JPH0572720A - 面状態検査方法および露光装置 - Google Patents
面状態検査方法および露光装置Info
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- JPH0572720A JPH0572720A JP23304891A JP23304891A JPH0572720A JP H0572720 A JPH0572720 A JP H0572720A JP 23304891 A JP23304891 A JP 23304891A JP 23304891 A JP23304891 A JP 23304891A JP H0572720 A JPH0572720 A JP H0572720A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 一方をビーム走査させて二次元走査する面状
態検査装置で高精度化の為にビーム径を絞り、その為に
ビーム走査長が短くなっても、広範囲な被検領域を効率
的に二次元走査させる。 【構成】 被検査面に対し光束を第一方向ｌB に移動さ
せ、かつ該検査面を該光束に対し前記第一方向と交差す
る第二方向Ａ３に移動させることによって、前記光束で
前記被検査面上の矩形領域１０５Ｐを二次元走査して前
記被検査面の面状態を検査する方法において、該矩形領
域の短辺方向と前記第一方向とを略一致させた。
態検査装置で高精度化の為にビーム径を絞り、その為に
ビーム走査長が短くなっても、広範囲な被検領域を効率
的に二次元走査させる。 【構成】 被検査面に対し光束を第一方向ｌB に移動さ
せ、かつ該検査面を該光束に対し前記第一方向と交差す
る第二方向Ａ３に移動させることによって、前記光束で
前記被検査面上の矩形領域１０５Ｐを二次元走査して前
記被検査面の面状態を検査する方法において、該矩形領
域の短辺方向と前記第一方向とを略一致させた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は面状態検出装置に関す
る。本発明は特に半導体製造装置で使用されるレチクル
やフオトマスク等の基板上に存在するパターン欠陥やゴ
ミ等の異物を検出する装置に好適に使用できるものであ
る。
る。本発明は特に半導体製造装置で使用されるレチクル
やフオトマスク等の基板上に存在するパターン欠陥やゴ
ミ等の異物を検出する装置に好適に使用できるものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般にＩＣ製造工程においてはレチクル
又はフオトマスク等の基板上に形成されている露光用の
回路パターンを半導体焼き付け装置（ステツパー又はマ
スクアライナー）によりレジストが塗布されたウエハ面
上に転写して製造している。
又はフオトマスク等の基板上に形成されている露光用の
回路パターンを半導体焼き付け装置（ステツパー又はマ
スクアライナー）によりレジストが塗布されたウエハ面
上に転写して製造している。
【０００３】この際、基板面上にゴミ等の異物が存在す
ると転写する際、異物も同時に転写されてしまいＩＣ製
造の歩留まりを低下させる原因となってくる。
ると転写する際、異物も同時に転写されてしまいＩＣ製
造の歩留まりを低下させる原因となってくる。
【０００４】特にレチクルを使用し、ステツプアンドリ
ビート方向により繰り返してウエハ面上に回路パターン
を焼き付ける場合、レチクル面上の１個の異物がウエハ
全面に焼き付けられてしまいＩＣ製造の歩留まりを大き
く低下させる原因となってくる。
ビート方向により繰り返してウエハ面上に回路パターン
を焼き付ける場合、レチクル面上の１個の異物がウエハ
全面に焼き付けられてしまいＩＣ製造の歩留まりを大き
く低下させる原因となってくる。
【０００５】その為、ＩＣ製造過程においては基板上の
異物の存在を検出するのが不可欠となっており、その為
に種々の検査装置が提案されている。図１５はその一例
である。この例は従来例の中でも検査時間を短縮する為
の配慮がなされている点が特徴である。即ち投光レンズ
２を通過した入射ビーム３はハーフミラー４で２分割さ
れ、上下各々設けられた折り曲げミラー５、１０で、レ
チクル１上の点Ｐ、Ｑに集光されるレチクルは回路パタ
ーンを、パターニングされた面（パターン面）が通常下
側で、そうでないガラスブランクスのままの面（ブラン
ク面）が上側である。回路欠陥の検査の場合は通常パタ
ーン面だけの検査を行なうが、レチクルのような透明基
板上に付着したゴミ等の異物の検査になるとパターン面
とブランク面の両面にビームを入射させ検査する。投光
レンズ２の前には不図示の回転素子（ポリゴンミラー）
があって、紙面と直交方向にビームを走査する。これに
伴なって上下のビームはレチクル面上を紙面と直交方向
に走査する。又、レチクル全面を検査する為に図中、紙
面内でＳ1←Ｓ2 の方向にレチクルを移動させる。
異物の存在を検出するのが不可欠となっており、その為
に種々の検査装置が提案されている。図１５はその一例
である。この例は従来例の中でも検査時間を短縮する為
の配慮がなされている点が特徴である。即ち投光レンズ
２を通過した入射ビーム３はハーフミラー４で２分割さ
れ、上下各々設けられた折り曲げミラー５、１０で、レ
チクル１上の点Ｐ、Ｑに集光されるレチクルは回路パタ
ーンを、パターニングされた面（パターン面）が通常下
側で、そうでないガラスブランクスのままの面（ブラン
ク面）が上側である。回路欠陥の検査の場合は通常パタ
ーン面だけの検査を行なうが、レチクルのような透明基
板上に付着したゴミ等の異物の検査になるとパターン面
とブランク面の両面にビームを入射させ検査する。投光
レンズ２の前には不図示の回転素子（ポリゴンミラー）
があって、紙面と直交方向にビームを走査する。これに
伴なって上下のビームはレチクル面上を紙面と直交方向
に走査する。又、レチクル全面を検査する為に図中、紙
面内でＳ1←Ｓ2 の方向にレチクルを移動させる。
【０００６】レチクル上の入射点Ｐから発した散乱光は
受光レンズ６ａの作用で視野絞り７ａ上に結像される。
視野絞り７ａは必要な信号光だけを後続するフアイバー
８ａ、フオトマル９ａに導く為のもので、それ以外の余
分なフレアー光を遮断する働きをもっている。受光レン
ズ６ａ、視野絞り７ａ、フアイバー８ａ、フオトマル９
ａで上受光系３０を形成する。
受光レンズ６ａの作用で視野絞り７ａ上に結像される。
視野絞り７ａは必要な信号光だけを後続するフアイバー
８ａ、フオトマル９ａに導く為のもので、それ以外の余
分なフレアー光を遮断する働きをもっている。受光レン
ズ６ａ、視野絞り７ａ、フアイバー８ａ、フオトマル９
ａで上受光系３０を形成する。
【０００７】入射点Ｑから発した散乱光用の下受光系３
１も以上の構成と同じ（受光レンズ６ｂ、視野絞り７
ｂ、フアイバー８ｂ、フオトマル９ｂ）である。
１も以上の構成と同じ（受光レンズ６ｂ、視野絞り７
ｂ、フアイバー８ｂ、フオトマル９ｂ）である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】さてこの種のレーザー
ビーム走査型表面検査装置においては、検査面上でのレ
ーザービーム径を絞る程異物の散乱強度がその二乗に反
比例して高まる事が知られている。その結果、より細か
い微粒子まで検出する事ができるようになる。パターン
面に関してはビーム径を絞る事によって回路パターンノ
イズを殆ど一定に抑えたままで、異物の散乱光強度を同
様に高められる。即ちビーム径を１／２ｘに絞れば、Ｓ
／Ｎ比（＝異物信号／パターンノイズ）を約４ｘ高める
事ができる。しかしながら光学設計上はビーム径を絞れ
ば投光レンズの軸外収差が増大する為、有効な走査長が
短くなるという問題がある。
ビーム走査型表面検査装置においては、検査面上でのレ
ーザービーム径を絞る程異物の散乱強度がその二乗に反
比例して高まる事が知られている。その結果、より細か
い微粒子まで検出する事ができるようになる。パターン
面に関してはビーム径を絞る事によって回路パターンノ
イズを殆ど一定に抑えたままで、異物の散乱光強度を同
様に高められる。即ちビーム径を１／２ｘに絞れば、Ｓ
／Ｎ比（＝異物信号／パターンノイズ）を約４ｘ高める
事ができる。しかしながら光学設計上はビーム径を絞れ
ば投光レンズの軸外収差が増大する為、有効な走査長が
短くなるという問題がある。
【０００９】例えばφ３０μｍ前後のビーム径で約１５
０ｍｍの有効なビーム走査長を有する、ビーム側スキヤ
ンの被走査域幅１００ｍｍのレチクル用の検査機を考え
る。この検査機において、異物からの散乱光を４倍にし
てＳ／Ｎ比を４倍にする為にビーム径をφ１５μｍ近く
に絞ると有効ビーム走査長さは約７５ｍｍ迄短くなり、
被走査域幅より短くなって一回の走査で幅方向全部を走
査しきれなくなってしまう。
０ｍｍの有効なビーム走査長を有する、ビーム側スキヤ
ンの被走査域幅１００ｍｍのレチクル用の検査機を考え
る。この検査機において、異物からの散乱光を４倍にし
てＳ／Ｎ比を４倍にする為にビーム径をφ１５μｍ近く
に絞ると有効ビーム走査長さは約７５ｍｍ迄短くなり、
被走査域幅より短くなって一回の走査で幅方向全部を走
査しきれなくなってしまう。
【００１０】本発明は前述した点に鑑み、走査ビームの
ビーム径を絞った高精度な面状態検査に対応する事が可
能な広域検査用の面状態検査装置を提供する事を目的と
する。
ビーム径を絞った高精度な面状態検査に対応する事が可
能な広域検査用の面状態検査装置を提供する事を目的と
する。
【００１１】
【問題点を解決する為の手段】前述目的を達成する為本
発明は被検査面に対し光束を第一方向に移動させ、かつ
該被検査面を該光束に対し前記第一方向と交差する第二
方向に移動させることによって、前記光束で前記被検査
面上の矩形領域を二次元走査して前記被検査面の面状態
を検査する方法において、該矩形領域の短辺方向と前記
第一方向とを略一致させている。又、被検査面に対し光
束を第一方向に移動させ、かつ該被検査面を該光束に対
し前記第一方向と交差する第二方向に移動させることに
よって、前記光束で前記被検査面上の所定領域を二次元
走査して前記被検査面の面状態を検査する方法におい
て、前記被検査面の被検査領域を複数の矩形領域に分割
し、該複数の矩形領域をそれぞれ前記二次元走査して前
記被検査領域の面状態検査を行ない、かつそれぞれの矩
形領域の二次元走査はそれぞれの矩形領域の短辺方向と
前記第一方向とを略一致させて行なっている。又、原版
を被露光体に露光転写するための露光部と、該原版の被
検査面に対し光束を第一方向に移動させるための走査光
学系と、該被検査面を該光束に対し前記第一方向と交差
する第二方向に移動させる移動機構と、前記走査光学系
と移動機構によって前記光束で二次元走査された前記被
検査面上の矩形領域からの光を受光して前記被検査面の
面状態を検査する検査系とを有し、かつ該矩形領域の短
辺方向と前記第一方向とを略一致させている。
発明は被検査面に対し光束を第一方向に移動させ、かつ
該被検査面を該光束に対し前記第一方向と交差する第二
方向に移動させることによって、前記光束で前記被検査
面上の矩形領域を二次元走査して前記被検査面の面状態
を検査する方法において、該矩形領域の短辺方向と前記
第一方向とを略一致させている。又、被検査面に対し光
束を第一方向に移動させ、かつ該被検査面を該光束に対
し前記第一方向と交差する第二方向に移動させることに
よって、前記光束で前記被検査面上の所定領域を二次元
走査して前記被検査面の面状態を検査する方法におい
て、前記被検査面の被検査領域を複数の矩形領域に分割
し、該複数の矩形領域をそれぞれ前記二次元走査して前
記被検査領域の面状態検査を行ない、かつそれぞれの矩
形領域の二次元走査はそれぞれの矩形領域の短辺方向と
前記第一方向とを略一致させて行なっている。又、原版
を被露光体に露光転写するための露光部と、該原版の被
検査面に対し光束を第一方向に移動させるための走査光
学系と、該被検査面を該光束に対し前記第一方向と交差
する第二方向に移動させる移動機構と、前記走査光学系
と移動機構によって前記光束で二次元走査された前記被
検査面上の矩形領域からの光を受光して前記被検査面の
面状態を検査する検査系とを有し、かつ該矩形領域の短
辺方向と前記第一方向とを略一致させている。
【００１２】
【実施例】以下に説明する実施例では実際の半導体製造
工程に用いられるレチクル上面及び下面の被検査領域
（パターンが描画されている領域及び、その裏側領域）
が、必ずしも正方形でなく、むしろ焼付レンズと回路パ
ターン線幅及びチツプの歩留まりｅｔｃの関係から矩形
状のものが多いという特質を利用し、該矩形検査域の短
辺の方向をビームの走査方向と概ね一致させると共に、
これと直交方向にレチクルを移動させる、という検査シ
ステムを提供する。以下、図面により説明する。
工程に用いられるレチクル上面及び下面の被検査領域
（パターンが描画されている領域及び、その裏側領域）
が、必ずしも正方形でなく、むしろ焼付レンズと回路パ
ターン線幅及びチツプの歩留まりｅｔｃの関係から矩形
状のものが多いという特質を利用し、該矩形検査域の短
辺の方向をビームの走査方向と概ね一致させると共に、
これと直交方向にレチクルを移動させる、という検査シ
ステムを提供する。以下、図面により説明する。
【００１３】図１乃至図３は本発明の第１実施例の概略
と動作の説明図である。図中１００はレーザー、１０１
はピンホール、１０２はビームエキスパンダー、１０３
はポリゴンミラー、１０４は走査レンズ、１０５はレチ
クル、１０５Ｐは被検査域である矩形状のパターンエリ
ア、１１１はターンテーブル（以下Ｔテーブルと表記す
る）である。レーザ１００から発したレーザビームはピ
ンホール１０１とビームエキスパンダー１０２を通過し
て所定の光束に拡張された後、ポリゴンミラー１０３の
回転に伴って紙面内を操作される。この光束は回折限界
に収差補正された走査レンズ１０４の作用によって検査
位置でのレチクル上面に所定のビーム系を形成し、かつ
走査線ｌB を成す。
と動作の説明図である。図中１００はレーザー、１０１
はピンホール、１０２はビームエキスパンダー、１０３
はポリゴンミラー、１０４は走査レンズ、１０５はレチ
クル、１０５Ｐは被検査域である矩形状のパターンエリ
ア、１１１はターンテーブル（以下Ｔテーブルと表記す
る）である。レーザ１００から発したレーザビームはピ
ンホール１０１とビームエキスパンダー１０２を通過し
て所定の光束に拡張された後、ポリゴンミラー１０３の
回転に伴って紙面内を操作される。この光束は回折限界
に収差補正された走査レンズ１０４の作用によって検査
位置でのレチクル上面に所定のビーム系を形成し、かつ
走査線ｌB を成す。
【００１４】尚、図では省略しているが、本実施例でも
図１５と同様に、ハーフミラー４、ミラー５、１０を走
査レンズ１０４より図面下側の光路上に設け、検査位置
でのレチクルの上面と下面をそれぞれ走査する構成にな
っている。
図１５と同様に、ハーフミラー４、ミラー５、１０を走
査レンズ１０４より図面下側の光路上に設け、検査位置
でのレチクルの上面と下面をそれぞれ走査する構成にな
っている。
【００１５】次に動作を説明する。
【００１６】レチクルは検査開始前には図１に示す様に
回転可能なＴテーブル１１１上に配置される。
回転可能なＴテーブル１１１上に配置される。
【００１７】検査がスタートするとレチクルはその検査
域の短辺方向と検査ビームの走査方向ｌB とが概一致す
る様Ｔテーブル上で矢印Ａ１方向に９０°回転される。
図２は回転の終了した状態を示す。しかる後直線移動可
能なリニア・ステージ（不図示で以下Ｌステージと表記
する）に受け渡され、矢印Ａ２の方向に送り込まれ、検
査位置に達する。被検査領域１０５Ｐに走査線ｌB がか
かった時点よりレチクル上面の被検査領域１０５Ｐの検
査が開始される。レチクル下面に関しても同様である。
図３は検査中の状態を示している。ビーム走査と同期し
て、レチクルはＬステージによりｌB と略直交方向（Ａ
３の方向）に直線移動する。この時のステージ送り速度
は走査ビーム径の大きさに対応して設定される。つま
り、ビーム径が小さくなる程、ステージは遅くなる。こ
の様にして被検査領域１０５Ｐ上を隙間なく二次元走査
（ラスタースキヤン）する。
域の短辺方向と検査ビームの走査方向ｌB とが概一致す
る様Ｔテーブル上で矢印Ａ１方向に９０°回転される。
図２は回転の終了した状態を示す。しかる後直線移動可
能なリニア・ステージ（不図示で以下Ｌステージと表記
する）に受け渡され、矢印Ａ２の方向に送り込まれ、検
査位置に達する。被検査領域１０５Ｐに走査線ｌB がか
かった時点よりレチクル上面の被検査領域１０５Ｐの検
査が開始される。レチクル下面に関しても同様である。
図３は検査中の状態を示している。ビーム走査と同期し
て、レチクルはＬステージによりｌB と略直交方向（Ａ
３の方向）に直線移動する。この時のステージ送り速度
は走査ビーム径の大きさに対応して設定される。つま
り、ビーム径が小さくなる程、ステージは遅くなる。こ
の様にして被検査領域１０５Ｐ上を隙間なく二次元走査
（ラスタースキヤン）する。
【００１８】もし、レチクル上面に異物があった場合に
はそこから散乱光が発散するが、その一部は上受光系１
３０で検出され、ＣＰＵ１４０で異物の存在が判定され
る。ＣＰＵ１４０はＬステージとポリゴンミラー１０３
の動作状態をモニターして、これと上受光系１３０の検
出結果より異物の存在位置も判定する。上受光系１３０
は例えば図１５の受光系３０と同種の系で構成される。
又、図には示していないがレチクル下面（パターン面）
の異物からの散乱光検出用に同様に下受光系が設けられ
ている。パターン面上に付着した異物を効率よく検知す
る方法としては、本出願人の発明（特開昭６２ー１８８
９４５号に記載）を用いると良い。この方法では、回路
パターンからの回折光を回避する為に、光学系の光軸を
レチクルのタテヨコ方向に対して例えば１５°捩ってい
る。下受光系の検出結果もＣＰＵ１４０で同様に処理さ
れる。
はそこから散乱光が発散するが、その一部は上受光系１
３０で検出され、ＣＰＵ１４０で異物の存在が判定され
る。ＣＰＵ１４０はＬステージとポリゴンミラー１０３
の動作状態をモニターして、これと上受光系１３０の検
出結果より異物の存在位置も判定する。上受光系１３０
は例えば図１５の受光系３０と同種の系で構成される。
又、図には示していないがレチクル下面（パターン面）
の異物からの散乱光検出用に同様に下受光系が設けられ
ている。パターン面上に付着した異物を効率よく検知す
る方法としては、本出願人の発明（特開昭６２ー１８８
９４５号に記載）を用いると良い。この方法では、回路
パターンからの回折光を回避する為に、光学系の光軸を
レチクルのタテヨコ方向に対して例えば１５°捩ってい
る。下受光系の検出結果もＣＰＵ１４０で同様に処理さ
れる。
【００１９】レチクル上面、下面共に被検査領域の二次
元走査が終了し、Ｌステージが終点迄到達するとレチク
ルは矢印Ａ１４で示す経路を通ってＴテーブル迄検査時
より高速でＬステージにより搬送される。これにより図
２に示した状態にもどりしかる後Ｔテーブル１１１で９
０°Ａ１の方向とは逆に回転されて図１に示された状態
にもどる。
元走査が終了し、Ｌステージが終点迄到達するとレチク
ルは矢印Ａ１４で示す経路を通ってＴテーブル迄検査時
より高速でＬステージにより搬送される。これにより図
２に示した状態にもどりしかる後Ｔテーブル１１１で９
０°Ａ１の方向とは逆に回転されて図１に示された状態
にもどる。
【００２０】以上は検査装置の内部での動作を呈示した
が、図４はこれをステツプ＆リピート方式の半導体焼付
製造（ステツパー）に搭載した時のレチクルの搬送状態
の１例を示している。
が、図４はこれをステツプ＆リピート方式の半導体焼付
製造（ステツパー）に搭載した時のレチクルの搬送状態
の１例を示している。
【００２１】洗浄されたレチクルはひとまずカセツトに
封入されてレチクルチエンジヤー１１０のどこかのスロ
ツトにストアーされる。検査がスタートするとカセツト
から引き出され（第１工程、矢印Ｐ１で表示）、異物検
査装置１１３内にあるＴテーブル１１１に受け渡され
る。Ｔテーブルは先に説明したようにレチクルを９０°
回転（第２工程）させて、検査域短辺とビーム走査線の
向きを合わす。しかる後、ＬステージＬＳにレチクルが
渡され、ＬステージＬＳの移動（第３工程、矢印Ｐ３で
表示）中、検査が行われる。終了するとすぐにＴテーブ
ル１１１に戻る（第４工程、矢印Ｐ４で表示）。レチク
ルはターンテーブル１１１に戻され、９０°回転されて
（第５工程）その検査結果が合格なら、露光光源、焼付
レンズ、アライメント系等を含む周知の露光システム１
１４の露光位置ＥＰに送り込まれて（第６工程、矢印Ｐ
６で表示）露光が行われるし、もし、不合格ならレチク
ルチエンジヤー１１０に戻される（第９工程、矢印Ｐ９
で表示）。露光が終了したレチクルはＴテーブルへ戻さ
れ（第７工程、矢印Ｐ７で表示）、次いでレチクルチエ
ンジヤー１１０に戻り（第９工程）、カセツト内に収納
される。
封入されてレチクルチエンジヤー１１０のどこかのスロ
ツトにストアーされる。検査がスタートするとカセツト
から引き出され（第１工程、矢印Ｐ１で表示）、異物検
査装置１１３内にあるＴテーブル１１１に受け渡され
る。Ｔテーブルは先に説明したようにレチクルを９０°
回転（第２工程）させて、検査域短辺とビーム走査線の
向きを合わす。しかる後、ＬステージＬＳにレチクルが
渡され、ＬステージＬＳの移動（第３工程、矢印Ｐ３で
表示）中、検査が行われる。終了するとすぐにＴテーブ
ル１１１に戻る（第４工程、矢印Ｐ４で表示）。レチク
ルはターンテーブル１１１に戻され、９０°回転されて
（第５工程）その検査結果が合格なら、露光光源、焼付
レンズ、アライメント系等を含む周知の露光システム１
１４の露光位置ＥＰに送り込まれて（第６工程、矢印Ｐ
６で表示）露光が行われるし、もし、不合格ならレチク
ルチエンジヤー１１０に戻される（第９工程、矢印Ｐ９
で表示）。露光が終了したレチクルはＴテーブルへ戻さ
れ（第７工程、矢印Ｐ７で表示）、次いでレチクルチエ
ンジヤー１１０に戻り（第９工程）、カセツト内に収納
される。
【００２２】上記はステツパー内におけるレチクル搬送
の１例である。装置によっては、レチクルの受渡し時に
もっと複雑な方向転換も考え得る。いずれの場合におい
ても、レチクルチエンジヤー１１０や露光位置１１４上
でのレチクルの向きがどうであろうとも、検査時には常
にその検査域の短辺方向とビーム走査方向とが概一致す
る構成を与える様にする。
の１例である。装置によっては、レチクルの受渡し時に
もっと複雑な方向転換も考え得る。いずれの場合におい
ても、レチクルチエンジヤー１１０や露光位置１１４上
でのレチクルの向きがどうであろうとも、検査時には常
にその検査域の短辺方向とビーム走査方向とが概一致す
る構成を与える様にする。
【００２３】図５は焼付レンズの有効画面域（円で表
示）内にレチクル上の半導体チツプパターンがいかに配
列され、かつ、レチクル検査時にビーム走査（方向ｌB
）とレチクル移動（方向Ｓ）がどうなされるかを種々
の場合で例示したものである。以下に各場合を説明す
る。
示）内にレチクル上の半導体チツプパターンがいかに配
列され、かつ、レチクル検査時にビーム走査（方向ｌB
）とレチクル移動（方向Ｓ）がどうなされるかを種々
の場合で例示したものである。以下に各場合を説明す
る。
【００２４】（Ａ） タテ長領域１チツプ配置 （Ｂ） ヨコ長領域３チツプ配置 （Ｃ） タテ長領域３チツプ配置 （Ｄ） タテ長領域２チツプ配置 （Ｅ） タテ長領域２チツプ配置 （Ｆ） ヨコ長領域２チツプ配置 いずれの場合も領域の短辺方向とビーム走査方向とを略
一致させているので一回のレチクル移動で検査を完了で
きる。
一致させているので一回のレチクル移動で検査を完了で
きる。
【００２５】図６を用いて本発明の第２実施例を説明す
る。
る。
【００２６】第１実施例と異なる点は本実施例では被検
査領域の分割検査を行なう点にある。
査領域の分割検査を行なう点にある。
【００２７】異物の検出分解能を更に高める為にビーム
径を絞っていくとそれに応じて有効走査長が短くなる。
その結果、矩形検査域の短辺よりもビーム走査長が短く
なってしまう場合がある。本実施例はこの様な場合に対
処する為のもので、本実施例を適用すれば前検査時間を
短縮できる。
径を絞っていくとそれに応じて有効走査長が短くなる。
その結果、矩形検査域の短辺よりもビーム走査長が短く
なってしまう場合がある。本実施例はこの様な場合に対
処する為のもので、本実施例を適用すれば前検査時間を
短縮できる。
【００２８】図６は図５の如く検査域とビーム走査方
向、レチクル移動方向との関係を示す図で図６において
レチクル上の検査域は上面、下面共同じ様に左右領域
Ｌ、Ｒに２分割されている。そして各領域の短辺方向と
ビーム走査方向（ｌB ）とが略一致していて、レチクル
移動方向Ｓ1、Ｓ2は短辺方向と直交している。まず左半
分Ｌの領域が第１実施例と同様の容量で検査される。左
半分の領域の検査完了後レチクルは回転（これは例えば
平行移動させても良い）されて残りの右半分Ｒの領域が
検査される。詳細を図７乃至１２で明らかにする。
向、レチクル移動方向との関係を示す図で図６において
レチクル上の検査域は上面、下面共同じ様に左右領域
Ｌ、Ｒに２分割されている。そして各領域の短辺方向と
ビーム走査方向（ｌB ）とが略一致していて、レチクル
移動方向Ｓ1、Ｓ2は短辺方向と直交している。まず左半
分Ｌの領域が第１実施例と同様の容量で検査される。左
半分の領域の検査完了後レチクルは回転（これは例えば
平行移動させても良い）されて残りの右半分Ｒの領域が
検査される。詳細を図７乃至１２で明らかにする。
【００２９】さて、図７乃至１２は図６の具体的実施形
態である。図７の状態から検査がスタートし、レチクル
をＡ１方向へ回転させて図８の状態にし、Ｌステージで
Ａ２方向へ移動させ、図９の様にＡ３方向へ移動させな
がら検査を行ない、終了後にＡ４方向へ移動させて図８
の状態へ移る迄は第１実施例と同じである。光学系もほ
ぼ同じであるが、光学系とレチクルの位置関係が以下の
点で違う。
態である。図７の状態から検査がスタートし、レチクル
をＡ１方向へ回転させて図８の状態にし、Ｌステージで
Ａ２方向へ移動させ、図９の様にＡ３方向へ移動させな
がら検査を行ない、終了後にＡ４方向へ移動させて図８
の状態へ移る迄は第１実施例と同じである。光学系もほ
ぼ同じであるが、光学系とレチクルの位置関係が以下の
点で違う。
【００３０】即ち、ビーム走査線の中央０は図９に示す
様にレチクルの中央から距離Ｄだけ平行ズレして配置さ
れている。ちなみに、このＤ値は検査域の短辺長、光学
系の有効走査長、及び検査の分割回数で決まる。
様にレチクルの中央から距離Ｄだけ平行ズレして配置さ
れている。ちなみに、このＤ値は検査域の短辺長、光学
系の有効走査長、及び検査の分割回数で決まる。
【００３１】次に図９の状態から図１０の様にレチクル
１０５をターンテーブル１１１でＡ１方向に１８０°回
転させて図１１の状態にする。この状態から先程と同様
に、Ｌテーブルを用いてＡ２方向に移動させ、検査位置
からレチクルをＡ３方向に移動させながら検査を行な
い、終了後にＡ４方向へ移動させる。この場合図１２か
らわかる様に今度は残りの領域（図８における右半分
Ｒ）が検査される事になる。Ａ４方向へ移動させて図１
１に示した状態にもどした後再びターンテーブル１１１
を回転させて図７の状態にもどす。この様にして図６に
示した様な二次元走査が実現される。
１０５をターンテーブル１１１でＡ１方向に１８０°回
転させて図１１の状態にする。この状態から先程と同様
に、Ｌテーブルを用いてＡ２方向に移動させ、検査位置
からレチクルをＡ３方向に移動させながら検査を行な
い、終了後にＡ４方向へ移動させる。この場合図１２か
らわかる様に今度は残りの領域（図８における右半分
Ｒ）が検査される事になる。Ａ４方向へ移動させて図１
１に示した状態にもどした後再びターンテーブル１１１
を回転させて図７の状態にもどす。この様にして図６に
示した様な二次元走査が実現される。
【００３２】これに対し、図１３は検査域長辺方向にビ
ーム走査方向を一致させた場合の検査形態を示してい
る。この場合は、全域を３分割（Ｌ′，Ｃ′，Ｒ′）す
ればよい。ビームの全走査時間は図６と等しいが、検査
領域をメカ的に切り換える回数（図１０で示した様なレ
チクルの回転あるいは並進、位置決め等の動作の回数）
が多く必要になる。従って領域の分割は、図６の様に被
検査領域の短辺方向に複数に分割する事がより好まし
い。ただし図１３の様な分割でも各分割矩形領域の短辺
方向とビーム走査方向とを一致させる走査方法により、
大領域を小さなビーム走査長の装置で効率的に全域走査
できる効果はある。
ーム走査方向を一致させた場合の検査形態を示してい
る。この場合は、全域を３分割（Ｌ′，Ｃ′，Ｒ′）す
ればよい。ビームの全走査時間は図６と等しいが、検査
領域をメカ的に切り換える回数（図１０で示した様なレ
チクルの回転あるいは並進、位置決め等の動作の回数）
が多く必要になる。従って領域の分割は、図６の様に被
検査領域の短辺方向に複数に分割する事がより好まし
い。ただし図１３の様な分割でも各分割矩形領域の短辺
方向とビーム走査方向とを一致させる走査方法により、
大領域を小さなビーム走査長の装置で効率的に全域走査
できる効果はある。
【００３３】図１４は図５と同様焼付レンズの有効画面
域（円で表示）内にレチクル上の半導体チツプパターン
がいかに配列され、かつレチクル検査時にビーム走査
（方向ｌB ）とレチクル移動（方向Ｓ1，Ｓ2）がどうな
されるか及び、この全体領域をいかに分割するか（二次
元走査の仕方によって示してある）を種々の場合で例示
したものである。以下に各場合を説明する。
域（円で表示）内にレチクル上の半導体チツプパターン
がいかに配列され、かつレチクル検査時にビーム走査
（方向ｌB ）とレチクル移動（方向Ｓ1，Ｓ2）がどうな
されるか及び、この全体領域をいかに分割するか（二次
元走査の仕方によって示してある）を種々の場合で例示
したものである。以下に各場合を説明する。
【００３４】（Ａ） タテ長領域１チツプ配置、図面左
右方向分割 （Ｂ） ヨコ長領域３チツプ配置、図面上下方向分割 （Ｃ） タテ長領域３チツプ配置、図面左右方向分割 （Ｄ） 正方形領域１チツプ配置、図面左右方向分割 （Ｅ） 正方形領域２チツプ配置、図面左右方向分割 いずれの場合も分割矩形領域の短辺方向とビーム走査方
向とを略一致させており、又全体領域が矩形のものはこ
の全体領域の短辺方向とビーム走査方向とをも略一致さ
せているので２回のレチクル移動で検査を完了できる。
（Ｂ）（Ｃ）（Ｅ）の様にチツプの配置と分割矩形領域
の配置とを一致させなくても良い。
右方向分割 （Ｂ） ヨコ長領域３チツプ配置、図面上下方向分割 （Ｃ） タテ長領域３チツプ配置、図面左右方向分割 （Ｄ） 正方形領域１チツプ配置、図面左右方向分割 （Ｅ） 正方形領域２チツプ配置、図面左右方向分割 いずれの場合も分割矩形領域の短辺方向とビーム走査方
向とを略一致させており、又全体領域が矩形のものはこ
の全体領域の短辺方向とビーム走査方向とをも略一致さ
せているので２回のレチクル移動で検査を完了できる。
（Ｂ）（Ｃ）（Ｅ）の様にチツプの配置と分割矩形領域
の配置とを一致させなくても良い。
【００３５】上述実施例では領域の分割は２又は３分割
であったが、必要に応じてもっと多くしても良い。
であったが、必要に応じてもっと多くしても良い。
【００３６】又、図６において、ビームの走査長は一回
の検査領域（即ち分割領域Ｌ又はＲ）の巾より多少長め
にし、分割領域間に検査の漏れが生じない様に一回目と
二回目とで二次元走査領域が一部重なる方がより好まし
い。そして、この境界部分で一回目と二回目のビーム走
査のいずれか一方からだけでも異物が検出されたら、こ
の部分に”異物有り”のマツプ表示を出力する論理をＣ
ＰＵにもたせる事が更により好ましい。
の検査領域（即ち分割領域Ｌ又はＲ）の巾より多少長め
にし、分割領域間に検査の漏れが生じない様に一回目と
二回目とで二次元走査領域が一部重なる方がより好まし
い。そして、この境界部分で一回目と二回目のビーム走
査のいずれか一方からだけでも異物が検出されたら、こ
の部分に”異物有り”のマツプ表示を出力する論理をＣ
ＰＵにもたせる事が更により好ましい。
【００３７】又、本発明は防塵用ペリクルの装着したレ
チクルについて、そのペリクル面検査やペリクル膜を通
しての基板面検査を行なう場合にも適用しうる。
チクルについて、そのペリクル面検査やペリクル膜を通
しての基板面検査を行なう場合にも適用しうる。
【００３８】
【発明の効果】以上述べた様に本発明により検査精度向
上の為ビームを絞ってビームの走査長が短くなっても、
広範囲な被検査領域をより効率的に二次元走査して検査
する事が可能になった。
上の為ビームを絞ってビームの走査長が短くなっても、
広範囲な被検査領域をより効率的に二次元走査して検査
する事が可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例の構成及び動作を示す説明
図である。
図である。
【図２】本発明の第１実施例の構成及び動作を示す説明
図である。
図である。
【図３】本発明の第１実施例の構成及び動作を示す説明
図である。
図である。
【図４】本発明の第１実施例の全体構成の概略図であ
る。
る。
【図５】本発明の第１実施例の各種二次元走査の例の説
明図である。
明図である。
【図６】本発明の第２実施例の二次元走査の説明図であ
る。
る。
【図７】本発明の第２実施例の構成及び動作を示す説明
図である。
図である。
【図８】本発明の第２実施例の構成及び動作を示す説明
図である。
図である。
【図９】本発明の第２実施例の構成及び動作を示す説明
図である。
図である。
【図１０】本発明の第２実施例の構成及び動作を示す説
明図である。
明図である。
【図１１】本発明の第２実施例の構成及び動作を示す説
明図である。
明図である。
【図１２】本発明の第２実施例の構成及び動作を示す説
明図である。
明図である。
【図１３】本発明の第２実施例の他の二次元走査の説明
図である。
図である。
【図１４】本発明の第１実施例の各種二次元走査の例の
説明図である。
説明図である。
【図１５】従来例の説明図である。
１００ レーザ １０３ ポリゴンミラー １０４ 走査レンズ １１４ 露光システム １３０ 上受光系 １４０ ＣＰＵ
Claims (3)
- 【請求項１】 被検査面に対し光束を第一方向に移動さ
せ、かつ該被検査面を該光束に対し前記第一方向と交差
する第二方向に移動させることによって、前記光束で前
記被検査面上の矩形領域を二次元走査して前記被検査面
の面状態を検査する方法において、該矩形領域の短辺方
向と前記第一方向とを略一致させたことを特徴とする面
状態検査方法。 - 【請求項２】 被検査面に対し光束を第一方向に移動さ
せ、かつ該被検査面を該光束に対し前記第一方向と交差
する第二方向に移動させることによって、前記光束で前
記被検査面上の所定領域を二次元走査して前記被検査面
の面状態を検査する方法において、前記被検査面の被検
査領域を複数の矩形領域に分割し、該複数の矩形領域を
それぞれ前記二次元走査して前記被検査領域の面状態検
査を行い、かつそれぞれの矩形領域の二次元走査はそれ
ぞれの矩形領域の短辺方向と前記第一方向とを略一致さ
せて行うことを特徴とする面状態検査方法。 - 【請求項３】 原版を被露光体に露光転写するための露
光部と、該原版の被検査面に対し光束を第一方向に移動
させるための走査光学系と、該被検査面を該光束に対し
前記第一方向と交差する第二方向に移動させる移動機構
と、前記走査光学系と移動機構によって前記光束で二次
元走査された前記被検査面上の矩形領域からの光を受光
して前記被検査面の面状態を検査する検査系とを有し、
かつ該矩形領域の短辺方向と前記第一方向とを略一致さ
せたことを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23304891A JP3082968B2 (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 面状態検査方法および露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23304891A JP3082968B2 (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 面状態検査方法および露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0572720A true JPH0572720A (ja) | 1993-03-26 |
| JP3082968B2 JP3082968B2 (ja) | 2000-09-04 |
Family
ID=16948983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23304891A Expired - Fee Related JP3082968B2 (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 面状態検査方法および露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3082968B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010008738A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Hoya Corp | フォトマスクの製造方法 |
-
1991
- 1991-09-12 JP JP23304891A patent/JP3082968B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010008738A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Hoya Corp | フォトマスクの製造方法 |
| JP4536804B2 (ja) * | 2008-06-27 | 2010-09-01 | Ｈｏｙａ株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3082968B2 (ja) | 2000-09-04 |
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