JPS58222522A - プロジエクシヨンアライナ - Google Patents
プロジエクシヨンアライナInfo
- Publication number
- JPS58222522A JPS58222522A JP57105352A JP10535282A JPS58222522A JP S58222522 A JPS58222522 A JP S58222522A JP 57105352 A JP57105352 A JP 57105352A JP 10535282 A JP10535282 A JP 10535282A JP S58222522 A JPS58222522 A JP S58222522A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beams
- mirror
- laser light
- laser
- light source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7069—Alignment mark illumination, e.g. darkfield, dual focus
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明に半導体基板等の露光ケ行なうためのプロジェク
ションアライナに関する。
ションアライナに関する。
近年、半導体製品の製造過程において半導体基板に露光
処理χ施こ丁場合、高輝度ｒ得るためにレーザー光を用
いて露光することが提案されている。
処理χ施こ丁場合、高輝度ｒ得るためにレーザー光を用
いて露光することが提案されている。
ところか、従来に単一波長のレーザー元ｒ光源として利
用しているので、たとえば半導体基板上のレジス）ｋｊ
ｌ光する際に定在波か発生し、耐エツチング性の低い焼
付パターンしか祷られなくなるという問題点かめつ次。
用しているので、たとえば半導体基板上のレジス）ｋｊ
ｌ光する際に定在波か発生し、耐エツチング性の低い焼
付パターンしか祷られなくなるという問題点かめつ次。
そのため、従来は、レーザー光の持つ高輝度、高解像度
等の特長ケ十分に活かすことができなかった。
等の特長ケ十分に活かすことができなかった。
本発明の目的は、前記従来技術の問題点’ＫＭ消し、定
在波の影響ｒ低減式せて、レーザー光による高輝度、高
解像度、高スループツトの露光処理、７行なうことので
きるプロジェクションアライナｒ提供することにある。
在波の影響ｒ低減式せて、レーザー光による高輝度、高
解像度、高スループツトの露光処理、７行なうことので
きるプロジェクションアライナｒ提供することにある。
この目的に−ｓ成するため、本発明によるプロジェクシ
ョンアライナは、複数の異なる波長のレーザー−ｙｔ、
ｒ用いて露光７行なうこと１ｒ％徴とするものである。
ョンアライナは、複数の異なる波長のレーザー−ｙｔ、
ｒ用いて露光７行なうこと１ｒ％徴とするものである。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたかつて詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明によるプロジェクションアライナの一実
施例〉示す概略的説明図である。
施例〉示す概略的説明図である。
本実施例においては、レーザー光源として、２つの異な
る波長のレーザー九ｒ発生するレーザー光源１と２か用
いらｎている。丁なわち、本！＋１！施例の場合には、
レーザー光源１は比較的長い波長のレーザー亢奮発生し
、レーザー光源２は該レーブー光＃ｉ２からのレーザー
光よりも短かい波長のレーザー光を発生するように選ば
れている。
る波長のレーザー九ｒ発生するレーザー光源１と２か用
いらｎている。丁なわち、本！＋１！施例の場合には、
レーザー光源１は比較的長い波長のレーザー亢奮発生し
、レーザー光源２は該レーブー光＃ｉ２からのレーザー
光よりも短かい波長のレーザー光を発生するように選ば
れている。
レーザー光源ｌからのレーザー光は全反射ミラー３から
ハーフミラ−（ビームスプリッタ）４ｒ経テビームエク
スパンダ５に入射される。一方、レーザー光源２からの
レーザー光はハーフミラ−４に軽でビームエクスパンダ
５に入射式れる。
ハーフミラ−（ビームスプリッタ）４ｒ経テビームエク
スパンダ５に入射される。一方、レーザー光源２からの
レーザー光はハーフミラ−４に軽でビームエクスパンダ
５に入射式れる。
ビームエクスパンダ５から出る２つの異なる波長のレー
ザー九紫反射するため、ポリゴンミラー６かビームエク
スパンダ５の下方に配置され、このポリゴンミラー６は
レーザー元ケ回転放物面ミラー７に反射する。
ザー九紫反射するため、ポリゴンミラー６かビームエク
スパンダ５の下方に配置され、このポリゴンミラー６は
レーザー元ケ回転放物面ミラー７に反射する。
ポリゴンミラー７はレーザー光ｔ１円弧状開口部ｒ持つ
スリット板８に反射し＃ｆｉＩ家させる。スリット板８
の下方には、照射光学系９か設けらｎｌこの照明光学系
９にレーザー元ｔマスクｌＯに再び結儂嘔せる。
スリット板８に反射し＃ｆｉＩ家させる。スリット板８
の下方には、照射光学系９か設けらｎｌこの照明光学系
９にレーザー元ｔマスクｌＯに再び結儂嘔せる。
マスクｌＯｋ通過したレーザー光は凹ｒｋＪｍｌＬ、凸
面鏡１２、凹［ＩＯ鏡１１を経て反射され、マスク１０
の円弧状スリットと同じ半径ｒｏの円弧上にある半導体
ウェハ１３の上に集束され、該半導体ウェハ１３上のレ
ジストに対して露光処理τ施こ丁。
面鏡１２、凹［ＩＯ鏡１１を経て反射され、マスク１０
の円弧状スリットと同じ半径ｒｏの円弧上にある半導体
ウェハ１３の上に集束され、該半導体ウェハ１３上のレ
ジストに対して露光処理τ施こ丁。
次に、本実施例の作用について説明する。レーザー光源
１から出力された比較的長い波長のレーザー光は全反射
ばラー３、ハーフミラ−１−経てビームエクスパンダ５
に入射ざｆＬル。一方、レーザー光源２はｌＩＩ把レー
し−元源１からのレーザー光Ｊ：りも短かい波長のレー
ザー光ｒ発生し、七のレーザー光はハーフミラ−４ｒ経
てビームエクスパンダ５に入射される、その場合、ビー
ムエクスパンダ５に入射式ｎる２つの波長の異なるレー
ザー光は互いに混ざり合った状態となって−る。
１から出力された比較的長い波長のレーザー光は全反射
ばラー３、ハーフミラ−１−経てビームエクスパンダ５
に入射ざｆＬル。一方、レーザー光源２はｌＩＩ把レー
し−元源１からのレーザー光Ｊ：りも短かい波長のレー
ザー光ｒ発生し、七のレーザー光はハーフミラ−４ｒ経
てビームエクスパンダ５に入射される、その場合、ビー
ムエクスパンダ５に入射式ｎる２つの波長の異なるレー
ザー光は互いに混ざり合った状態となって−る。
これらのレーザー光はポリゴンばラー６、回転放物面ε
ラー７、スリット板８、照明光学系９ｒ経てマスクドＯ
の円弧状スリットヶ通過し、さらに凹面鏡ｌ１１凸而鋭
１２、再び凹面鏡１１ｊ経て半導体ウェハ１３゛上のレ
ジストに対して露光処 １ｔｌｔ−施こし、レ
ジストにマスクパターン’を焼＠付ける。
ラー７、スリット板８、照明光学系９ｒ経てマスクドＯ
の円弧状スリットヶ通過し、さらに凹面鏡ｌ１１凸而鋭
１２、再び凹面鏡１１ｊ経て半導体ウェハ１３゛上のレ
ジストに対して露光処 １ｔｌｔ−施こし、レ
ジストにマスクパターン’を焼＠付ける。
この場合において、レジストに対する露光処理時の定在
波の状態について第２図体）〜（０） ｋ参照しなから
説明すると、まずレーザー光源゛１からの比較的長い波
長のレーザー光のみの場合、半導体ウェハ１３のレジス
）１４に対する定住波の影ｆ＃は第２図四に剰媚領域１
５Ａで示すようになう、定住波によりレジスト断面方向
に露光強度ムラかできる。また、レーザー光源２からの
比較的短い波長のレーザー光のみの場合には、定住波は
第２図（均［１５Ｂで示すようになる。第２図（Ａ）、
（ｌかられかるように、レーザー光か一波長のみ（単
色光）の場合には、定在波の影響のために、耐エツチン
グ性の良好な露′ｙＬ、に傅ることかできない。
波の状態について第２図体）〜（０） ｋ参照しなから
説明すると、まずレーザー光源゛１からの比較的長い波
長のレーザー光のみの場合、半導体ウェハ１３のレジス
）１４に対する定住波の影ｆ＃は第２図四に剰媚領域１
５Ａで示すようになう、定住波によりレジスト断面方向
に露光強度ムラかできる。また、レーザー光源２からの
比較的短い波長のレーザー光のみの場合には、定住波は
第２図（均［１５Ｂで示すようになる。第２図（Ａ）、
（ｌかられかるように、レーザー光か一波長のみ（単
色光）の場合には、定在波の影響のために、耐エツチン
グ性の良好な露′ｙＬ、に傅ることかできない。
こ７１Ｃ対し、本実施例により２つの異なる波長のレー
ザー元ｒ用いて露光を行なつｆＣ場合には、第２図（０
）に示す工うに、定住波に１５０の如くになり、単波長
の場合とは違って定住波の影響の非常に少ない良好な露
光処理か侍らｎることか明らかである。
ザー元ｒ用いて露光を行なつｆＣ場合には、第２図（０
）に示す工うに、定住波に１５０の如くになり、単波長
の場合とは違って定住波の影響の非常に少ない良好な露
光処理か侍らｎることか明らかである。
第３図は本発明の他の１つの実施例におけるし一ザー光
源の配［１１造ｒ示すものであり、この場合は２つの異
なる波長のレーザー元ｒ発生するレーザー光源１．２か
らのレーザー九ｒ照明元字系光路の一部に設叶たポリゴ
ンミラー６に投射し、ビームスキャン〒行なうことによ
り、２つの異なる波長のレーザー光で露光処理ｒ行なう
例である。
源の配［１１造ｒ示すものであり、この場合は２つの異
なる波長のレーザー元ｒ発生するレーザー光源１．２か
らのレーザー九ｒ照明元字系光路の一部に設叶たポリゴ
ンミラー６に投射し、ビームスキャン〒行なうことによ
り、２つの異なる波長のレーザー光で露光処理ｒ行なう
例である。
この実施例の場合にも、干渉性か少なく、定在波による
悪影響のない良好な舞光処理か可能である。
悪影響のない良好な舞光処理か可能である。
なお、本発明は前記実施例以外に４様々な変形例かｎｌ
能であり、たとえｄレーザー光源の波長ｒ３つ以上にし
て吃よく、またその配装等も何ら前記夷淵例に限定さｎ
るものではなり０ １、た、本発明に等倍型のプロジェクションアライナの
みならず、縮小型のプロジェクションアライナにも適用
できる。
能であり、たとえｄレーザー光源の波長ｒ３つ以上にし
て吃よく、またその配装等も何ら前記夷淵例に限定さｎ
るものではなり０ １、た、本発明に等倍型のプロジェクションアライナの
みならず、縮小型のプロジェクションアライナにも適用
できる。
さらに、第１図の実施例におりてスリット板８′Ｊｔ設
けた位置に７スク１ｏｋｔ１接配置すること等も可能で
るる。
けた位置に７スク１ｏｋｔ１接配置すること等も可能で
るる。
以上説明したように、本発明に工ｎば、レーザ−光音用
いて定在波の影響のない良好な露光処理ｒ実現でき、耐
エツチング性の高い焼付パターンが得られ、Ｍ１＃度や
スルーブツ）ｋ同上させることができる。
いて定在波の影響のない良好な露光処理ｒ実現でき、耐
エツチング性の高い焼付パターンが得られ、Ｍ１＃度や
スルーブツ）ｋ同上させることができる。
ａｔ図は本発明によるプロジェクションアライナの一実
施例を示す概略的説明図、 第２図体）〜（０）に露光処理時の定在波の影＊Ｖ示す
説明図、 第３図は本発明の他の１つの実施例によるレーザー元部
の配置ｒ示す概略的説明図である。 １．２・・・レーザー光源、３・・・全反射はラー、４
・・・ハーフミラ−１５・・・ビームエクスパンダ、６
・・・ポリゴンミラー、７・・・回転放物面ミラー、８
・・・スリット板、９・・・照明光学系、１０・・・マ
スク、１１・・・凹面鏡、１２・・・凸面榊、１３・・
・半導体ウェハ、１４・・・レジスト、１５Ａ、１５Ｂ
、１５０・・・定在波。 第 １ 図 第 ２ 図
施例を示す概略的説明図、 第２図体）〜（０）に露光処理時の定在波の影＊Ｖ示す
説明図、 第３図は本発明の他の１つの実施例によるレーザー元部
の配置ｒ示す概略的説明図である。 １．２・・・レーザー光源、３・・・全反射はラー、４
・・・ハーフミラ−１５・・・ビームエクスパンダ、６
・・・ポリゴンミラー、７・・・回転放物面ミラー、８
・・・スリット板、９・・・照明光学系、１０・・・マ
スク、１１・・・凹面鏡、１２・・・凸面榊、１３・・
・半導体ウェハ、１４・・・レジスト、１５Ａ、１５Ｂ
、１５０・・・定在波。 第 １ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- レーザー光を用いて半導体基板等の霧光ｒ行なうプロジ
ェクションアライナにおいて、被数の異なる波長のレー
ザー光を用いて露光することｔ％徴とするプロジェクシ
ョンアライナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57105352A JPS58222522A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | プロジエクシヨンアライナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57105352A JPS58222522A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | プロジエクシヨンアライナ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58222522A true JPS58222522A (ja) | 1983-12-24 |
Family
ID=14405333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57105352A Pending JPS58222522A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | プロジエクシヨンアライナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58222522A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4974919A (en) * | 1986-10-30 | 1990-12-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Illuminating device |
| US5091744A (en) * | 1984-02-13 | 1992-02-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination optical system |
| JP2008233932A (ja) * | 2003-06-30 | 2008-10-02 | Asml Holding Nv | フラットパネルディスプレイ製造用露光システムおよびフラットパネルディスプレイ製造用ユニット拡大環状光学系 |
| JP2019101361A (ja) * | 2017-12-07 | 2019-06-24 | 株式会社ユメックス | スキャン式露光装置 |
-
1982
- 1982-06-21 JP JP57105352A patent/JPS58222522A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5091744A (en) * | 1984-02-13 | 1992-02-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination optical system |
| US4974919A (en) * | 1986-10-30 | 1990-12-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Illuminating device |
| JP2008233932A (ja) * | 2003-06-30 | 2008-10-02 | Asml Holding Nv | フラットパネルディスプレイ製造用露光システムおよびフラットパネルディスプレイ製造用ユニット拡大環状光学系 |
| JP2019101361A (ja) * | 2017-12-07 | 2019-06-24 | 株式会社ユメックス | スキャン式露光装置 |
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