JPH0567651A

JPH0567651A - ボンデイングツール

Info

Publication number: JPH0567651A
Application number: JP23009691A
Authority: JP
Inventors: Katsuyuki Tanaka; 克享田中; Tsutomu Nakamura; 中村　　勉; Tetsuo Nakai; 哲男中井
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1991-09-10
Filing date: 1991-09-10
Publication date: 1993-03-19
Anticipated expiration: 2012-09-24
Also published as: JP2656864B2

Abstract

(57)【要約】【目的】この発明は、高温時におけるボンディングツ
ールのボンディング面の熱歪を抑制することである。【構成】ボンディングツールは、シャンクと工具先端
部のブランク材との間に第１および第２応力緩和層を備
えている。第１応力緩和層はシャンク材とブランク材の
線膨張係数の中間程度あるいはブランク材と同等の線膨
張係数を有する材料から構成される。第２応力緩和層
は、ヤング率の小さい軟質材料から構成される。ブラン
ク材は基体上に析出された気相合成ダイヤモンドやダイ
ヤモンド焼結体、ダイヤモンド単結晶、バインダレスｃ
ＢＮ焼結体のいずれかから構成される。温度６００℃に
おけるボンディングツールのボンディング面の平坦度は
３μｍ以下に抑制される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体チップの製造
過程で使用されるＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅ
ｄＢｏｎｄｉｎｇ）用ボンディングツールの構造に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体チップ上の電極パッドとパッケー
ジのリードあるいはプリント配線基板のパターンとを電
気的に接続する方法の１つとしてＴＡＢ方式がある。Ｔ
ＡＢ方式は、耐熱樹脂テープの表面にリードパターンを
形成し、半導体チップの電極パッドとこのリードパター
ンが形成されたフィルムキャリアテープのリードとを位
置合わせして接合する方法であり、半導体チップの多ピ
ン化、薄型化の点でワイヤボンディング方式に比べて優
れている。

【０００３】図９はＴＡＢ方式のボンディング装置の構
造図である。リードパターンが形成されたフィルムキャ
リアテープ１２はリール状に成形されており、一方のリ
ールから他方のリールに連続的に送り出される。加熱ス
テージ１５の表面上には半導体チップ１４が載置され
る。そして、半導体チップ１４のバンプとフィルムキャ
リアテープ１２のインナーリード１３とが位置合わせさ
れる。この状態で、５００〜６００℃に加熱されたボン
ディングツール１１がインナーリード１３を半導体チッ
プ１４のバンプに押付けることにより両者が接合され
る。両者の接合は、たとえばフィルムキャリアテープ１
２に形成されたリードパターンがＳｎメッキされた銅で
あり、半導体チップのバンプがＡｕの場合には、両者の
間でＡｕ／Ｓｎ共晶合金が形成されることにより行なわ
れる。現在、半導体チップは大きいもので１６ｍｍ角を
超えており、そのほぼ全周囲にわたって形成されたバン
プに対してすべてのインナーリード１３を均一に接合す
るために、ボンディングツール１１はその表面が平坦で
あることが要求される。たとえば、使用温度が５００〜
６００℃の場合には、ボンディング面（先端面）の平坦
度は最大でも３μｍ以内、理想的には１μｍ以内が要求
される。

【０００４】ボンディングツール１１はツールの基体を
なし、装置の所定の位置に取付けるためのシャンク部
と、ボンディング動作を行なうための先端表面を有する
ブランク（工具先端部）とから構成される。ボンディン
グツールには以下の条件が要求される。

【０００５】（１）上述したように、ボンディングツ
ールのボンディング面の平坦度が最大３μｍ以内である
こと。

【０００６】（２）５００〜６００℃の使用温度にお
いて、ブランク内の温度の差が１０℃以内であること。
温度分布のばらつきが大きいと、ボンディング面の場所
によってはインナーリードと半導体チップのバンプとの
接合部にＡｕ／Ｓｎ共晶の形成が不均一になる。

【０００７】（３）数万〜数百万回のボンディング動
作の繰り返しに耐え得る耐摩耗性があること。

【０００８】このような条件を満足するために、従来は
ボンディングツールのブランクの材料として気相合成ダ
イヤモンド、バインダレスｃＢＮ焼結体、ダイヤモンド
焼結体あるいはダイヤモンド単結晶などが用いられてき
た。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】近年、半導体チップが
多機能高集積化のために大型化傾向を示し、今後は２０
ｍｍ角あるいはそれ以上の半導体チップの実現が予測さ
れる。半導体チップが大型化すると、それに対応してボ
ンディングツールのボンディング面も大きく形成する必
要がある。ところが、ボンディング面を大きくすること
によってブランクが大型化すると、シャンクとブランク
との熱膨張率の違いに起因する熱応力が増大する。そし
て、この熱応力によりブランクの先端面に歪が生じる。
この歪量は５〜１０μｍのオーダで生じる。このためボ
ンディングツールに要求される表面の平坦性の条件を満
たすことができなくなる。図１０は、表面に反りを生じ
たボンディングツールのボンディング動作を示す構造図
である。半導体チップ１４の表面には多数のバンプ１６
とインナーリード１３との接合部が示されている。ブラ
ンクＡの表面に熱応力に起因する反りＲが発生すると、
ボンディング時にすべてのインナーリード１３表面に均
一に接触することができない。このため、インナーリー
ドと半導体チップのバンプ１６との共晶接合の不良が生
じるという問題があった。

【００１０】したがって、この発明は上記のような問題
点を解消するためになされたもので、熱応力に起因する
表面歪の低い、かつボンディング面の大型化が可能なボ
ンディングツールを提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１ないし請求項１
９に係るボンディングツールは、工具先端部とシャンク
との間に少なくとも１層の応力緩和層を介在して接合さ
れている。工具先端部は、Ｓｉ、Ｓｉ₃Ｎ₄を主成分と
する焼結体、ＳｉＣを主成分とする焼結体、ＡｌＮを主
成分とする焼結体および／またはこれらの複合体からな
る基体に気相合成法で析出させた多結晶ダイヤモンドを
被覆したもの、あるいはダイヤモンド単結晶、バインダ
レスｃＢＮ焼結体、ダイヤモンド焼結体のいずれかから
構成される。

【００１２】応力緩和層としては、室温から６００℃ま
での線膨張率が１０×１０^-6／℃以下である材料、ある
いはＡｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔａのうちから選ばれた１種以
上の材料のいずれかから構成される。

【００１３】応力緩和層を２層設ける場合には、第１の
層は室温から６００℃までの線膨張率が１０×１０^-6／
℃以下である材料から構成され、第２の層がＡｕ、Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ｔａのうちから選ばれた１種以上の材料から
構成される。

【００１４】

【作用】応力緩和層は、シャンクと工具先端部との熱膨
張率の差に起因して、特に工具先端部に生じる熱応力を
緩和する。これにより、熱応力による工具先端部の表面
の歪を抑制する。

【００１５】応力緩和層としてＡｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔａ
などの軟質の材料が用いられた場合には、この応力緩和
層が変形することによりシャンクと工具先端部との熱変
形量の差を吸収し熱応力を緩和する。

【００１６】また、応力緩和層が室温から６００℃まで
の線膨張率が１０×１０^-6／℃以下の材料、すなわちシ
ャンクと工具先端部の各々の線膨張率の間にある材料を
用いた場合には、シャンクと応力緩和層および応力緩和
層と工具先端部との相対的な熱変形量を小さくすること
により、熱応力を緩和する。

【００１７】特に、上記の各々の材料からなる２層の応
力緩和層を用いることにより、熱応力の吸収効果はより
増大する。

【００１８】

【実施例】以下、この発明の実施例を図を用いて説明す
る。

【００１９】図１ないし図３および図５ないし図７はこ
の発明によるボンディングツールの断面構造図である。
また、図４および図８は、比較のために作成された従来
のボンディングツールの断面構造図である。

【００２０】実施例１図１を参照して、ボンディングツールは工具先端部Ａ、
第１応力緩和層Ｂ１、第２応力緩和層Ｂ２およびシャン
ク４とを備える。工具先端部Ａは、マイクロ波プラズマ
法により、１辺２０ｍｍ×２０ｍｍ、厚さ３ｍｍのＳｉ
Ｃ焼結体１ｂの上に膜厚５０μｍの気相合成ダイヤモン
ド１ａを被覆して構成されている。第１応力緩和層Ｂ１
は厚さ３ｍｍで線膨張率が４．２×１０^-6／℃のＳｉＣ
焼結体２から構成されている。第２応力緩和層Ｂ２は膜
厚０．１ｍｍの９９．９９％のＡｕ３から構成されてい
る。シャンク４はＮｉ含有量２９％、Ｃｏ含有量１７％
のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金（コバール）から構成されてい
る。工具先端部Ａと第１応力緩和層Ｂ１はＡｇ−Ｃｕ−
Ｔｉ合金ろう材１０によって接合されている。また、第
１応力緩和層Ｂ１と第２応力緩和層Ｂ２は第１接合層Ｃ
１により接合されている。第１接合層Ｃ１は第１応力緩
和層Ｂ１側から順にＴｉ層７、Ｐｔ層８およびＡｕ層９
から構成されている。また、第２応力緩和層Ｂ２とシャ
ンク４とは第２接合層Ｃ２によって接合されている。第
２接合層Ｃ２は第２応力緩和層Ｂ２側から順にＡｕ層６
とＮｉ層５とから構成されている。

【００２１】図１に示すボンディングツールは以下の手
順で作製された。（１）シャンク４の表面に拡散防止層として１μｍ厚
さのＮｉ層５を形成し、さらにその表面上に３μｍ厚さ
のＡｕ層６を被覆し、第２応力緩和層Ｂ２のＡｕ層３と
熱圧着により接合した。

【００２２】（２）第１応力緩和層Ｂ１のＳｉＣ焼結
体２の表面に接合強化層としてＴｉ層７を膜厚１０００
Å形成し、さらにその表面上に拡散防止層としてＰｔ層
８を膜厚３０００Åに、さらにその表面上にＡｕ層９を
膜厚３μｍに被覆し、第２応力緩和層Ｂ２のＡｕ層３と
熱圧着により接合した。

【００２３】（３）工具先端部ＡのＳｉＣ焼結体１と
第１応力緩和層Ｂ１のＳｉＣ焼結体２とＡｇ−Ｃｕ−Ｔ
ｉ合金ろう材１０により真空中で８７０℃でろう付け接
合した。

【００２４】（４）接合後、工具先端面Ａの多結晶ダ
イヤモンド層１ａをラッピングすることにより鏡面仕上
を行ない、常温での平坦度が１μｍ以内、面粗さでＲｍ
ａｘ０．０４μｍのボンディングツールを作製した。

【００２５】また、変形例として、図２および図３に示
すボンディングツールを作製した。図２に示すボンディ
ングツールは、図１に示すボンディングツールに対し
て、応力緩和層としてＡｕ層３からなる第２応力緩和層
Ｂ２のみから構成されている。また、図３に示すボンデ
ィングツールは、図１に示すボンディングツールに対し
て、応力緩和層としてＳｉＣ焼結体２からなる第１応力
緩和層Ｂ１のみを設けたものである。さらに、比較のた
めに、図４に示すように応力緩和層を全く設けていない
ボンディングツールを作製した。

【００２６】図１ないし図４に示す４種類のボンディン
グツールに対し、各々温度６００℃でのボンディング面
の平坦度を測定した。表１は４種類のボンディングツー
ルのボンディング面の平坦度を示している。

【００２７】

【表１】

【００２８】表１に示されるように、高温時の平坦度は
応力緩和層を２層設けたものが最もよい結果を示してい
る。また、図４に示す応力緩和層を設けていないボンデ
ィングツールは、ボンディング面の平坦度の温度変化が
大きく、ボンディングツールとしては使用できなかっ
た。

【００２９】実施例２図５を参照して、ボンディングツールは図１の場合と同
様に、工具先端部Ａ、第１応力緩和層Ｂ１、第２応力緩
和層Ｂ２およびシャンク４とから構成されている。工具
先端部Ａは１辺が８ｍｍ×８ｍｍ、厚さ２ｍｍの合成ダ
イヤモンド単結晶１ｃから構成される。第１応力緩和層
Ｂ１は厚さ３ｍｍで線膨張率が６．０×１０^-6／℃のモ
リブデン２０から構成される。また、第２応力緩和層Ｂ
２は、厚さ０．５ｍｍの９９．９９％のＣｕ層３０から
構成される。さらに、シャンク４はＮｉ３６％のＦｅ−
Ｎｉ合金（インバー合金）から構成される。工具先端部
Ａと第１応力緩和層Ｂ１は接合層Ｃ４により接合され
る。接合層Ｃ４は、合成ダイヤモンド単結晶１ｃの表面
を被覆するＴｉ層７と、その表面を被覆するＰｔ層８
と、さらにＰｔ層８の表面とＭｏ層の表面とを接合する
Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ合金ろう材１０とから構成される。ま
た、第１応力緩和層Ｂ１と第２応力緩和層Ｂ２とシャン
ク４とは各々Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ合金ろう材１０によって
接合されている。

【００３０】図５に示されるようなボンディングツール
を以下の手順で作製した。（１）工具先端部Ａには接合強化層としてＴｉ層７を
膜厚５００Å形成し、さらにその表面にＮｉ層８を膜厚
３μｍ被覆し、ろう付けの下地処理を行なった。

【００３１】（２）シャンク材４、第１応力緩和層の
Ｍｏ層２０、第２応力緩和層のＣｕ層３０および下地処
理を施した工具先端部Ａを各々Ａｕ−Ｃｕ−Ｔｉ合金ろ
う材１０により８７０℃の真空中でろう付け接合をし
た。

【００３２】（３）接合後、工具先端部Ａの合成ダイ
ヤモンド単結晶層１ｃ表面をラッピングすることによっ
て鏡面仕上を行ない、常温での平坦度が１μｍ以内、面
粗さがＲｍａｘ０．０４μｍのボンディングツールを作
製した。

【００３３】また、変形例として図６および図７に示す
ボンディングツールを作製した。図６に示すボンディン
グツールは、図５に示すボンディングツールに対してＭ
ｏ層２０からなる第１応力緩和層を省略し、Ｃｕ層３０
からなる第２応力緩和層Ｂ２のみを設けたものである。
また、図７に示すボンディングツールは図５に示すボン
ディングツールに対してＭｏ層２０からなる第１応力緩
和層のみを設けたものである。さらに、比較のために図
８に示す応力緩和層を全く設けていないボンディングツ
ールを作製した。そして、以上の４種類のボンディング
ツールに対し、各々温度６００℃に昇温した場合のボン
ディング面の平坦度を測定した。表２にその平坦度の測
定結果が示される。

【００３４】

【表２】

【００３５】表２からわかるように、図５に示す応力緩
和層を２層設けたものが最も平坦な表面を有している。
また、図８に示す応力緩和層を設けないボンディングツ
ールは、表面平坦度の温度変化が大きく、ボンディング
ツールとしては使用できなかった。

【００３６】このように、この発明によるボンディング
ツールは、工具先端部Ａと第１応力緩和層Ｂ１、第２応
力緩和層Ｂ２のいずれか一方またはその両者と、シャン
ク４とを備えている。第１応力緩和層Ｂ１は、工具先端
部Ａのブランク材（線膨張係数３〜６×１０^-6／℃）と
シャンク材（線膨張係数１０〜２０×１０^-6／℃）の中
間程度かあるいはブランク材と同等の線膨張率（１０×
１０^-6／℃）以下の材料で構成される。そして、その厚
みは０．３〜５．０ｍｍの範囲が好ましい。厚みが０．
３ｍｍ以下では応力緩和の効果が顕著に現われない。ま
た、５．０ｍｍ以上では経済的な問題や設計上の問題が
生じる。

【００３７】第２応力緩和層は軟質の金属から構成され
る。すなわち、ヤング率の小さい材料を採用することに
より、熱歪によって生じる熱応力を小さくすることがで
きる。また、厚みは０．０５〜１ｍｍの範囲が好まし
い。あまり薄い場合には、効果が現われず、また厚すぎ
る場合には経済的な問題などが発生する。

【００３８】また、工具先端部Ａ、第１および第２応力
緩和層Ｂ１、Ｂ２およびシャンク４の接合には各層を構
成する材料に応じてこれらの材料と反応性に富んだ元素
をろう材に添加して接合する必要がある。このため、上
記の実施例１および実施例２では主に３つの接合方法が
示されている。

【００３９】（１）第１の方法は、周期律表ＩＶａ、
Ｖａ、ＶＩａ、ＶＩＩａ族元素の少なくとも１種以上か
らなる合金のろう材を使用して接合する。

【００４０】（２）第２の方法は、工具先端部Ａや第
１および第２応力緩和層Ｂ１、Ｂ２の接合表面に、周期
律表ＩＶａ、Ｖａ、ＶＩａ、ＶＩＩａ族元素のうち少な
くとも１種以上からなる金属あるいは合金、またはこれ
ら元素の化合物からなる薄膜を被覆し、さらにその表面
に周期律表第ＶＩＩＩ族、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕのうちの１
種以上からなる薄膜を被覆して酸化防止層を形成する。
その後６００℃以上の融点を有するろう材を用いてろう
付け接合を行なう。

【００４１】（３）第３の方法は、工具先端部Ａ、第
１および第２応力緩和層Ｂ１、Ｂ２およびシャンク４の
接合表面に周期律表ＩＶａ、Ｖａ、ＶＩａ、ＶＩＩａ族
元素のうち少なくとも１種以上からなる合金またはこれ
らの化合物からなる薄膜を接着強化層として被覆する。
さらに、その表面に拡散防止層としてＰｔ、Ｐｄ、Ｗ、
Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｉの少なくとも１種以上からなる金属あ
るいは合金の薄膜を形成する。そして、このような下地
処理が施された後、Ａｕを用いた熱圧着法によって接合
する。

【００４２】また、工具先端部Ａのブランク材としては
Ｓｉ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＣ、ＡｌＮを主成分とする焼結
体を基材とする気相合成ダイヤモンド、あるいはダイヤ
モンド単結晶、ダイヤモンド焼結体、バインダレスｃＢ
Ｎ焼結体などが用いられる。

【００４３】また、シャンク材としてはコバール、イン
コネル、インバー合金、ステンレス鋼、Ｍｏ、Ｗ、Ｗ−
Ｃｕ合金、Ｗ−Ｎｉ合金、超硬合金などが用いられる。

【００４４】

【発明の効果】このように、この発明によるボンディン
グツールは、ボンディング面が形成された工具先端部と
シャンクとの間に少なくとも１層以上の応力緩和層を設
けたことにより、シャンクと工具先端部との熱膨張係数
の相違に起因する熱応力を応力緩和層が緩和することに
よってボンディング動作時の高温度下におけるボンディ
ング面の熱歪を低下させ、大型化した半導体チップへの
ボンディング作業を良好に行なわすことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明のボンディングツールの第１の例を示
す断面構造図である。

【図２】この発明によるボンディングツールの第２の例
を示す断面構造図である。

【図３】この発明によるボンディングツールの第３の例
を示す断面構造図である。

【図４】従来のボンディングツールの一例を示す断面構
造図である。

【図５】この発明によるボンディングツールの第４の例
を示す断面構造図である。

【図６】この発明によるボンディングツールの第５の例
を示す断面構造図である。

【図７】この発明によるボンディングツールの第６の例
を示す断面構造図である。

【図８】従来のボンディングツールの一例を示す断面構
造図である。

【図９】ＴＡＢ方式のボンディング装置のボンディング
動作を示す装置構造図である。

【図１０】熱歪の生じたボンディングツールのボンディ
ング作業状態を示す説明図である。

【符号の説明】

４シャンクＡ工具先端部Ｂ１第１応力緩和層Ｂ２第２応力緩和層Ｃ１第１接合層Ｃ２第２接合層Ｃ３第３接合層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ダイヤモンドまたはｃＢＮを主成分とす
る硬質物質のいずれかを工具先端部とし、前記工具先端
部が少なくとも１層以上の応力緩和層を介在してシャン
クと接続されていることを特徴とする、ボンディングツ
ール。
【請求項２】前記工具先端部が、Ｓｉ、Ｓｉ₃Ｎ₄を
主成分とする焼結体、ＳｉＣを主成分とする焼結体、Ａ
ｌＮを主成分とする焼結体および／またはこれらの複合
体からなる基体上に気相合成法で析出させた多結晶ダイ
ヤモンドを被覆した積層体、ダイヤモンド単結晶、バイ
ンダレスｃＢＮ焼結体、ダイヤモンド焼結体のいずれか
１つから構成される、請求項１記載のボンディングツー
ル。
【請求項３】前記応力緩和層が、室温から６００℃ま
での線膨張率が１０×１０^-6／℃以下である材料からな
る、請求項１または請求項２記載のボンディングツー
ル。
【請求項４】前記応力緩和層の厚さが、０．３〜５．
０ｍｍである、請求項３記載のボンディングツール。
【請求項５】前記応力緩和層が、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、
Ｔａのうちから選ばれる少なくとも１つの材料から構成
される、請求項１または請求項２のいずれかに記載のボ
ンディングツール。
【請求項６】前記応力緩和層の厚さが、０．０５〜１
ｍｍである、請求項５記載のボンディングツール。
【請求項７】前記応力緩和層が、室温から６００℃ま
での線膨張率が１０×１０^-6／℃以下である材料から構
成される第１の層と、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔａのうちか
ら選ばれた少なくとも１種類の材料から構成される第２
の層とを含む、請求項１または請求項２のいずれかに記
載のボンディングツール。
【請求項８】前記応力緩和層の前記第１の層の厚さ
が、０．３〜５．０ｍｍである、請求項７記載のボンデ
ィングツール。
【請求項９】前記応力緩和層の第２の層の厚さが０．
０５〜１ｍｍである、請求項７記載のボンディングツー
ル。
【請求項１０】前記工具先端部と前記応力緩和層およ
び／または前記シャンクと前記応力緩和層との接合が、
６００℃以上の融点を有するろう材により行なわれてい
る、請求項１ないし請求項９のいずれかに記載のボンデ
ィングツール。
【請求項１１】前記ろう材は、周期律表ＩＶａ、Ｖ
ａ、ＶＩａ、ＶＩＩａ族元素のうち少なくとも１種以上
を含む合金である、請求項１０記載のボンディングツー
ル。
【請求項１２】前記工具先端部の接合表面には、周期
律表第ＩＶａ、Ｖａ、ＶＩａ、ＶＩＩａ族元素の少なく
とも１種以上からなる金属あるいは合金、またはこれら
元素の化合物からなる薄膜と、周期律表第ＶＩＩＩ族、
Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕのうちの１種以上からなる薄膜とがこ
の順番で被覆された被覆層が形成されており、前記工具先端部は、前記被覆層を介在して６００℃以上
の融点を有するろう材によって前記応力緩和層と接合さ
れている、請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の
ボンディングツール。
【請求項１３】前記工具先端部と前記応力緩和層およ
び／または前記応力緩和層と前記工具先端部との接合
が、熱圧着により形成された金により行なわれている、
請求項１ないし請求項９のいずれかに記載のボンディン
グツール。
【請求項１４】前記工具先端部および／またはシャン
クの接合表面には、周期律表ＩＶａ、Ｖａ、ＶＩａ、Ｖ
ＩＩａ族元素の少なくとも１種以上からなる合金、また
はこれら元素の化合物からなる接着強化層が形成され、
さらに前記接着強化層の表面には、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｍ
ｏ、Ｔａ、Ｎｉのうちから選ばれた少なくとも１種以上
からなる金属あるいは合金の拡散防止層が形成されてい
る、請求項１３記載のボンディングツール。
【請求項１５】前記シャンクは、少なくとも接合側の
一部が、コバール、インコネル、インバー合金、ステン
レス鋼、Ｍｏ、Ｗ、Ｗ−Ｃｕ合金、Ｗ−Ｎｉ合金、超硬
合金のうちから選ばれたいずれか１つからなる、請求項
１ないし請求項１４のいずれかに記載のボンディングツ
ール。
【請求項１６】前記応力緩和層の前記第１の層と前記
第２の層との接合が、６００℃以上の融点を有するろう
材により行なわれている、請求項７ないし請求項９のい
ずれかに記載のボンディングツール。
【請求項１７】前記ろう材は、周期律表ＩＶａ、Ｖ
ａ、ＶＩａ、ＶＩＩａ族元素のうち少なくとも１種以上
を含む合金である、請求項１６記載のボンディングツー
ル。
【請求項１８】前記応力緩和層の前記第１の層と前記
第２の層との接合が、熱圧着により形成された金により
行なわれている、請求項７ないし請求項９のいずれかに
記載のボンディングツール。
【請求項１９】前記応力緩和層の接合表面には、周期
律表ＩＶａ、Ｖａ、ＶＩａ、ＶＩＩａ族元素の少なくと
も１種以上からなる合金、またはこれら元素の化合物か
らなる接着強化層が形成され、さらに前記接着強化層の
表面には、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｉのうちか
ら選ばれた少なくとも１種以上からなる金属あるいは合
金の拡散防止層が形成されている、請求項１８記載のボ
ンディングツール。