JPH06208126A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPH06208126A JPH06208126A JP5223627A JP22362793A JPH06208126A JP H06208126 A JPH06208126 A JP H06208126A JP 5223627 A JP5223627 A JP 5223627A JP 22362793 A JP22362793 A JP 22362793A JP H06208126 A JPH06208126 A JP H06208126A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高速で応答すると同時に動作の際のコントラ
ストが明瞭な液晶表示素子の製造方法を提供する。 【構成】 電気絶縁性のガラス基板16上に第１電極群18
を形成後、所定の溶解剤に溶解されない光透過性の電気
絶縁性の高分子樹脂材料で前記電極10を被覆する光透過
性の電気絶縁層20を形成すると同時に、この上に前記溶
解剤に溶解される高分子樹脂材料で溶解層を形成し、こ
の工程を多数回繰り返して所定の厚さの積層を得て、そ
して、前記積層に所定の間隔で第１孔を開け電気絶縁性
の硬化性材料で充填し支柱12を形成し、前記積層上に光
透過性導電材料により第２電極群10を形成し、前記積層
に所定の間隔で注入口を形成し、次いで前記溶解剤で前
記溶解層を取り除き、前記溶解層が取り除かれた後の空
間に液晶22を充填した後前記注入口を封止する工程を含
む液晶表示素子の製造方法。
ストが明瞭な液晶表示素子の製造方法を提供する。 【構成】 電気絶縁性のガラス基板16上に第１電極群18
を形成後、所定の溶解剤に溶解されない光透過性の電気
絶縁性の高分子樹脂材料で前記電極10を被覆する光透過
性の電気絶縁層20を形成すると同時に、この上に前記溶
解剤に溶解される高分子樹脂材料で溶解層を形成し、こ
の工程を多数回繰り返して所定の厚さの積層を得て、そ
して、前記積層に所定の間隔で第１孔を開け電気絶縁性
の硬化性材料で充填し支柱12を形成し、前記積層上に光
透過性導電材料により第２電極群10を形成し、前記積層
に所定の間隔で注入口を形成し、次いで前記溶解剤で前
記溶解層を取り除き、前記溶解層が取り除かれた後の空
間に液晶22を充填した後前記注入口を封止する工程を含
む液晶表示素子の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光学的表示に使用される
液晶表示素子の製造方法に係り、特に多層に区切られた
液晶層を有する液晶表示素子の製造方法に関する。
液晶表示素子の製造方法に係り、特に多層に区切られた
液晶層を有する液晶表示素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在実用化されている液晶表示素子で、
単純或いはＴＦＴ（Thin Film Transistor）を利用した
アクティブマトリックスタイプの液晶表示素子はＴＮ
（Twisted Nematic ）方式、ＳＴＮ（Super Twisted Ne
matic ）方式なので光制御のための偏光板を要求する。
しかしながら、偏光板は約５０％の光を遮光するので光
利用効率が落ちる。これにより所望の明るさの画像を得
るためには相当な明るさの背景光源が要求される。この
場合、電源で乾電池や蓄電池を用いるラップトップ（La
ptop）形ワードプロセッサーやコンピューターの場合、
光源の消耗電力過多により長時間の間使用できなくなる
問題が発生する。
単純或いはＴＦＴ（Thin Film Transistor）を利用した
アクティブマトリックスタイプの液晶表示素子はＴＮ
（Twisted Nematic ）方式、ＳＴＮ（Super Twisted Ne
matic ）方式なので光制御のための偏光板を要求する。
しかしながら、偏光板は約５０％の光を遮光するので光
利用効率が落ちる。これにより所望の明るさの画像を得
るためには相当な明るさの背景光源が要求される。この
場合、電源で乾電池や蓄電池を用いるラップトップ（La
ptop）形ワードプロセッサーやコンピューターの場合、
光源の消耗電力過多により長時間の間使用できなくなる
問題が発生する。
【０００３】又、前記ＴＮ及びＳＴＮ液晶表示素子を含
む一般的な液晶表示素子は液晶が２枚のガラス板の間に
充填されているので、均等な画像形成のために光制御領
域であるセルギャップ（cell gap）の厳しい調整が必要
であるが、現在のガラス板の製造加工技術の限界により
超大型化が困難であるという問題もある。
む一般的な液晶表示素子は液晶が２枚のガラス板の間に
充填されているので、均等な画像形成のために光制御領
域であるセルギャップ（cell gap）の厳しい調整が必要
であるが、現在のガラス板の製造加工技術の限界により
超大型化が困難であるという問題もある。
【０００４】以上のような問題を解決するには、偏光板
を使用しないことにより光利用効率を増大させ、一枚の
基板を使用することによりセルギャップ調整に対する負
担を減らす必要がある。
を使用しないことにより光利用効率を増大させ、一枚の
基板を使用することによりセルギャップ調整に対する負
担を減らす必要がある。
【０００５】無論、従来にも偏光板を使用しない液晶表
示素子があったが、それは例えば相遷移効果を利用した
ＣＮＴ（Cholesteric Nematic 転移）形であり、又一つ
は液晶表示素子の開発初期当時のＤＳＭ（動的散乱モー
ド）形である。前記ＤＳＭ液晶表示素子は応答速度が遅
く又その厚さが他液晶表示素子に比べ厚いので現在は使
用範囲が極めて狭い。
示素子があったが、それは例えば相遷移効果を利用した
ＣＮＴ（Cholesteric Nematic 転移）形であり、又一つ
は液晶表示素子の開発初期当時のＤＳＭ（動的散乱モー
ド）形である。前記ＤＳＭ液晶表示素子は応答速度が遅
く又その厚さが他液晶表示素子に比べ厚いので現在は使
用範囲が極めて狭い。
【０００６】又、光効率を高めるために偏光板を使用し
ない液晶表示素子ではＰＤＬＣＤ（Polymer Dispersed
Liquid Crystal Display）がある。しかしながら、ＰＤ
ＬＣＤはその体積の５０％以上が光透過性である高分子
材料であって、コントラストを明瞭にするためには厚さ
が少なくとも２０μｍ位にならなければならない構造的
制限がある。
ない液晶表示素子ではＰＤＬＣＤ（Polymer Dispersed
Liquid Crystal Display）がある。しかしながら、ＰＤ
ＬＣＤはその体積の５０％以上が光透過性である高分子
材料であって、コントラストを明瞭にするためには厚さ
が少なくとも２０μｍ位にならなければならない構造的
制限がある。
【０００７】このような問題点を改善するために本共同
発明者山村信幸は新たな構造の液晶表示素子を開発し日
本特許出願平４−１１６１４６号に、又米国に９３年５
月１０日付けで出願したことがあり、より補完された液
晶表示素子とその製造方法を大韓民国特許庁に１９９２
年特許出願番号１５１９１、１５１９２、１５１９３そ
して１５１９４号に出願した。これに加え本発明者は続
けられた研究を通じて得られた結果に基づきより望まし
い液晶表示素子の製造方法を提供しようとする。
発明者山村信幸は新たな構造の液晶表示素子を開発し日
本特許出願平４−１１６１４６号に、又米国に９３年５
月１０日付けで出願したことがあり、より補完された液
晶表示素子とその製造方法を大韓民国特許庁に１９９２
年特許出願番号１５１９１、１５１９２、１５１９３そ
して１５１９４号に出願した。これに加え本発明者は続
けられた研究を通じて得られた結果に基づきより望まし
い液晶表示素子の製造方法を提供しようとする。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は先に提案され
た液晶表示素子の製造上、発生する前記の問題点を改善
するために創案されたもので、その目的は速い駆動速度
と高い光利用効率を有する液晶表示素子の製造方法を提
供することである。
た液晶表示素子の製造上、発生する前記の問題点を改善
するために創案されたもので、その目的は速い駆動速度
と高い光利用効率を有する液晶表示素子の製造方法を提
供することである。
【０００９】
【課題を達成するための手段】前記の目的を達成するた
めに本発明による液晶表示素子の製造方法は、（ａ）電
気絶縁性を有するガラス基板上に導電材料で所定のパタ
ーンの第１電極群を形成する工程と、（ｂ）所定の溶解
剤に溶解されない光透過性の電気絶縁性の高分子樹脂材
料で前記電極を被覆し光透過性の電気絶縁層を形成する
工程と、（ｃ）前記光透過性の電気絶縁層上に前記所定
の溶解剤に溶解される高分子樹脂材料を被覆して溶解層
を形成する工程と、（ｄ）前記工程（ｂ）、（ｃ）を所
定の回数繰り返して所定の厚さの積層を形成する工程
と、（ｅ）前記（ｂ）から（ｅ）までの工程で形成され
た積層に所定の間隔で第１孔を開け電気絶縁性の硬化性
材料で充填し支柱を形成する工程と、（ｆ）前記光透過
性電気絶縁層と溶解層との積層上に光透過性導電材料に
より所定のパターンの第２電極群を形成する工程と、
（ｇ）前記積層に所定の間隔で注入口を形成しこれを通
じて前記溶解剤で前記工程（ｃ）で形成された溶解層を
取り除く段階と、（ｈ）前記溶解層が取り除かれた後の
空間に液晶を充填した後前記注入口を封止する工程を含
む点にその特徴がある。
めに本発明による液晶表示素子の製造方法は、（ａ）電
気絶縁性を有するガラス基板上に導電材料で所定のパタ
ーンの第１電極群を形成する工程と、（ｂ）所定の溶解
剤に溶解されない光透過性の電気絶縁性の高分子樹脂材
料で前記電極を被覆し光透過性の電気絶縁層を形成する
工程と、（ｃ）前記光透過性の電気絶縁層上に前記所定
の溶解剤に溶解される高分子樹脂材料を被覆して溶解層
を形成する工程と、（ｄ）前記工程（ｂ）、（ｃ）を所
定の回数繰り返して所定の厚さの積層を形成する工程
と、（ｅ）前記（ｂ）から（ｅ）までの工程で形成され
た積層に所定の間隔で第１孔を開け電気絶縁性の硬化性
材料で充填し支柱を形成する工程と、（ｆ）前記光透過
性電気絶縁層と溶解層との積層上に光透過性導電材料に
より所定のパターンの第２電極群を形成する工程と、
（ｇ）前記積層に所定の間隔で注入口を形成しこれを通
じて前記溶解剤で前記工程（ｃ）で形成された溶解層を
取り除く段階と、（ｈ）前記溶解層が取り除かれた後の
空間に液晶を充填した後前記注入口を封止する工程を含
む点にその特徴がある。
【００１０】
【作用】前記光透過性の電気絶縁層の素材としてエポキ
シ樹脂、ポリイミド、アクリル樹脂が選ばれ使用され、
前記溶解層の素材では合成樹脂或いは天然樹脂、例えば
ＰＶＡ，ＰＶＢ（Poly Vinyl Butyral：ポリビニルブチ
ラール）、或いはアラビアゴムが選択的に用いられる。
この時選択された絶縁層の素材と溶解層の素材は一定の
溶解剤に対し選択的な溶解性を持つべきである。
シ樹脂、ポリイミド、アクリル樹脂が選ばれ使用され、
前記溶解層の素材では合成樹脂或いは天然樹脂、例えば
ＰＶＡ，ＰＶＢ（Poly Vinyl Butyral：ポリビニルブチ
ラール）、或いはアラビアゴムが選択的に用いられる。
この時選択された絶縁層の素材と溶解層の素材は一定の
溶解剤に対し選択的な溶解性を持つべきである。
【００１１】
【実施例】本発明の製造方法により製造される液晶表示
素子は、図１に示したように、対向電極１０、１８の間
に備えられた液晶層２２が多数の絶縁層２０により隔離
され多層化されており、偏光板が使用されず、ガラス基
板１６は一つのみ適用されており、そしてガラス基板１
６の上部に後述される機能層が積層された構造を有す
る。より詳細に説明すれば、対向した両電極１０、１８
の間に電界効果形の液晶層２２が備えられ、この液晶層
２２は絶縁層２０によって分離され絶縁層２０は支柱１
２によりそれらの間隔が保たれている。前記絶縁層２０
は局部的に設けられた支柱１２により相互の位置が固定
し局部的に液晶注入のための注入孔１４の備えられた構
造を有する。ここで、前記液晶層２２の分割された各層
の厚さは３μｍ以下、前記絶縁層２０の厚さは５μｍ以
下になる。前記絶縁層２０の素材は後述される本発明の
製造方法によりエポキシ樹脂、アクリル樹脂等の光透過
性の電気絶縁性樹脂のみが適用される。又、電界効果形
液晶はネマティック液晶、相遷移形の液晶、強誘電性の
液晶が望ましい。前記液晶表示素子の全体の厚さは１μ
ｍ以上にすることが望ましい。
素子は、図１に示したように、対向電極１０、１８の間
に備えられた液晶層２２が多数の絶縁層２０により隔離
され多層化されており、偏光板が使用されず、ガラス基
板１６は一つのみ適用されており、そしてガラス基板１
６の上部に後述される機能層が積層された構造を有す
る。より詳細に説明すれば、対向した両電極１０、１８
の間に電界効果形の液晶層２２が備えられ、この液晶層
２２は絶縁層２０によって分離され絶縁層２０は支柱１
２によりそれらの間隔が保たれている。前記絶縁層２０
は局部的に設けられた支柱１２により相互の位置が固定
し局部的に液晶注入のための注入孔１４の備えられた構
造を有する。ここで、前記液晶層２２の分割された各層
の厚さは３μｍ以下、前記絶縁層２０の厚さは５μｍ以
下になる。前記絶縁層２０の素材は後述される本発明の
製造方法によりエポキシ樹脂、アクリル樹脂等の光透過
性の電気絶縁性樹脂のみが適用される。又、電界効果形
液晶はネマティック液晶、相遷移形の液晶、強誘電性の
液晶が望ましい。前記液晶表示素子の全体の厚さは１μ
ｍ以上にすることが望ましい。
【００１２】以上のような構造を有する液晶表示素子の
本発明による製造方法は次の通りである。
本発明による製造方法は次の通りである。
【００１３】図５に示した段階で、プラスチック基板１
６上にＩＴＯ等の導電性材料で所定のパターンの電極１
８を形成する。
６上にＩＴＯ等の導電性材料で所定のパターンの電極１
８を形成する。
【００１４】図６に示した段階で、図４の上部にアクリ
ル樹脂からなる絶縁層２０とＰＶＡよりなる溶解層２２
ａをスピンコーティング法、ロールコーティング法等を
通じて反復積層する。ここで、前記絶縁層２０はエポキ
シ樹脂、アクリル樹脂或いはポリイミド（Polyimide ）
で２、０００Å乃至１μｍ位の厚さに形成され、前記溶
解層はＰＶＡ，ＰＶＢ或いはアラビアゴムで形成し得
る。アラビアゴムを使用する場合、水に０．１乃至１０
重量％の比率で溶解して使用し、その積層の厚さは１、
０００乃至８、０００Å位が適する。この際に前記積層
の数は５乃至２０位が好ましい。
ル樹脂からなる絶縁層２０とＰＶＡよりなる溶解層２２
ａをスピンコーティング法、ロールコーティング法等を
通じて反復積層する。ここで、前記絶縁層２０はエポキ
シ樹脂、アクリル樹脂或いはポリイミド（Polyimide ）
で２、０００Å乃至１μｍ位の厚さに形成され、前記溶
解層はＰＶＡ，ＰＶＢ或いはアラビアゴムで形成し得
る。アラビアゴムを使用する場合、水に０．１乃至１０
重量％の比率で溶解して使用し、その積層の厚さは１、
０００乃至８、０００Å位が適する。この際に前記積層
の数は５乃至２０位が好ましい。
【００１５】図７に示した段階で、最上位絶縁層２０の
表面にフォトレジスト２４を塗布した後、フォトマスク
パターンを利用してフォトレジスト２４の間に置かれた
支柱１２の部分に当たる光通過領域の周囲に前記支柱形
成のためのフォトレジスト２４を残す。そして、プラズ
マ又は反応性イオンエッチング法でエッチングし支柱１
２用の孔を前記積層に形成し、この孔をエポキシ樹脂で
充填し支柱１２を形成する。
表面にフォトレジスト２４を塗布した後、フォトマスク
パターンを利用してフォトレジスト２４の間に置かれた
支柱１２の部分に当たる光通過領域の周囲に前記支柱形
成のためのフォトレジスト２４を残す。そして、プラズ
マ又は反応性イオンエッチング法でエッチングし支柱１
２用の孔を前記積層に形成し、この孔をエポキシ樹脂で
充填し支柱１２を形成する。
【００１６】図８に示した段階で、前記最上位の絶縁層
の表面に光透過性材料、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxi
de）でストライプ状の第２電極１０を形成する。この
際、前記電極１０はマトリックス形の場合前記下部電極
に直交するストライプ状で形成する。
の表面に光透過性材料、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxi
de）でストライプ状の第２電極１０を形成する。この
際、前記電極１０はマトリックス形の場合前記下部電極
に直交するストライプ状で形成する。
【００１７】図９に示した段階で、液晶の注入孔１４を
フォトマスクパターンの形成とプラズマエッチングによ
り形成する。ここで、この注入孔１４に溶剤、例えば前
記溶解層の素材がＰＶＡの場合水を加え前記溶解層２２
ａを溶かして除かせ溶解層２２ａの存した部分２２ｂと
注入孔１４を空いた空間とし、各空間を区画するエポキ
シ樹脂層２０は支柱１２により支持される。
フォトマスクパターンの形成とプラズマエッチングによ
り形成する。ここで、この注入孔１４に溶剤、例えば前
記溶解層の素材がＰＶＡの場合水を加え前記溶解層２２
ａを溶かして除かせ溶解層２２ａの存した部分２２ｂと
注入孔１４を空いた空間とし、各空間を区画するエポキ
シ樹脂層２０は支柱１２により支持される。
【００１８】図１０に示した段階で、乾燥過程を経た後
真空下で液晶を前記断層構造の表面の全体に塗布し、こ
れに次いで気圧を徐々に大気状態に上げることにより、
注入孔１４を通じて空間部分２２ｂに液晶層２２を形成
する。液晶の充填が終了すれば、液晶を封止するために
全面にアクリル樹脂などよりなった上層保護膜２６を塗
布し図１乃至図４に示した反射形の液晶表示素子を形成
する。
真空下で液晶を前記断層構造の表面の全体に塗布し、こ
れに次いで気圧を徐々に大気状態に上げることにより、
注入孔１４を通じて空間部分２２ｂに液晶層２２を形成
する。液晶の充填が終了すれば、液晶を封止するために
全面にアクリル樹脂などよりなった上層保護膜２６を塗
布し図１乃至図４に示した反射形の液晶表示素子を形成
する。
【００１９】以上のような製造方法において、一番難し
い点は前記溶解層を完璧に除くべきことであるが、例え
ば前記溶解層を先に出願された本発明に関連する出願発
明でのように金属層で形成する場合これを溶解するため
には強い腐食力の薬剤を使用しなければならない問題点
が発生する。そしてこのような場合、前記絶縁層の素材
が相当制限的な範囲内で選択されるべきだが、例えば金
属酸化物が適用される場合金属性の溶解層が腐食する過
程の中相当の部分が腐食するおそれがある。それに前記
支柱と液晶注入のための孔を形成する工程もその雰囲
気、即ちエッチング条件に付くエッチング雰囲気を変え
ながら実施しなければならない。
い点は前記溶解層を完璧に除くべきことであるが、例え
ば前記溶解層を先に出願された本発明に関連する出願発
明でのように金属層で形成する場合これを溶解するため
には強い腐食力の薬剤を使用しなければならない問題点
が発生する。そしてこのような場合、前記絶縁層の素材
が相当制限的な範囲内で選択されるべきだが、例えば金
属酸化物が適用される場合金属性の溶解層が腐食する過
程の中相当の部分が腐食するおそれがある。それに前記
支柱と液晶注入のための孔を形成する工程もその雰囲
気、即ちエッチング条件に付くエッチング雰囲気を変え
ながら実施しなければならない。
【００２０】
【発明の効果】本発明の製造方法は、以上のように絶縁
層と溶解層を共に高分子素子に形成することにより、エ
ッチングの際強い腐食性の薬剤が使用されず、特に前記
孔のためのエッチング工程が同じ雰囲気内で成され得る
ので液晶表示素子製造が容易になる。その上、アラビア
ゴムが使用される場合、より容易に作業が遂行でき、特
に安定した構造の液晶表示素子が得られる。これは、Ｐ
ＶＡに比べアラビアゴムが物理的な特性において有利で
あり、両者が水に可溶性の共通点があるが、ＰＶＡの場
合１５０℃以上加熱されれば水に溶けにくい状態に変化
するが、アラビアゴムは１８０℃位の温度下でも良好な
水溶性を有する。それにＰＶＡは水に溶ける際その体積
が膨張される問題によりその上下の絶縁層を損傷させる
おそれがあるが、アラビアゴムはＰＶＡに比べ膨張力が
少なくてこのような問題発生のおそれが少ない。
層と溶解層を共に高分子素子に形成することにより、エ
ッチングの際強い腐食性の薬剤が使用されず、特に前記
孔のためのエッチング工程が同じ雰囲気内で成され得る
ので液晶表示素子製造が容易になる。その上、アラビア
ゴムが使用される場合、より容易に作業が遂行でき、特
に安定した構造の液晶表示素子が得られる。これは、Ｐ
ＶＡに比べアラビアゴムが物理的な特性において有利で
あり、両者が水に可溶性の共通点があるが、ＰＶＡの場
合１５０℃以上加熱されれば水に溶けにくい状態に変化
するが、アラビアゴムは１８０℃位の温度下でも良好な
水溶性を有する。それにＰＶＡは水に溶ける際その体積
が膨張される問題によりその上下の絶縁層を損傷させる
おそれがあるが、アラビアゴムはＰＶＡに比べ膨張力が
少なくてこのような問題発生のおそれが少ない。
【００２１】このような方法により完成された本発明の
液晶表示素子は、工程の中エッチング薬剤による各素材
層の損傷ができる限り防がれるようなっているので安定
した特性を有する。
液晶表示素子は、工程の中エッチング薬剤による各素材
層の損傷ができる限り防がれるようなっているので安定
した特性を有する。
【図１】 本発明により製造された液晶表示素子の概略
的な斜視図。
的な斜視図。
【図２】 図１の液晶表示素子の部分抜粋平面図。
【図３】 図１の液晶表示素子のＡ−Ａ′断面図。
【図４】 図１の反射形液晶表示素子のＢ−Ｂ′断面
図。
図。
【図５】 図１に示した反射形液晶表示素子の製造工程
別の加工状態を示す断面図。
別の加工状態を示す断面図。
【図６】 図５に続く反射形液晶表示素子の製造工程別
の加工状態を示す断面図。
の加工状態を示す断面図。
【図７】 図６に続く反射形液晶表示素子の製造工程別
の加工状態を示す断面図。
の加工状態を示す断面図。
【図８】 図７に続く反射形液晶表示素子の製造工程別
の加工状態を示す断面図。
の加工状態を示す断面図。
【図９】 図８に続く反射形液晶表示素子の製造工程別
の加工状態を示す断面図。
の加工状態を示す断面図。
【図１０】 図９に続く反射形液晶表示素子の製造工程
別の加工状態を示す断面図。
別の加工状態を示す断面図。
１０，１８…電極、 １２…支
柱、１４…注入口、 １６…
基板、２０…絶縁層、 ２２
…液晶層、２２ａ…溶解層、
２２ｂ…空間部分、２６…上層保護膜。
柱、１４…注入口、 １６…
基板、２０…絶縁層、 ２２
…液晶層、２２ａ…溶解層、
２２ｂ…空間部分、２６…上層保護膜。
Claims (4)
- 【請求項１】 （ａ）電気絶縁性を有するガラス基板上
に導電材料で所定のパターンの第１電極群を形成する工
程と、 （ｂ）所定の溶解剤に溶解されない光透過性の電気絶縁
性の高分子樹脂材料で前記電極を被覆し光透過性の電気
絶縁層を形成する工程と、 （ｃ）前記光透過性の電気絶縁層上に前記所定の溶解剤
に溶解される高分子樹脂材料を被覆して溶解層を形成す
る工程と、 （ｄ）前記工程（ｂ）、（ｃ）を所定の回数繰り返して
所定の厚さの積層を形成する工程と、 （ｅ）前記（ｂ）から（ｅ）までの工程で形成された積
層に所定の間隔で第１孔を開け電気絶縁性の硬化性材料
で充填し支柱を形成する工程と、 （ｆ）前記光透過性電気絶縁層と溶解層との積層上に光
透過性導電材料により所定のパターンの第２電極群を形
成する工程と、 （ｇ）前記積層に所定の間隔で注入口を形成しこれを通
じて前記溶解剤で前記工程（ｃ）で形成された溶解層を
取り除く段階と、 （ｈ）前記溶解層が取り除かれた後の空間に液晶を充填
した後前記注入口を封止する工程を含むことを特徴とす
る液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項２】 光透過性の電気絶縁層の素材としてエポ
キシ樹脂、ポリイミド、アクリル樹脂の中のある一つを
使用することを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子
の製造方法。 - 【請求項３】 前記溶解層の素材としてＰＶＡ，ＰＶＢ
或いはアラビアゴムの中の或る一つを使用することを特
徴とする請求項１記載の液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記アラビアゴムは水に対し０．１〜１
０重量％の含量で溶解され用いられることを特徴とする
請求項３記載の液晶表示素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR920017898 | 1992-09-30 | ||
| KR92P17898 | 1992-11-14 | ||
| KR92P21450 | 1992-11-14 | ||
| KR1019920021450A KR940007583A (ko) | 1992-09-30 | 1992-11-14 | 액정표시소자의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06208126A true JPH06208126A (ja) | 1994-07-26 |
Family
ID=26629281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5223627A Pending JPH06208126A (ja) | 1992-09-30 | 1993-09-08 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5477973A (ja) |
| JP (1) | JPH06208126A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5875008A (en) * | 1993-10-04 | 1999-02-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal panel and projection display with use of liquid crystal panel |
| US6545653B1 (en) | 1994-07-14 | 2003-04-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and device for displaying image signals and viewfinder |
| KR101010445B1 (ko) * | 2002-06-21 | 2011-01-21 | 아스라브 쏘시에떼 아노님 | 전기화학 광기전성 셀 또는 액정 디스플레이 셀과 같은 다층 셀을 제조하기 위한 방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4541394B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2010-09-08 | パナソニック株式会社 | 金属ローラの製造方法 |
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-
1993
- 1993-09-08 JP JP5223627A patent/JPH06208126A/ja active Pending
- 1993-09-30 US US08/129,404 patent/US5477973A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5875008A (en) * | 1993-10-04 | 1999-02-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal panel and projection display with use of liquid crystal panel |
| US6545653B1 (en) | 1994-07-14 | 2003-04-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and device for displaying image signals and viewfinder |
| KR101010445B1 (ko) * | 2002-06-21 | 2011-01-21 | 아스라브 쏘시에떼 아노님 | 전기화학 광기전성 셀 또는 액정 디스플레이 셀과 같은 다층 셀을 제조하기 위한 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5477973A (en) | 1995-12-26 |
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