JPH0572513A - 液晶セル及びその製造方法 - Google Patents
液晶セル及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0572513A JPH0572513A JP23322091A JP23322091A JPH0572513A JP H0572513 A JPH0572513 A JP H0572513A JP 23322091 A JP23322091 A JP 23322091A JP 23322091 A JP23322091 A JP 23322091A JP H0572513 A JPH0572513 A JP H0572513A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- crystal cell
- polymer layer
- resistant polymer
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 信頼性が高い散乱型の液晶セルを提供する。
【構成】 層状に互いに離間して形成された２つのガラ
ス基板11，16と、２つのガラス基板11，16上にそれぞれ
形成された２つの透明電極12，15と、２つの透明電極1
2，15間に形成されたポリアミド樹脂層13と、ポリアミ
ド樹脂層13に形成された貫通穴13ａに充填された正特性
を有する誘電異方性の液晶材料14とを備えている。
ス基板11，16と、２つのガラス基板11，16上にそれぞれ
形成された２つの透明電極12，15と、２つの透明電極1
2，15間に形成されたポリアミド樹脂層13と、ポリアミ
ド樹脂層13に形成された貫通穴13ａに充填された正特性
を有する誘電異方性の液晶材料14とを備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶セル及びその製造
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、高分子中に液晶を分散させ、電
界効果により液晶分子を駆動し、散乱度の変化によって
光変調を行う液晶セルは、偏光板が不要であり、セルの
光透過率を増加することができ、また、製造方法が容易
であるので注目されている。
界効果により液晶分子を駆動し、散乱度の変化によって
光変調を行う液晶セルは、偏光板が不要であり、セルの
光透過率を増加することができ、また、製造方法が容易
であるので注目されている。
【０００３】上記液晶セルの製造方法の１つとしては、
主にスポンジ状の高分子膜中に液晶を含浸させた高分子
／液晶複合膜や、液晶中に紫外線硬化樹脂網目を形成し
た多色ネマチック形液晶表示（ＰＮ−ＬＣＤ）が知られ
ている。
主にスポンジ状の高分子膜中に液晶を含浸させた高分子
／液晶複合膜や、液晶中に紫外線硬化樹脂網目を形成し
た多色ネマチック形液晶表示（ＰＮ−ＬＣＤ）が知られ
ている。
【０００４】また、他の液晶セルの製造方法としては、
電極が形成された基板上に、ポリイミド等の化学的に安
定しており耐熱性が高い高分子層を形成し、フォトリソ
グラフィ技術を用いてエッチング法により微細な穴を高
分子層に形成して、高分子層に形成された穴の中にカイ
ラル剤を含む液晶材料を注入する方法が提案されてい
る。
電極が形成された基板上に、ポリイミド等の化学的に安
定しており耐熱性が高い高分子層を形成し、フォトリソ
グラフィ技術を用いてエッチング法により微細な穴を高
分子層に形成して、高分子層に形成された穴の中にカイ
ラル剤を含む液晶材料を注入する方法が提案されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た散乱型の液晶セルでは、用いられる高分子物質が限定
されており、また、プロセス上の制約により、液晶と高
分子の界面における相互作用や液晶中に不純物が溶出す
るので信頼性が低いという問題点があった。
た散乱型の液晶セルでは、用いられる高分子物質が限定
されており、また、プロセス上の制約により、液晶と高
分子の界面における相互作用や液晶中に不純物が溶出す
るので信頼性が低いという問題点があった。
【０００６】また、上述した散乱型の液晶セルの製造方
法では、穴の直径と高分子層の厚さがほぼ等しいか、ま
たは高分子層の厚さの方が大きくなるので、液晶材料を
注入するために必要な形状を有する穴を形成することが
困難であり、プロセスが複雑になるのでスル−プットが
悪く製造コストが高くなるという問題点があった。
法では、穴の直径と高分子層の厚さがほぼ等しいか、ま
たは高分子層の厚さの方が大きくなるので、液晶材料を
注入するために必要な形状を有する穴を形成することが
困難であり、プロセスが複雑になるのでスル−プットが
悪く製造コストが高くなるという問題点があった。
【０００７】第１発明は、上記従来の散乱型の液晶セル
における問題点に鑑み、信頼性が高い散乱型の液晶セル
を提供する。
における問題点に鑑み、信頼性が高い散乱型の液晶セル
を提供する。
【０００８】第２発明は、上記従来の液晶セル製造方法
における問題点に鑑み、液晶材料を注入するために必要
な形状の穴を容易に形成することができ、信頼性が高い
液晶セルの製造方法を提供する。
における問題点に鑑み、液晶材料を注入するために必要
な形状の穴を容易に形成することができ、信頼性が高い
液晶セルの製造方法を提供する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１発明は、層状に互い
に離間して形成された２つの基板と、２つの基板上にそ
れぞれ形成された複数の電極と、複数の電極間に形成さ
れた耐熱性高分子層と、耐熱性高分子層に形成された貫
通穴に充填された誘電異方性の液晶とを備えており、液
晶の光散乱により光変調する液晶セルによって達成され
る。
に離間して形成された２つの基板と、２つの基板上にそ
れぞれ形成された複数の電極と、複数の電極間に形成さ
れた耐熱性高分子層と、耐熱性高分子層に形成された貫
通穴に充填された誘電異方性の液晶とを備えており、液
晶の光散乱により光変調する液晶セルによって達成され
る。
【００１０】また、第２発明は、基板の一方の表面に耐
熱性高分子層を形成し、レ−ザ光により複数の貫通穴を
耐熱性高分子層に形成し、誘電異方性の液晶を貫通穴に
注入し、耐熱性高分子層及び液晶が注入された貫通穴に
電極を着接する液晶セルの製造方法によって達成され
る。
熱性高分子層を形成し、レ−ザ光により複数の貫通穴を
耐熱性高分子層に形成し、誘電異方性の液晶を貫通穴に
注入し、耐熱性高分子層及び液晶が注入された貫通穴に
電極を着接する液晶セルの製造方法によって達成され
る。
【００１１】
【作用】第１発明では、２つの基板は層状に互いに離間
して形成され、複数の電極は２つの基板上にそれぞれ形
成され、耐熱性高分子層は複数の電極間に形成され、誘
電異方性の液晶は耐熱性高分子層に形成された貫通穴に
充填される。
して形成され、複数の電極は２つの基板上にそれぞれ形
成され、耐熱性高分子層は複数の電極間に形成され、誘
電異方性の液晶は耐熱性高分子層に形成された貫通穴に
充填される。
【００１２】第２発明では、基板の一方の表面に耐熱性
高分子層を形成し、レ−ザ光により複数の貫通穴を耐熱
性高分子層に形成し、誘電異方性の液晶を貫通穴に注入
し、耐熱性高分子層及び液晶が注入された貫通穴に電極
を着接する。
高分子層を形成し、レ−ザ光により複数の貫通穴を耐熱
性高分子層に形成し、誘電異方性の液晶を貫通穴に注入
し、耐熱性高分子層及び液晶が注入された貫通穴に電極
を着接する。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の液晶セル製造
方法の実施例を説明する。
方法の実施例を説明する。
【００１４】図１は、第１発明の液晶セルの一実施例の
構成をしめす断面図である。
構成をしめす断面図である。
【００１５】図１の液晶セルは、ガラス基板11、ガラス
基板11上に形成された透明電極12、透明電極12上に焼成
されたポリイミド層13、ポリイミド層13上の必要な面に
形成された穴13ａ、ポリイミド層13に形成された穴13ａ
に注入された液晶材料14、ポリイミド層13及びポリイミ
ド層13に形成された穴13ａに注入された液晶材料14に着
接する透明電極15、透明電極15を有するガラス基板16に
よって構成されている。
基板11上に形成された透明電極12、透明電極12上に焼成
されたポリイミド層13、ポリイミド層13上の必要な面に
形成された穴13ａ、ポリイミド層13に形成された穴13ａ
に注入された液晶材料14、ポリイミド層13及びポリイミ
ド層13に形成された穴13ａに注入された液晶材料14に着
接する透明電極15、透明電極15を有するガラス基板16に
よって構成されている。
【００１６】図１の液晶セルでは、ポリイミド層13と液
晶材料14との界面における相互作用や液晶材料14中に不
純物が溶出せずに、ポリイミド層13に形成された貫通穴
13ａに注入された液晶材料14の光散乱により光変調が高
精度で行われる。
晶材料14との界面における相互作用や液晶材料14中に不
純物が溶出せずに、ポリイミド層13に形成された貫通穴
13ａに注入された液晶材料14の光散乱により光変調が高
精度で行われる。
【００１７】図２のフロ−チャ−ト及び図３〜図８を参
照して、第２発明の液晶セル製造方法の過程（プロセ
ス）を詳述する。
照して、第２発明の液晶セル製造方法の過程（プロセ
ス）を詳述する。
【００１８】図３〜図８は、第２発明の液晶セル製造方
法の過程の一実施例を示す側面断面図である。
法の過程の一実施例を示す側面断面図である。
【００１９】図３に示すように、ガラス基板11上に酸化
インジウム（以下、ＩＴＯ（IndiumTin Oxide）と称す
る）をスパッタリングしてＩＴＯ膜の透明電極12を形成
し（ステップＳ１）、図４に示すように透明電極12上に
ポリイミド樹脂をスピンコ−トにより厚さが約６μｍに
なるように塗布して焼成し、ポリイミド層13を形成する
（ステップＳ２）。上記ポリイミド樹脂として、例えば
日本合成ゴム株式会社のオプトマ−AL1051を用いた場合
には、180 °Ｃの温度で加熱すると約１時間程度で焼成
される。
インジウム（以下、ＩＴＯ（IndiumTin Oxide）と称す
る）をスパッタリングしてＩＴＯ膜の透明電極12を形成
し（ステップＳ１）、図４に示すように透明電極12上に
ポリイミド樹脂をスピンコ−トにより厚さが約６μｍに
なるように塗布して焼成し、ポリイミド層13を形成する
（ステップＳ２）。上記ポリイミド樹脂として、例えば
日本合成ゴム株式会社のオプトマ−AL1051を用いた場合
には、180 °Ｃの温度で加熱すると約１時間程度で焼成
される。
【００２０】上述のように形成されたポリイミド層13の
上方の表面（図５の上部方向）から、図５に示すように
２４８ｎｍの発光波長を有するクリプトン・フッ素（Ｋ
ｒＦ）エキシマレ−ザを５J/cm2 程度のフルエンスで図
５の矢印方向に照射することにより直径が５μｍの貫通
穴13ａを図６に示すようにポリイミド層13の必要な面部
分に形成する（ステップＳ３）。
上方の表面（図５の上部方向）から、図５に示すように
２４８ｎｍの発光波長を有するクリプトン・フッ素（Ｋ
ｒＦ）エキシマレ−ザを５J/cm2 程度のフルエンスで図
５の矢印方向に照射することにより直径が５μｍの貫通
穴13ａを図６に示すようにポリイミド層13の必要な面部
分に形成する（ステップＳ３）。
【００２１】図７に示すように、カイラル剤を有する液
晶材料14をスピンコ−トでポリイミド層13上に塗布し
（ステップＳ４）、不要な液晶材料14を除去して貫通穴
13ａに液晶材料14を注入し（ステップＳ５）、図８に示
すように、透明電極15がポリイミド層13及び液晶材料14
に着接するように、透明電極15が形成されたガラス基板
16をポリイミド層13及び液晶材料14が注入された貫通穴
13ａに張り合わせ（ステップＳ６）、周囲をシ−ルして
液晶セルを製造する（ステップＳ７）。
晶材料14をスピンコ−トでポリイミド層13上に塗布し
（ステップＳ４）、不要な液晶材料14を除去して貫通穴
13ａに液晶材料14を注入し（ステップＳ５）、図８に示
すように、透明電極15がポリイミド層13及び液晶材料14
に着接するように、透明電極15が形成されたガラス基板
16をポリイミド層13及び液晶材料14が注入された貫通穴
13ａに張り合わせ（ステップＳ６）、周囲をシ−ルして
液晶セルを製造する（ステップＳ７）。
【００２２】上述のようにして形成された液晶セルと、
開口角が６°のシュリ−レン光学系を組み合わせること
により、コントラストが１００：１の液晶セルを製造す
ることができた。また、本実施例の製造方法により得ら
れた液晶セルの電圧保持率は、９８％程度であり、薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）等の非線形素子アレイを有する
液晶セルとしても利用することができる。
開口角が６°のシュリ−レン光学系を組み合わせること
により、コントラストが１００：１の液晶セルを製造す
ることができた。また、本実施例の製造方法により得ら
れた液晶セルの電圧保持率は、９８％程度であり、薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）等の非線形素子アレイを有する
液晶セルとしても利用することができる。
【００２３】更に、レ−ザによるアブレ−ションは、エ
キシマレ−ザ以外の例えばイットリウム・アルミニウム
・ガ−ネット（ＹＡＧ）レ−ザ等を用いてもよいが、加
工精度や加工表面の不純物の発生等の理由により、エキ
シマレ−ザを用いた方が良い特性を得ることができる。
キシマレ−ザ以外の例えばイットリウム・アルミニウム
・ガ−ネット（ＹＡＧ）レ−ザ等を用いてもよいが、加
工精度や加工表面の不純物の発生等の理由により、エキ
シマレ−ザを用いた方が良い特性を得ることができる。
【００２４】
【発明の効果】第１発明では、層状に互いに離間して形
成された２つの基板と、２つの基板上にそれぞれ形成さ
れた複数の電極と、複数の電極間に形成された耐熱性高
分子層と、耐熱性高分子層に形成された貫通穴に充填さ
れた誘電異方性の液晶とを備えており、液晶の光散乱に
より光変調するので、信頼性が高い液晶セルを実現でき
る。
成された２つの基板と、２つの基板上にそれぞれ形成さ
れた複数の電極と、複数の電極間に形成された耐熱性高
分子層と、耐熱性高分子層に形成された貫通穴に充填さ
れた誘電異方性の液晶とを備えており、液晶の光散乱に
より光変調するので、信頼性が高い液晶セルを実現でき
る。
【００２５】また、第２発明では、基板の一方の表面に
耐熱性高分子層を形成し、レ−ザ光により複数の貫通穴
を耐熱性高分子層に形成し、誘電異方性の液晶を貫通穴
に注入し、耐熱性高分子層及び液晶が注入された貫通穴
に電極を着接するので、液晶材料を注入するために必要
な貫通穴を簡単に形成することができ、その結果、信頼
性が高い液晶セルを製造できる。
耐熱性高分子層を形成し、レ−ザ光により複数の貫通穴
を耐熱性高分子層に形成し、誘電異方性の液晶を貫通穴
に注入し、耐熱性高分子層及び液晶が注入された貫通穴
に電極を着接するので、液晶材料を注入するために必要
な貫通穴を簡単に形成することができ、その結果、信頼
性が高い液晶セルを製造できる。
【図１】第１発明の液晶セルの一実施例の構成を示す側
面断面図である。
面断面図である。
【図２】第２発明の液晶セルの製造方法のプロセスを説
明するためのフロ−チャ−トである。
明するためのフロ−チャ−トである。
【図３】第２発明の液晶セルの製造方法の第１プロセス
を示す側面断面図である。
を示す側面断面図である。
【図４】第２発明の液晶セルの製造方法の第２プロセス
を示す側面断面図である。
を示す側面断面図である。
【図５】第２発明の液晶セルの製造方法の第３プロセス
を示す側面断面図である。
を示す側面断面図である。
【図６】第２発明の液晶セルの製造方法の第３プロセス
終了後を示す側面断面図である。
終了後を示す側面断面図である。
【図７】第２発明の液晶セルの製造方法の第４〜５プロ
セスを示す側面断面図である。
セスを示す側面断面図である。
【図８】第２発明の液晶セルの製造方法の第６プロセス
を示す側面断面図である。
を示す側面断面図である。
11，16 ガラス基板 12，15 透明電極 13 ポリイミド層 13ａ 貫通穴 14 液晶材料
Claims (2)
- 【請求項１】 層状に互いに離間して形成された２つの
基板と、前記２つの基板上にそれぞれ形成された複数の
電極と、前記複数の電極間に形成された耐熱性高分子層
と、前記耐熱性高分子層に形成された貫通穴に充填され
た誘電異方性の液晶とを備えており、前記液晶の光散乱
により光変調することを特徴とする液晶セル。 - 【請求項２】 基板の一方の表面に耐熱性高分子層を形
成し、レ−ザ光により複数の貫通穴を前記耐熱性高分子
層に形成し、誘電異方性の液晶を前記貫通穴に注入し、
前記耐熱性高分子層及び前記液晶が注入された貫通穴に
電極を着接することを特徴とする請求項１に記載の液晶
セルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23322091A JPH0572513A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 液晶セル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23322091A JPH0572513A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 液晶セル及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0572513A true JPH0572513A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16951642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23322091A Pending JPH0572513A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 液晶セル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0572513A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5523188A (en) * | 1992-11-26 | 1996-06-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing a light-dispersion type liquid crystal display device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5697317A (en) * | 1979-12-28 | 1981-08-06 | Dainippon Printing Co Ltd | Electro-optic display element and its production |
| JPH03287122A (ja) * | 1990-04-02 | 1991-12-17 | Seiko Epson Corp | 液晶表示体の製造方法 |
| JPH0456920A (ja) * | 1990-06-26 | 1992-02-24 | Matsushita Electric Works Ltd | 調光素子 |
| JPH0561017A (ja) * | 1991-08-30 | 1993-03-12 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 調光材料 |
-
1991
- 1991-09-12 JP JP23322091A patent/JPH0572513A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5697317A (en) * | 1979-12-28 | 1981-08-06 | Dainippon Printing Co Ltd | Electro-optic display element and its production |
| JPH03287122A (ja) * | 1990-04-02 | 1991-12-17 | Seiko Epson Corp | 液晶表示体の製造方法 |
| JPH0456920A (ja) * | 1990-06-26 | 1992-02-24 | Matsushita Electric Works Ltd | 調光素子 |
| JPH0561017A (ja) * | 1991-08-30 | 1993-03-12 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 調光材料 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5523188A (en) * | 1992-11-26 | 1996-06-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing a light-dispersion type liquid crystal display device |
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