JPH0570954A - 排気ガス希釈装置 - Google Patents
排気ガス希釈装置Info
- Publication number
- JPH0570954A JPH0570954A JP23852391A JP23852391A JPH0570954A JP H0570954 A JPH0570954 A JP H0570954A JP 23852391 A JP23852391 A JP 23852391A JP 23852391 A JP23852391 A JP 23852391A JP H0570954 A JPH0570954 A JP H0570954A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust gas
- gas
- concn
- concentration
- controller
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
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Abstract
(57)【要約】
【目的】排気ガス濃度が変動した場合、即時に対応して
希釈して爆発，炎上を防止する。 【構成】排気ガス濃度コントローラーからの信号により
希釈ガスの流量を制御する。 【効果】排気ガス濃度を常に検知し、排気ガス濃度を常
に設定値通りにコントロール出来る為排気ガス濃度不適
（変動）によるトラブル（爆発，炎上等）を完全に防止
出来るという効果を有する。
希釈して爆発，炎上を防止する。 【構成】排気ガス濃度コントローラーからの信号により
希釈ガスの流量を制御する。 【効果】排気ガス濃度を常に検知し、排気ガス濃度を常
に設定値通りにコントロール出来る為排気ガス濃度不適
（変動）によるトラブル（爆発，炎上等）を完全に防止
出来るという効果を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は排気ガス希釈装置にかか
り、特に半導体製造装置の排気装置に関する。
り、特に半導体製造装置の排気装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来例の概略図である。従来、た
とえばＣＶＤ装置からの排気ガスは、ダクト６によっ
て、排気管１を通って図中矢印の方向へ排気されるが、
排気ガスが安全な濃度になる様希釈ガス流量計１５で希
釈ガス流量を設定し、希釈ガス供給部７より希釈ガス導
入管２を通じて図中矢印の方向へ希釈ガスを供給するの
みであった。
とえばＣＶＤ装置からの排気ガスは、ダクト６によっ
て、排気管１を通って図中矢印の方向へ排気されるが、
排気ガスが安全な濃度になる様希釈ガス流量計１５で希
釈ガス流量を設定し、希釈ガス供給部７より希釈ガス導
入管２を通じて図中矢印の方向へ希釈ガスを供給するの
みであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した様に、従来
は、排気ガスの濃度を論理上希釈することが出来るのみ
で、実際の排気ガス濃度は判断がつかずそれに加えて、
排気管内の排気ガス濃度の変動時に即時に排気ガス濃度
を希望する値に変更することが出来ないという問題点が
あった。
は、排気ガスの濃度を論理上希釈することが出来るのみ
で、実際の排気ガス濃度は判断がつかずそれに加えて、
排気管内の排気ガス濃度の変動時に即時に排気ガス濃度
を希望する値に変更することが出来ないという問題点が
あった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、排気装置に、
常に排気ガス濃度を検知しあらかじめ設定した設定値通
りに排気ガスの濃度をコントロールする機構を備える。
常に排気ガス濃度を検知しあらかじめ設定した設定値通
りに排気ガスの濃度をコントロールする機構を備える。
【０００５】すなわち本発明の特徴は、排気ガスを流す
排気管と、排気ガス濃度を検知する排気ガス濃度検知器
と、応じてその濃度に希釈ガス（窒素ガス等）の流量を
コントロールする信号を出力する排気ガス濃度コントロ
ーラーと、排気ガス濃度コントローラーから出力された
信号を受信し、その信号の指示通り希釈ガスの流量を変
化させる希釈ガス流量コントローラーの付いた希釈ガス
導入管と、希釈ガス供給部とを備えた排気ガス希釈装置
にある。
排気管と、排気ガス濃度を検知する排気ガス濃度検知器
と、応じてその濃度に希釈ガス（窒素ガス等）の流量を
コントロールする信号を出力する排気ガス濃度コントロ
ーラーと、排気ガス濃度コントローラーから出力された
信号を受信し、その信号の指示通り希釈ガスの流量を変
化させる希釈ガス流量コントローラーの付いた希釈ガス
導入管と、希釈ガス供給部とを備えた排気ガス希釈装置
にある。
【０００６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００７】図１は本発明の第１の実施例の概略図であ
る。
る。
【０００８】半導体装置を製造するＣＶＤ装置からダク
ト６によって、排気ガスは、排気管１を通って、図中矢
印の方向へ排気されるが、その時、排気ガス濃度検知器
４にて、排気ガス濃度を測定し、排気ガス濃度を任意に
設定出来る排気ガス濃度コントローラー３にて、設定通
りの安全な排気ガス濃度かどうか判断し、希釈ガス流量
コントローラー５に対し必要な希釈ガス（例えば窒素が
２）流量になる様希釈ガス流量コントロール送信ケーブ
ル１０を通じて喪心する。これを受信した希釈ガスコン
トローラー５は指示通りに希釈ガス流量を調整し、希釈
ガス導入管２を通じて希釈ガス供給部７より排気管１
へ、希釈ガスを流す（図中矢印）。これらの動作は、継
続し行われ、常に排気ガスは設定通りの濃度まで希釈さ
れ排気される。
ト６によって、排気ガスは、排気管１を通って、図中矢
印の方向へ排気されるが、その時、排気ガス濃度検知器
４にて、排気ガス濃度を測定し、排気ガス濃度を任意に
設定出来る排気ガス濃度コントローラー３にて、設定通
りの安全な排気ガス濃度かどうか判断し、希釈ガス流量
コントローラー５に対し必要な希釈ガス（例えば窒素が
２）流量になる様希釈ガス流量コントロール送信ケーブ
ル１０を通じて喪心する。これを受信した希釈ガスコン
トローラー５は指示通りに希釈ガス流量を調整し、希釈
ガス導入管２を通じて希釈ガス供給部７より排気管１
へ、希釈ガスを流す（図中矢印）。これらの動作は、継
続し行われ、常に排気ガスは設定通りの濃度まで希釈さ
れ排気される。
【０００９】図２は本発明の第２の実施例の概略図であ
る。第２の実施例は第１の実施例と同様に排気ガスを設
定通りの安全な濃度まで希釈して排気するが、第１の実
施例１排気ガス濃度の急激な上昇があった場合、排気ガ
ス濃度検知器４、排気ガス濃度コントローラー３の希釈
ガス流量コントロールによる排気ガス濃度希釈のみで
は、既にダクト６近傍まで到達した高濃度の排気ガスの
濃度希釈はむずかしくなる。その為、第２の実施例では
ダクト近傍まで到達した高濃度の排気ガスを希釈する目
的で、ダクト６近傍に緊急希釈ガス導入管８及び緊急希
釈ガス流量コントローラー９を備え、排気ガス濃度コン
トローラー３より必要な希釈ガスの流量の指示を緊急希
釈ガス流量コントロール送信ゲーブル１１を通じて、受
信し、希釈ガスを必要な流量流し、排気ガスを希釈す
る。
る。第２の実施例は第１の実施例と同様に排気ガスを設
定通りの安全な濃度まで希釈して排気するが、第１の実
施例１排気ガス濃度の急激な上昇があった場合、排気ガ
ス濃度検知器４、排気ガス濃度コントローラー３の希釈
ガス流量コントロールによる排気ガス濃度希釈のみで
は、既にダクト６近傍まで到達した高濃度の排気ガスの
濃度希釈はむずかしくなる。その為、第２の実施例では
ダクト近傍まで到達した高濃度の排気ガスを希釈する目
的で、ダクト６近傍に緊急希釈ガス導入管８及び緊急希
釈ガス流量コントローラー９を備え、排気ガス濃度コン
トローラー３より必要な希釈ガスの流量の指示を緊急希
釈ガス流量コントロール送信ゲーブル１１を通じて、受
信し、希釈ガスを必要な流量流し、排気ガスを希釈す
る。
【００１０】この様に第２の実施例は第１の実施例に比
べ排気ガス濃度の急激な変化にも追従出来る利点を有し
ている。
べ排気ガス濃度の急激な変化にも追従出来る利点を有し
ている。
【００１１】
【発明の効果】以上、説明した様に、本発明は、排気ガ
スの濃度を常に検知し、排気ガス濃度変動時に即時に対
応して、設定値通りの排気ガス濃度に希釈し濃度不適に
よるトラブル（爆発，燃焼等）を完全に防止出来るとい
う効果を有する。
スの濃度を常に検知し、排気ガス濃度変動時に即時に対
応して、設定値通りの排気ガス濃度に希釈し濃度不適に
よるトラブル（爆発，燃焼等）を完全に防止出来るとい
う効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例の概略図である。
【図２】本発明の第２の実施例の概略図である。
【図３】従来技術を示す概略図である。
１ 排気管 ２ 希釈ガス導入管 ３ 排気ガス濃度コントローラー ４ 排気ガス濃度検知器 ５ 希釈ガス流量コントローラー ６ ダクト ７ 希釈ガス供給部 ８ 緊急希釈ガス導入管 ９ 緊急希釈ガス流量コントロール １０ 希釈ガス流量コントロール送信ケーブル １１ 緊急希釈ガス流量コントロール １５ 希釈ガス流量計
Claims (2)
- 【請求項１】 排気ガスを流す排気管と、排気ガス濃度
を検知する排気ガス濃度検出器と、応じてその濃度に希
釈ガスの流量をコントロールする信号を出力する排気ガ
ス濃度コントローラーと、排気ガス濃度コントローラー
から出力された信号を受信しその信号の指示通り希釈ガ
スの流量を変化させる希釈ガス流量コントローラーの付
いた希釈ガス導入管と、希釈ガス供給部とを備えたこと
を特徴とする排気ガス希釈装置。 - 【請求項２】 前記希釈ガスは窒素ガスである請求項１
に記載の排気ガス希釈装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23852391A JPH0570954A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 排気ガス希釈装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23852391A JPH0570954A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 排気ガス希釈装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0570954A true JPH0570954A (ja) | 1993-03-23 |
Family
ID=17031524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23852391A Pending JPH0570954A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 排気ガス希釈装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0570954A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006344984A (ja) * | 2006-07-06 | 2006-12-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 水素アニール処理方法及びその装置 |
| JP2011146704A (ja) * | 2011-01-08 | 2011-07-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 水素アニール処理方法及び水素アニール処理装置 |
| WO2018179507A1 (ja) * | 2017-03-27 | 2018-10-04 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
-
1991
- 1991-09-19 JP JP23852391A patent/JPH0570954A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006344984A (ja) * | 2006-07-06 | 2006-12-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 水素アニール処理方法及びその装置 |
| JP2011146704A (ja) * | 2011-01-08 | 2011-07-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 水素アニール処理方法及び水素アニール処理装置 |
| WO2018179507A1 (ja) * | 2017-03-27 | 2018-10-04 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
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