JPS6167918A - リフトオフ方法 - Google Patents
リフトオフ方法Info
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- JPS6167918A JPS6167918A JP18987284A JP18987284A JPS6167918A JP S6167918 A JPS6167918 A JP S6167918A JP 18987284 A JP18987284 A JP 18987284A JP 18987284 A JP18987284 A JP 18987284A JP S6167918 A JPS6167918 A JP S6167918A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、アモルファスシリコンａ−８ｉを用いた等倍
光センサー、薄膜トランジスタ等の微細プロセスを必要
とするデバイス用に用いられる基板のリフトオフ方法に
関する。
光センサー、薄膜トランジスタ等の微細プロセスを必要
とするデバイス用に用いられる基板のリフトオフ方法に
関する。
従来技術
従来、この種のリフトオフ方法としては、現像速度の相
異なるｐ型レジストを２種類重ね合せるものや、レジス
ト表面を一部硬化することによりオーバーハング構造と
するものがある。第２図は後者の方法を示すものである
。まず、（ａ）に示すように基板１上にＰ型レジスト２
をコーティングし、マスク３をつけて露光する。次に、
（ｂ）に示゛すようにクロルベンゼン等によりレジスト
２の表面を一部硬化させる。４はクロルベンゼンで硬化
したレジストを示し、５は光分解したレジストを示す。
異なるｐ型レジストを２種類重ね合せるものや、レジス
ト表面を一部硬化することによりオーバーハング構造と
するものがある。第２図は後者の方法を示すものである
。まず、（ａ）に示すように基板１上にＰ型レジスト２
をコーティングし、マスク３をつけて露光する。次に、
（ｂ）に示゛すようにクロルベンゼン等によりレジスト
２の表面を一部硬化させる。４はクロルベンゼンで硬化
したレジストを示し、５は光分解したレジストを示す。
そして、（Ｃ）に示すように現像し、レジスト２．４を
オーバーハング構造とする。次いで、（ｄ）に示すよう
に、ＡＱ膜６を成膜させた後。
オーバーハング構造とする。次いで、（ｄ）に示すよう
に、ＡＱ膜６を成膜させた後。
（ａ）に示すようにアセトン又は剥離液でレジスト２．
４を剥離させることにより、パターン７を形成するもの
である。
４を剥離させることにより、パターン７を形成するもの
である。
ところが、この方法による場合、レジストは感光性物質
と溶媒からなる液体（有機物）であるため、露光後の現
像及びリンス工程における膨潤又はダレが生ずることを
防止できない。このため。
と溶媒からなる液体（有機物）であるため、露光後の現
像及びリンス工程における膨潤又はダレが生ずることを
防止できない。このため。
パターン７の微細化は１０μｍ程度が限界であり。
より微細パターンを形成するのは困難となっている。又
、レジストは高温条件下では、変形、溶融。
、レジストは高温条件下では、変形、溶融。
炭化１分解してしまうため、基板ｌを加熱した状態でＡ
Ｑ ＩＩ！ｉＩ ６をデボすることができないので、
加熱蒸着法を採用できず、基板１に対するＡＲ膜６の密
着性も恋いものである。
Ｑ ＩＩ！ｉＩ ６をデボすることができないので、
加熱蒸着法を採用できず、基板１に対するＡＲ膜６の密
着性も恋いものである。
目的
本発明は、このように点に鑑みなされたもので、微細パ
ターンの形成及び加熱デボによる膜の密着性の向上を図
ることができるリフトオフ方法を提供することを目的と
する。
ターンの形成及び加熱デボによる膜の密着性の向上を図
ることができるリフトオフ方法を提供することを目的と
する。
構成
本発明は、上記目的を達成するたる。エツチングレート
又はエッチャントの異なる２種類の金属を用いてオーバ
ーハング構造をとることを特徴とするものである。
又はエッチャントの異なる２種類の金属を用いてオーバ
ーハング構造をとることを特徴とするものである。
以下、本発明の一実施例を第１図に基づいて説明する。
まず、基板ＩＯ上にＡＱ＠Ｉ １及びＮｉＣｒ膜１２を
順次スパッタリング蒸着した後、レジスト１３をコーテ
ィングする（第１図（ａ））。
順次スパッタリング蒸着した後、レジスト１３をコーテ
ィングする（第１図（ａ））。
次に、マスク１４を通して紫外線、Ｘ線、電子線等によ
り露光する（同図（ｂ ）（ｃ ））。そして、残った
レジスト１３をマスクとしてＮ ｉ Ｃｒエッチャント
あるいはドライエツチングによりＮｉＣｒ１模１２をパ
ターン化する（同図（ｄ））。次いで。
り露光する（同図（ｂ ）（ｃ ））。そして、残った
レジスト１３をマスクとしてＮ ｉ Ｃｒエッチャント
あるいはドライエツチングによりＮｉＣｒ１模１２をパ
ターン化する（同図（ｄ））。次いで。
ＡαエッチャントあるいはＣＱｚ、ＣＣＱ４を用いたプ
ラズマによりΔＱｌｆｕｌｌのサイドエツチング後にレ
ジスト１３を剥離する（同図（ｅ））。これにより、２
種類の金属Ａ Ｑ 、 Ｎ ｉ Ｃｒを用０たオーバー
ハング構造となる。そして、Ｗ膜１５をデボしく同図（
ｆ））、ＡＱエッチャントによりリフトオフすることに
よりパターン１６を形成する（同図（ｇ））。
ラズマによりΔＱｌｆｕｌｌのサイドエツチング後にレ
ジスト１３を剥離する（同図（ｅ））。これにより、２
種類の金属Ａ Ｑ 、 Ｎ ｉ Ｃｒを用０たオーバー
ハング構造となる。そして、Ｗ膜１５をデボしく同図（
ｆ））、ＡＱエッチャントによりリフトオフすることに
よりパターン１６を形成する（同図（ｇ））。
このように、リフトオフの際に、有機物であるレジスト
の代わりに、エッチャントの異なる２種の金属ＡＱ、Ｎ
ｉＣｒによるオーパーツ）ング構造を利用することによ
り、有機物では不可能であった０、５μｍ程度の微細パ
ターンの形成を可能としたものである。又、ＡＱ膜１１
は２００〜５００°Ｃでも融解することがないので、本
実施例のようにＷｌｌＡ１５を用いれば、基板１０を４
００〜５００°Ｃに加熱した状態でのＷ（タングステン
）の加熱蒸着が可能であり、Ｗ膜１５の基板１０し；対
する密着性を向上させることができるものである。
の代わりに、エッチャントの異なる２種の金属ＡＱ、Ｎ
ｉＣｒによるオーパーツ）ング構造を利用することによ
り、有機物では不可能であった０、５μｍ程度の微細パ
ターンの形成を可能としたものである。又、ＡＱ膜１１
は２００〜５００°Ｃでも融解することがないので、本
実施例のようにＷｌｌＡ１５を用いれば、基板１０を４
００〜５００°Ｃに加熱した状態でのＷ（タングステン
）の加熱蒸着が可能であり、Ｗ膜１５の基板１０し；対
する密着性を向上させることができるものである。
なお、パターン１６を形成すべく膜１５１よＷの他に、
ＡＱエッチャントで溶解されなり）物質１例えばＰｔ、
ＭＯ，Ａｌｌ、Ｔｉ、５ｉＯｚ、５ｉａＮ４．ＰＳＧ等
であってもよい。これらは、電極用、絶縁膜用となる。
ＡＱエッチャントで溶解されなり）物質１例えばＰｔ、
ＭＯ，Ａｌｌ、Ｔｉ、５ｉＯｚ、５ｉａＮ４．ＰＳＧ等
であってもよい。これらは、電極用、絶縁膜用となる。
効果
本発明は、上述したように、エツチングレート又はエッ
チャントの異なる２種類の金属を用いてオーバーハング
構造をとるようにしたので、有機物であるレジストのよ
うな膨潤等の問題がなく。
チャントの異なる２種類の金属を用いてオーバーハング
構造をとるようにしたので、有機物であるレジストのよ
うな膨潤等の問題がなく。
０．５μｍ程度の微細パターンを形成することができ、
微細化の向上を図れるとともに、パターンを形成すべく
膜も基板加熱状態下でデボすることができ、基板に対す
る密着性を向上させることができるものである。
微細化の向上を図れるとともに、パターンを形成すべく
膜も基板加熱状態下でデボすることができ、基板に対す
る密着性を向上させることができるものである。
第１図（ａ）〜（ｇ）は本発明の一実施例を工程順に示
す断面図、第２図（ａ）〜（ｅ）は従来方式を工程順に
示す断面図である。 １１・Ａｆｌ膜、１２−ＮｉＣｒ膜 ３ 」 図 ３Ｚ図
す断面図、第２図（ａ）〜（ｅ）は従来方式を工程順に
示す断面図である。 １１・Ａｆｌ膜、１２−ＮｉＣｒ膜 ３ 」 図 ３Ｚ図
Claims (1)
- エッチングレート又はエッチャントの異なる２種類の
金属を用いてオーバーハング構造をとることを特徴とす
るリフトオフ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18987284A JPS6167918A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | リフトオフ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18987284A JPS6167918A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | リフトオフ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6167918A true JPS6167918A (ja) | 1986-04-08 |
Family
ID=16248582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18987284A Pending JPS6167918A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | リフトオフ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6167918A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010532817A (ja) * | 2007-04-03 | 2010-10-14 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 局所皮膜の堆積方法 |
-
1984
- 1984-09-11 JP JP18987284A patent/JPS6167918A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010532817A (ja) * | 2007-04-03 | 2010-10-14 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 局所皮膜の堆積方法 |
| US8815108B2 (en) | 2007-04-03 | 2014-08-26 | Commissariat A L'energie Atomique | Method of depositing localized coatings |
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