KR20050044502A - 호모제니저 - Google Patents

호모제니저 Download PDF

Info

Publication number
KR20050044502A
KR20050044502A KR1020047007491A KR20047007491A KR20050044502A KR 20050044502 A KR20050044502 A KR 20050044502A KR 1020047007491 A KR1020047007491 A KR 1020047007491A KR 20047007491 A KR20047007491 A KR 20047007491A KR 20050044502 A KR20050044502 A KR 20050044502A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
arrangement
elements
beamlets
electromagnetic radiation
array
Prior art date
Application number
KR1020047007491A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100922056B1 (ko
Inventor
토브존 샌드스트롬
Original Assignee
마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=26976518&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR20050044502(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비 filed Critical 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비
Publication of KR20050044502A publication Critical patent/KR20050044502A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100922056B1 publication Critical patent/KR100922056B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70075Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0905Dividing and/or superposing multiple light beams
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/10Beam splitting or combining systems
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating

Abstract

당해 발명의 측면은 전자기 방사 광선의 균질화를 위한 방법을 포함한다. 상기 전자기 광선의 빔은 편광 요소들의 제 1 배열 쪽으로 충돌된다. 상기 전자기 방사의 상기 광선은 편광 요소들의 상기 제 1 배열에 의한 다수의 공간적으로 분리된 빔렛들로 흩어진다. 상기 편광된 빔렛들은 편광 요소들의 제 2 배열 쪽으로 부딪힌다. 상기 편광된 빔렛들은 편광 요소들의 제 2 배열 쪽으로 부딪힌다. 상기 빔렛들은 목표 평면에서 중첩되고 그 결과 방사 광선은 균질화 된 공간 집중 분산을 지니도록 형성된다. 당해 발명은 또한 전자기 방사 광선을 균질화 하기 위한 장치와도 관련된다.

Description

호모제니저{HOMOGENIZER}
당해 발명은 일반적으로 공간적으로 일관적 방사 광선들의 공간 집중 분배들의 균질화에 관한 것이다.
일반적 광 소스들과 함께, 소스에 의해 방출된 빛은 주로 낮은 광학성 간섭성이고 그 결과 꽤 균일한 광 집중 프로필은 다수의 파 전선들을 겹침으로써 목적 평면에서 획득된다. 광학적 리소그래피 또는 도량형학에서 엑시머 레이저는 종종 광 소스로서 사용되고 그리고 주로 상기 레이저로부터 방사 출력은 예를 들어, SLM 지역과 같은, 특정 영역에 대해 균일하게 광 집중을 분재하기 위해 방사 광속-스크램블링 조명기가 패스된다. 다른 레이저 소스들은 다른 간섭성 길이들을 지닌다. 문제는 방사 광선들의 간섭 부분들이 목적지에서 간섭 패턴을 일으킨다는 것이다.
도 1 은 발명의 호모제니저의 제 1 실시예의 투시도이다.
도 2 는 발명의 호모제니저의 제 2 실시예의 투시도이다.
따라서 당해 발명의 목적은 공간적으로 간섭 방사 광선의 공간 집중 분배를 균질화 하기 위한 장치를 제공하는 것이며, 이는 방사 광선의 간섭 패턴의 위에서 언급한 문제를 감소하거나 또는 극복한다.
이 목적은, 다른 것들 간에, 장치에 의해 획득되는 당해 발명의 제 1 측면이며, 이는 전자기 방사의 소스, 상기 전자기 방사를 수신하기 위해 그리고 상기 전자기 방사 광속을 다수의 공간적으로 분리된 빔렛들(beamlets)로 편향하기 위해 배열된 편향 요소들(25)의 제 1 배열, 상기 제 1 렌즈 배열로부터 편향된 상기 빔렛들을 수신하고 그리고 목표 평면(40)에서 상기 공간적으로 분리된 빔렛들을 중첩하기 위해 배열된 편향 요소들(35)의 제 2 배열을 포함하고 그에 의해 균질화 된 공간 집중 분배를 지닌 방사 광선이 형성된다.
당해 발명에 따른 다른 실시예에서, 상기 제 1 배열(20)에서 인접한 편향 요소들(25)로부터 상기 빔렛들은 상기 제 2 배열(30)에서 인접하지 않은 편향 요소들(35)쪽으로 부딪힌다.
당해 발명에 따른 또 다른 실시예에서, 상기 제 1 배열(20)에서 편향 요소들(25) 중의 하나는 하나 이상의 프리즘을 포함한다.
당해 발명에 따른 또 다른 실시예에서, 상기 제 1 배열(20)에서 상기 편향 요소들(25) 중의 하나는 하나 이상의 격자를 포함한다.
당해 발명에 따른 또 다른 실시예에서, 상기 제 1 배열(20)에서 편향 요소들은 하나 이상의 프레스넬(Fresnel) 렌즈들을 포함한다.
당해 발명에 따른 또 다른 실시예에서, 상기 제 1 배열의 인접한 요소들로부터 편향되는 두 개 이상의 빔렛들은 상기 제 1(20) 그리고 제 2(30) 배열들 간으로 비-평행하게 전송된다.
당해 발명에 따른 또 다른 실시예에서, 상기 비 평행 빔렛들은 공간에서 다른 평면들 내에 배열된다.
당해 발명에 따른 또 다른 실시예에서, 하나 이상의 배열(20, 30)이 전해진다.
당해 발명에 따른 또 다른 실시예에서, 하나 이상의 배열(20, 30)이 반사된다.
당해 발명에 따른 또 다른 실시예에서, 상기 제 1 그리고 상기 제 2 배열(20,30)의 밝은 지역은 다르다.
당해 발명에 따른 또 다른 실시예에서, 상기 제 1 배열(20) 내의 하나 이상의 편향 요소(25)는 상기 제 2 배열(30)에서 하나 이상의 편향 요소(35)와는 다른 형태를 지닌다.
당해 발명에 따른 또 다른 실시예에서, 상기 제 1 배열 그리고 상기 제 2 배열에서 상기 편향 요소들의 배열의 패턴은 다르다.
당해 발명에 따른 또 다른 실시예에서, 상기 제 1 배열에서 두 개의 편향 요소들은 다르게 형성된다.
당해 발명에 따른 또 다른 실시예에서, 상기 제 2 배열에서 두 개의 편향 요소들은 다르게 형성된다.
당해 발명에 따른 또 다른 실시예에서, 상기 제 1 배열 중의 하나와 상기 제 2 배열은 회전가능하다.
당해 발명에 따른 또 다른 실시예에서, 상기 편향 요소들은 포커싱 파워를 구성한다.
당해 발명에 따른 또 다른 실시예에서, 포커싱 파워는 상기 제 1 배열 그리고 상기 제 2 배열 그리고/또는 상기 제 2 배열 그리고 상기 목표 평면 간에 배열된 분리된 렌즈 배열에 의해 수행된다.
당해 발명의 또 다른 목적은 공간적으로 일관적 방사 광속의 공간 집중 분배를 균질화하기 위한 방법을 제공하는 것이고, 이는 상기 방사 광속의 간섭 패턴의 위에서 언급된 문제를 감소시키거나 또는 극복한다.
당해 발명의 제 2 측면에 따라, 전자기 방사의 광속 균질화를 위한 방법이 제공되고, 이는 편향 요소들의 제 1 배열 쪽으로 전자기 방사의 상기 광속을 부딪치는 액션들을 포함하고, 상기 편향 요소들의 제 1 배열에 의한 다수의 공간적으로 분리된 빔렛들로의 전자기 방사의 상기 광속을 편향하며, 편향 요소들의 제 2 배열 쪽으로 상기 편향된 빔렛들을 부딪치고, 목표 평면에서 편향 요소들의 제 2 배열로부터 상기 빔렛들을 중첩하며, 그로인해 균질화 된 공간 집중 분배를 지닌 방사 광선이 형성된다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 제 1 배열 내의 두 개의 인접한 편향 요소들로부터 공간적으로 분리된 빔렛들은 상기 제 2 배열에서의 인접하지 않은 편향 요소들 쪽으로 부딪힌다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 제 1 그리고/또는 상기 제 2 배열에서 편향 요소들 중의 하나는 하나 이상의 프리즘을 포함한다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 제 1 배열 그리고/또는 상기 제 2 배열에서 편향 요소들 중의 하나는 하나 이상의 격자를 포함한다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 제 1 배열 그리고/또는 상기 제 2 배열에서 편향 요소들 중의 하나는 하나 이상의 프레스넬 렌즈들을 포함한다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 인접한 상기 제 1 배열의 요소들로부터 두 개의 빔렛들은 상기 제 1 그리고 상기 제 2 배열들 간에서 비-평행으로 전송된다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 비 평행 빔렛들은 공간에서 다른 평면들에서 배열된다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 하나 이상의 배열이 보내진다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 하나 이상의 배열이 반사된다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 제 1 그리고 상기 제 2 배열의 밝아진 영역의 모양은 다르다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 제 1 배열에서 하나 이상의 편향 요소는 상기 제 2 배열에서 하나 이상의 편향 요소와 다른 모양을 지닌다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 제 1 배열 그리고 상기 제 2 배열에서 상기 편향 요소들 배열의 패턴은 다르다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 제 1 배열에서 두 개의 편향 요소들은 다르게 형성된다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 제 1 배열 그리고 상기 제 2 배열 중의 하나 이상의 회전 가능하다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 편향 요소들은 포커싱 파워를 구성한다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 포커싱 파워는 상기 제 1 배열 그리고 제 2 배열 그리고/또는 상기 제 2 배열 그리고 상기 목표 평면 간에 배열된 분리된 렌즈들 배열에 의해 수행된다.
당해 발명의 다른 축면들은 상세한 설명, 도면 그리고 청구항들에 반영된다.
도 1은 발명에 따른 공간적으로 간섭 광선 빔을 균질화하기 위한 장치의 제 1 실시예의 구조적 투시도이다. 상기 장치는 편향 요소들(25)과 편향 요소들(35)의 제 2 배열(30)의 제 1 배열(20)을 포함한다.
상기 공간적 간섭 광선 빔은 광선의 소스로부터 발생하고, 이는 예를 들어 3mm * 6mm와 같은 사각형 십자가 섹션과 같은 넓은 대역 레이저 빔을 생산하는 엑시머 레이져이다.
도 1에서 상기 광선 빔은, 10에 의해 표시되는, 방사 소스로부터 기원하는 원형 모양을 지니나, 도면에는 표시되어 있지 않다. 상기 방사 광선은 프레스넬 렌즈들, 격자 구조들 또는 프리즘들과 같은, 편향 요소들(25)의 제 1 구조(20) 상에서 발생하기 쉽다. 상기 편향 요소들(25)은 기하학적 모양의 종류를 지닌다. 도 1에서 상기 모양은 사각형이 되도록 표시되나 어떠한 다각형 모양도 적합하다. 도 1에서 상기 편향 요소들로 모양 지어진 사각형은 예를 들어, 상기 편향 요소들이 서로의 위에 엄격하게 배열되지 않는 것과 같이 다소 불규칙하게 배열된다.
상기 배열(20)에서 상기 편향 요소들의 일면들은 포커싱 파워를 지닌다. 대안적으로 상기 포커싱 파워는 상기 제 1 배열(20)과 상기 제 2 배열(30)간에 배열된 하나 이상의 분리된 렌즈들 배열과 함께 획득된다.
상기 제 1 그리고 제 2 배열(20)은 200 편향 요소들을 지니고, 더 바람직하게 400 편향 요소들 이상을 지니게 된다.
상기 편향 요소들(25)은 들어오는 방사광선(10)을 빔렛의 다수의 편향 요소들과 동일한 수로 편향한다. 상기 빔렛들은 하나의 일반적 방향에서 상기 편향 요소들(25)에 의해 편향된다. 모든 빔렛들은 공간적으로 다른 방향들에서 흩어진다. 상기 제 1 배열(20)에서 두 개의 인접한 편향 요소들(25)로부터 기원하는 빔렛들은 상기 제 2 배열(30)에서 두 개의 인접하지 않은 편향 요소들(35)에서 끝난다. 두 개 이상의 빔렛들은, 그리고 바람직하게 모든 빔렛들은, 상기 제 1 그리고 상기 제 2 배열(20 그리고 30)간에서 각각 평행하지 않다. 바람직하게, 그들은 동일한 평면에 놓여있지 않거나 x 방향 그리고 y 방향에서 평행하지 않다.
상기 제 1 그리고 제 2 배열(20 그리고 30) 각각에서의 밝아진 영역의 모양은 다르게 된다.
상기 편향 요소들(25)은 상기 편향 요소들(35)과 비교하여 다른 모양을 지니고 있다. 배열(20 또는 30)이내의 각각의 편향 요소들은 다르게 된다. 모든 편향 요소들(25, 35)은 다른 모양을 지닌다. 편향 요소들(25,35)의 상기 배열(20,30)은 북 캐럴 USA에서 DOC에 의해 또는 핀란드의 헥사곤에 의해, 스위스 랜드 내의 CSEM에 의해 생성된다.
배열들(20, 30) 중의 하나는 회전 가능하도록 배열된다. 다른 것에 대해 하나를 회전시킴으로서 균질화가 향상한다.
회절성의 편향 요소들을 위해, 위상은 인접한 편향 요소들 간에서 변하고 그 결과 다른 위상들에 대한 평균은 목표 평면(40)에서 균질화 된 영역에서 발생한다.
도 1에서, 상기 제 1 그리고 제 2 배열은 전달될 수 있도록 만들어진다. 도 2에서, 상기 배열들은 반사 되도록 만들어진다. 전송 회절 배열들을 위해, 광양자들 또는 전자들에 의해 저항 내에 패턴을 노출하는 것이 바람직하다. 표면 프로필이 개발되고 그리고 상기 프로필은 기판으로 에치 되며, 특히 퓨즈 된 실리카 또는 칼슘 플루오르화물로 만들어진다. 반사적 배열을 위해, 투명한 기판으로 패턴을 전송하는 것은 필요하지 않다. 대신 저항 프로필을 직접적으로 이용하는 것은 저항 상의 미러 필름에 증착하거나 또는 전기 증착 구리, 전기가 없는(electroless) 증착된 니켈, 열경화성과 함께 주조하거나 또는 폴리머를 강하게 하는 것과 같은 모델된 복사를 만듦으로서 가능하다. 효율적 회절성 패턴은 전송된 것보다 훨씬 더 작은 프로필 깊이를 필요로 하고, 그러므로 비-형식적 저항 프로세스들은 예를 들어 노출 이후에 저항 손실과 같은 표면 프로필을 생성하는데 사용될 수 있다. 그것은 또한 저항이 노출되어 온 곳에서만 재반응 하거나 두께를 더하는 고요한 성분들과 같은 선택적 대행자를 부가하는 것이 가능하다.
상기 방사 소스는 UV, DUV, EUV 와 같은 파장에서 엑시머 레이저 일 수 있다. 특히 당해 발명은 패턴 발생기 그리고 도량형학에서 그리고 엑시머 레이저 또는 전자기 방사 소스들에 의한 균일한 조명을 이용하는 관찰 시스템에서 사용에 적합하다.
상기 앞선 실시예들이 이 방법을 이용하는 시스템 그리고 장치, 방법의 용어로 경향이다. 청구된 방법을 실행할 능력이 있는 프로그램을 포함하는 마그네틱 메모리는 그러한 장치이다. 상기 청구된 방법을 실행하는 프로그램과 함께 로드 되는 메모리를 지니는 컴퓨터 시스템은 다른 장치이다.
당해 발명이 위에서 설명된 선호되는 실시예들과 관련하여 설명되는 동안, 이러한 실시예들이 제한된 의미보다 설명적으로 받아들여지는 경향이 있다. 당업자에게 수정이나 결합들은 숙고될 수 있으며, 이 수정과 숙고들은 다음의 청구항의 범위 내의 발명의 영역 이내이다.

Claims (32)

  1. 전자기 방사의 광속을 균일화하기 위한 방법으로서,
    - 편광 요소들의 제 1 배열 쪽으로 전자기 방사의 상기 광속이 충돌하고,
    - 편광 요소들의 상기 제 1 배열에 의해 다수의 공간적으로 분리된 빔렛들로 상기 전자기 방사의 빔들을 편광하며,
    - 편광 요소들의 제 2 배열 쪽으로 상기 편광된 빔렛들이 충돌하고, 그리고,
    - 목표 평면에서 편광 요소들의 상기 제 2 요소들로부터 상기 빔렛들을 중첩하며, 그에 의해 균질화 된 공간 집중 분배를 지니는 방사 광속이 형성되는
    것을 특징으로 하는 전자기 방사의 광속을 균일화하기 위한 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 이 때 상기 제 1 배열의 두 개의 인접한 편광 요소들로부터 공간적으로 분리된 빔렛들은 상기 제 2 배열의 인접하지 않은 편광 요소들로 부딪히는 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 광속을 균일화하기 위한 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 이 때 상기 제 1 그리고/또는 제 2 배열에서 상기 편광 요소들 중의 하나 이상이 하나 이상의 프리즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 광속을 균일화하기 위한 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 이 때 상기 제 1 그리고/또는 제 2 배열에서 상기 편광 요소들 중의 하나 이상이 하나 이상의 격자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 광속을 균일화하기 위한 방법.
  5. 이 때 상기 제 1 그리고/또는 제 2 배열에서 상기 편광 요소들 중의 하나 이상이 하나 이상의 프레스넬 렌즈들을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 광속을 균일화하기 위한 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 이 때 상기 제 1 배열의 인접한 요소들로부터 편향된 두 개 이상의 빔렛들은 상기 제 1 그리고 제 2 배열들 간으로 비-평행하게 전송되는 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 광속을 균일화하기 위한 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 이 때 하나 이상의 배열은 전송되는 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 광속을 균일화하기 위한 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 이 때 하나 이상의 배열은 반사되는 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 광속을 균일화하기 위한 방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 이 때 상기 제 1 그리고 상기 제 2 배열의 밝아진 지역의 모양은 다른 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 광속을 균일화하기 위한 방법.
  10. 제 1 항에 있어서, 이 때 상기 제 1 배열에서 하나 이상의 편광 요소는 상기 제 2 배열에서 하나 이상의 편광 요소들과는 다른 모양을 지니는 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 광속을 균일화하기 위한 방법.
  11. 제 1 항에 있어서, 이 때 상기 제 1 그리고 상기 제 2 배열들에서 상기 편광 요소들의 배열의 패턴들이 다른 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 광속을 균일화하기 위한 방법.
  12. 제 1 항에 있어서, 이 때 상기 제 1 배열에서 두 개 이상의 편광 요소들은 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 광속을 균일화하기 위한 방법.
  13. 제 1 항에 있어서, 이 때 상기 제 1 배열에서 두 개 이상의 편광 요소들은 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 광속을 균일화하기 위한 방법.
  14. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 배열과 상기 제 2 배열 중의 하나는 회전 가능한 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 광속을 균일화하기 위한 방법.
  15. 제 1 항에 있어서, 이 때 상기 편향 요소들은 포커싱 파워를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 광속을 균일화하기 위한 방법.
  16. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 그리고 제 2 배열들 그리고/또는 상기 제 2 배열과 상기 목표 평면 간에 배치된 분리된 렌즈 배열을 통해 상기 편광된 빔렛들을 포커싱 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 광속을 균일화하기 위한 방법.
  17. 전자기 방사의 빔(10)을 균질화하기 위한 장치로서,
    - 전자기 방사의 소스,
    - 상기 전자기 방사를 수신하기 위해 그리고 다수의 공간적으로 분리된 빔렛들 쪽으로 전자기 방사의 상기 빔을 편광하기 위해 배열된 편광 요소들(25)의 제 1 배열,
    - 상기 제 1 렌즈들 배열로부터 편향된 상기 빔렛들을 수신하기 위해 그리고 목표 평면(40)에서 공간적으로 분리된 빔렛들을 중첩하기 위해 배열된 편광 요소들(35)의 제 2 배열,
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 빔(10)을 균질화하기 위한 장치.
  18. 제 17 항에 있어서, 이 때 상기 제 1 배열(20)에서 인접한 편광 요소들(25)로부터 상기 빔렛들은 상기 제 2 배열(30)에서 인접하지 않은 편광 요소들(35) 쪽으로 부딪히는 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 빔(10)을 균질화하기 위한 장치.
  19. 제 17 항에 있어서, 이 때 상기 제 1 배열(20)에서 상기 편광 요소들(25) 중의 하나는 하나 이상의 프리즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 빔(10)을 균질화하기 위한 장치.
  20. 제 17 항에 있어서, 이 때 상기 제 1 배열(20)에서 상기 편광 요소들(25) 중의 하나는 하나 이상의 격자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 빔(10)을 균질화하기 위한 장치.
  21. 제 17 항에 있어서, 이 때 상기 제 1 배열(20)에서 상기 편광 요소들(25) 중의 하나는 하나 이상의 프레스넬 렌즈들을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 빔(10)을 균질화하기 위한 장치.
  22. 제 17 항에 있어서, 이 때 상기 제 1 배열 상의 인접한 요소들로부터 편광된 두 개 이상의 빔렛들은 상기 제 1 (20) 그리고 제 2 (30) 배열들 간으로 비-평행하게 전송되는 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 빔(10)을 균질화하기 위한 장치.
  23. 제 17 항에 있어서, 이 때 하나 이상의 배열(20, 30)은 전송되는 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 빔(10)을 균질화하기 위한 장치.
  24. 제 17 항에 있어서, 이 때 하나 이상의 배열(20, 30)은 반사되는 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 빔(10)을 균질화하기 위한 장치.
  25. 제 17 항에 있어서, 이 때 상기 제 1 그리고 상기 제 2 배열(20,30)의 밝아진 영역의 모양이 다른 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 빔(10)을 균질화하기 위한 장치.
  26. 제 17 항에 있어서, 이 때 상기 제 1 배열(20)에서 하나 이상의 편광 요소는 상기 제 2 배열(30)에서 하나 이상의 편광 요소들과는 다른 모양을 지니는 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 빔(10)을 균질화하기 위한 장치.
  27. 제 17 항에 있어서, 이 때 상기 제 1 배열과 상기 제 2 배열에서 상기 편향 요소들의 배열의 패턴은 다른 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 빔(10)을 균질화하기 위한 장치.
  28. 제 17 항에 있어서, 이 때 상기 제 1 배열에서 두 개의 편향 요소들은 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 빔(10)을 균질화하기 위한 장치.
  29. 제 17 항에 있어서, 이 때 상기 제 2 배열에서 두 개 이상의 편향 요소들은 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 빔(10)을 균질화하기 위한 장치.
  30. 제 17 항에 있어서, 이 때 상기 제 1 배열 그리고 상기 제 2 배열 중의 하나 이상은 회전 가능한 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 빔(10)을 균질화하기 위한 장치.
  31. 제 17 항에 있어서, 이 때 상기 편향 요소들은 포커싱 파워를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 빔(10)을 균질화하기 위한 장치.
  32. 제 17 항에 있어서, 이 때 포커싱 파워는 상기 제 1 배열 그리고 상기 제 2 배열 그리고/또는 상기 제 2 배열과 상기 목표 평면 간에 배열된 분리된 렌즈들 배열에 의해 획득되는 것을 특징으로 하는 전자기 방사의 빔(10)을 균질화하기 위한 장치.
KR1020047007491A 2001-12-07 2002-12-05 호모제니저 KR100922056B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US33777301P 2001-12-07 2001-12-07
US60/337,773 2001-12-07
US10/308,917 2002-12-03
US10/308,917 US6903859B2 (en) 2001-12-07 2002-12-03 Homogenizer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050044502A true KR20050044502A (ko) 2005-05-12
KR100922056B1 KR100922056B1 (ko) 2009-10-19

Family

ID=26976518

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020047007491A KR100922056B1 (ko) 2001-12-07 2002-12-05 호모제니저

Country Status (9)

Country Link
US (1) US6903859B2 (ko)
EP (1) EP1451629B1 (ko)
JP (1) JP4302526B2 (ko)
KR (1) KR100922056B1 (ko)
CN (1) CN1307460C (ko)
AT (1) ATE403176T1 (ko)
AU (1) AU2002359100A1 (ko)
DE (1) DE60227982D1 (ko)
WO (1) WO2003048839A1 (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004035489A1 (de) * 2004-07-19 2006-02-16 Jenoptik Laser, Optik, Systeme Gmbh Optisches System zur Umwandlung einer primären Intensitätsverteilung in eine vorgegebene, raumwinkelabhängige Intensitätsverteilung
DE102006047941B4 (de) 2006-10-10 2008-10-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung zur Homogenisierung von Strahlung mit nicht regelmäßigen Mikrolinsenarrays
TWI393919B (zh) * 2008-11-27 2013-04-21 Ind Tech Res Inst 光束整形器
DE102012203716A1 (de) 2012-03-09 2013-09-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie sowie optisches System mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
KR102291997B1 (ko) 2012-03-09 2021-08-23 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 Euv 투영 리소그래피용 조명 옵틱스 및 이러한 조명 옵틱스를 갖는 광학 시스템
KR20140124275A (ko) * 2013-04-16 2014-10-24 한국전자통신연구원 광학 렌즈와 이를 이용한 균일 빔 생성 장치
CN105158913B (zh) * 2013-05-13 2019-06-21 深圳光峰科技股份有限公司 激光光源、波长转换光源、合光光源及投影系统
DE102016102591A1 (de) * 2016-02-15 2017-08-17 Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur Formung von Laserstrahlung

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3754814A (en) 1971-01-19 1973-08-28 Battelle Development Corp Coherent imaging with reduced speckle
DE2125889A1 (de) 1971-05-25 1972-11-30 Siemens Ag Kohärent-optischer Vielkanal-Korrelator
US4475027A (en) * 1981-11-17 1984-10-02 Allied Corporation Optical beam homogenizer
DE3213839A1 (de) * 1982-04-15 1983-10-27 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Optische wellenlaengen-multiplex- bzw. -demultiplexanordnung
JPS63110722A (ja) 1986-10-29 1988-05-16 Hitachi Ltd 露光照明装置
US5056039A (en) * 1988-07-14 1991-10-08 University Of Alabama In Huntsville Holographic interconnect system
US5303084A (en) * 1991-08-27 1994-04-12 Kaman Aerospace Corporation Laser light beam homogenizer and imaging lidar system incorporating same
EP0610184B1 (de) 1991-10-30 1995-05-03 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. Belichtungsvorrichtung
DE4220705C2 (de) * 1992-06-24 2003-03-13 Lambda Physik Ag Vorrichtung zum Aufteilen eines Lichtstrahles in homogene Teilstrahlen
US6002520A (en) 1997-04-25 1999-12-14 Hewlett-Packard Company Illumination system for creating a desired irradiance profile using diffractive optical elements
US6067306A (en) 1997-08-08 2000-05-23 Cymer, Inc. Laser-illuminated stepper or scanner with energy sensor feedback
SE9800665D0 (sv) 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
US6169634B1 (en) 1998-06-08 2001-01-02 Optimet, Optical Metrology Ltd Illumination techniques for overcoming speckle artifacts in metrology applications
US6069739A (en) 1998-06-30 2000-05-30 Intel Corporation Method and lens arrangement to improve imaging performance of microlithography exposure tool
US6163403A (en) * 1998-07-30 2000-12-19 Litton Systems, Inc. High output reflective optical correlator having a folded optical axis using grayscale spatial light modulators
DE19915000C2 (de) * 1999-04-01 2002-05-08 Microlas Lasersystem Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Steuern der Intensitätsverteilung eines Laserstrahls
US6624880B2 (en) 2001-01-18 2003-09-23 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for microlithography
US20020159044A1 (en) 2001-04-30 2002-10-31 Ball Semiconductor, Inc. High resolution maskless lithography field lens for telecentric system
DE10136611C1 (de) * 2001-07-23 2002-11-21 Jenoptik Laserdiode Gmbh Optische Anordnung zur Formung und Homogenisierung eines von einer Laserdiodenanordnung ausgehenden Laserstrahls

Also Published As

Publication number Publication date
US6903859B2 (en) 2005-06-07
AU2002359100A1 (en) 2003-06-17
EP1451629A1 (en) 2004-09-01
JP4302526B2 (ja) 2009-07-29
EP1451629B1 (en) 2008-07-30
DE60227982D1 (de) 2008-09-11
JP2005512120A (ja) 2005-04-28
CN1599874A (zh) 2005-03-23
WO2003048839A1 (en) 2003-06-12
CN1307460C (zh) 2007-03-28
KR100922056B1 (ko) 2009-10-19
US20030123152A1 (en) 2003-07-03
ATE403176T1 (de) 2008-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI569106B (zh) Lighting optics, exposure devices, lighting methods and exposure methods
KR101547714B1 (ko) 빔 형성 장치
JPS62178904A (ja) レ−ザ光照射装置
JP2011054960A (ja) ダイオードレーザポンプアレイを均一化する方法及びシステム
JP2011048361A (ja) 感光性物質を含む回折型レーザビームホモジナイザ、及びその製造方法
WO2008118313A1 (en) Random phase mask for light pipe homogenizer
US7098995B2 (en) Apparatus and system for improving phase shift mask imaging performance and associated methods
KR20050044502A (ko) 호모제니저
JPH0151162B2 (ko)
JPH0572408A (ja) 干渉露光方法
EP0660139A1 (en) Diffraction grating for generating a light beam with a predetermined light intensity distribution in an area subtending the beam
JP2005503018A (ja) 空間的にコヒーレントな放射ビームの均等化並びに被工作物上のパターンのプリントおよび検査
US7755741B2 (en) Substrate exposure apparatus and illumination apparatus
JP3303322B2 (ja) 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
KR101686977B1 (ko) 가간섭성 방사선을 균질화하는 장치
JP2000244095A (ja) 基板表面粗化方法および基板表面粗化装置ならびに印刷配線板の製造方法および印刷配線板の製造装置
KR19990067888A (ko) 내부 전반사 홀로그래픽 장치 및 방법과, 그 장치의 광학 어셈블리
JP2001066442A (ja) グレーティング加工装置
KR102612692B1 (ko) 조명 광학계, 노광 장치, 및 물품의 제조 방법
JPS6358827A (ja) 露光装置
KR100712484B1 (ko) 노광장치
JPH0634807A (ja) ホログラフィック露光装置調整方法
JP2005266283A (ja) 微細構造の作製方法及び作製装置並びに光学素子
JPS62100724A (ja) 照明光学系
JPH0895480A (ja) 表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120320

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130829

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140919

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee