JPH0569774B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0569774B2
JPH0569774B2 JP60198978A JP19897885A JPH0569774B2 JP H0569774 B2 JPH0569774 B2 JP H0569774B2 JP 60198978 A JP60198978 A JP 60198978A JP 19897885 A JP19897885 A JP 19897885A JP H0569774 B2 JPH0569774 B2 JP H0569774B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ammonia
water
absorption tower
gas
circulation line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60198978A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6259523A (ja
Inventor
Noritaka Hirayama
Kazunori Shimoda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Priority to JP19897885A priority Critical patent/JPS6259523A/ja
Publication of JPS6259523A publication Critical patent/JPS6259523A/ja
Publication of JPH0569774B2 publication Critical patent/JPH0569774B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Sorption Type Refrigeration Machines (AREA)
  • Gas Separation By Absorption (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、液化アンモニアから不純物の少ない
一定濃度のアンモニア水を安価に製造するための
アンモニア水製造装置に関する。
[従来の技術] 例えば、半導体工場においてシリコンウエハー
などに集積回路を形成していわゆるICチツプを
作る場合には、その品質を保持するために不純物
の混入を厳密に規制する手段が採られており、勿
論、上記ウエハーを洗浄するための洗浄剤は高度
に清浄なものでなければならない。特に、固形粒
子の存在が半導体の特性を劣化させるので、チン
ダル現象を利用した光学的検査によりその純度を
チエツクされる。
このような洗浄剤としてアンモニア水が使用さ
れるが、このアンモニア水は、従来、缶などに封
入されて市販されているアンモニア水を工場内に
搬入し、フイルタを通して濾過して、タンクに貯
留したものを使用していた。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、上記のような市販されているア
ンモニア水はもともと純度が目的に沿う程高くな
く、さらに、搬送やタンクの移し替えなどの際に
容器に残るごみを吸収してしまう、あるいは、空
気と接触しその埃を吸収するとともに、空気中の
二酸化炭素と反応して炭酸アンモニウムを生成す
るなどし、さらに純度が下がつてしまうことがあ
る。
また、アンモニア水をフイルタにより濾過して
微粒の不純物を取り除くのは容易ではなく、この
ような方法で不純物の少ないアンモニア水を得る
のは難しかつた。
[問題点を解決するための手段] 本発明は、上記のような問題点を解決するため
に、液化アンモニアを昇温させて気化させる蒸発
器と、気化されたアンモニアガスを濾過し、不純
物を除去するフイルタと、底部の流体を塔頂部に
還流させる循環ラインを有して上記アンモニアガ
スを超純水に溶解、吸収せしめるアンモニア吸収
塔と、このアンモニア吸収塔から排出されたアン
モニア水を貯留する貯留タンクとを設け、上記ア
ンモニア吸収塔に、アンモニア水のアンモニア濃
度を検知するセンサと、このセンサの検出値が所
定の値になつたときに、アンモニア吸収塔内のア
ンモニア水を上記貯留タンクに排出させる自動切
替装置と、上記循環ラインから分岐され、循環ラ
イン内のアンモニア水を直接アンモニア吸収塔の
底部に注いで該底部のアンモニア水を攪拌し、均
一化させるバイパスラインとを設けたものであ
る。
[作用] このようなアンモニア水製造装置によれば、ア
ンモニアガスに含まれる微粒の固体状または液状
の不純物は目の細かいフイルタにより濾過されて
除去される。この純化されたアンモニアガスは、
アンモニア吸収塔において循環ラインにより還流
される超純水に溶解、吸収される。そして、この
アンモニア水はアンモニア吸収塔の底部に溜めら
れ、バイパスラインから注水により攪拌され温度
及びアンモニア濃度が均一化されるので、濃度の
不均一によるアンモニア吸収効率の低下や、セン
サが濃度を誤つて検出することによる自動切替装
置の誤作動が防がれる。
[実施例] 以下、本発明の一実施例を第1図を参照して説
明する。
原料となる液化アンモニアは原料タンク1に貯
留され、制御弁2を通つて蒸発器3に導かれる。
この蒸発器3は温水または蒸気を収容する昇温槽
3a内に蛇行する配管3bが設けられて成り、液
化アンモニアを効率的に蒸発させるようになつて
いる。
この蒸発器3の排出側の配管3cには、筒状体
の内部にテトラフルオロエチレン重合体の微粒子
(粒径0.1〜0.2μm)が充填されてなる周知のガス
フイルタ4が取り付けられている。
また、このガスフイルタ4の手前の配管3cに
は、この配管3cの圧力を検出し、この検出圧力
により上記制御弁2を開閉する圧力調整装置5が
設けられている。
上記ガスフイルタ4の排出側の配管4aは、制
御弁6を介してアンモニア吸収塔7に連ながれて
いる。このアンモニア吸収塔7は上部の小径部7
aと下部の大径部7bとからなり、この小径部7
aには多孔性物質(ラシヒリング、テラレツトな
ど)が充填されてなる気液接触層8が形成されて
いる。この気液接触層8の上部には、塔頂部の圧
力を検出して上記制御弁6を開閉する圧力調整装
置9が設けられている。
大径部7bの底部と小径部7aの頂部の間には
ポンプPにより水を循環させる循環ライン10が
設けられている。この循環ライン10には、上記
ポンプPの後に冷却器11が設けられ、アンモニ
アの溶解熱により昇温したアンモニア水を冷却し
てアンモニアの吸収を効率的にするようにしてい
る。上記冷却器11は冷却水槽に配管が内装され
てなる通常のものであり、冷却水流量はアンモニ
ア吸収塔7内の温度上昇がないような値に設定さ
れている。
上記循環ライン10は、この冷却器11の後、
アンモニア吸収塔7の頂部へ連結される主ライン
10aと、直接大径部7bに導入されるバイパス
ライン10bとに分岐されている。このバイパス
ライン10bの大径部7bへの導入された端部
は、この部分の流体を攪拌する効果が大きいよう
な形態になつている。
また、このアンモニア吸収塔7には、新たな超
純水を供給するための供給ライン12が設けられ
ている。
上記循環ライン10はポンプPの後で分岐さ
れ、フイルタ13を介して貯留タンク14に連結
される排出ライン15が設けられている。そして
この分岐点の後の上記循環ライン10及び排出ラ
イン15には、それぞれを開閉する電磁弁16,
17が取り付けられ、一方、循環ライン10のポ
ンプPの前には導電率計(センサ)18が設けら
れ、内部流体の導電率を検出し、この導電率計1
8に連動する自動切替装置19により、この検出
値が所定の値になつたとき(アンモニア水の濃度
が所要の値になつたとき)に、上記循環ライン1
0の電磁弁16を閉じ、排出ライン15の電磁弁
17を開いてアンモニア水を貯留タンク14に自
動的に排出するようになつている。
なお、アンモニア水の導電率とアンモニア濃度
との間には、第2図に示すような関係があり、濃
度が5wt%を越えると一対一にほぼ直線的に相関
するので、この導電率を計ることによりアンモニ
ア濃度を検知することができる。
上記フイルタ13は突発的に混入された比較的
大きなごみなどを除去するために設けられてい
る。また、上記貯留タンク14は密閉され、内部
はパイプ20により高純度の窒素ガスなどの不活
性ガスが満たされてごみの混入や空気中の二酸化
炭素との反応を防いでいる。
なお、上記の製造装置を構成する配管や機材は
耐食性の大きいステンレス(SUS304)を材料と
し、気密性を保つためのパツキン、及びフイルタ
類はテトラフルオロエチレン重合体を材料として
いる。また、圧力調整装置5,9により、ライン
の圧力が常圧を大きく上回ることがないように制
御しているので、ラインの耐圧は特に高く設定さ
れていない。
この製造装置においては、吸収塔7からの製品
の排出のみならず、吸収塔7へのアンモニアガス
の供給、蒸発器3の昇温槽3aの温度制御などが
自動化され、回分処理が順次自動的に行なわれる
ようになつている。
次に、上記のように構成されたアンモニア水製
造装置について、その作用を説明する。
この製造装置の原料となる液化アンモニアは、
特にその不純物量が規制されることはなく、通常
市販されているものを用いることができる。な
お、純粋な液化アンモニアは沸点が−33℃、蒸発
熱が327cal/gである。
第2図に示すように、アンモニア濃度が5wt%
付近において導電率が極大となるので、アンモニ
ア濃度の初期値がそれ以下にならないように吸収
塔7に前回処理したアンモニア水を残しておき、
そこへ供給ライン12より超純水を満たす。
密閉された原料タンク1内の液化アンモニア
は、自身のガス圧により制御弁2を介して蒸発器
3に送られて気化され、ガスフイルタ4に送られ
る。このとき、液化アンモニア中に含まれていた
液状あるいは固体状の不純物はガスフイルタ4に
より濾過される。
ガスフイルタ4を通過したアンモニアガスはア
ンモニア吸収塔7に導かれ、ここで超純水あるい
はアンモニア水に溶解、吸収される。このとき、
アンモニアガスは循環ライン10、主ライン10
aを通つて塔頂部から噴出される超純水あるいは
アンモニア水と、気液接触層8において効率的に
接触して反応する。
このアンモニア水はアンモニアガスの溶解熱に
より昇温し、例えば,0℃の超純水に28wt%の
アンモニアガスを溶解させ、冷却を行わない場合
には、計算上アンモニア水の温度は150℃以上に
も達する。そして、第3図に示すように、アンモ
ニア水の平衡蒸気圧は温度上昇に伴い大きく上昇
するので、アンモニアの溶解反応を進行させるた
めには、アンモニア吸収塔7内にアンモニアガス
を送つてその分圧を上げなければならず、また、
アンモニア吸収塔7及び配管等の耐圧もその分高
く設定しなければならない。このような温度上昇
を防ぐために、アンモニア水は循環ライン10に
設けられた冷却器11により冷却され、その一部
は主ライン10aから再度塔頂部へ導かれ、一部
はバイパスライン10bを経て吸収塔7の大径部
7bに注入される。
上記バイパスライン10bからの注入水は、大
径部7bのアンモニア水の温度を下げ、また、攪
拌することによつてその濃度を均一にしてアンモ
ニアの吸収を効率的にするとともに、自動切替装
置19の導電率計18の作動を正確にさせてい
る。
なお、このバイパスライン10bに流量調整弁
を設け、一方、アンモニア吸収塔7の内部に温度
計または圧力計を設けて、この検知温度または圧
力によりバイパスライン10bの流量を増減して
アンモニアの吸収反応を制御し、圧力が装置の耐
圧を越えないようにしてもよい。
吸収塔7の頂部の圧力調整装置9は、この部分
の圧力が所定の値を越えると制御弁6を閉じ、ア
ンモニアガスの流入を規制するようになつてい
る。アンモニア吸収塔7内の圧力は、アンモニア
ガスが溶解することにより陰圧になつているが、
溶解反応が進み、冷却が追い付かずに温度が上昇
するような場合には、アンモニア蒸気圧も上昇し
溶解の効率が落ちるので、例えば、圧力調整装置
9の設定圧力を0.5Kg/cm2にして頂部の圧力を抑
えることにより反応の進行を制御する。
このようなアンモニアガスの吸収反応の速度
は、アンモニア水のアンモニア濃度の上昇に伴い
落ちてくるが、それにより配管3c,4c内のガ
ス圧が上昇し、所定の値に達すると、圧力調整装
置5からの信号により制御弁2が閉止されて、そ
れによりアンモニアガスの供給がコントロールさ
れる。
上記のような過程で徐々に濃化されたアンモニ
ア水の濃度が所定の値になつたときに、導電率計
が所定の値(アンモニア濃度が28wt%のときに
導電率は380μ/cm)を示し、自動切替装置1
9により電磁弁16が閉じられ、排出ライン15
に通じる電磁弁17が開かれて、アンモニア水は
フイルタ13を通つて貯留タンク14に搬送され
る。
このように製造されたアンモニア水中の不純物
を分析したところ、Al,B,Ca,Cu,Fe,K,
Mg,Mn,Na,Pb,Sn,Znのすべてがそれぞ
れ0.01ppm以下であつた。
このようなアンモニア水製造装置によれば、ア
ンモニア吸収塔7において内部液体を循環させる
とともに、その循環ライン10に冷却器11を設
けてアンモニアガスの溶解熱を吸収し、アンモニ
ア吸収塔7内の圧力を上げずにアンモニアガスの
吸収を効率的に行わせている。
そして、バイパスライン10bにより、アンモ
ニア吸収塔7の底部の貯留水が攪拌され、温度及
びアンモニア濃度が均一になるので、例えば、貯
留水の上部だけが熱水になり、アンモニアの吸収
が阻害されたり、アンモニア吸収塔7の内壁が損
傷されたりすることがない。また、センサ18が
不均一なアンモニア濃度を検知し、自動切替装置
を誤作動させることもない。
アンモニア吸収塔7において、アンモニアガス
の吸収を回分式(バツチ式)にして、アンモニア
水を安定的に生成するとともに、アンモニア水の
濃度を検出して、その排出を自動化することによ
り、生成されるアンモニア水の濃度を一定に保つ
とともに、回分処理を順次自動的に行なわしめ、
その作業を省人化、効率化させている。
[発明の効果] 以上詳述したように、本発明は、液化アンモニ
アを昇温させて気化させる蒸発器と、気化された
アンモニアガスを濾過し、不純物を除去するフイ
ルタと、底部の流体を塔頂部に還流させる循環ラ
インを有して上記アンモニアガスを超純水に溶
解、吸収せしめるアンモニア吸収塔と、このアン
モニア吸収塔から排出されたアンモニア水を貯留
する貯留タンクとを設け、上記アンモニア吸収塔
に、アンモニア水のアンモニア濃度を検知するセ
ンサと、このセンサの検出値が所定の値になつた
ときに、アンモニア吸収塔内のアンモニア水を上
記貯留タンクに排出させる自動切替装置と、上記
循環ラインから分岐され、循環ライン内のアンモ
ニア水を直接アンモニア吸収塔の底部に注いで該
底部のアンモニア水を攪拌し、均一化させるバイ
パスラインとを設けた構成であるので、純化され
たアンモニアガスを、アンモニア吸収塔において
均一な温度や圧力のもとで反応を制御しながら効
率的に超純水に吸収せしめ、従つて、市販の液化
アンモニアを原料として、安いコストで、不純物
のない、一定濃度のアンモニア水を製造すること
ができ、また、アンモニア吸収塔や配管などの設
備の耐用圧力を上げる必要もないので、設備コス
トが安く、操業が安定して行えるなどの優れた効
果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のアンモニア製造装
置の構成を示す概略図、第2図はアンモニアの濃
度とアンモニア水の導電率の関係を示すグラフ、
第3図はアンモニア水の各温度における濃度と平
衡蒸気圧の関係を示すグラフである。 3……蒸発器、4……ガスフイルタ、7……ア
ンモニア吸収塔、10……循環ライン、10b…
…バイパスライン、14……貯留タンク、18…
…導電率計(センサ)、19……自動切替装置。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 液化アンモニアを昇温させて気化させる蒸発
    器と、気化されたアンモニアガスを濾過し、不純
    物を除去するフイルタと、底部の流体を塔頂部に
    還流させる循環ラインを有して上記アンモニアガ
    スを超純水に溶解、吸収せしめるアンモニア吸収
    塔と、このアンモニア吸収塔から排出されたアン
    モニア水を貯留する貯留タンクとを備え、上記ア
    ンモニア吸収塔には、アンモニア水のアンモニア
    濃度を検知するセンサと、このセンサの検出値が
    所定の値になつたときに、アンモニア吸収塔内の
    アンモニア水を上記貯留タンクに排出させる自動
    切替装置と、上記循環ラインから分岐され、循環
    ライン内のアンモニア水を直接アンモニア吸収塔
    の底部に注いで該底部のアンモニア水を攪拌し、
    均一化させるバイパスラインとが設けられている
    ことを特徴とするアンモニア水製造装置。
JP19897885A 1985-09-09 1985-09-09 アンモニア水製造装置 Granted JPS6259523A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19897885A JPS6259523A (ja) 1985-09-09 1985-09-09 アンモニア水製造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19897885A JPS6259523A (ja) 1985-09-09 1985-09-09 アンモニア水製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6259523A JPS6259523A (ja) 1987-03-16
JPH0569774B2 true JPH0569774B2 (ja) 1993-10-01

Family

ID=16400087

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19897885A Granted JPS6259523A (ja) 1985-09-09 1985-09-09 アンモニア水製造装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6259523A (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4548555B2 (ja) * 2000-03-09 2010-09-22 三菱瓦斯化学株式会社 高純度アンモニア水の製造方法
JP5762226B2 (ja) * 2011-09-12 2015-08-12 本田技研工業株式会社 バイオマスの糖化前処理におけるアンモニア処理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51142500A (en) * 1975-06-03 1976-12-08 Nitto Kikai Kk Method of producing aqueous ammonia
JPS6025532A (ja) * 1983-07-21 1985-02-08 Showa Denko Kk 高品質水溶液の製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60112333U (ja) * 1983-12-28 1985-07-30 昭和電工株式会社 高品質水溶液調製装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51142500A (en) * 1975-06-03 1976-12-08 Nitto Kikai Kk Method of producing aqueous ammonia
JPS6025532A (ja) * 1983-07-21 1985-02-08 Showa Denko Kk 高品質水溶液の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6259523A (ja) 1987-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6090217A (en) Surface treatment of semiconductor substrates
KR20010053300A (ko) 반도체 및 기타 장치 침지처리 방법 및 장치
US7144552B1 (en) Method and apparatus for preparing chemical solutions
JPS6323326A (ja) ウエハ−をプロセス流体で処理する方法及び装置
JPH0737800A (ja) 薬液供給装置
TW201638542A (zh) 蒸氣供給裝置、蒸氣乾燥裝置、蒸氣供給方法及蒸氣乾燥方法
JPH1147584A (ja) マイクロエレクトロニクス産業用の高純度化学薬品の製造方法および製造装置
KR19980064343A (ko) 증류 장치 및 증류 방법
JPH0569773B2 (ja)
KR930005946B1 (ko) 기판의 세정 처리방법 및 장치
CN103213947B (zh) 一种用于生产超净高纯盐酸的工艺
JPH11509980A (ja) 半導体処理用超高純度塩酸の現場での製造
JPH0569774B2 (ja)
JPH06103686B2 (ja) 表面乾燥処理方法および装置
JPH0569771B2 (ja)
JPH0569772B2 (ja)
US20040194806A1 (en) IPA concentration interlock detector for substrate dryer
JP2005262031A (ja) 循環式ガス溶解水供給装置及び該装置の運転方法
KR101675947B1 (ko) 고순도 황산 제조 장치
TW201843785A (zh) 用於在半導體應用中使用超臨界流體的方法和設備
JPH0760002A (ja) 蒸留装置及びそれを用いた有機溶媒の精製方法
CN103253634A (zh) 一种用于生产超净高纯盐酸的工艺
CN107349812A (zh) 酸液稀释方法及酸液稀释装置
JP2001253708A (ja) 高純度アンモニア水の製造方法
JP2002361038A (ja) アンモニア含有ガスの処理方法及び処理装置