JPH0574215B2 - - Google Patents
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- JPH0574215B2 JPH0574215B2 JP58149980A JP14998083A JPH0574215B2 JP H0574215 B2 JPH0574215 B2 JP H0574215B2 JP 58149980 A JP58149980 A JP 58149980A JP 14998083 A JP14998083 A JP 14998083A JP H0574215 B2 JPH0574215 B2 JP H0574215B2
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 40
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims description 21
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 25
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、電子ビーム露光装置（以下EB装置
と略称する）へ露光データを効率良く伝送可能と
した露光データ伝送方式に関する。
と略称する）へ露光データを効率良く伝送可能と
した露光データ伝送方式に関する。
近時、半導体集積回路の製造におけるマスク、
ウエハ等の描画対象へ超微細加工を施こす手段と
して、EB装置が多用されている。このEB装置
は、細く集束された電子ビームを、描画対象に照
射し、これを外部の露光データ伝送系から受けた
露光データに基づいて走査して、所望の描画図形
を露光描画するようにしたものである。
ウエハ等の描画対象へ超微細加工を施こす手段と
して、EB装置が多用されている。このEB装置
は、細く集束された電子ビームを、描画対象に照
射し、これを外部の露光データ伝送系から受けた
露光データに基づいて走査して、所望の描画図形
を露光描画するようにしたものである。
ところで、EB装置へ露光データを伝送する露
光データ伝送系としては、従来第１図のように構
成されたものがある。この露光データ伝送系で
は、半導体製造工程における露光データを、外部
記憶装置１に予じめ記憶しておき、EB装置２の
露光を制御するコンピユータ３により、上記露光
データを読出してこのコンピユータ３内のCPU
メモリー４に格納するようにしている。
光データ伝送系としては、従来第１図のように構
成されたものがある。この露光データ伝送系で
は、半導体製造工程における露光データを、外部
記憶装置１に予じめ記憶しておき、EB装置２の
露光を制御するコンピユータ３により、上記露光
データを読出してこのコンピユータ３内のCPU
メモリー４に格納するようにしている。
ところで、個々の露光データの呈する描画図形
は、描画対象の露光面に露光描画されるべき全体
像を余す所なく表現するために、通常、台形を標
準図形として用いている。この標準図形としての
台形は、この技術分野においては、基準となるＸ
軸或いはＹ座標に夫々平行な上底と下底とを有す
る四辺形を代表とし、これの他に上記平行条件を
満足し且つ上底或いは下底が点である三角形も台
形であると定義している。例えば第１図のCPU
メモリー４においては、Ｘ軸を基準とすると、あ
る露光データに基づく描画図形Ｕは、下底が基準
Ｘ軸に平行で上底が点である台形と認定され、他
の夫々の露光データに基づく描画図形Ｖ，Ｗは基
準Ｘ軸に平行な辺を有していないので台形と認定
されない。
は、描画対象の露光面に露光描画されるべき全体
像を余す所なく表現するために、通常、台形を標
準図形として用いている。この標準図形としての
台形は、この技術分野においては、基準となるＸ
軸或いはＹ座標に夫々平行な上底と下底とを有す
る四辺形を代表とし、これの他に上記平行条件を
満足し且つ上底或いは下底が点である三角形も台
形であると定義している。例えば第１図のCPU
メモリー４においては、Ｘ軸を基準とすると、あ
る露光データに基づく描画図形Ｕは、下底が基準
Ｘ軸に平行で上底が点である台形と認定され、他
の夫々の露光データに基づく描画図形Ｖ，Ｗは基
準Ｘ軸に平行な辺を有していないので台形と認定
されない。
しかして、上記CPUメモリー４内に格納され
た外部記憶装置１から読出された露光データに基
づく描画図形Ｕ，Ｖ，Ｗ夫々は、図形分割器５に
より上記台形認定条件に合致するように図形分割
される。そしてこの図形分割により生成された台
形の描画図形毎の露光データは、高速緩衝メモリ
（以下Bufメモリと称する）６に格納される。即
ち、第１図においては、描画図形Ｖは、３つの台
形、即ち描画図形Va，Vb，Vcに分割され、描
画図形Ｗは３つの台形、即ち描画図形Wa，Wb，
Wcに分割される。そして、上記描画図形Ｕ，
Va，Vb，Vc，Wa，Wb，Wcを示す各露光デー
タはBufメモリ６から順次読出され、データ伝送
制御装置７を介してEB装置２に伝送される。そ
してEB装置２では、上記台形を描画図形として
示す露光データに基づき、描画対象に照射する電
子ビームを偏向及びブランキング制御し、上記台
形の描画図形にて描画対象に露光描画する。
た外部記憶装置１から読出された露光データに基
づく描画図形Ｕ，Ｖ，Ｗ夫々は、図形分割器５に
より上記台形認定条件に合致するように図形分割
される。そしてこの図形分割により生成された台
形の描画図形毎の露光データは、高速緩衝メモリ
（以下Bufメモリと称する）６に格納される。即
ち、第１図においては、描画図形Ｖは、３つの台
形、即ち描画図形Va，Vb，Vcに分割され、描
画図形Ｗは３つの台形、即ち描画図形Wa，Wb，
Wcに分割される。そして、上記描画図形Ｕ，
Va，Vb，Vc，Wa，Wb，Wcを示す各露光デー
タはBufメモリ６から順次読出され、データ伝送
制御装置７を介してEB装置２に伝送される。そ
してEB装置２では、上記台形を描画図形として
示す露光データに基づき、描画対象に照射する電
子ビームを偏向及びブランキング制御し、上記台
形の描画図形にて描画対象に露光描画する。
〔背景技術の問題点〕
上述した露光データ伝送方式にあつては、外部
記憶装置１内の各種の描画図形を呈する露光デー
タを、コンピユータ３内で、描画図形として台形
を呈する露光データに変換し、データ伝送制御装
置７を介してEB装置２に伝送するようにしてい
る。ところがこのような方式にあつては、コンピ
ユータ３から出力される露光データのデータ量
は、外部記憶装置１から出力される露光データの
データ量と比較して、数倍にも達することがあり
（第１図においては２倍以上）、このため、コンピ
ユータ３内のBufメモリ６は巨大な容量が必要と
なり、システムを大形化してしまう不具合があつ
た。また、伝送されるデータ量が大容量するに伴
い、データ伝送制御装置７は、単位時間内での処
理が伝送速度に追従しなくなり、これによりEB
装置２は、所望の露光描画が出来ない事態を招く
ことになる。
記憶装置１内の各種の描画図形を呈する露光デー
タを、コンピユータ３内で、描画図形として台形
を呈する露光データに変換し、データ伝送制御装
置７を介してEB装置２に伝送するようにしてい
る。ところがこのような方式にあつては、コンピ
ユータ３から出力される露光データのデータ量
は、外部記憶装置１から出力される露光データの
データ量と比較して、数倍にも達することがあり
（第１図においては２倍以上）、このため、コンピ
ユータ３内のBufメモリ６は巨大な容量が必要と
なり、システムを大形化してしまう不具合があつ
た。また、伝送されるデータ量が大容量するに伴
い、データ伝送制御装置７は、単位時間内での処
理が伝送速度に追従しなくなり、これによりEB
装置２は、所望の露光描画が出来ない事態を招く
ことになる。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、そ
の目的とするところは、各種の描画図形を示す露
光データを、システムを大形化することなしに効
率良く電子ビーム露光装置に伝送可能とする露光
データ伝送方式を提供することにある。
の目的とするところは、各種の描画図形を示す露
光データを、システムを大形化することなしに効
率良く電子ビーム露光装置に伝送可能とする露光
データ伝送方式を提供することにある。
本発明は上記目的を達成するために、描画対象
を露光描画するに供する露光データを電子ビーム
露光装置に伝送するに際し、 複数の描画図形のＸ座標軸に平行な辺の合計数
とＹ座標軸に平行な辺の合計数とを比較し、平行
な辺の数の多い方の座標軸を基準軸とすると共
に、基準軸変換関数を設定し、 次に、前記複数の描画図形のうちで判断対象た
る描画図形が、前記基準軸に平行な上底と下底と
を有する四辺形である場合は、当該描画図形を台
形と判断して当該描画図形を示すデータを露光デ
ータとし、 また、前記複数の描画図形のうちで判断対象た
る描画図形が、前記基準軸に平行な上底と下底と
を有する四辺形でない場合は、当該描画図形を台
形でないと判断し、 さらに、前記複数の描画図形のうちで判断対象
たる描画図形が、当該描画図形を構成する辺のな
かの前記基準軸と同一の平面において前記基準軸
と直交する座標軸と平行な少なくとも１辺が存在
するか否かの有無判断を行い、当該有無判断によ
り有と判断された場合には、当該描画図形のＸ−
Ｙ座標変換を行い、変換された描画図形を示すデ
ータを露光データとすると共に、当該Ｘ−Ｙ座標
変換に使用した関数を設定し、 またさらに、前記有無判断により無と判断され
た場合には、当該描画図形の前記基準軸の座標値
が最小の点を中心として前記基準軸と同一の平面
において前記基準軸と直交する座標軸と平行な少
なくとも１辺が前記基準軸と平行となるように、
前記描画図形を回転させることにより、前記描画
図形の少なくとも１辺がＸ座標軸及びＹ座標軸の
うち少なくとも一方に平行となるように座標変換
し、変換された描画図形を示すデータを露光デー
タとすると共に、前記座標変換の回転変換に使用
した関数を設定し、 上記により得られた変換に使用した関数と、変
換された描画図形を示す露光データとをそれぞれ
伝送することを特徴とする露光データ伝送方式で
ある。
を露光描画するに供する露光データを電子ビーム
露光装置に伝送するに際し、 複数の描画図形のＸ座標軸に平行な辺の合計数
とＹ座標軸に平行な辺の合計数とを比較し、平行
な辺の数の多い方の座標軸を基準軸とすると共
に、基準軸変換関数を設定し、 次に、前記複数の描画図形のうちで判断対象た
る描画図形が、前記基準軸に平行な上底と下底と
を有する四辺形である場合は、当該描画図形を台
形と判断して当該描画図形を示すデータを露光デ
ータとし、 また、前記複数の描画図形のうちで判断対象た
る描画図形が、前記基準軸に平行な上底と下底と
を有する四辺形でない場合は、当該描画図形を台
形でないと判断し、 さらに、前記複数の描画図形のうちで判断対象
たる描画図形が、当該描画図形を構成する辺のな
かの前記基準軸と同一の平面において前記基準軸
と直交する座標軸と平行な少なくとも１辺が存在
するか否かの有無判断を行い、当該有無判断によ
り有と判断された場合には、当該描画図形のＸ−
Ｙ座標変換を行い、変換された描画図形を示すデ
ータを露光データとすると共に、当該Ｘ−Ｙ座標
変換に使用した関数を設定し、 またさらに、前記有無判断により無と判断され
た場合には、当該描画図形の前記基準軸の座標値
が最小の点を中心として前記基準軸と同一の平面
において前記基準軸と直交する座標軸と平行な少
なくとも１辺が前記基準軸と平行となるように、
前記描画図形を回転させることにより、前記描画
図形の少なくとも１辺がＸ座標軸及びＹ座標軸の
うち少なくとも一方に平行となるように座標変換
し、変換された描画図形を示すデータを露光デー
タとすると共に、前記座標変換の回転変換に使用
した関数を設定し、 上記により得られた変換に使用した関数と、変
換された描画図形を示す露光データとをそれぞれ
伝送することを特徴とする露光データ伝送方式で
ある。
以下本発明の一実施例を図面を参照して説明す
る。第２図は本発明による露光データ伝送方式の
一実施例を実施可能とする露光データ伝送系の概
略構成を示す模式図であり、第１図と同一部分に
は同一符号を付している。
る。第２図は本発明による露光データ伝送方式の
一実施例を実施可能とする露光データ伝送系の概
略構成を示す模式図であり、第１図と同一部分に
は同一符号を付している。
第２図において、１は各種の描画図形を呈する
多数の露光データが予じめ格納されている外部記
憶装置である。２は上記露光データに基づき、描
画対象に照射する電子ビームを偏向及びブランキ
ング制御し、描画対象を露光描画するEB装置で
ある。８は少なくともCPUメモリ４、変換部９、
Bufメモリ６を具備し、EB装置２の露光を制御
するコンピユータである。このコンピユータ８
は、外部記憶装置１から露光データを受け、これ
に所定の処理を施こした後、少なくとも逆変換部
１０とデータ伝送制御装置７とを具備した伝送系
１１を介して露光データをEB装置２に与えるも
のである。
多数の露光データが予じめ格納されている外部記
憶装置である。２は上記露光データに基づき、描
画対象に照射する電子ビームを偏向及びブランキ
ング制御し、描画対象を露光描画するEB装置で
ある。８は少なくともCPUメモリ４、変換部９、
Bufメモリ６を具備し、EB装置２の露光を制御
するコンピユータである。このコンピユータ８
は、外部記憶装置１から露光データを受け、これ
に所定の処理を施こした後、少なくとも逆変換部
１０とデータ伝送制御装置７とを具備した伝送系
１１を介して露光データをEB装置２に与えるも
のである。
次に上記構成に基づく本方式の一実施例を第３
図に示す変換部９の動作の一例を示すフローチヤ
ートを用いて説明する。
図に示す変換部９の動作の一例を示すフローチヤ
ートを用いて説明する。
先づ、第２図において、コンピユータ８が、外
部記憶装置１から露光データを読込んで、CPU
メモリ４内に格納したとする。この露光データは
ある描画図形を呈し、変換部９により所定の変換
処理が施こされて、Bufメモリ６内に格納され
る。
部記憶装置１から露光データを読込んで、CPU
メモリ４内に格納したとする。この露光データは
ある描画図形を呈し、変換部９により所定の変換
処理が施こされて、Bufメモリ６内に格納され
る。
次に、変換部９の動作について説明する。即
ち、第３図においてステツプ１にて、処理が始ま
り、ステツプ２でCPUメモリ４内に格納された
各露光データが呈する各描画図形の形状特性を識
別する。この場合、描画対象が載置されるステー
ジ上のビーム照射面は所定の単位面積を基本とし
た複数の領域に分割されている。そしてこの領域
の内、所定の領域に描画図形を特定して描画図形
の最多平行辺が予じめ設定されたＸ−Ｙ座標系の
Ｘ軸側、Ｙ軸側どちらであるかを識別する。例え
ば、Ｘ軸側であるとするならば、ステツプ３に進
み、Ｘ軸を台形認識の基準軸とし、変換関数gXを
出力する（Ｙ軸の場合はgY）と共にCPUメモリ
４内の各描画図形が上記基準軸に対して台形であ
るか否かを判別する。ある描画図形が台形でない
と認定されるとステツプ４に進み、その描画図形
がＹ軸に平行な１辺又は２辺を有しているか否か
と判別する。この描画図形がＹ軸に平行な辺を有
している場合はステツプ５へ進み、その描画図形
のＸ−Ｙ座標を変換して、変換関数hx-yを出力す
ると共に、その描画図形をＸ軸基準における台形
に変換してステツプ７で終了となる。一方、ステ
ツプ４で、描画図形がＹ軸に平行な辺を有してい
ない場合は、ステツプ６へ進み、Ｘ軸に平行な１
辺又は２辺を有る描画図形となるように、所定の
関数により座標変換し、変換関数i〓を出力すると
共にその描画図形をＸ軸基準における台形に変換
してステツプ７で終了となる。また、ステツプ３
で描画図形がＸ軸基準における台形であると認定
された場合は、ステツプ７で終了となる。上記
は、台形認識の基準軸がＸ軸の場合について述べ
たが、Ｙ軸基準の場合についても同様のステツプ
処理にて、各描画図形は台形に変換され且つ変換
の際の変換関数が出力される。
ち、第３図においてステツプ１にて、処理が始ま
り、ステツプ２でCPUメモリ４内に格納された
各露光データが呈する各描画図形の形状特性を識
別する。この場合、描画対象が載置されるステー
ジ上のビーム照射面は所定の単位面積を基本とし
た複数の領域に分割されている。そしてこの領域
の内、所定の領域に描画図形を特定して描画図形
の最多平行辺が予じめ設定されたＸ−Ｙ座標系の
Ｘ軸側、Ｙ軸側どちらであるかを識別する。例え
ば、Ｘ軸側であるとするならば、ステツプ３に進
み、Ｘ軸を台形認識の基準軸とし、変換関数gXを
出力する（Ｙ軸の場合はgY）と共にCPUメモリ
４内の各描画図形が上記基準軸に対して台形であ
るか否かを判別する。ある描画図形が台形でない
と認定されるとステツプ４に進み、その描画図形
がＹ軸に平行な１辺又は２辺を有しているか否か
と判別する。この描画図形がＹ軸に平行な辺を有
している場合はステツプ５へ進み、その描画図形
のＸ−Ｙ座標を変換して、変換関数hx-yを出力す
ると共に、その描画図形をＸ軸基準における台形
に変換してステツプ７で終了となる。一方、ステ
ツプ４で、描画図形がＹ軸に平行な辺を有してい
ない場合は、ステツプ６へ進み、Ｘ軸に平行な１
辺又は２辺を有る描画図形となるように、所定の
関数により座標変換し、変換関数i〓を出力すると
共にその描画図形をＸ軸基準における台形に変換
してステツプ７で終了となる。また、ステツプ３
で描画図形がＸ軸基準における台形であると認定
された場合は、ステツプ７で終了となる。上記
は、台形認識の基準軸がＸ軸の場合について述べ
たが、Ｙ軸基準の場合についても同様のステツプ
処理にて、各描画図形は台形に変換され且つ変換
の際の変換関数が出力される。
上記における、変換部９の動作は、あるステツ
プを省略した場合及びあるステツプを追加した場
合でも、適用可能である。
プを省略した場合及びあるステツプを追加した場
合でも、適用可能である。
次にCPRメモリ４内の描画図形を台形に変換
する具体例について述べる。
する具体例について述べる。
第１例；
CPUメモリ４内に第４図に示すように描画図
形Ａ＝fA（Ｘ，Ｙ），Ｂ＝fB（Ｘ，Ｙ），Ｃ＝fC（Ｘ，
Ｙ）が格納されているとする。この描画図形Ａ，
Ｂ，Ｃは、夫々Ｙ軸に平行な辺を有しているの
で、Ｙ軸が台形認識の基準となり変換関数gYを出
力する。これにより描画図形Ａ，Ｂ，Ｃは全て台
形と認定され、第５図に示すようにBufメモリ６
内に格納される。この場合、CPUメモリ４とBuf
メモリ６とのデータ量は同じであり、Bufメモリ
６に格納された描画図形Ａ，Ｂ，Ｃを示す露光デ
ータと変換関数gYを示すデータとは伝送系１１に
伝送される。そしてこの伝送系１１の逆変換部１
０にて、上記変換関数gYを示すデータに基づいて
上記露光データは逆変換され、CPUメモリ４内
における描画図形Ａ，Ｂ，Ｃが再現される。そし
てこの再現された描画図形Ａ，Ｂ，Ｃを示す露光
データは、データ伝送制御装置７を介してEB装
置２に与えられる。
形Ａ＝fA（Ｘ，Ｙ），Ｂ＝fB（Ｘ，Ｙ），Ｃ＝fC（Ｘ，
Ｙ）が格納されているとする。この描画図形Ａ，
Ｂ，Ｃは、夫々Ｙ軸に平行な辺を有しているの
で、Ｙ軸が台形認識の基準となり変換関数gYを出
力する。これにより描画図形Ａ，Ｂ，Ｃは全て台
形と認定され、第５図に示すようにBufメモリ６
内に格納される。この場合、CPUメモリ４とBuf
メモリ６とのデータ量は同じであり、Bufメモリ
６に格納された描画図形Ａ，Ｂ，Ｃを示す露光デ
ータと変換関数gYを示すデータとは伝送系１１に
伝送される。そしてこの伝送系１１の逆変換部１
０にて、上記変換関数gYを示すデータに基づいて
上記露光データは逆変換され、CPUメモリ４内
における描画図形Ａ，Ｂ，Ｃが再現される。そし
てこの再現された描画図形Ａ，Ｂ，Ｃを示す露光
データは、データ伝送制御装置７を介してEB装
置２に与えられる。
第２例；
第３図におけるステツプ２を省略し、無条件で
Ｘ軸を台形認識の基準軸とした場合について述べ
る。即ち、変換関数gXが出力された条件で、第６
図に示すように描画図形Ａ，Ｂ，Ｃを示す露光デ
ータがCPUメモリ４内に格納されているとする。
この場合、描画図形Ａ，Ｂは台形と認定されない
ので、ステツプ３、４、５によりＸ−Ｙ座標変換
され、変換関数hX-Yを夫々出力し、また描画図形
Ｃは台形と認定され、夫々第７図に示すように描
画図形A′，B′，ＣがBurメモリ６内に格納され
る。以下、これら描画図形A′，B′，Ｃを示す露
光データと変換関数gX，hX-Yを示すデータとは第
１例と同様に伝送系１１に伝送されて逆変換の
後、EB装置２に与えられる。
Ｘ軸を台形認識の基準軸とした場合について述べ
る。即ち、変換関数gXが出力された条件で、第６
図に示すように描画図形Ａ，Ｂ，Ｃを示す露光デ
ータがCPUメモリ４内に格納されているとする。
この場合、描画図形Ａ，Ｂは台形と認定されない
ので、ステツプ３、４、５によりＸ−Ｙ座標変換
され、変換関数hX-Yを夫々出力し、また描画図形
Ｃは台形と認定され、夫々第７図に示すように描
画図形A′，B′，ＣがBurメモリ６内に格納され
る。以下、これら描画図形A′，B′，Ｃを示す露
光データと変換関数gX，hX-Yを示すデータとは第
１例と同様に伝送系１１に伝送されて逆変換の
後、EB装置２に与えられる。
第３例；
本例は、第２例と同様に第３図におけるステツ
プ２を省略し、無条件でＸ軸を台形認識の基準軸
とした場合についての例である。即ち変換関数gX
が出力された条件で、第８図に示すように描画図
形Ａ，Ｂ，ＣがCPUメモリ４内に格納されてい
るとする。この場合、描画図形Ａ，Ｂは、第２例
と同様に、Ｘ−Ｙ座標変換され、変換関数hX-Yを
出力する。また描画図形Ｄ＝fD(X,Y)は、ステツプ
６により特定点Ｐ（X0，Y0）を中心に、反時計方
向にθ度だけ回転され、変換関数i〓を出力する。
上記処理により、描画図形Ａ，Ｂ，Ｄは、第９図
に示す描画図形A′，B′D′のように台形に変換さ
れ、それらを示す露光データはBufメモリ６内に
格納される。以下の手順は第２例と同様であるの
でその説明は省略する。
プ２を省略し、無条件でＸ軸を台形認識の基準軸
とした場合についての例である。即ち変換関数gX
が出力された条件で、第８図に示すように描画図
形Ａ，Ｂ，ＣがCPUメモリ４内に格納されてい
るとする。この場合、描画図形Ａ，Ｂは、第２例
と同様に、Ｘ−Ｙ座標変換され、変換関数hX-Yを
出力する。また描画図形Ｄ＝fD(X,Y)は、ステツプ
６により特定点Ｐ（X0，Y0）を中心に、反時計方
向にθ度だけ回転され、変換関数i〓を出力する。
上記処理により、描画図形Ａ，Ｂ，Ｄは、第９図
に示す描画図形A′，B′D′のように台形に変換さ
れ、それらを示す露光データはBufメモリ６内に
格納される。以下の手順は第２例と同様であるの
でその説明は省略する。
第４例；
本例は、無条件でＸ軸を台形認識の基準軸と
し、ステツプ５を優先実行する場合の例である。
即ち、変換関数gXが出力された条件で、第１０図
に示すように描画図形Ａ，Ｂ，ＣがCPUメモリ
４に格納されているとする。この場合、描画図形
Ａ，Ｂ，Ｃは台形と認定されないので、ステツプ
５によりＸ−Ｙ座標変換され、変換関数hX-Yを
夫々出力する。この処理により、描画図形Ａ，
Ｂ，Ｃは第１１図に示す描画図形A′，B′，C′の
ように台形に変換され、その露光データはBufメ
モリ６内に格納される。以下の手順は、第２例と
同様であるので、その説明は省略する。
し、ステツプ５を優先実行する場合の例である。
即ち、変換関数gXが出力された条件で、第１０図
に示すように描画図形Ａ，Ｂ，ＣがCPUメモリ
４に格納されているとする。この場合、描画図形
Ａ，Ｂ，Ｃは台形と認定されないので、ステツプ
５によりＸ−Ｙ座標変換され、変換関数hX-Yを
夫々出力する。この処理により、描画図形Ａ，
Ｂ，Ｃは第１１図に示す描画図形A′，B′，C′の
ように台形に変換され、その露光データはBufメ
モリ６内に格納される。以下の手順は、第２例と
同様であるので、その説明は省略する。
また、本発明は、例えば第１２図に示すよう
に、変換部１２に第１図に説明した図形分割器５
を組込んだコンピユータ１３を用いた場合でもよ
い。この場合、第１３図に示すように、変換部１
２は、例えば、台形認識基準軸がＸ軸のフローに
おいては、ステツプ８が追加される。即ち、ステ
ツプ８は、Ｘ軸基準に対して、描画図形を分割し
て、台形に生成する処理である。上記実施例にお
ける、CPUメモリ４内の格納された露光データ
が呈する描画図形を台形に変換する例を説明す
る。
に、変換部１２に第１図に説明した図形分割器５
を組込んだコンピユータ１３を用いた場合でもよ
い。この場合、第１３図に示すように、変換部１
２は、例えば、台形認識基準軸がＸ軸のフローに
おいては、ステツプ８が追加される。即ち、ステ
ツプ８は、Ｘ軸基準に対して、描画図形を分割し
て、台形に生成する処理である。上記実施例にお
ける、CPUメモリ４内の格納された露光データ
が呈する描画図形を台形に変換する例を説明す
る。
第５例；
第１３図におけるステツプ２を省略し、無条件
で、Ｘ軸を台形認識の基準軸とした場合について
の例である。即ち、変換関数gXが出力された条件
で、第１４図に示すように、描画図形Ａ，Ｂ，Ｄ
を示す露光データがCPUメモリ４内に格納され
ているとする。この場合、描画図形Ａ，Ｂは、ス
テツプ５によりＸ−Ｙ座標変換され、変換関数
hX-Yを出力する。また描画図形Ｄは、ステツプ８
により図形分割される。これにより、第１５図に
示すように描画図形A′，B′と、上記描画図形Ｄ
を分割した台形の描画図形Ｅ，Ｆ，Ｇが生成さ
れ、Bufメモリ６内にその露光データが格納され
る。このBufメモリ６内に格納された描画図形
A′，B′，Ｅ，Ｆ，Ｇを示す露光データは伝送系
１１に伝送される。
で、Ｘ軸を台形認識の基準軸とした場合について
の例である。即ち、変換関数gXが出力された条件
で、第１４図に示すように、描画図形Ａ，Ｂ，Ｄ
を示す露光データがCPUメモリ４内に格納され
ているとする。この場合、描画図形Ａ，Ｂは、ス
テツプ５によりＸ−Ｙ座標変換され、変換関数
hX-Yを出力する。また描画図形Ｄは、ステツプ８
により図形分割される。これにより、第１５図に
示すように描画図形A′，B′と、上記描画図形Ｄ
を分割した台形の描画図形Ｅ，Ｆ，Ｇが生成さ
れ、Bufメモリ６内にその露光データが格納され
る。このBufメモリ６内に格納された描画図形
A′，B′，Ｅ，Ｆ，Ｇを示す露光データは伝送系
１１に伝送される。
上述した実施例によれば、CPUメモリ４内の
データは、所定の変換関数により、台形認識基準
軸に対応した台形に変換されるので、図形分割に
より多くの台形が生成されることがなく、これに
よりBufメモリ６の容量は小さいもので良い。ま
たコンピユータ３，１３からの露光データの伝送
量も、多量にならないので、データ伝送制御装置
７は、伝送速度に伴う問題が発生しない。
データは、所定の変換関数により、台形認識基準
軸に対応した台形に変換されるので、図形分割に
より多くの台形が生成されることがなく、これに
よりBufメモリ６の容量は小さいもので良い。ま
たコンピユータ３，１３からの露光データの伝送
量も、多量にならないので、データ伝送制御装置
７は、伝送速度に伴う問題が発生しない。
更に、変換された露光データは、伝送系１１に
て、変換関数を示すデータに基づいて逆変換する
ことにより、CPUメモリ４内と同じ描画図形を
示す露光データに再現されるので、システムに負
担を与えないので効率良くデータ伝送が可能とな
る。
て、変換関数を示すデータに基づいて逆変換する
ことにより、CPUメモリ４内と同じ描画図形を
示す露光データに再現されるので、システムに負
担を与えないので効率良くデータ伝送が可能とな
る。
また、伝送される露光データは、伝送中に均一
負荷状態にて伝送されるので、コンピユータ３，
１３、伝送系１１、EB装置２においては、処理
速度等に対して負担を与えることがなく、よつて
EB装置２は、露光描画時間が著しく短縮され、
半導体集積回路の製造において有利となる。
負荷状態にて伝送されるので、コンピユータ３，
１３、伝送系１１、EB装置２においては、処理
速度等に対して負担を与えることがなく、よつて
EB装置２は、露光描画時間が著しく短縮され、
半導体集積回路の製造において有利となる。
更に、ビーム照射面を構成している領域毎に、
ビーム走査方向とステージ移動方向とが夫々異な
つている場合を考える。この場合、本伝送方式に
よれば、ビーム照射面の任意の領域に対して、描
画図形を特定させて、所定の図形を示す伝送デー
タを得るようにしているので、上記伝送データ
は、ビーム照射側の特性を十分に考慮したデータ
となり、データ伝送上及びEB装置においては、
システムを合理的且つ有効的とすることが出来
る。
ビーム走査方向とステージ移動方向とが夫々異な
つている場合を考える。この場合、本伝送方式に
よれば、ビーム照射面の任意の領域に対して、描
画図形を特定させて、所定の図形を示す伝送デー
タを得るようにしているので、上記伝送データ
は、ビーム照射側の特性を十分に考慮したデータ
となり、データ伝送上及びEB装置においては、
システムを合理的且つ有効的とすることが出来
る。
上記の他の本発明は、露光データ伝送系の構成
及び変換器９，１２の動作フロー、逆変換器１０
の動作フロー等について、種々変形して実施可能
であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適用可
能である。例えば、描画図形のある特定点をＸ−
Ｙ座標の原点に位置させる変換、或いは描画図形
のある特定辺をＸ−Ｙ座標のＸ軸或いはＹ軸の同
軸上に一致させる変換等であつても、所定の変換
関数を用いることにより、上記実施例と同様の作
用効果が得られ、もちろん本発明の要旨に含まれ
る実施例として実施することが出来る。
及び変換器９，１２の動作フロー、逆変換器１０
の動作フロー等について、種々変形して実施可能
であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適用可
能である。例えば、描画図形のある特定点をＸ−
Ｙ座標の原点に位置させる変換、或いは描画図形
のある特定辺をＸ−Ｙ座標のＸ軸或いはＹ軸の同
軸上に一致させる変換等であつても、所定の変換
関数を用いることにより、上記実施例と同様の作
用効果が得られ、もちろん本発明の要旨に含まれ
る実施例として実施することが出来る。
以上述べたように本発明の露光データ伝送方式
によれば、各種の描画図形を示す露光データを、
システムを大形化することなしに効率良く電子ビ
ーム露光装置に伝送することが可能となる。
によれば、各種の描画図形を示す露光データを、
システムを大形化することなしに効率良く電子ビ
ーム露光装置に伝送することが可能となる。
第１図は従来の露光データ伝送方式を説明する
ための露光データ伝送系の概略構成を示す模式
図、第２図は本発明による露光データ伝送方式の
一実施例を説明するたの露光データ伝送系の概略
構成を示す模式図、第３図は第２図における変換
部の動作の一例を説明するためのフローチヤー
ト、第４図乃至第１１図は夫々同実施例の作用を
説明するための図、第１２図は本発明の他の実施
例を説明するための概略構成図、第１３図は同実
施例における変換部の動作の一例を説明するため
のフローチヤート、第１４図及び第１５図は夫々
同実施例の作用を説明するための図である。 １…外部記憶装置、２…EB装置（電子ビーム
露光装置）、４…CPUメモリ、．…Bufメモリ、７
…データ伝送制御装置、８，１３…コンピユー
タ、９，１２…変換部、１０…逆変換部、１１…
伝送系。
ための露光データ伝送系の概略構成を示す模式
図、第２図は本発明による露光データ伝送方式の
一実施例を説明するたの露光データ伝送系の概略
構成を示す模式図、第３図は第２図における変換
部の動作の一例を説明するためのフローチヤー
ト、第４図乃至第１１図は夫々同実施例の作用を
説明するための図、第１２図は本発明の他の実施
例を説明するための概略構成図、第１３図は同実
施例における変換部の動作の一例を説明するため
のフローチヤート、第１４図及び第１５図は夫々
同実施例の作用を説明するための図である。 １…外部記憶装置、２…EB装置（電子ビーム
露光装置）、４…CPUメモリ、．…Bufメモリ、７
…データ伝送制御装置、８，１３…コンピユー
タ、９，１２…変換部、１０…逆変換部、１１…
伝送系。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 描画対象を露光描画するに供する露光データ
を電子ビーム露光装置に伝送するに際し、 複数の描画図形のＸ座標軸に平行な辺の合計数
とＹ座標軸に平行な辺の合計数とを比較し、平行
な辺の数の多い方の座標軸を基準軸とすると共
に、基準軸変換関数を設定し、 次に、前記複数の描画図形のうちで判断対象た
る描画図形が、前記基準軸に平行な上底と下底と
を有する四辺形である場合は、当該描画図形を台
形と判断して当該描画図形を示すデータを露光デ
ータとし、 また、前記複数の描画図形のうちで判断対象た
る描画図形が、前記基準軸に平行な上底と下底と
を有する四辺形でない場合は、当該描画図形を台
形でないと判断し、 さらに、前記複数の描画図形のうちで判断対象
たる描画図形が、当該描画図形を構成する辺のな
かの前記基準軸と同一の平面において前記基準軸
と直交する座標軸と平行な少なくとも１辺が存在
するか否かの有無判断を行い、当該有無判断によ
り有と判断された場合には、当該描画図形のＸ−
１座標変換を行い、変換された描画図形を示すデ
ータを露光データとすると共に、当該Ｘ−Ｙ座標
変換に使用した関数を設定し、 またさらに、前記有無判断により無と判断され
た場合には、当該描画図形の前記基準軸の座標値
が最小の点を中心として前記基準軸と同一の平面
において前記基準軸と直交する座標軸と平行な少
なくとも１辺が前記基準軸と平行となるように、
前記描画図形を回転させることにより、前記描画
図形の少なくとも１辺がＸ座標軸及びＹ座標軸の
うち少なくとも一方に平行となるように座標変換
し、変換された描画図形を示すデータを露光デー
タとすると共に、前記座標変換の回転変換に使用
した関数を設定し、 上記により得られた変換に使用した関数と、変
換された描画図形を示す露光データとをそれぞれ
伝送することを特徴とする露光データ伝送方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14998083A JPS6041221A (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | 露光デ−タ伝送方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14998083A JPS6041221A (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | 露光デ−タ伝送方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6041221A JPS6041221A (ja) | 1985-03-04 |
| JPH0574215B2 true JPH0574215B2 (ja) | 1993-10-18 |
Family
ID=15486832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14998083A Granted JPS6041221A (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | 露光デ−タ伝送方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6041221A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6332920A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-12 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビ−ム描画装置の描画方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5630727A (en) * | 1979-08-22 | 1981-03-27 | Toshiba Corp | Transmission system of exposure data |
| JPS5759659A (en) * | 1980-09-25 | 1982-04-10 | Komatsu Ltd | Gas spray coating device for liquid |
-
1983
- 1983-08-17 JP JP14998083A patent/JPS6041221A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5630727A (en) * | 1979-08-22 | 1981-03-27 | Toshiba Corp | Transmission system of exposure data |
| JPS5759659A (en) * | 1980-09-25 | 1982-04-10 | Komatsu Ltd | Gas spray coating device for liquid |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6041221A (ja) | 1985-03-04 |
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