタリング用結晶欠陥発生領域の形成に
は、選択性ドライエッチングを用いることを特徴とする
ものである。
ける重金属ゲッタリング用結晶欠陥発生領域の形成に
は、選択性ドライエッチングを用いることを特徴とする
ものである。
【０００８】さらに、本発明の半導体装置の製造方法に
おける重金属ゲッタリング用結晶欠陥発生領域として、
各集積回路切り分け用のスクライブレーンを利用するこ
とを特徴とするものである。
おける重金属ゲッタリング用結晶欠陥発生領域として、
各集積回路切り分け用のスクライブレーンを利用するこ
とを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】上記構成により、一導電型半導体ウエハの、半
導体集積回路を形成するのと同じ側の表面基板面内に、
選択性ドライエッチングを用いて意図的に結晶欠陥を発
生させ、その結晶欠陥発生領域に重金属をゲッタリング
させるので、重金属ゲッタリング層はウエハ表面にあ
り、表面近傍の重金属は比較的低い熱処理によってでも
容易に表面拡散されてゲッタリング用結晶欠陥発生領域
に導かれ捕獲される。すなわち、あえてゲッタリング用
高温熱処理を実施しなくても十分なゲッタリング効果が
期待でき、昨今の微細プロセスにおける熱処理温度の低
温化の傾向と矛盾を生じない。
導体集積回路を形成するのと同じ側の表面基板面内に、
選択性ドライエッチングを用いて意図的に結晶欠陥を発
生させ、その結晶欠陥発生領域に重金属をゲッタリング
させるので、重金属ゲッタリング層はウエハ表面にあ
り、表面近傍の重金属は比較的低い熱処理によってでも
容易に表面拡散されてゲッタリング用結晶欠陥発生領域
に導かれ捕獲される。すなわち、あえてゲッタリング用
高温熱処理を実施しなくても十分なゲッタリング効果が
期待でき、昨今の微細プロセスにおける熱処理温度の低
温化の傾向と矛盾を生じない。
【００１０】また、ゲッタリング用結晶欠陥発生領域
を、集積回路チップ内ではなく、チップ切り分け用のス
クライブレーンを利用して形成するので、集積回路チッ
プ面積の増大を招くことなく、有効なゲッタリングが実
現可能となる。
を、集積回路チップ内ではなく、チップ切り分け用のス
クライブレーンを利用して形成するので、集積回路チッ
プ面積の増大を招くことなく、有効なゲッタリングが実
現可能となる。
【００１１】
【実施例】本発明の一実施例について、以下、図面を参
照しながら説明する。図１は本発明の一実施例を示す半
導体装置の製造方法における各工程を説明するための半
導体集積回路のスクライブ領域近傍における半導体装置
の断面図である。図１のＡに示すように、比抵抗20Ω−
cmのＰ型シリコン基板11上に、厚さ700nm の素子分離用
の厚い酸化膜12が形成されている。この厚い酸化膜12が
存在しない領域がスクライブ領域13である。このスクラ
イブ領域13の中央部に結晶欠陥を発生させるために、フ
ォトマスクパターン14を酸化膜12上に形成して、スクラ
イブ領域13の中央部に露出しているＰ型シリコン基板11
ａを選択ドライエッチングする。このとき用いるエッチ
ングガスは、四塩化炭素、六フッ化硫黄を用い、反応圧
力0.1Torr でエッチングを行った。エッチング後、図１
のＢに示すように、選択ドライエッチング領域であるス
クライブ領域13の中央部にトレンチ15が形成され、この
トレンチ15に沿って、ドライエッチング・ダメージによ
る結晶欠陥発生領域としての結晶欠陥層16が形成され
る。
照しながら説明する。図１は本発明の一実施例を示す半
導体装置の製造方法における各工程を説明するための半
導体集積回路のスクライブ領域近傍における半導体装置
の断面図である。図１のＡに示すように、比抵抗20Ω−
cmのＰ型シリコン基板11上に、厚さ700nm の素子分離用
の厚い酸化膜12が形成されている。この厚い酸化膜12が
存在しない領域がスクライブ領域13である。このスクラ
イブ領域13の中央部に結晶欠陥を発生させるために、フ
ォトマスクパターン14を酸化膜12上に形成して、スクラ
イブ領域13の中央部に露出しているＰ型シリコン基板11
ａを選択ドライエッチングする。このとき用いるエッチ
ングガスは、四塩化炭素、六フッ化硫黄を用い、反応圧
力0.1Torr でエッチングを行った。エッチング後、図１
のＢに示すように、選択ドライエッチング領域であるス
クライブ領域13の中央部にトレンチ15が形成され、この
トレンチ15に沿って、ドライエッチング・ダメージによ
る結晶欠陥発生領域としての結晶欠陥層16が形成され
る。
【００１２】この結晶欠陥層16がウエハ表面の重金属を
ゲッタリングすると期待される。そして、結晶欠陥層16
の形成後は、通常の、金属−酸化物−半導体（ＭＯＳ）
型集積回路製造工程によってＭＯＳ型半導体集積回路を
形成する。さらに、完成した集積回路上のトランジスタ
およびＰＮ接合の逆方向リーク特性を測定したところ、
従来の裏面ゲッタリング法のみのサンプルにくらべて、
本発明を利用したサンプルは良好な特性分布を示した。
ゲッタリングすると期待される。そして、結晶欠陥層16
の形成後は、通常の、金属−酸化物−半導体（ＭＯＳ）
型集積回路製造工程によってＭＯＳ型半導体集積回路を
形成する。さらに、完成した集積回路上のトランジスタ
およびＰＮ接合の逆方向リーク特性を測定したところ、
従来の裏面ゲッタリング法のみのサンプルにくらべて、
本発明を利用したサンプルは良好な特性分布を示した。
【００１３】したがって、半導体ウエハ上に形成する半
導体集積回路において、チップとチップの間のスクライ
ブ領域13に露出している半導体基板11ａを、選択ドライ
エッチングによってエッチングすることにより、スクラ
イブ領域13の中央部に結晶欠陥を発生させ、その結晶欠
陥層16を重金属のゲッタリング源とすることにより、比
較的低い熱処理においても容易にゲッタリング用結晶欠
陥層16に重金属を捕獲して十分なゲッタリング効果が得
られ重金属汚染による悪影響が少ない半導体集積回路が
形成される。
導体集積回路において、チップとチップの間のスクライ
ブ領域13に露出している半導体基板11ａを、選択ドライ
エッチングによってエッチングすることにより、スクラ
イブ領域13の中央部に結晶欠陥を発生させ、その結晶欠
陥層16を重金属のゲッタリング源とすることにより、比
較的低い熱処理においても容易にゲッタリング用結晶欠
陥層16に重金属を捕獲して十分なゲッタリング効果が得
られ重金属汚染による悪影響が少ない半導体集積回路が
形成される。
【００１４】また、ゲッタリング用結晶欠陥層16を、集
積回路チップ内ではなく、チップ切り分け用のスクライ
ブレーンを利用して形成するので、集積回路チップ面積
の増大を招くことなく、有効なゲッタリングが実現可能
となる。これは、特に、ウエハ面積に対してスクライブ
レーンの比率が大きい場合に有効である。
積回路チップ内ではなく、チップ切り分け用のスクライ
ブレーンを利用して形成するので、集積回路チップ面積
の増大を招くことなく、有効なゲッタリングが実現可能
となる。これは、特に、ウエハ面積に対してスクライブ
レーンの比率が大きい場合に有効である。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、一導電型
半導体ウエハ上に形成する半導体集積回路形成面と同一
面上に、重金属ゲッタリングを目的とする結晶欠陥発生
領域を選択性ドライエッチングを用いて形成することに
より、比較的低い熱処理においても容易にゲッタリング
用結晶欠陥発生領域に重金属を捕獲することができて十
分なゲッタリング効果をあげることができ、重金属汚染
による悪影響が少ない半導体集積回路を形成することが
できるものである。また、結晶欠陥発生領域として、各
集積回路切り分け用のスクライブレーンを利用すること
により、結晶欠陥発生領域形成のために集積回路チップ
面積が増大するのを防止することができるものである。
半導体ウエハ上に形成する半導体集積回路形成面と同一
面上に、重金属ゲッタリングを目的とする結晶欠陥発生
領域を選択性ドライエッチングを用いて形成することに
より、比較的低い熱処理においても容易にゲッタリング
用結晶欠陥発生領域に重金属を捕獲することができて十
分なゲッタリング効果をあげることができ、重金属汚染
による悪影響が少ない半導体集積回路を形成することが
できるものである。また、結晶欠陥発生領域として、各
集積回路切り分け用のスクライブレーンを利用すること
により、結晶欠陥発生領域形成のために集積回路チップ
面積が増大するのを防止することができるものである。
【図１】本発明の一実施例を示す半導体装置の製造方法
における各工程を説明するための半導体集積回路のスク
ライブ領域近傍における半導体装置の断面図である。
における各工程を説明するための半導体集積回路のスク
ライブ領域近傍における半導体装置の断面図である。
【図２】従来の裏面ゲッタリング法の概念を示す半導体
装置の断面図である。
装置の断面図である。
11、11ａ Ｐ型シリコン基板 13 スクライブ領域 14 フォトマスクパターン 15 トレンチ 16 結晶欠陥層
Claims (3)
- 【請求項１】一導電型半導体ウエハ上に形成する半導体
集積回路形成面と同一面上に、重金属ゲッタリング用結
晶欠陥発生領域を形成することを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項２】重金属ゲッタリング用結晶欠陥発生領域の
形成は、選択性ドライエッチングを用いることを特徴と
する請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】重金属ゲッタリング用結晶欠陥発生領域と
して、各集積回路切り分け用のスクライブレーンを利用
することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23211191A JPH0574781A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23211191A JPH0574781A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574781A true JPH0574781A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16934182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23211191A Pending JPH0574781A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574781A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005260042A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Nec Electronics Corp | 半導体記憶装置、半導体装置及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-09-12 JP JP23211191A patent/JPH0574781A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005260042A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Nec Electronics Corp | 半導体記憶装置、半導体装置及びその製造方法 |
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