JPH0569772B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0569772B2
JPH0569772B2 JP60198976A JP19897685A JPH0569772B2 JP H0569772 B2 JPH0569772 B2 JP H0569772B2 JP 60198976 A JP60198976 A JP 60198976A JP 19897685 A JP19897685 A JP 19897685A JP H0569772 B2 JPH0569772 B2 JP H0569772B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ammonia
water
absorption tower
gas
ammonia water
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60198976A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6259521A (ja
Inventor
Noritaka Hirayama
Kazunori Shimoda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Priority to JP19897685A priority Critical patent/JPS6259521A/ja
Publication of JPS6259521A publication Critical patent/JPS6259521A/ja
Publication of JPH0569772B2 publication Critical patent/JPH0569772B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Water Treatments (AREA)
  • Gas Separation By Absorption (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、液化アンモニアから不純物の少ない
一定濃度のアンモニア水を安価に製造するための
アンモニア水製造装置に関する。
[従来の技術] 例えば、半導体工場においてシリコンウエハー
などに集積回路を形成していわゆるICチツプを
作る場合には、その品質を保持するために不純物
の混入を厳密に規制する手段が採られており、勿
論、上記ウエハーを洗浄するための洗浄剤は高度
に清浄なものでなければならない。特に、固形粒
子の存在が半導体の特性を劣化させるので、チン
ダル現象を利用した光学的検査によりその純度を
チエツクされる。
このような洗浄剤としてアンモニア水が使用さ
れるが、このアンモニア水は、従来、缶などに封
入されて市販されているアンモニア水を工場内に
搬入し、フイルタを通して濾過して、タンクに貯
留したものを使用していた。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、上記のような市販されているア
ンモニア水はもともと純度が目的に沿う程高くな
く、さらに、搬送やタンクの移し替えなどの際に
容器に残るごみを吸収してしまう、あるいは、空
気と接触しその埃を吸収するとともに、空気中の
二酸化炭素と反応して炭酸アンモニウムを生成す
るなどしてさらに純度が下がつてしまう。
また、アンモニア水をフイルタにより濾過して
微粒の不純物を取り除くのは容易ではなく、この
ような方法で不純物の少ないアンモニア水を得る
のは難しかつた。
また、一方、アンモニアを例えば合成法により
製造するのは装置も大掛かりになり、実用的では
なかつた。
[問題点を解決するための手段] 本発明は、上記のような問題点を解決するため
に、液化アンモニアを昇温させて気化させる蒸発
器と、気化されたアンモニアガスを濾過し、不純
物を除去するフイルタと、この純化されたアンモ
ニアガスを超純水に溶解、吸収せしめるアンモニ
ア吸収塔と、このアンモニア吸収塔から排出され
たアンモニア水を貯留する貯留タンクとを設け、
上記アンモニア吸収塔に、その底部のアンモニア
水を塔頂部に還流させる循環ラインと、アンモニ
ア水を上記貯留タンクに送る排出ラインと、アン
モニア水のアンモニア濃度を検知するセンサと、
このセンサの検出値により上記循環ラインと排出
ラインを択一的に流通せしめる自動切替装置とを
設けたものである。
[作用] このようなアンモニア水製造装置によれば、液
化アンモニアが蒸発されるときに、この蒸発温度
で液体または固体状態の不純物の一部は気化され
ずに残り、また、アンモニアガスと一緒に運ばれ
る微粒の固体状または液状の不純物は目の細かい
フイルタにより濾過されて除去される。この純化
されたアンモニアガスは、アンモニア吸収塔にお
いて循環ラインにより還流される超純水またはア
ンモニア水に溶解、吸収される。そして、このア
ンモニア水は、アンモニア濃度をセンサによつて
検知され、その値が所定の値になつたときに自動
切替装置により自動的に排出ラインに流出され、
貯留タンクに貯留される。
[実施例] 以下、本発明の一実施例を第1図を参照して説
明する。
原料となる液化アンモニアは原料タンク1に貯
留され、制御弁2を通つて蒸発器3に導かれる。
この蒸発器3は温水または蒸気を収容する昇温槽
3a内に蛇行する配管3bが設けられて成り、液
化アンモニアを効率的に蒸発させるようになつて
いる。
この蒸発器3の排出側の配管3cには、筒状体
の内部にテトラフルオロエチレン重合体の微粒子
(粒径0.1〜0.2μm)が充填されてなる周知のガス
フイルタ4が取り付けられている。
また、このガスフイルタ4の手前の配管3cに
は、この配管3cの圧力を検出し、この検出圧力
により上記制御弁2を開閉する圧力調整装置5が
設けられている。
上記ガスフイルタ4の排出側の配管4aは、制
御弁6を介してアンモニア吸収塔7に連ながれて
いる。このアンモニア吸収塔7は上部の小径部7
aと下部の大径部7bとからなり、この小径部7
aには多孔性物質(ラシヒリング、テラレツトな
ど)が充填されてなる気液接触層8が形成されて
いる。この気液接触層8の上部には、塔頂部の圧
力を検出して上記制御弁6を開閉する圧力調整装
置9が設けられている。
大径部7bの底部と小径部7aの頂部の間には
ポンプPにより水を循環させる循環ライン10が
設けられている。この循環ライン10には、上記
ポンプPの後に冷却器11が設けられ、アンモニ
アの溶解熱により昇温したアンモニア水を冷却し
てアンモニアの吸収を効率的にするようにしてい
る。上記循環ライン10は、この冷却器11の
後、アンモニア吸収塔7の頂部へ連結される主ラ
イン10aと、直接大径部7bに導入されるバイ
パスライン10bとに分岐されている。
また、このアンモニア吸収塔7には、新たな超
純水を供給するための供給ライン12が設けられ
ている。
上記循環ライン10はポンプPの後で分岐さ
れ、フイルタ13を介して貯留タンク14に連結
される排出ライン15が設けられている。そして
この分岐点の後の上記循環ライン10及び排出ラ
イン15には、それぞれを開閉する電磁弁16,
17が取り付けられ、一方、循環ライン10のポ
ンプPの前には導電率計(センサ)18が設けら
れ、内部流体の導電率を検出し、この導電率計1
8に連動する自動切替装置19により、この検出
値が所定の値になつたとき(アンモニア水の濃度
が所要の値になつたとき)に、上記循環ライン1
0の電磁弁16を閉じ、排出ライン15の電磁弁
17を開いてアンモニア水を貯留タンク14に自
動的に排出するようになつている。
なお、アンモニア水の導電率とアンモニア濃度
との間には、第2図に示すような関係があり、濃
度が5wt%を越えると一対一にほぼ直線的に相関
するので、この導電率を計ることによりアンモニ
ア濃度を検知することができる。
上記フイルタ13は突発的に混入された比較的
大きなごみなどを除去するために設けられてい
る。また、上記貯留タンク14は密閉され、内部
はパイプ20により高純度の窒素ガスなどの不活
性ガスが満たされてごみの混入や空気中の二酸化
炭素との反応を防いでいる。
なお、上記の製造装置を構成する配管や機材は
耐食性の大きいステンレス(SUS304)を材料と
し、気密性を保つためのパツキン、及びフイルタ
類はテトラフルオロエチレン重合体を材料として
いる。また、圧力調整装置5,9により、ライン
の圧力が常圧を大きく上回ることがないように制
御しているので、ラインの耐圧は特に高く設定さ
れていない。
この製造装置においては、吸収塔7からの製品
の排出のみならず、吸収塔7へのアンモニアガス
の供給、蒸発器3の昇温槽3aの温度制御などが
自動化され、回分処理が順次自動的に行なわれる
ようになつている。
次に、上記のように構成されたアンモニア水製
造装置について、その作用を説明する。
この製造装置の原料となる液化アンモニアは、
特にその不純物量が規制されることはなく、通常
市販されているものを用いることができる。な
お、純粋な液化アンモニアは沸点が−33℃、蒸発
熱が327cal/gである。
第2図に示すように、アンモニア濃度が5wt%
付近において導電率が極大となるので、アンモニ
ア濃度の初期値がそれ以下にならないように吸収
塔7に前回処理したアンモニア水を残しておき、
そこへ供給ライン12より超純水を満たす。
密閉された原料タンク1内の液化アンモニア
は、自身のガス圧により制御弁2を介して蒸発器
3に送られて気化され、ガスフイルタ4に送られ
る。このとき、液化アンモニア中に含まれていた
液状あるいは固体状の不純物はガスフイルタ4に
より濾過される。
ガスフイルタ4を通過したアンモニアガスはア
ンモニア吸収塔7に導かれ、ここで超純水あるい
はアンモニア水に溶解、吸収される。このとき、
アンモニアガスは循環ライン10、主ライン10
aを通つて塔頂部から噴出される超純水あるいは
アンモニア水と、気液接触層8において効率的に
接触して反応する。このアンモニア水はアンモニ
アガスの溶解熱により昇温するが、吸収塔7の大
径部7bから循環ライン10を経て冷却器11に
より冷却され、その一部は主ライン10aから再
度塔頂部へ導かれ、一部はバイパスライン10b
を経て吸収塔7の大径部7bに注入される。
このバイパスライン10bからの注入水は、大
径部7bのアンモニア水の温度を下げ、また、攪
拌することによつてその濃度を均一にしてアンモ
ニアの吸収を効果的にするとともに、自動切替装
置19の導電率計18の作動を正確にさせてい
る。
なお、吸収塔7の頂部の圧力調整装置9は、こ
の部分の圧力が所定の値を越えると、制御弁6を
閉じてアンモニアガスの流入を規制するようにな
つている。吸収塔7内の圧力は、アンモニアガス
が溶解することにより陰圧になつているが、溶解
反応が進み、冷却が追い付かずに温度が上昇する
ような場合には、アンモニア水の蒸気圧も上昇し
溶解の効率が落ちるので、例えば、圧力調整装置
9の設定圧力を0.5Kg/cm2にして頂部の圧力を抑
えることにより反応の進行を制御する。
このようなアンモニアガスの吸収反応の速度
は、アンモニア水のアンモニア濃度の上昇に伴い
落ちてくるが、それにより配管3c,4a内のガ
ス圧が上昇し、所定の値に達すると、圧力調整装
置5からの信号により制御弁2が閉止されて、そ
れによりアンモニアガスの供給がコントロールさ
れる。
上記のような過程で徐々に濃化されたアンモニ
ア水の濃度が所定の値になつたときに、導電率計
が所定の値(アンモニア濃度が28wt%のときに
導電率は380μ〓/cm)を示し、自動切替装置1
9により電磁弁16が閉じられ、排出ライン15
に通じる電磁弁17が開かれて、アンモニア水は
フイルタ13を通つて貯留タンク14に搬送され
る。
このように製造されたアンモニア水中の不純物
を分析したところ、Al,B,Ca,Cu,Fe,K,
Mg,Mn,Na,Pb,Sn,Znのすべてがそれぞ
れ0.01ppm以下であつた。
このようなアンモニア水製造装置によれば、ア
ンモニア吸収塔7において内部液体を循環させて
効率よくアンモニアガスを吸収させるとともに、
冷却器11、バイパスライン10b、圧力調整装
置9により塔内の温度、圧力を調整することによ
り反応を円滑に行わせるとともに、容器や配管の
耐圧を必要以上に上げずに設備コストを低下せし
めている。
また、アンモニア吸収塔7においてアンモニア
ガスの吸収を回分式(バツチ式)にして、アンモ
ニア水を安定的に生成するとともに、アンモニア
水の濃度を検出して、その排出を自動化すること
により、生成されるアンモニア水の濃度を一定に
保つとともに、回分処理を順次自動的に行なわし
め、その作業を省人化、効率化させている。
[発明の効果] 以上詳述したように、本発明は、液化アンモニ
アを昇温させて気化させる蒸発器と、気化された
アンモニアガスを濾過し、不純物を除去するフイ
ルタと、この純化されたアンモニアガスを超純水
に溶解、吸収せしめるアンモニア吸収塔と、この
アンモニア吸収塔から排出されたアンモニア水を
貯留する貯留タンクとを設け、上記アンモニア吸
収塔に、その底部のアンモニア水を塔頂部に還流
させる循環ラインと、アンモニア水を上記貯留タ
ンクに送る排出ラインと、アンモニア水のアンモ
ニア濃度を検知するセンサと、このセンサの検出
値により上記循環ラインと排出ラインを択一的に
流通せしめる自動切替装置とを設けた構成である
ので、市販の液化アンモニアを原料として、安い
コストで、清浄なアンモニア水を安定的に製造す
ることができる。また、回分式の処理であるの
で、アンモニア吸収塔などの設備が比較的小型の
ものでよく、しかも、濃度センサと自動切替装置
により、一定のアンモニア濃度の製品が生成され
るとともに、自動運転が可能なので回分処理を順
次自動的に行なわしめ、回分処理の煩わしさがな
いなどの優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のアンモニア製造装
置の構成を示す概略図、第2図はアンモニアの濃
度とアンモニア水の導電率の関係を示すグラフで
ある。 3……蒸発器、4……ガスフイルタ、7……ア
ンモニア吸収塔、10……循環ライン、14……
貯留タンク、15……排出ライン、18……導電
率計、19……自動切替装置。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 液化アンモニアを昇温させて気化させる蒸発
    器と、気化されたアンモニアガスを濾過し、不純
    物を除去するフイルタと、この純化されたアンモ
    ニアガスを超純水に溶解、吸収せしめるアンモニ
    ア吸収塔と、このアンモニア吸収塔から排出され
    たアンモニア水を貯留する貯留タンクとを備え、
    上記アンモニア吸収塔には、その底部のアンモニ
    ア水を塔頂部に還流させる循環ラインと、アンモ
    ニア水を上記貯留タンクに送る排出ラインと、ア
    ンモニア水のアンモニア濃度を検知するセンサ
    と、このセンサの検出値により、上記循環ライン
    と排出ラインを択一的に流通せしめる自動切替装
    置とが設けられていることを特徴とするアンモニ
    ア水製造装置。
JP19897685A 1985-09-09 1985-09-09 アンモニア水製造装置 Granted JPS6259521A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19897685A JPS6259521A (ja) 1985-09-09 1985-09-09 アンモニア水製造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19897685A JPS6259521A (ja) 1985-09-09 1985-09-09 アンモニア水製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6259521A JPS6259521A (ja) 1987-03-16
JPH0569772B2 true JPH0569772B2 (ja) 1993-10-01

Family

ID=16400055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19897685A Granted JPS6259521A (ja) 1985-09-09 1985-09-09 アンモニア水製造装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6259521A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5762226B2 (ja) * 2011-09-12 2015-08-12 本田技研工業株式会社 バイオマスの糖化前処理におけるアンモニア処理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51142500A (en) * 1975-06-03 1976-12-08 Nitto Kikai Kk Method of producing aqueous ammonia
JPS6025532A (ja) * 1983-07-21 1985-02-08 Showa Denko Kk 高品質水溶液の製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60112333U (ja) * 1983-12-28 1985-07-30 昭和電工株式会社 高品質水溶液調製装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51142500A (en) * 1975-06-03 1976-12-08 Nitto Kikai Kk Method of producing aqueous ammonia
JPS6025532A (ja) * 1983-07-21 1985-02-08 Showa Denko Kk 高品質水溶液の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6259521A (ja) 1987-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5164049A (en) Method for making ultrapure sulfuric acid
EP0284052B1 (en) Process for producing ultra-pure water and process for using said ultra-pure water
JP3142195B2 (ja) 薬液供給装置
KR20010053300A (ko) 반도체 및 기타 장치 침지처리 방법 및 장치
US7144552B1 (en) Method and apparatus for preparing chemical solutions
GB2185444A (en) Treating wafers with process fluids
KR100742477B1 (ko) 고순도 염산의 제조방법
JP2012012280A (ja) 超高純度硫酸の調製方法
US10381233B2 (en) Method and apparatus for substrate processing
JPH1147584A (ja) マイクロエレクトロニクス産業用の高純度化学薬品の製造方法および製造装置
JPH0569773B2 (ja)
JPH11509980A (ja) 半導体処理用超高純度塩酸の現場での製造
CN103213947B (zh) 一种用于生产超净高纯盐酸的工艺
JPH10231107A (ja) 蒸留装置及び蒸留方法
US5846387A (en) On-site manufacture of ultra-high-purity hydrochloric acid for semiconductor processing
US7311847B2 (en) System and method for point-of-use filtration and purification of fluids used in substrate processing
JPH0569771B2 (ja)
JPH0569772B2 (ja)
JPH0569774B2 (ja)
US20040194806A1 (en) IPA concentration interlock detector for substrate dryer
JP2001527697A (ja) 半導体プロセス用超高純度バッファードhfのオンサイト生成
CN103253634A (zh) 一种用于生产超净高纯盐酸的工艺
US5746993A (en) Process for manufacture of ultra-high purity ammonium hydroxide
KR101675947B1 (ko) 고순도 황산 제조 장치
CN213022555U (zh) 一种低沸点物质取样前处理装置