JPH0572006B2 - - Google Patents
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- JPH0572006B2 JPH0572006B2 JP58103943A JP10394383A JPH0572006B2 JP H0572006 B2 JPH0572006 B2 JP H0572006B2 JP 58103943 A JP58103943 A JP 58103943A JP 10394383 A JP10394383 A JP 10394383A JP H0572006 B2 JPH0572006 B2 JP H0572006B2
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- low
- melting point
- patterning
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Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は薄膜磁気ヘツドを対象とするが、原理
的には薄膜を利用したデバイス全般を利用分野と
することができる。
的には薄膜を利用したデバイス全般を利用分野と
することができる。
従来例の構成とその問題点
従来、半導体集積回路や薄膜磁気ヘツド等の各
種薄膜デバイスにおいて薄膜のパターンニングを
行う際、パターンニングを目的とする薄膜に適当
なエツチング方法が存在しない場合、或いはエツ
チング方法が存在してもエツチング法が他へ悪影
響を及ぼすような場合、予めフオトレジストを所
望の形状にパターンニングを行い、この上にパタ
ーンニングを目的とする薄膜を形成し、前記フオ
トレジストを溶かすリムーバー液によつて、前記
薄膜の下層のフオトレジストから、その上に形成
された膜を除去することによつてパターンニング
を行うといういわゆるリフトオフ法を用いること
が多かつた。第１図ａ〜ｄは前記した従来のレジ
ストによるリフトオフプロセスを示したものであ
る。すなわち、まず基板（或いは下地膜）１の上
に第１図ａのようにフオトレジスト層２を塗布
し、その後第１図ｂのようにレジスト層をパター
ンニングし、この上にパターンニングを目的とす
る膜３を第１図ｃのように形成させる。その後第
１図ｄのようにリムーバ液４の中に浸してレジス
ト層ごと上部のパターンニングを目的とする膜を
除去するという微細加工法である。
種薄膜デバイスにおいて薄膜のパターンニングを
行う際、パターンニングを目的とする薄膜に適当
なエツチング方法が存在しない場合、或いはエツ
チング方法が存在してもエツチング法が他へ悪影
響を及ぼすような場合、予めフオトレジストを所
望の形状にパターンニングを行い、この上にパタ
ーンニングを目的とする薄膜を形成し、前記フオ
トレジストを溶かすリムーバー液によつて、前記
薄膜の下層のフオトレジストから、その上に形成
された膜を除去することによつてパターンニング
を行うといういわゆるリフトオフ法を用いること
が多かつた。第１図ａ〜ｄは前記した従来のレジ
ストによるリフトオフプロセスを示したものであ
る。すなわち、まず基板（或いは下地膜）１の上
に第１図ａのようにフオトレジスト層２を塗布
し、その後第１図ｂのようにレジスト層をパター
ンニングし、この上にパターンニングを目的とす
る膜３を第１図ｃのように形成させる。その後第
１図ｄのようにリムーバ液４の中に浸してレジス
ト層ごと上部のパターンニングを目的とする膜を
除去するという微細加工法である。
しかし、レジストを用いたリフトオフによるパ
ターンニング方法はレジスト塗布厚に限りがある
ため、極めて膜厚の大きい膜のリフトオフには困
難を伴う。即ち第１図ｄ過程で、薄膜が機械的切
断しにくい。また、レジストの耐熱温度は300℃
前後が一般的であり、それ以上に表面が加熱され
た場合、レジストの硬化が著しくなるため、リム
ーバ液に対して溶解しにくくなるだけでなく、リ
フトオフそのものが困難になる。さらにまた、リ
ムーバ液の酸及び塩基度が他への悪影響の原因と
なる場合もあるなどの問題点があつた。
ターンニング方法はレジスト塗布厚に限りがある
ため、極めて膜厚の大きい膜のリフトオフには困
難を伴う。即ち第１図ｄ過程で、薄膜が機械的切
断しにくい。また、レジストの耐熱温度は300℃
前後が一般的であり、それ以上に表面が加熱され
た場合、レジストの硬化が著しくなるため、リム
ーバ液に対して溶解しにくくなるだけでなく、リ
フトオフそのものが困難になる。さらにまた、リ
ムーバ液の酸及び塩基度が他への悪影響の原因と
なる場合もあるなどの問題点があつた。
発明の目的
本発明は従来のリフトオフ法によつては困難な
厚膜のパターンニングを行い、且つ、前記パター
ンニング膜の形成による影響をできるだけ低減
し、従来のフオトレジスト固有に必要だつたとこ
ろのリムーバ液を不要とするＡ2O3またはSiO2
薄膜のパターンニングを、フオトレジストの代り
に低融点、低沸点金属を用いて行うにある。
厚膜のパターンニングを行い、且つ、前記パター
ンニング膜の形成による影響をできるだけ低減
し、従来のフオトレジスト固有に必要だつたとこ
ろのリムーバ液を不要とするＡ2O3またはSiO2
薄膜のパターンニングを、フオトレジストの代り
に低融点、低沸点金属を用いて行うにある。
発明の構成
本発明は、基板あるいは下地膜上に各種マスク
蒸着、マスク溶射、メツキ法またはエツチングに
より低融点、低沸点金属層のパターンニングを行
い、前記低融点、低沸点金属層上にパターンニン
グとする薄膜を形成し、その後、前記低融点、低
沸点金属層を、沸点以上の温度に加熱しガス化さ
せたり、沸点以上の温度をもつ液体によつたり、
または高周波誘導加熱によつて除去し、前記低融
点、低沸点金属層の金属をGa、In、Sn、Pb、
Se、Zn、Cd、Cs、Hg、Bi、Te、Ge金属及び前
記金属の合金としたことを特徴とする。
蒸着、マスク溶射、メツキ法またはエツチングに
より低融点、低沸点金属層のパターンニングを行
い、前記低融点、低沸点金属層上にパターンニン
グとする薄膜を形成し、その後、前記低融点、低
沸点金属層を、沸点以上の温度に加熱しガス化さ
せたり、沸点以上の温度をもつ液体によつたり、
または高周波誘導加熱によつて除去し、前記低融
点、低沸点金属層の金属をGa、In、Sn、Pb、
Se、Zn、Cd、Cs、Hg、Bi、Te、Ge金属及び前
記金属の合金としたことを特徴とする。
実施例の説明
第２図に本発明の薄膜の微細加工法を示す。
本発明はａ図のように基板または下地膜５上に
予め低融点、低沸点金属層６を形成させる。この
とき低融点、低沸点金属層６は各種マスク蒸着、
マスク溶射、メツキ法などによつて形成するが、
必要な場合はエツチングによつて形成する。この
場合、溶摘をスピンコートすることもでき得る。
特にマスク溶射は通常の金属及び合金では高温の
プロセスとなるため薄膜形成プロセスとしては一
般的ではないが前記の場合ではこの問題がないと
いう特徴をもつ。低融点、低沸点金属層の膜厚は
大きい方が後のパターンニング処理において有利
となる。また、低融点、低沸点金属の膜厚は原理
的に所望の厚さに形成しておくことが可能であ
る。その後ｂ図のように、この上にパターンニン
グを目的とする厚膜７を各種薄膜形成法によつて
形成する。この際、蒸着膜を利用する場合には、
特に前記低融点、低沸点材料の沸点以上の温度に
上げないことが大切である。また、各種メツキ法
を用いる場合は、メツキ液の影響を考慮する必要
のある場合もあり得る。厚膜が形成された後、低
融点、低沸点金属６の沸点以上に基板加熱を行う
か、或いはまた高周波誘導加熱によつて前記低融
点、低沸点金属のみを沸点以上に加熱することに
よつてパターンニングを目的とする厚膜をｃ図の
ようにガス化した低融点、低沸点金属の圧力によ
って微細加工を行う。その結果ｄ図のように目的
とする膜がパターンニングされる。
予め低融点、低沸点金属層６を形成させる。この
とき低融点、低沸点金属層６は各種マスク蒸着、
マスク溶射、メツキ法などによつて形成するが、
必要な場合はエツチングによつて形成する。この
場合、溶摘をスピンコートすることもでき得る。
特にマスク溶射は通常の金属及び合金では高温の
プロセスとなるため薄膜形成プロセスとしては一
般的ではないが前記の場合ではこの問題がないと
いう特徴をもつ。低融点、低沸点金属層の膜厚は
大きい方が後のパターンニング処理において有利
となる。また、低融点、低沸点金属の膜厚は原理
的に所望の厚さに形成しておくことが可能であ
る。その後ｂ図のように、この上にパターンニン
グを目的とする厚膜７を各種薄膜形成法によつて
形成する。この際、蒸着膜を利用する場合には、
特に前記低融点、低沸点材料の沸点以上の温度に
上げないことが大切である。また、各種メツキ法
を用いる場合は、メツキ液の影響を考慮する必要
のある場合もあり得る。厚膜が形成された後、低
融点、低沸点金属６の沸点以上に基板加熱を行う
か、或いはまた高周波誘導加熱によつて前記低融
点、低沸点金属のみを沸点以上に加熱することに
よつてパターンニングを目的とする厚膜をｃ図の
ようにガス化した低融点、低沸点金属の圧力によ
って微細加工を行う。その結果ｄ図のように目的
とする膜がパターンニングされる。
また、前記低融点、低沸点材料の融点以上の適
当な液体によつて既に述べたような第１図に示す
いわゆるリフトオフ法によつて厚膜をパターンニ
ングすることも可能である。これ等の場合、前記
低融点、低沸点金属の膜厚は予め十分大きくして
おくことができるため、容易に目的とする膜のパ
ターンニングが行えるものである。
当な液体によつて既に述べたような第１図に示す
いわゆるリフトオフ法によつて厚膜をパターンニ
ングすることも可能である。これ等の場合、前記
低融点、低沸点金属の膜厚は予め十分大きくして
おくことができるため、容易に目的とする膜のパ
ターンニングが行えるものである。
低融点、低沸点金属としては一般にCd、Zn、
Se、Cs、Pb、Hg、Ga、Ge、Sn、In、Te、Bi
及びそれらの合金が知られているが、その融点或
いは沸点が、実用面を考えて高々400℃までのも
のが望ましい。
Se、Cs、Pb、Hg、Ga、Ge、Sn、In、Te、Bi
及びそれらの合金が知られているが、その融点或
いは沸点が、実用面を考えて高々400℃までのも
のが望ましい。
実施例としてGa−In及びPb−Sn、Bi−Pb合金
等においてこれらの金属合金などの低沸点を利用
してＡ2O3、SiO2系の厚膜の微細加工に効果を
示すことがわかつた。
等においてこれらの金属合金などの低沸点を利用
してＡ2O3、SiO2系の厚膜の微細加工に効果を
示すことがわかつた。
発明の効果
本発明は低融点、低沸点金属の金属層の上にパ
ターンニングとする薄膜を形成するので、前記金
属層の膜厚を厚くしてもリフトでき、単に加熱す
るだけであるので、酸などを用いないので、他に
悪影響を与えない、などの効果を生ずる。
ターンニングとする薄膜を形成するので、前記金
属層の膜厚を厚くしてもリフトでき、単に加熱す
るだけであるので、酸などを用いないので、他に
悪影響を与えない、などの効果を生ずる。
第１図は従来のリフトオフプロセス図、それぞ
れａ図は基板或いは下地膜上にレジストを塗布す
る工程、ｂ図はレジスト層をパターンニングする
工程、ｃ図はパターンニングを目的とする膜の膜
形成の工程、ｄ図はリムーバ液による目的膜のリ
フトオフの工程、第２図は本発明の低融点、低沸
点金属を利用した微細加工法を示す図、それぞれ
ａ図は予めパターンニングされた低融点、低沸点
金属の形成の工程、ｂ図はパターンニングを目的
とする薄膜の形成の工程、ｃ図は加熱による低融
点、低沸点金属の蒸発気化によるパターンニング
目的膜の微細加工の工程、ｄ図は微細加工された
目的膜、を示す。 １，５……基板、２……フオトレジスト層、３
……パターンニングを目的とする膜、４……リム
ーバ液、６……低融点、低沸点金属層、７……厚
膜。
れａ図は基板或いは下地膜上にレジストを塗布す
る工程、ｂ図はレジスト層をパターンニングする
工程、ｃ図はパターンニングを目的とする膜の膜
形成の工程、ｄ図はリムーバ液による目的膜のリ
フトオフの工程、第２図は本発明の低融点、低沸
点金属を利用した微細加工法を示す図、それぞれ
ａ図は予めパターンニングされた低融点、低沸点
金属の形成の工程、ｂ図はパターンニングを目的
とする薄膜の形成の工程、ｃ図は加熱による低融
点、低沸点金属の蒸発気化によるパターンニング
目的膜の微細加工の工程、ｄ図は微細加工された
目的膜、を示す。 １，５……基板、２……フオトレジスト層、３
……パターンニングを目的とする膜、４……リム
ーバ液、６……低融点、低沸点金属層、７……厚
膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板あるいは下地膜上に各種マスク蒸着、マ
スク溶射、メツキ法、またはエツチングにより低
融点低沸点金属層のパターンニングを行い、前記
低融点、低沸点金属層上にパターンニングとする
Ａ2O3薄膜を形成し、その後前記低融点、低沸
点金属層を沸点以上の温度に加熱し、それぞれを
ガス化させて除去して、膜のパターンニングを行
うことを特徴とする薄膜の微細加工法。 ２ 前記低融点、低沸点金属を高周波誘導加熱に
よつて加熱して除去することを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の薄膜の微細加工法。 ３ 前記低融点、低沸点金属として、Ga、In、
Sn、Pb、Se、Zn、Cd、Cs、Hg、Bi、Te、Ge
金属及び前記金属の合金とすることを特徴とする
特許請求の範囲第１項又は第２項記載の薄膜の微
細加工法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10394383A JPS59229727A (ja) | 1983-06-09 | 1983-06-09 | 薄膜の微細加工法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10394383A JPS59229727A (ja) | 1983-06-09 | 1983-06-09 | 薄膜の微細加工法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59229727A JPS59229727A (ja) | 1984-12-24 |
| JPH0572006B2 true JPH0572006B2 (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=14367521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10394383A Granted JPS59229727A (ja) | 1983-06-09 | 1983-06-09 | 薄膜の微細加工法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59229727A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4964945A (en) * | 1988-12-09 | 1990-10-23 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Lift off patterning process on a flexible substrate |
| JPH03287789A (ja) * | 1990-04-02 | 1991-12-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜の徴細加工用材料の製造方法 |
| US5296270A (en) * | 1991-09-05 | 1994-03-22 | Custom Training Aids, Inc. | Process for making a thermally radiant surface |
| JPH07118849A (ja) * | 1993-10-20 | 1995-05-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導体薄膜パターンの形成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5676592A (en) * | 1979-11-26 | 1981-06-24 | Sony Corp | Method of forming metallic layer pattern |
-
1983
- 1983-06-09 JP JP10394383A patent/JPS59229727A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5676592A (en) * | 1979-11-26 | 1981-06-24 | Sony Corp | Method of forming metallic layer pattern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59229727A (ja) | 1984-12-24 |
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