JPH0573974U - 磁電変換素子 - Google Patents

磁電変換素子

Info

Publication number
JPH0573974U
JPH0573974U JP2136092U JP2136092U JPH0573974U JP H0573974 U JPH0573974 U JP H0573974U JP 2136092 U JP2136092 U JP 2136092U JP 2136092 U JP2136092 U JP 2136092U JP H0573974 U JPH0573974 U JP H0573974U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive
hole
substrate
conductive portion
magnetoelectric conversion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2136092U
Other languages
English (en)
Inventor
禎 田口
俊彦 宮越
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nidec Sankyo Corp
Original Assignee
Nidec Sankyo Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nidec Sankyo Corp filed Critical Nidec Sankyo Corp
Priority to JP2136092U priority Critical patent/JPH0573974U/ja
Publication of JPH0573974U publication Critical patent/JPH0573974U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】基板の表裏の一方に磁気抵抗体2を、他方に端
子部6を形成し、磁気抵抗体2と端子部6とを接続する
導電部5を基板の貫通孔4に形成してなる磁電変換素子
において、貫通孔4およびこの貫通孔4に導電材を充填
することによって形成する導電部5の加工性を向上さ
せ、設計条件に応じて複雑な貫通孔形状等に加工するこ
とが容易で、この貫通孔形状に応じた導電部5を容易に
形成することができる磁電変換素子を提供する。 【構成】感光性ガラス基板1を用い、磁気抵抗体2と端
子部6とを接続する導電部5を、感光性ガラス基板1に
形成した貫通孔4に導電材を充填することによって形成
した。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、磁電変換素子に関するもので、特にその端子部の構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
強磁性薄膜からなる磁気抵抗体を磁気変換部として有する磁電変換素子の従来 例として特開昭63−34986号公報記載のものがある。磁電変換素子におい て、磁電変換部の電極部と外部回路への接続端子との接合部が磁電変換部形成面 側に突出していると、磁電変換素子を磁気ドラム等の記録媒体に対向配置するに 当たり、上記接合部の突出部を磁電変換素子と記録媒体との対向面からずらす必 要があり、磁電変換素子の基板を小さくできないなどの問題がある。そこで、上 記公報記載の発明では、基板に多数のスルーホールを形成すると共に多数の磁電 変換部を形成し、上記基板をスルーホールを通る線に沿って分割し、基板の四隅 のスルーホールを形成していた部分円筒状の部分に導電部を形成し、この導電部 を介して基板の裏面側に設けた端子と磁電変換部とを導通させている。
【0003】 上記公報記載のものによれば、磁電変換部の電極部と端子との接合部が磁電変 換部形成面側で突出しないという利点がある。しかし、基板の四隅のスルーホー ルを形成していた部分円筒状の部分に導電部を形成しているため、導電部が露出 している。導電部は導電材料を焼成によって形成するため、ミクロ的には無数の 微小なポーラスがあって吸湿性があり、何らかの保護手段を施さなければ、導電 部が水分を吸収して電食を起こし、特性が劣化したり、耐久性を低下させるとい うような不具合を生じる。
【0004】 その点、本出願人の出願である特開平2−297085号公報記載の発明のよ うに、ビアホール電極と称して、絶縁性基板に形成した孔に導電材を充填して形 成した導電部を用いれば、導電部の周りが基板で包み込まれているため、導電部 の保護手段を特別に設ける必要はないし、孔が導電材で充填されていて表面がフ ラットであるため、基板への磁電変換膜の形成あるいは端子の接続が容易である というような利点がある。
【0005】
【考案が解決しようとする課題】
本考案は、上記特開平2−297085号公報記載の発明を基本思想としてこ れを発展させたものであり、基板の貫通孔およびこの貫通孔に導電材を充填する ことによって形成される導電部の加工性を向上させ、設計条件に応じて複雑な孔 形状に加工することが容易であり、微細な孔加工も、多数の孔加工も可能で、こ のような孔に応じた導電部を容易に形成することができる磁電変換素子を提供す ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本考案は、磁電変換素子の基板として感光性ガラス 基板を用い、この感光性ガラス基板の表裏の一方に磁気抵抗体を他方に端子部を 形成し、この磁気抵抗体と端子部とを接続する導電部を、感光性ガラス基板に形 成された貫通孔に導電材を充填することによって形成したことを特徴とする。
【0007】
【作用】
感光性ガラスは、エッチング加工することができ、これによって機械加工では 難しい複雑な異形の貫通孔や微小な貫通孔、複数の貫通孔などを容易に形成する ことができる。この貫通孔に導電材を充填することによって導電部が形成され、 感光性ガラス基板の表裏に形成された磁気抵抗体と端子部とを上記導電部で接続 することができる。
【0008】
【実施例】
以下、図面を参照しながら本考案にかかる磁電変換素子の実施例について説明 する。 図1、図2において、符号1は感光性ガラス基板を示している。この感光性ガ ラス基板1は、リチウムケイ酸系のものがある。感光性ガラス基板1は、紫外線 を照射して結晶化させると、その部分が他の部分よりもずっと早く酸に溶け、さ らに熱処理することによって全く新しい特性をもつ結晶化ガラスに変わるという 特徴をもっている。そこで、感光性ガラス基板1にマスクを通して紫外線を照射 することにより潜象を形成し、そのあと熱処理して潜象部を結晶化させ、さらに 酸処理をすることによって結晶部分だけを溶解し、貫通孔4を形成する。貫通孔 4は感光性ガラス基板1に形成する磁気抵抗体2の電極部2aの位置およびその 数に応じて形成する。図示の例では、感光性ガラス基板1の四隅にそれぞれ1個 ずつ合計4個の貫通孔4が形成されている。また、図示の実施例では、貫通孔の 横断面形状は円形であり、かつ、基板1の表裏方向に直線的に同じ径で形成され ている。なお、感光性ガラスの特性を活かして、横断面形状を多角形状、長孔状 、星形状、その他適宜の異形の孔にしてもよく、また、基板1の表裏方向に斜め に形成してもよく、さらに、基板1の表面側の形状と裏面側の形状とを異ならせ てもよい。感光性ガラスは、強度アップ、耐熱性アップ、アルカリイオンの安定 化の目的で、基板全体を、紫外線全面照射及び熱処理することによって、一次結 晶化(Li2O・SiO2(メタケイ酸リチウム))あるいは二次結晶化(Li2 O・2SiO2(リチウムダイシリケート))処理して使うこともできる。
【0009】 上記貫通孔4には導電部5が形成されている。導電部5は、導電性ペーストの 充填、焼成、あるいは、導電性フリットの圧縮充填、焼成等によって得ることが できる。導電部5の表裏の面は感光性ガラス基板1の表裏の面と同一面にある。 図1において感光性ガラス基板1の上側の面を表面とすると、この表面側には磁 電変換部としての磁気抵抗体2が強磁性の薄膜によって所定のパターンに形成さ れている。磁気抵抗体2は対称形の連続した二つのパターンからなり、それぞれ のパターンの両端部の合計4個の電極部2aがそれぞれ上記各導電部5の上まで 延びて各導電部5に電気的につながっている。上記基板1の表面は、磁気抵抗体 2と共に、さらには磁気抵抗体2からはみ出た導電部5の一部と共に保護膜3で 覆われている。
【0010】 上記基板1の裏面側には上記導電部5に重ねて外部接続端子6が固着され、導 電部5と外部接続端子6が電気的に接続されている。上記基板1の裏面は、外部 接続端子6と共に保護膜7で覆われている。
【0011】 さて、磁電変換部を構成する磁気抵抗体2およびこれを引き回してなる電極部 2aは薄膜で形成されるものであるため、その保護には十分に注意しなければな らない。何故なら、保護が不十分であると、僅かな水分の侵入によって電食を起 こし、特性の劣化、耐久性の低下等の不具合を生じるからである。上記実施例に よれば、感光性ガラス基板1に形成した貫通孔4に導電材が充填されて導電部5 が形成されて、いわゆるビアホール電極が形成されている。ビアホール電極も、 内部の導電部5はその製法上ミクロ的には無数の微小なポーラスがあって吸湿性 があるため、特に磁気抵抗体2との接続部近傍が外部に露出していたりすると上 記のような不具合を生じる。その点、上記実施例によれば、ビアホール電極を構 成している導電部5の周囲が基板1で包まれているので、重要な保護が必要な部 分は磁気抵抗体2と導電部5との接続部近傍のみであり、この部分を確実に保護 すればよく、上述のような不具合の発生を少なくすることができる。ちなみに、 基板1の裏面側での導電部5と外部接続端子6との接続部近傍でビアホール電極 の一部が外部に露出していたとしても、この部分での水分の侵入はあまり問題に ならないので、磁気抵抗体2と導電部5との接続部近傍ほどの重要な保護は必要 ない。
【0012】 図3、図4は、磁気抵抗体と外部接続端子とを電気的に接続する導電部の側面 が露出している場合に施すべき保護手段の例を示すもので、導電部の構成自体は 当初に挙げた特開昭63−34986号公報記載の発明と実質的に同一のもので ある。図3、図4において、基板11の四隅は切り取られて部分円筒面14とな っており、各部分円筒面14には導電材が焼成等により形成されて導電部15が 形成されている。基板11の表面側には磁気抵抗体12が形成され、磁気抵抗体 12の各電極部12aは導電部15に電気的につながっている。基板11の表面 は磁気抵抗体12と共に保護膜13で覆われている。基板11の裏面側には上記 導電部15に重ねて外部接続端子16が固着されている。このままでは導電部1 5の側面が外部に剥き出しになり、導電部15の吸湿性によって前述のような不 具合を生じるので、導電部15の側面専用の保護膜18で導電部15の側面を覆 っている。
【0013】 しかしながら、特別に導電部15の側面専用の保護膜18を設けること自体が 不利であり、また、保護膜18で覆うべき導電部15の面積が大きくなるため、 導電部15全体あるいは導電部15と磁気抵抗体12との接続部近傍を確実に保 護するには歩留まりが低下するという難点がある。その点、前記本考案の実施例 によれば、導電部5の周囲は基板1で包み込まれており、導電部5の端面も大半 が磁気抵抗体2の電極部2aと外部接続端子6で覆われているので、導電部5全 体あるいは導電部5と磁気抵抗体2との接続部近傍を確実に保護することができ 、上記のような難点を解消することができる。なお、図3、図4の例において、 基板11の裏面は外部接続端子16と共に保護膜17で覆われている。
【0014】 また、図1、図2に示した実施例によれば、感光性ガラス基板11を用い、こ の感光性ガラス基板11に形成した貫通孔4に導電材を充填して導電部5を形成 したため、感光性ガラス基板11の特性を利用してフォトリソグラフ工程により 各種任意の形態の貫通孔4を容易に形成することができる。例えば、横断面形状 が多角形、楕円形、長円形、非対称形等の異形状にすることができるし、微細な 貫通孔4を多数形成することも、斜めに形成することも、基板の表面側の形状と 裏面側の形状を異ならせることもできる。そして、このような貫通孔4の形状に 応じて導電部5を形成することも容易である。従って、磁気抵抗体2のパターン その他各種設計条件に応じて、それに最も適応した形状の貫通孔4および導電部 5を容易に形成することがでる。
【0015】
【考案の効果】
本考案によれば、感光性ガラス基板を用い、この感光性ガラス基板に形成した 貫通孔に導電材を充填して導電部を形成したため、感光性ガラス基板の特性を利 用して各種任意の形態の貫通孔を容易に形成することができ、このような貫通孔 の形状に応じて導電部を形成することも容易である。従って、磁気抵抗体のパタ ーンその他各種設計条件に応じて、それに最も適応した形状の貫通孔および導電 部を容易に形成することができる。
【提出日】平成5年5月7日
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0003
【補正方法】変更
【補正内容】
【0003】 上記公報記載のものによれば、磁電変換部の電極部と端子との接合部が磁電変 換部形成面側で突出しないという利点がある。しかし、基板の四隅のスルーホー ルを形成していた部分円筒状の部分に導電部を形成しているため、導電部が露出 している。導電部は導電材料を焼成によって形成するため、ミクロ的には無数の 微小なポーラスがあって吸湿性があり、何らかの保護手段を施さなければ、導電 部が水分を吸収して電食を起こし、さらには、薄膜パターンにまで至り、特性が 劣化したり、耐久性を低下させるというような不具合を生じる。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0006
【補正方法】変更
【補正内容】
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本考案は、磁電変換素子の基板として感光性ガラス 基板を用い、この感光性ガラス基板の表裏の一方に磁気抵抗体を他方に端子部を 形成し、この磁気抵抗体と端子部とを接続する導電部を、感光性ガラス基板に形 成された貫通孔に導電材を感光性ガラス基板の端面から突出しないように充填す ること によって形成したことを特徴とする。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0011
【補正方法】変更
【補正内容】
【0011】 さて、磁電変換部を構成する磁気抵抗体2およびこれを引き回してなる電極部 2aは薄膜で形成されるものであるため、その保護には十分に注意しなければな らない。何故なら、保護が不十分であると、僅かな水分の侵入によって電食を起 こし、特性の劣化、耐久性の低下等の不具合を生じるからである。上記実施例に よれば、感光性ガラス基板1に形成した貫通孔4に導電材が充填されて導電部5 が形成されて、いわゆるビアホール電極が形成されている。ビアホール電極も、 内部の導電部5はその製法上ミクロ的には無数の微小なポーラスがあって吸湿性 があるため、特に磁気抵抗体2との接続部近傍が外部に露出していたりすると上 記のような不具合を生じる。上記実施例によれば、ビアホール電極を構成してい る導電部5の周囲が基板1で包まれているので、重要な保護が必要な部分は磁気 抵抗体2上及び導電部5上を重点とした磁気抵抗体形成面のみであり、 この部分 を確実に保護すればよく、上述のような不具合の発生を少なくすることができる 。ちなみに、基板1の裏面側での導電部5と外部接続端子6の保護も必要である が、薄膜形成でないため、磁気抵抗体形成面のような重要な保護でなくてよい。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0013
【補正方法】変更
【補正内容】
【0013】 しかしながら、特別に導電部15の側面専用の保護膜18を設けること自体が 不利であり、また、保護膜18で覆うべき導電部15の面積が大きくなるため、 導電部15全体あるいは導電部15と磁気抵抗体12との接続部近傍を確実に保 護するには歩留まりが低下するという難点がある。その点、前記本考案の実施例 によれば、導電部5の周囲は基板1で包み込まれているため、少なくとも導電部 5の端面の保護をする必要がなく、 上記のような難点を解消することができる。 なお、図3、図4の例において、基板11の裏面は外部接続端子16と共に保護 膜17で覆われている。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案にかかる磁電変換素子の実施例を示す平
面図。
【図2】同上実施例の要部拡大断面図。
【図3】従来の磁電変換素子の例を示す平面図。
【図4】同上従来例の要部拡大断面図。
【符号の説明】
1 感光性ガラス基板 2 磁気抵抗体 4 貫通孔 5 導電部 6 端子部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年5月7日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】実用新案登録請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【実用新案登録請求の範囲】
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案にかかる磁電変換素子の実施例を示す平
面図。
【図2】同上実施例の要部拡大断面図。
【図3】従来の磁電変換素子の例を示す平面図。
【図4】同上従来例の要部拡大断面図。
【符号の説明】 1 感光性ガラス基板1a 端面 2 磁気抵抗体 4 貫通孔 5 導電部 6 端子部
【手続補正7】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図2
【補正方法】変更
【補正内容】
【図2】

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 感光性ガラス基板からなる磁電変換素子
    であって、 上記感光性ガラス基板の表裏の一方に磁気抵抗体が他方
    に端子部が形成され、 この磁気抵抗体と端子部とを接続する導電部が、上記感
    光性ガラス基板に形成された貫通孔に導電材を充填する
    ことによって形成されていることを特徴とする磁電変換
    素子。
JP2136092U 1992-03-10 1992-03-10 磁電変換素子 Pending JPH0573974U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2136092U JPH0573974U (ja) 1992-03-10 1992-03-10 磁電変換素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2136092U JPH0573974U (ja) 1992-03-10 1992-03-10 磁電変換素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0573974U true JPH0573974U (ja) 1993-10-08

Family

ID=12052932

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2136092U Pending JPH0573974U (ja) 1992-03-10 1992-03-10 磁電変換素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0573974U (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02176483A (ja) * 1988-12-28 1990-07-09 Asahi Chem Ind Co Ltd 磁気抵抗素子
JPH02297085A (ja) * 1989-05-12 1990-12-07 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd 磁気センサ及びその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02176483A (ja) * 1988-12-28 1990-07-09 Asahi Chem Ind Co Ltd 磁気抵抗素子
JPH02297085A (ja) * 1989-05-12 1990-12-07 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd 磁気センサ及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4076540B2 (ja) プラズマディスプレイパネル基板の電極構造
JPS5926577Y2 (ja) 小型インダクタンス素子
JP2002341513A (ja) 露光用マスク及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JPH0573974U (ja) 磁電変換素子
TWI481321B (zh) Electronic parts and manufacturing methods thereof
KR20120101302A (ko) 배선기판의 제조방법
JP5162387B2 (ja) 圧電振動片の製造方法
JP4673039B2 (ja) マスクブランクス基板
JPS6148706B2 (ja)
CN110853866B (zh) 电子部件
JP4368241B2 (ja) 配線基板の製造方法
JP3873346B2 (ja) 配線回路基板
JP4303833B2 (ja) 多連チップ抵抗器とその製造方法
KR0152925B1 (ko) 부분 투과성을 갖는 하프톤 위상반전마스크 제조방법
JPH05267748A (ja) 磁気センサ
JPS62164290A (ja) 磁気バブルメモリ素子形成方法
JPH0445271Y2 (ja)
JP2000252597A (ja) プリント基板
JPH04118979A (ja) 磁気センサー及びその製造方法
JPH0712705B2 (ja) イオン流制御用電極の製造方法
KR20060029008A (ko) 메탈 제브라 커넥터 및 그 제조방법
JPS5877228A (ja) フオトエツチング方法
JPH0563070U (ja) 磁電変換素子
JPH11261129A (ja) 磁気抵抗素子
JPS5927409A (ja) 電極の形成方法