JPH0572408A - 干渉露光方法 - Google Patents
干渉露光方法Info
- Publication number
- JPH0572408A JPH0572408A JP3234968A JP23496891A JPH0572408A JP H0572408 A JPH0572408 A JP H0572408A JP 3234968 A JP3234968 A JP 3234968A JP 23496891 A JP23496891 A JP 23496891A JP H0572408 A JPH0572408 A JP H0572408A
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- light
- mirror
- interference
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70408—Interferometric lithography; Holographic lithography; Self-imaging lithography, e.g. utilizing the Talbot effect
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 回折格子の製造に使用される干渉露光方法の
改良に関し、格子ピッチが不均一に分布する不均一ピッ
チの回折格子の製造を可能にする干渉露光方法を提供す
ることを目的とする。 【構成】 被露光体１に対して垂直にハーフミラー２を
配設し、光源４から発する複数の単波長の光が、被露光
体１の垂線に対して同一の入射角θ0 をもって互いに逆
方向から入射するように、ハーフミラー２を挟んで互い
に逆の位置に各１個の反射鏡３を設けて被露光体を露光
するように構成するか、または、光源４から発する単波
長の光が、被露光体１の垂線に対して同一の入射角θ1
とθ2 とをもって互いに逆方向から入射するように、ハ
ーフミラー２を挟んで互いに逆の位置に各１個の第２の
ハーフミラー５と第２のハーフミラー５を挟んで互いに
逆の位置に各１個の反射鏡６とを設けて被露光体を露光
するように構成する。
改良に関し、格子ピッチが不均一に分布する不均一ピッ
チの回折格子の製造を可能にする干渉露光方法を提供す
ることを目的とする。 【構成】 被露光体１に対して垂直にハーフミラー２を
配設し、光源４から発する複数の単波長の光が、被露光
体１の垂線に対して同一の入射角θ0 をもって互いに逆
方向から入射するように、ハーフミラー２を挟んで互い
に逆の位置に各１個の反射鏡３を設けて被露光体を露光
するように構成するか、または、光源４から発する単波
長の光が、被露光体１の垂線に対して同一の入射角θ1
とθ2 とをもって互いに逆方向から入射するように、ハ
ーフミラー２を挟んで互いに逆の位置に各１個の第２の
ハーフミラー５と第２のハーフミラー５を挟んで互いに
逆の位置に各１個の反射鏡６とを設けて被露光体を露光
するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、回折格子の製造に使用
される干渉露光方法の改良、特に、不均一ピッチの回折
格子を製造しうるようにする改良に関する。
される干渉露光方法の改良、特に、不均一ピッチの回折
格子を製造しうるようにする改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５に従来技術に係る干渉露光装置の模
式図を示す。被露光体１に対して垂直にハーフミラー２
が配設され、ヘリウム−カドミウムレーザ等の光源４か
ら発する単波長の光のうちハーフミラー２で反射する光
とハーフミラー２を透過する光とが被露光体１の垂線に
対して同一の入射角θ0 をもって互いに逆方向から入射
するように、ハーフミラー２を挟んで互いに逆の位置に
各１個の反射鏡３が設けられている。
式図を示す。被露光体１に対して垂直にハーフミラー２
が配設され、ヘリウム−カドミウムレーザ等の光源４か
ら発する単波長の光のうちハーフミラー２で反射する光
とハーフミラー２を透過する光とが被露光体１の垂線に
対して同一の入射角θ0 をもって互いに逆方向から入射
するように、ハーフミラー２を挟んで互いに逆の位置に
各１個の反射鏡３が設けられている。
【０００３】単波長の光の波長をλ0 とすると、被露光
体１上に形成される干渉縞のピッチΛは、 Λ＝λ0 ／２ｓｉｎθ0 となる。この干渉縞を使用して被露光体１を露光・現像
してエッチング用マスクを形成し、このマスクを使用し
てエッチングすることによって均一ピッチの回折格子を
製造することができる。
体１上に形成される干渉縞のピッチΛは、 Λ＝λ0 ／２ｓｉｎθ0 となる。この干渉縞を使用して被露光体１を露光・現像
してエッチング用マスクを形成し、このマスクを使用し
てエッチングすることによって均一ピッチの回折格子を
製造することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】光通信に使用される半
導体発光装置として、活性域の光反射面に回折格子が形
成された分布帰還型半導体レーザが知られている。従来
の分布帰還型半導体レーザの回折格子のピッチは全領域
にわたって均一であるが、この回折格子のピッチを不均
一に分布させることによって半導体発光装置の発光特性
を改善する研究がなされている。従来の干渉露光方法で
は、このような不均一ピッチの回折格子を製造すること
は不可能である。
導体発光装置として、活性域の光反射面に回折格子が形
成された分布帰還型半導体レーザが知られている。従来
の分布帰還型半導体レーザの回折格子のピッチは全領域
にわたって均一であるが、この回折格子のピッチを不均
一に分布させることによって半導体発光装置の発光特性
を改善する研究がなされている。従来の干渉露光方法で
は、このような不均一ピッチの回折格子を製造すること
は不可能である。
【０００５】本発明の目的は、この欠点を解消すること
にあり、格子ピッチが不均一に分布する不均一ピッチの
回折格子の製造を可能にする干渉露光方法を提供するこ
とにある。
にあり、格子ピッチが不均一に分布する不均一ピッチの
回折格子の製造を可能にする干渉露光方法を提供するこ
とにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、下記いず
れの手段によっても達成される。第一の手段は、被露光
体（１）に対して垂直にハーフミラー（２）を配設し、
光源（４）から発する複数の単波長の光が、前記の被露
光体（１）の垂線に対して同一の入射角（θ0 ）をもっ
て互いに逆方向から入射するように、前記のハーフミラ
ー（２）を挟んで互いに逆の位置に各１個の反射鏡
（３）を設けて前記の被露光体（１）を露光する干渉露
光方法である。
れの手段によっても達成される。第一の手段は、被露光
体（１）に対して垂直にハーフミラー（２）を配設し、
光源（４）から発する複数の単波長の光が、前記の被露
光体（１）の垂線に対して同一の入射角（θ0 ）をもっ
て互いに逆方向から入射するように、前記のハーフミラ
ー（２）を挟んで互いに逆の位置に各１個の反射鏡
（３）を設けて前記の被露光体（１）を露光する干渉露
光方法である。
【０００７】第二の手段は、被露光体（１）に対して垂
直にハーフミラー（２）を配設し、光源（４）から発す
る単波長の光が、前記の被露光体（１）の垂線に対して
同一の入射角（θ1 ）をもって互いに逆方向から入射す
るように、前記のハーフミラー（２）を挟んで互いに逆
の位置に各１個の第２のハーフミラー（５）を設け、さ
らに、前記の被露光体（１）の垂線に対して他の同一の
入射角（θ2 ）をもって互いに逆方向から入射するよう
に、前記の第２のハーフミラー（５）を挟んで互いに逆
の位置に各１個の反射鏡（６）を設けて前記の被露光体
（１）を露光する干渉露光方法である。
直にハーフミラー（２）を配設し、光源（４）から発す
る単波長の光が、前記の被露光体（１）の垂線に対して
同一の入射角（θ1 ）をもって互いに逆方向から入射す
るように、前記のハーフミラー（２）を挟んで互いに逆
の位置に各１個の第２のハーフミラー（５）を設け、さ
らに、前記の被露光体（１）の垂線に対して他の同一の
入射角（θ2 ）をもって互いに逆方向から入射するよう
に、前記の第２のハーフミラー（５）を挟んで互いに逆
の位置に各１個の反射鏡（６）を設けて前記の被露光体
（１）を露光する干渉露光方法である。
【０００８】
【作用】図１に示すように、被露光体１に入射角θ0 を
もって互いに逆方向から波長がλ1 とλ2 の２つの単波
長光を入射させると、図３に実線をもって示すように、
波長λ1 の光によるピッチΛ1 がλ1 ／２ｓｉｎθ0 の
干渉縞と、同図に破線をもって示すように、波長λ2 の
光によるピッチΛ2 がλ2 ／２ｓｉｎθ0 の干渉縞とが
形成され、この２つの干渉縞が合成されて同図に一点鎖
線をもって示すように、ピッチが不均一であり、また、
強度も不均一である干渉縞が形成される。この干渉縞を
使用して被露光体１を露光・現像すれば、図４に示すよ
うに、ピッチが不均一であり、また、除去領域の幅が干
渉縞の光強度に対応して不均一であるエッチング用マス
クが形成される。このエッチング用マスクを使用してピ
ッチと格子幅とが不均一の回折格子を形成することがで
きる。
もって互いに逆方向から波長がλ1 とλ2 の２つの単波
長光を入射させると、図３に実線をもって示すように、
波長λ1 の光によるピッチΛ1 がλ1 ／２ｓｉｎθ0 の
干渉縞と、同図に破線をもって示すように、波長λ2 の
光によるピッチΛ2 がλ2 ／２ｓｉｎθ0 の干渉縞とが
形成され、この２つの干渉縞が合成されて同図に一点鎖
線をもって示すように、ピッチが不均一であり、また、
強度も不均一である干渉縞が形成される。この干渉縞を
使用して被露光体１を露光・現像すれば、図４に示すよ
うに、ピッチが不均一であり、また、除去領域の幅が干
渉縞の光強度に対応して不均一であるエッチング用マス
クが形成される。このエッチング用マスクを使用してピ
ッチと格子幅とが不均一の回折格子を形成することがで
きる。
【０００９】また、図２に示すように、波長λ0 の光が
被露光体１に入射角θ1 とθ2 とをもって互いに逆方向
から入射させると、ピッチがΛ1 ＝λ1 ／２ｓｉｎθ1
とΛ 2 ＝λ1 ／２ｓｉｎθ2 とΛ12＝λ1 ／（ｓｉｎθ
1 ＋ｓｉｎθ2 ）との３つの干渉縞が形成され、これら
が合成されて前記と同様にピッチが不均一であり、ま
た、強度が不均一である干渉縞が形成される。
被露光体１に入射角θ1 とθ2 とをもって互いに逆方向
から入射させると、ピッチがΛ1 ＝λ1 ／２ｓｉｎθ1
とΛ 2 ＝λ1 ／２ｓｉｎθ2 とΛ12＝λ1 ／（ｓｉｎθ
1 ＋ｓｉｎθ2 ）との３つの干渉縞が形成され、これら
が合成されて前記と同様にピッチが不均一であり、ま
た、強度が不均一である干渉縞が形成される。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明に係る干渉露
光方法の二つの実施例について説明する。
光方法の二つの実施例について説明する。
【００１１】第１例 図１に干渉露光装置の模式図を示す。図において、１は
被露光体であり、２は被露光体に対して垂直に配設され
たハーフミラーであり、３はハーフミラーを挟んで互い
に逆の位置に配設された反射鏡であり、４は光源であ
る。光源４から発する波長の異なる複数の単波長の光
（波長＝λ1 、λ2 、・・・、λn ）をハーフミラー２
に入射し、その反射光と透過光とが被露光体１に互いに
逆方向から入射角θ0 をもって入射するように反射鏡３
が配設されている。波長の異なる複数の単波長光の干渉
縞が合成されてピッチが不均一であり、強度も不均一で
ある干渉縞が被露光体１上に形成され露光される。
被露光体であり、２は被露光体に対して垂直に配設され
たハーフミラーであり、３はハーフミラーを挟んで互い
に逆の位置に配設された反射鏡であり、４は光源であ
る。光源４から発する波長の異なる複数の単波長の光
（波長＝λ1 、λ2 、・・・、λn ）をハーフミラー２
に入射し、その反射光と透過光とが被露光体１に互いに
逆方向から入射角θ0 をもって入射するように反射鏡３
が配設されている。波長の異なる複数の単波長光の干渉
縞が合成されてピッチが不均一であり、強度も不均一で
ある干渉縞が被露光体１上に形成され露光される。
【００１２】第２例 図２に干渉露光装置の模式図を示す。図において、１は
被露光体であり、２は被露光体に対して垂直に配設され
たハーフミラーであり、４は光源である。５はハーフミ
ラー２を挟んで互いに逆の位置に配設された第２のハー
フミラーであり、ハーフミラー２で反射する反射光とハ
ーフミラー２を透過する透過光とが被露光体１に互いに
逆方向から入射角θ1 をもって入射するように配設され
ている。
被露光体であり、２は被露光体に対して垂直に配設され
たハーフミラーであり、４は光源である。５はハーフミ
ラー２を挟んで互いに逆の位置に配設された第２のハー
フミラーであり、ハーフミラー２で反射する反射光とハ
ーフミラー２を透過する透過光とが被露光体１に互いに
逆方向から入射角θ1 をもって入射するように配設され
ている。
【００１３】６は第２のハーフミラー５を挟んで互いに
逆の位置に配設された反射鏡であり、２個の第２のハー
フミラー５をそれぞれ透過した光が被露光体１に互いに
逆方向から入射角θ2 をもって入射するように配設され
ている。
逆の位置に配設された反射鏡であり、２個の第２のハー
フミラー５をそれぞれ透過した光が被露光体１に互いに
逆方向から入射角θ2 をもって入射するように配設され
ている。
【００１４】入射角の異なる２つの単波長光の干渉によ
って、第１例と同様にピッチが不均一であり、強度も不
均一である干渉縞が被露光体１上に形成され露光され
る。
って、第１例と同様にピッチが不均一であり、強度も不
均一である干渉縞が被露光体１上に形成され露光され
る。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係る干渉
露光方法においては、異なる波長の複数の単波長の光の
干渉縞が合成されるか、または、入射角の異なる単波長
の光の干渉縞が合成されることによって干渉縞のピッチ
と強度とが変調されて不均一となるので、不均一ピッチ
の回折格子の製造が可能になり、分布帰還型レーザの特
性の改善等が期待される。
露光方法においては、異なる波長の複数の単波長の光の
干渉縞が合成されるか、または、入射角の異なる単波長
の光の干渉縞が合成されることによって干渉縞のピッチ
と強度とが変調されて不均一となるので、不均一ピッチ
の回折格子の製造が可能になり、分布帰還型レーザの特
性の改善等が期待される。
【図１】本発明に係る干渉露光装置の模式図である。
【図２】本発明に係る干渉露光装置の模式図である。
【図３】本発明の原理説明図である。
【図４】被露光体に形成された不均一ピッチのパターン
である。
である。
【図５】従来技術に係る干渉露光装置の模式図である。
１ 被露光体 ２ ハーフミラー ３・６ 反射鏡 ４ 光源 ５ 第２のハーフミラー
Claims (2)
- 【請求項１】 被露光体（１）に対して垂直にハーフミ
ラー（２）を配設し、 光源（４）から発する複数の単波長の光が、前記被露光
体（１）の垂線に対して同一の入射角（θ0 ）をもって
互いに逆方向から入射するように、前記ハーフミラー
（２）を挟んで互いに逆の位置に各１個の反射鏡（３）
を設けて前記被露光体（１）を露光することを特徴とす
る干渉露光方法。 - 【請求項２】 被露光体（１）に対して垂直にハーフミ
ラー（２）を配設し、 光源（４）から発する単波長の光が、前記被露光体
（１）の垂線に対して同一の入射角（θ1 ）をもって互
いに逆方向から入射するように、前記ハーフミラー
（２）を挟んで互いに逆の位置に各１個の第２のハーフ
ミラー（５）を設け、 前記被露光体（１）の垂線に対して他の同一の入射角
（θ2 ）をもって互いに逆方向から入射するように、前
記第２のハーフミラー（５）を挟んで互いに逆の位置に
各１個の反射鏡（６）を設けて前記被露光体（１）を露
光することを特徴とする干渉露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3234968A JPH0572408A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 干渉露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3234968A JPH0572408A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 干渉露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0572408A true JPH0572408A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16979077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3234968A Withdrawn JPH0572408A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 干渉露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0572408A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000057236A2 (en) * | 1999-03-23 | 2000-09-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Optical synthetic aperture array |
| DE10325461A1 (de) * | 2003-06-05 | 2004-12-30 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren und Anordnung zur Realisierung einer schaltbaren optischen Apertur |
| WO2006080972A2 (en) * | 2004-11-19 | 2006-08-03 | Massachusetts Institute Of Technology | System and method for forming well-defined periodic patterns using achromatic interference lithography |
| US7161684B2 (en) | 2000-02-15 | 2007-01-09 | Asml Holding, N.V. | Apparatus for optical system coherence testing |
| US7242464B2 (en) | 1999-06-24 | 2007-07-10 | Asml Holdings N.V. | Method for characterizing optical systems using holographic reticles |
| WO2007084279A1 (en) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Massachusetts Institute Of Technology | System and method for absorbance modulation lithography |
| US7440078B2 (en) | 2005-12-20 | 2008-10-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and maskless exposure units |
| US7443514B2 (en) | 2006-10-02 | 2008-10-28 | Asml Holding N.V. | Diffractive null corrector employing a spatial light modulator |
| US7561252B2 (en) | 2005-12-29 | 2009-07-14 | Asml Holding N.V. | Interferometric lithography system and method used to generate equal path lengths of interfering beams |
| US7714988B2 (en) | 2005-02-17 | 2010-05-11 | Massachusetts Institute Of Technology | System and method for absorbance modulation lithography |
| US7751030B2 (en) | 2005-02-01 | 2010-07-06 | Asml Holding N.V. | Interferometric lithographic projection apparatus |
| US8264667B2 (en) | 2006-05-04 | 2012-09-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and other exposure |
| US8934084B2 (en) | 2006-05-31 | 2015-01-13 | Asml Holding N.V. | System and method for printing interference patterns having a pitch in a lithography system |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP3234968A patent/JPH0572408A/ja not_active Withdrawn
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2000057236A2 (en) * | 1999-03-23 | 2000-09-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Optical synthetic aperture array |
| WO2000057236A3 (en) * | 1999-03-23 | 2001-01-04 | Massachusetts Inst Technology | Optical synthetic aperture array |
| US6548820B1 (en) | 1999-03-23 | 2003-04-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Optical synthetic aperture array |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |