JPH0567308A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPH0567308A JPH0567308A JP22343491A JP22343491A JPH0567308A JP H0567308 A JPH0567308 A JP H0567308A JP 22343491 A JP22343491 A JP 22343491A JP 22343491 A JP22343491 A JP 22343491A JP H0567308 A JPH0567308 A JP H0567308A
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- thin film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 再生出力のアンダーシュートを防止して再生
特性を向上させるためにポール部の先端露出面に突起部
を形成した薄膜磁気ヘッドを製造する。 【構成】 研磨された基板１０の表面にリーディン
グポール３６の突起部３６ａを形成するための窪み５２
を形成する。 保護層１２を形成した上にパーマロイ
等を電気めっきして、下部磁性層１４を形成する。
非磁性体５６でカバーリングする。 研磨して下部磁
性層１４を所定の厚さに形成する。 磁気ギャップ層
１６を形成し、その上に各段コイル層および絶縁層を形
成し、さらに上部磁性層３２を形成し、最後に保護層３
４を形成する。そして、所定の位置６０まで切削、研磨
することにより、リーディングポール４０の先端部に突
起部３６ａが形成された薄膜磁気ヘッドが作られる。
特性を向上させるためにポール部の先端露出面に突起部
を形成した薄膜磁気ヘッドを製造する。 【構成】 研磨された基板１０の表面にリーディン
グポール３６の突起部３６ａを形成するための窪み５２
を形成する。 保護層１２を形成した上にパーマロイ
等を電気めっきして、下部磁性層１４を形成する。
非磁性体５６でカバーリングする。 研磨して下部磁
性層１４を所定の厚さに形成する。 磁気ギャップ層
１６を形成し、その上に各段コイル層および絶縁層を形
成し、さらに上部磁性層３２を形成し、最後に保護層３
４を形成する。そして、所定の位置６０まで切削、研磨
することにより、リーディングポール４０の先端部に突
起部３６ａが形成された薄膜磁気ヘッドが作られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、再生信号におけるア
ンダーシュートを低減して再生特性の向上を図るために
ポール部の先端露出面に突起部を形成するようにした薄
膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
ンダーシュートを低減して再生特性の向上を図るために
ポール部の先端露出面に突起部を形成するようにした薄
膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは磁気ディスク装置の記
録および再生手段として用いられている。磁気ディスク
装置に使用されている従来の磁気ヘッドを図２に示す。
図２において（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
矢視図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ矢視図である。ここで
は導体コイルを３層とした場合について示している。
録および再生手段として用いられている。磁気ディスク
装置に使用されている従来の磁気ヘッドを図２に示す。
図２において（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
矢視図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ矢視図である。ここで
は導体コイルを３層とした場合について示している。
【０００３】この薄膜磁気ヘッド１は、鏡面研磨された
清浄なスライダ基板１０として、例えばＡｌ2 Ｏ3 −Ｔ
ｉ系セラミック板等を有し、この基板１０上にはスパッ
タ法によりＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の保護層１２が１０
数μｍ付着され、その上に下部磁性層１４が電気メッキ
により積層されている。下部磁性層１４の上には磁気ギ
ャップ層１６がスパッタ法により積層されて、磁気ギャ
ップ１７を形成している。磁気ギャップ層１６は例えば
保護層１２と同様にＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等で作られて
いる。
清浄なスライダ基板１０として、例えばＡｌ2 Ｏ3 −Ｔ
ｉ系セラミック板等を有し、この基板１０上にはスパッ
タ法によりＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の保護層１２が１０
数μｍ付着され、その上に下部磁性層１４が電気メッキ
により積層されている。下部磁性層１４の上には磁気ギ
ャップ層１６がスパッタ法により積層されて、磁気ギャ
ップ１７を形成している。磁気ギャップ層１６は例えば
保護層１２と同様にＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等で作られて
いる。
【０００４】磁気ギャップ層１６上には第１絶縁層１８
が積層されている。絶縁層には通常、ポジ型のホトレジ
ストが用いられ、熱処理を加えて安定に硬化されてい
る。第１絶縁層１８の上には、第１コイル層２０がＣｕ
等で電気メッキにより数μｍの厚さに形成されている。
第１コイル層２０の上には、さらに同様の方法で第２絶
縁層２２、第２コイル層２４、第３絶縁層２６、第３コ
イル層２８、第４絶縁層３０が順次積層されている。
が積層されている。絶縁層には通常、ポジ型のホトレジ
ストが用いられ、熱処理を加えて安定に硬化されてい
る。第１絶縁層１８の上には、第１コイル層２０がＣｕ
等で電気メッキにより数μｍの厚さに形成されている。
第１コイル層２０の上には、さらに同様の方法で第２絶
縁層２２、第２コイル層２４、第３絶縁層２６、第３コ
イル層２８、第４絶縁層３０が順次積層されている。
【０００５】第４絶縁層３０の上には上部磁性層３２が
電気メッキにより形成されている。上部磁性層３２のポ
ール部と反対側の後部は、下部磁性層１４と密着してい
る。上部磁性層３２の上には、保護層３０がＳｉＯ2 ，
Ａｌ2 Ｏ3 等でスパッタ法により積層されて、全体を覆
っている。
電気メッキにより形成されている。上部磁性層３２のポ
ール部と反対側の後部は、下部磁性層１４と密着してい
る。上部磁性層３２の上には、保護層３０がＳｉＯ2 ，
Ａｌ2 Ｏ3 等でスパッタ法により積層されて、全体を覆
っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の薄膜磁気ヘッド
の上部および下部磁性層１４，３２のポール部（リーデ
ィングポール３６、トレーリングポール３８）の先端部
露出面形状は図２（Ｃ）に示すように、エッジ（リーデ
ィングエッジ４０、トレーリングエッジ４２）が記録媒
体との相対移動方向に対し直角な線上に形成されてい
た。そして、このようなエッジ形状では、再生時に図３
に示すように、記録媒体上の磁化反転部で再生信号にア
ンダーシュートという歪が生じ、読取りエラー等の原因
となっていた。
の上部および下部磁性層１４，３２のポール部（リーデ
ィングポール３６、トレーリングポール３８）の先端部
露出面形状は図２（Ｃ）に示すように、エッジ（リーデ
ィングエッジ４０、トレーリングエッジ４２）が記録媒
体との相対移動方向に対し直角な線上に形成されてい
た。そして、このようなエッジ形状では、再生時に図３
に示すように、記録媒体上の磁化反転部で再生信号にア
ンダーシュートという歪が生じ、読取りエラー等の原因
となっていた。
【０００７】そこで、このような問題を解決するために
ポール部の先端露出面に突起部を形成したものが提案さ
れている。この発明は、このポール部の先端露出面に突
起部を形成する薄膜磁気ヘッドを製造するための薄膜磁
気ヘッドの製造方法を提供しようとするものである。
ポール部の先端露出面に突起部を形成したものが提案さ
れている。この発明は、このポール部の先端露出面に突
起部を形成する薄膜磁気ヘッドを製造するための薄膜磁
気ヘッドの製造方法を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、基板の表面
に前記突起部を形成するための窪みを形成し、この基板
の上に下部磁性層１４を形成し、この下部磁性層を非磁
性体でカバーリングし、この非磁性体を研磨して下部磁
性層を所定の厚さに形成し、この下部磁性層の上に磁気
ギャップ層、各段コイル層、各段絶縁層、上部磁性層お
よび保護層を形成し、その後先端部露出面を所定の位置
まで切削あるいは研磨をして薄膜磁気ヘッドを作ること
を特徴とするものである。
に前記突起部を形成するための窪みを形成し、この基板
の上に下部磁性層１４を形成し、この下部磁性層を非磁
性体でカバーリングし、この非磁性体を研磨して下部磁
性層を所定の厚さに形成し、この下部磁性層の上に磁気
ギャップ層、各段コイル層、各段絶縁層、上部磁性層お
よび保護層を形成し、その後先端部露出面を所定の位置
まで切削あるいは研磨をして薄膜磁気ヘッドを作ること
を特徴とするものである。
【０００９】
【作用】この発明によれば、はじめに基板表面に窪みを
作っておくことにより下部磁性層に突起部を形成するこ
とができ、この窪みを形成したことによりその上に形成
される下部磁性層表面にできる窪みを非磁性層の表面を
研磨することにより取り除いて平坦化することができ、
その上に従来の製法と同様に各層を積層していき最後に
先端部露出面を切削、研磨していくことにより、ポール
部の先端露出面に突起部を形成した薄膜磁気ヘッドを作
ることができる。
作っておくことにより下部磁性層に突起部を形成するこ
とができ、この窪みを形成したことによりその上に形成
される下部磁性層表面にできる窪みを非磁性層の表面を
研磨することにより取り除いて平坦化することができ、
その上に従来の製法と同様に各層を積層していき最後に
先端部露出面を切削、研磨していくことにより、ポール
部の先端露出面に突起部を形成した薄膜磁気ヘッドを作
ることができる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の一実施例を説明する。はじ
めに、この発明の製造方法が適用される薄膜磁気ヘッド
の構成例を図４（ａ）に示す。また、その斜視図を図４
に示す。ここでは、リーディングエッジに突起部を形成
している。前記図２の従来装置と共通する部分には同一
の符号を用いる。
めに、この発明の製造方法が適用される薄膜磁気ヘッド
の構成例を図４（ａ）に示す。また、その斜視図を図４
に示す。ここでは、リーディングエッジに突起部を形成
している。前記図２の従来装置と共通する部分には同一
の符号を用いる。
【００１１】この薄膜磁気ヘッド１は、鏡面研磨された
清浄なスライダ基板１０として、例えばＡｌ2 Ｏ3 −Ｔ
ｉ系セラミック板等を有し、この基板１０上にはスパッ
タ法によりＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の保護層１２が１０
数μｍ付着され、その上に下部磁性層１４が電気メッキ
により積層されている。下部磁性層１４の上には磁気ギ
ャップ層１６がスパッタ法により積層されて、磁気ギャ
ップ１７を形成している。磁気ギャップ層１６は例えば
保護層１２と同様にＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等で作られて
いる。
清浄なスライダ基板１０として、例えばＡｌ2 Ｏ3 −Ｔ
ｉ系セラミック板等を有し、この基板１０上にはスパッ
タ法によりＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の保護層１２が１０
数μｍ付着され、その上に下部磁性層１４が電気メッキ
により積層されている。下部磁性層１４の上には磁気ギ
ャップ層１６がスパッタ法により積層されて、磁気ギャ
ップ１７を形成している。磁気ギャップ層１６は例えば
保護層１２と同様にＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等で作られて
いる。
【００１２】磁気ギャップ層１６上には第１絶縁層１８
が積層されている。絶縁層には通常、ポジ型のホトレジ
ストが用いられ、熱処理を加えて安定に硬化されてい
る。第１絶縁層１８の上には、第１コイル層２０がＣｕ
等で電気メッキにより数μｍの厚さに形成されている。
第１コイル層２０の上には、さらに同様の方法で第２絶
縁層２２、第２コイル層２４、第３絶縁層２６、第３コ
イル層２８、第４絶縁層３０が順次積層されている。
が積層されている。絶縁層には通常、ポジ型のホトレジ
ストが用いられ、熱処理を加えて安定に硬化されてい
る。第１絶縁層１８の上には、第１コイル層２０がＣｕ
等で電気メッキにより数μｍの厚さに形成されている。
第１コイル層２０の上には、さらに同様の方法で第２絶
縁層２２、第２コイル層２４、第３絶縁層２６、第３コ
イル層２８、第４絶縁層３０が順次積層されている。
【００１３】第４絶縁層３０の上には上部磁性層３２が
電気メッキにより形成されている。上部磁性層３２の上
には、保護層３４がＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等でスパッタ
法により積層されて、全体を覆っている。
電気メッキにより形成されている。上部磁性層３２の上
には、保護層３４がＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等でスパッタ
法により積層されて、全体を覆っている。
【００１４】図４（ａ）のＡ部の構造を図４（ｂ）に拡
大して示す。また、先端部露出面形状を図４（ｂ）のＢ
−Ｂ矢視図として図４（ｃ）に示す。下部磁性層１４の
ポール（リーディングポール）３６の先端露出面中央部
には、磁気ギャップ１７と反対側のエッジに突起部３６
ａが形成されている。この突起部３６ａにより、リーデ
ィングエッジ４０の形状は、図４（ｃ）のように記録媒
体との相対移動方向に対して直角な線Ｌから外れた形状
（ここでは中央に台形を有する形状）となる。このよう
なリーディングエッジ形状によれば、図４（ｃ）のよう
に、記録媒体との相対移動方向に対し、リーディングエ
ッジ４０は前方に位置する部分４０ａと後方に位置する
部分４０ｂ，４０ｃに分割された形となるので、再生時
に記録媒体上の磁化反転部（磁化反転部は、磁気ギャッ
プ１７が直線状なので直線状に形成される。）に対し
て、リーディングエッジ４０全体が前記図２のように記
録媒体との相対移動方向に対して直角な線上にある場合
のように一度には通過せずに、分散されて通過するの
で、リーディングエッジ４０により生じるアンダーシュ
ートは図６に実線で示すように、図２の従来装置の場合
（図６に点線で示す）に比べてピークが半分以下に抑え
られて平坦化される。したがって、アンダーシュートに
よるピークがスレッショールドレベルを超えることによ
り生じる読取りエラーをなくすことができる。また、突
起部３６ａとして形成したので、ポール部としての必要
な厚みを確保することができ、再生時の磁気抵抗を低下
させて、再生出力を増大させることができる。なお、突
起部３６ａの高さｄ（図４（ｃ））は０．２〜３μｍ程
度が好ましい。すなわち０．２μｍ未満ではアンダーシ
ュート低減の効果はあまり得られず、３．０μｍ超では
磁気ギャップにおける磁気勾配がなだらかになり、書込
磁界がシャープでなくなる。また、突起部３６ａ以外の
リーディングポール３６の厚さｅは例えば１〜４μｍで
ある。
大して示す。また、先端部露出面形状を図４（ｂ）のＢ
−Ｂ矢視図として図４（ｃ）に示す。下部磁性層１４の
ポール（リーディングポール）３６の先端露出面中央部
には、磁気ギャップ１７と反対側のエッジに突起部３６
ａが形成されている。この突起部３６ａにより、リーデ
ィングエッジ４０の形状は、図４（ｃ）のように記録媒
体との相対移動方向に対して直角な線Ｌから外れた形状
（ここでは中央に台形を有する形状）となる。このよう
なリーディングエッジ形状によれば、図４（ｃ）のよう
に、記録媒体との相対移動方向に対し、リーディングエ
ッジ４０は前方に位置する部分４０ａと後方に位置する
部分４０ｂ，４０ｃに分割された形となるので、再生時
に記録媒体上の磁化反転部（磁化反転部は、磁気ギャッ
プ１７が直線状なので直線状に形成される。）に対し
て、リーディングエッジ４０全体が前記図２のように記
録媒体との相対移動方向に対して直角な線上にある場合
のように一度には通過せずに、分散されて通過するの
で、リーディングエッジ４０により生じるアンダーシュ
ートは図６に実線で示すように、図２の従来装置の場合
（図６に点線で示す）に比べてピークが半分以下に抑え
られて平坦化される。したがって、アンダーシュートに
よるピークがスレッショールドレベルを超えることによ
り生じる読取りエラーをなくすことができる。また、突
起部３６ａとして形成したので、ポール部としての必要
な厚みを確保することができ、再生時の磁気抵抗を低下
させて、再生出力を増大させることができる。なお、突
起部３６ａの高さｄ（図４（ｃ））は０．２〜３μｍ程
度が好ましい。すなわち０．２μｍ未満ではアンダーシ
ュート低減の効果はあまり得られず、３．０μｍ超では
磁気ギャップにおける磁気勾配がなだらかになり、書込
磁界がシャープでなくなる。また、突起部３６ａ以外の
リーディングポール３６の厚さｅは例えば１〜４μｍで
ある。
【００１５】また、図４の実施例では突起部３６ａの後
端部３６ｅの位置をスロートハイトゼロ位置６２の近傍
位置としたが、図７のように突起部３６ａを長く伸ばし
て下部磁性層１４の厚みが厚くなっているコア増厚部３
７に重ねる（つなげる）こともできる。ただし、このよ
うにすると、書込み時にポール部３６，３８の磁気飽和
に影響することがある。すなわち、再生時のアンダーシ
ュート防止の効果は突起部３６ａの長さにかかわらず得
られ、例えば図７のように突起部３６ａの後端部をコア
増厚部３７に重ねることもできるが、このようにする
と、突起部３６ａの高さが比較的高く、その断面積が大
きい場合には、書込み時に書込電流の大小によりポール
の磁気飽和状態が図８のように変化することがある。図
８の説明を表１に示す。
端部３６ｅの位置をスロートハイトゼロ位置６２の近傍
位置としたが、図７のように突起部３６ａを長く伸ばし
て下部磁性層１４の厚みが厚くなっているコア増厚部３
７に重ねる（つなげる）こともできる。ただし、このよ
うにすると、書込み時にポール部３６，３８の磁気飽和
に影響することがある。すなわち、再生時のアンダーシ
ュート防止の効果は突起部３６ａの長さにかかわらず得
られ、例えば図７のように突起部３６ａの後端部をコア
増厚部３７に重ねることもできるが、このようにする
と、突起部３６ａの高さが比較的高く、その断面積が大
きい場合には、書込み時に書込電流の大小によりポール
の磁気飽和状態が図８のように変化することがある。図
８の説明を表１に示す。
【００１６】 表１ 〔図８(a) 〕 〔図８(b) 〕 〔図８(c) 〕 書込み電流： 小 中 大 ポールの磁気飽和： 無し 飽和寸前 飽和大 書込磁界： 弱すぎて書けない 強くてシャープ 強い磁界でブロー な磁界が生じる ドに生じる 記録密度： − 高い 低い
【００１７】すなわち、突起部３６ａがコア増厚部３７
に重なると、スロートハイトゼロ位置６２の近傍で下部
磁性層１４が厚くなりすぎ、書込電流を大きくしていく
と、磁気飽和が適正箇所（スロートハイトゼロ位置６２
の近傍）にとどまらず、ポール部３６，３８にかけて広
く生じてしまう。このため、シャープな磁界が得られな
くなり、記録密度が低下する。したがって、書込み電流
をうまく調整しないと、図８（ａ），（ｃ）のような現
象が生じる。そして、図８（ｂ）のようにちょうどよい
磁界を安定して得るための製造プロセス、スロートハイ
トの調整は困難をきわめ、歩留りが悪くなる可能性があ
る。
に重なると、スロートハイトゼロ位置６２の近傍で下部
磁性層１４が厚くなりすぎ、書込電流を大きくしていく
と、磁気飽和が適正箇所（スロートハイトゼロ位置６２
の近傍）にとどまらず、ポール部３６，３８にかけて広
く生じてしまう。このため、シャープな磁界が得られな
くなり、記録密度が低下する。したがって、書込み電流
をうまく調整しないと、図８（ａ），（ｃ）のような現
象が生じる。そして、図８（ｂ）のようにちょうどよい
磁界を安定して得るための製造プロセス、スロートハイ
トの調整は困難をきわめ、歩留りが悪くなる可能性があ
る。
【００１８】これに対し、前記図４（ｂ）のように、突
起部３６ａの後端部３６ｅをコア増厚部３７に重ならな
い位置に形成すれはコア増厚部３７の厚みｎｃや、突起
部３６ａを含むリーディングポール３６全体の厚みｎａ
よりも小さな厚みｎｂを有する肉薄部６４が形成される
ので、書込み時に適正位置（スローハイトゼロ位置６
２）の近傍のみで磁気飽和が生じやすくなる。図４の薄
膜磁気ヘッド１における書込電流の大小によるポールの
磁気飽和状態を図９に示す。また、その説明を表２に示
す。
起部３６ａの後端部３６ｅをコア増厚部３７に重ならな
い位置に形成すれはコア増厚部３７の厚みｎｃや、突起
部３６ａを含むリーディングポール３６全体の厚みｎａ
よりも小さな厚みｎｂを有する肉薄部６４が形成される
ので、書込み時に適正位置（スローハイトゼロ位置６
２）の近傍のみで磁気飽和が生じやすくなる。図４の薄
膜磁気ヘッド１における書込電流の大小によるポールの
磁気飽和状態を図９に示す。また、その説明を表２に示
す。
【００１９】 表２ 〔図９(a) 〕 〔図９(b) 〕 〔図９(c) 〕 書込み電流： 小 中 大 ポールの磁気飽和： 無し 肉薄部64は飽和す 肉薄部64とコア増 るが、ポール部36 厚部37の一部が飽 は飽和しない 和するが、ポール 部36は飽和しない 書込磁界： 弱すぎて書けない 強くてシャープな 強くてシャープな 磁界が生じる 磁界が生じる 記録密度： − 高い 高い
【００２０】すなわち、図４の薄膜磁気ヘッド１によれ
ば、書込電流を大きくすると、下部磁性層１４の肉薄部
１４ａがあるスローハイトゼロ位置６２の付近が磁気飽
和するだけで、ここでポール部３６へ流れ込む総磁束数
が制約されてしまうため、ポール部３６の磁気飽和は生
じず、強くてシャープな書込磁界が得られる。したがっ
て、強くてシャープな書込磁界が安定して得られる書込
電流の範囲が広いため製造プロセス、スレートハイト調
整にさほど厳密さが要求されず、歩留りを向上させるこ
とができる。
ば、書込電流を大きくすると、下部磁性層１４の肉薄部
１４ａがあるスローハイトゼロ位置６２の付近が磁気飽
和するだけで、ここでポール部３６へ流れ込む総磁束数
が制約されてしまうため、ポール部３６の磁気飽和は生
じず、強くてシャープな書込磁界が得られる。したがっ
て、強くてシャープな書込磁界が安定して得られる書込
電流の範囲が広いため製造プロセス、スレートハイト調
整にさほど厳密さが要求されず、歩留りを向上させるこ
とができる。
【００２１】なお、図１０は図４の薄膜磁気ヘッドと図
２の従来の薄膜磁気ヘッドについて、書込電流１２．５
ｍＡで書込周波数を様々に変えて書込んだ場合の再生出
力電圧特性を示したものである。これによれば、図４の
薄膜磁気ヘッドのほうが突起部３６ａを有する分肉厚な
ので、磁気抵抗が小さく、再生出力が高い。しかも従来
の薄膜磁気ヘッドは周波数が高くなると波長が短くな
り、アンダーシュートと隣のメインピークが重なり、見
かけ上再生信号が増減するので周波数によって再生特性
にうねりが生じる。これに対して図４の薄膜磁気ヘッド
では、アンダーシュートが低減されるので再生特性のう
ねりが少ない。
２の従来の薄膜磁気ヘッドについて、書込電流１２．５
ｍＡで書込周波数を様々に変えて書込んだ場合の再生出
力電圧特性を示したものである。これによれば、図４の
薄膜磁気ヘッドのほうが突起部３６ａを有する分肉厚な
ので、磁気抵抗が小さく、再生出力が高い。しかも従来
の薄膜磁気ヘッドは周波数が高くなると波長が短くな
り、アンダーシュートと隣のメインピークが重なり、見
かけ上再生信号が増減するので周波数によって再生特性
にうねりが生じる。これに対して図４の薄膜磁気ヘッド
では、アンダーシュートが低減されるので再生特性のう
ねりが少ない。
【００２２】なお、図４（ｂ）において突起部後端部３
６ｅの位置はスロートハイトゼロ位置６２を原点とし
て、＋側は先端露出面にきわめて近い位置（スローハイ
トゼロは通常０．５〜５μｍ程度）から−側はコア増厚
部３７に接触せずかつ−２０μｍまでの範囲内に設定す
るのが好ましい。
６ｅの位置はスロートハイトゼロ位置６２を原点とし
て、＋側は先端露出面にきわめて近い位置（スローハイ
トゼロは通常０．５〜５μｍ程度）から−側はコア増厚
部３７に接触せずかつ−２０μｍまでの範囲内に設定す
るのが好ましい。
【００２３】図４の薄膜磁気ヘッドをこの発明を利用し
て製造する方法の一実施例を図１の工程図により説明す
る。 研磨された基板１０の表面にリーディングポール３
６の突起部３６ａを形成するための窪み５２を形成す
る。これは、例えば図１１のようにして行なわれる。す
なわち、（ａ）基板１０にホトレジスト５４を塗布し、
（ｂ）ホトリソグラフィにより窪み５２のパターン５６
を形成し、（ｃ）リフローし、（ｄ）イオンエッチング
でパターン５６内に露出している基板１０を削り、これ
により、（ｅ）窪み５２を形成する。なお、窪み５５も
同様にして形成する。 保護層１２を形成した上にパーマロイ等を電気めっ
きして、下部磁性層１４を形成する。 非磁性体５６でカバーリングする。 研磨して下部磁性層１４を所定の厚さに形成する。 磁気ギャップ層１６を形成し、その上に各段コイル
層および絶縁層を形成し、さらに上部磁性層３２を形成
し、最後に保護層３４を形成する。そして、所定の位置
６０まで切削、研磨して完成する。これにより、リーデ
ィングポール４０の先端部に突起部３６ａが形成された
薄膜磁気ヘッドが作られる。
て製造する方法の一実施例を図１の工程図により説明す
る。 研磨された基板１０の表面にリーディングポール３
６の突起部３６ａを形成するための窪み５２を形成す
る。これは、例えば図１１のようにして行なわれる。す
なわち、（ａ）基板１０にホトレジスト５４を塗布し、
（ｂ）ホトリソグラフィにより窪み５２のパターン５６
を形成し、（ｃ）リフローし、（ｄ）イオンエッチング
でパターン５６内に露出している基板１０を削り、これ
により、（ｅ）窪み５２を形成する。なお、窪み５５も
同様にして形成する。 保護層１２を形成した上にパーマロイ等を電気めっ
きして、下部磁性層１４を形成する。 非磁性体５６でカバーリングする。 研磨して下部磁性層１４を所定の厚さに形成する。 磁気ギャップ層１６を形成し、その上に各段コイル
層および絶縁層を形成し、さらに上部磁性層３２を形成
し、最後に保護層３４を形成する。そして、所定の位置
６０まで切削、研磨して完成する。これにより、リーデ
ィングポール４０の先端部に突起部３６ａが形成された
薄膜磁気ヘッドが作られる。
【００２４】なお、図４では下部磁性層１４が下方に突
出したコア増厚部３７を有していたが、図１２（ａ）の
ように上方に突出したコア増厚部３７を有するものにも
この発明を適用できる。その場合、突起部後端部３６ａ
をコア増厚部３７に到達しない位置に形成して、肉薄部
６４を形成する。また、突起部３６ａはエッジの中央部
に限らず、図１２（ｂ）のように両側に設けることもで
きる。また、リーディングポール３６の形状は図１２
（ｃ）のようにポール中央部に凹部３６ｂを形成するこ
とでポール両側に突起部３６ａを設けることもできる。
出したコア増厚部３７を有していたが、図１２（ａ）の
ように上方に突出したコア増厚部３７を有するものにも
この発明を適用できる。その場合、突起部後端部３６ａ
をコア増厚部３７に到達しない位置に形成して、肉薄部
６４を形成する。また、突起部３６ａはエッジの中央部
に限らず、図１２（ｂ）のように両側に設けることもで
きる。また、リーディングポール３６の形状は図１２
（ｃ）のようにポール中央部に凹部３６ｂを形成するこ
とでポール両側に突起部３６ａを設けることもできる。
【００２５】さらに、図１３（ａ）の円弧状の突起部３
６ａを設けた形状、（ｂ）の円弧状の凹部３６ｄを形成
しポール両側に突起部３６ａを設けた形状、（ｃ）の波
状の凹凸部３６ｆを形成しポール両側に突起部３６ａを
設けた形状にもこの発明を適用することができる。ま
た、（ｄ）のように、トレーリングエッジ４２およびリ
ーディングエッジ４０の両方に凹部３６ｂ，３８ｂを形
成しポール両側に突起部３６ａを設けた形状、（ｅ）の
ようにトレーリングエッジ４２のみ突出部３６ａを設け
た形状、または凹部を形成することにより突起部を設け
た形状にしたり、（ｆ）のようにトレーリングエッジ４
２およびリーディングエッジ４０の両方に突起部３６ａ
を形成する場合、さらには（ｇ）のように略三角形状の
突起部３６ａを設けた形状とする場合にもこの発明を適
用することができる。
６ａを設けた形状、（ｂ）の円弧状の凹部３６ｄを形成
しポール両側に突起部３６ａを設けた形状、（ｃ）の波
状の凹凸部３６ｆを形成しポール両側に突起部３６ａを
設けた形状にもこの発明を適用することができる。ま
た、（ｄ）のように、トレーリングエッジ４２およびリ
ーディングエッジ４０の両方に凹部３６ｂ，３８ｂを形
成しポール両側に突起部３６ａを設けた形状、（ｅ）の
ようにトレーリングエッジ４２のみ突出部３６ａを設け
た形状、または凹部を形成することにより突起部を設け
た形状にしたり、（ｆ）のようにトレーリングエッジ４
２およびリーディングエッジ４０の両方に突起部３６ａ
を形成する場合、さらには（ｇ）のように略三角形状の
突起部３６ａを設けた形状とする場合にもこの発明を適
用することができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、はじめに基板表面に窪みを作っておくことにより下
部磁性層に突起部を形成することができ、この窪みを形
成したことによりその上に形成される下部磁性層表面に
できる窪みを非磁性層の表面を研磨することにより取り
除いて平坦化することができ、その上に従来の製法と同
様に各層を積層していき最後に先端部露出面を切削、研
磨していくことにより、ポール部の先端露出面に突起部
を形成した薄膜磁気ヘッドを作ることができる。
ば、はじめに基板表面に窪みを作っておくことにより下
部磁性層に突起部を形成することができ、この窪みを形
成したことによりその上に形成される下部磁性層表面に
できる窪みを非磁性層の表面を研磨することにより取り
除いて平坦化することができ、その上に従来の製法と同
様に各層を積層していき最後に先端部露出面を切削、研
磨していくことにより、ポール部の先端露出面に突起部
を形成した薄膜磁気ヘッドを作ることができる。
【図１】 この発明の一実施例を示す工程図である。
【図２】 従来の薄膜磁気ヘッドを示す図である。
【図３】 従来の薄膜磁気ヘッドにおけるアンダーシュ
ートの発生状況を示す図である。
ートの発生状況を示す図である。
【図４】 この発明が適用される薄膜磁気ヘッドの一例
を示す図である。
を示す図である。
【図５】 図４の薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
【図６】 図４の薄膜磁気ヘッドと図２の薄膜磁気ヘッ
ドの磁化反転部での再生出力電圧波形を示す図である。
ドの磁化反転部での再生出力電圧波形を示す図である。
【図７】 この発明が適用される他の薄膜磁気ヘッドを
示す図である。
示す図である。
【図８】 突起部３６ａの後端部がコア増厚部３７に重
なっている場合の書込電流値と磁気飽和の関係を示す図
である。
なっている場合の書込電流値と磁気飽和の関係を示す図
である。
【図９】 図４の薄膜磁気ヘッドにおける書込電流値と
磁気飽和の関係を示す図である。
磁気飽和の関係を示す図である。
【図１０】 図４の薄膜磁気ヘッドと図２の薄膜磁気ヘ
ッドの書込周波数に対する再生出力電圧の特性を示す図
である。
ッドの書込周波数に対する再生出力電圧の特性を示す図
である。
【図１１】 図１の窪み５２を形成する工程の一例を
示す図である。
示す図である。
【図１２】 この発明が適用される各種薄膜磁気ヘッド
を示す図である。
を示す図である。
【図１３】 この発明が適用される各種薄膜磁気ヘッド
を示す図である。
を示す図である。
１ 薄膜磁気ヘッド １０ 基板 １４ 下部磁性層 １６ 磁気ギャップ層 １７ 磁気ギャップ １８，２２，２６，３０ 非磁性絶縁層 ３２ 上部磁性層 ３６ リーディングポール（ポール部） ３６ａ 突起部 ３７ コア増厚部 ３８ トレーリングポール（ポール部） ４０ リーディングエッジ（磁気ギャップと反対側のエ
ッジ） ４２ トレーリングエッジ（磁気ギャップと反対側のエ
ッジ） ５２ 窪み ５６ 非磁性体 ６０ 先端部露出面を切削、研磨する所定位置
ッジ） ４２ トレーリングエッジ（磁気ギャップと反対側のエ
ッジ） ５２ 窪み ５６ 非磁性体 ６０ 先端部露出面を切削、研磨する所定位置
Claims (1)
- 【請求項１】上部磁性層および下部磁性層間に磁気ギャ
ップを形成する磁気ギャップ層と一層または複数層の導
体コイルおよびこの導体コイルを保護する非磁性絶縁層
とを積層してなり、前記上部磁性層、下部磁性層の少く
とも一方のポール部の磁気ギャップ層と反対側の面に突
起部を先端露出面から形成し、ポール部先端露出面にお
ける磁気ギャップと反対側のエッジを記録媒体との相対
移動方向に対して直角な線上から外れた形状に形成して
なる薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、基板の表
面に前記突起部を形成するための窪みを形成し、 この基板の上に下部磁性層１４を形成し、 この下部磁性層を非磁性体でカバーリングし、 この非磁性体を研磨して下部磁性層を所定の厚さに形成
し、 この下部磁性層の上に磁気ギャップ層、各段コイル層、
各段絶縁層、上部磁性層および保護層を形成し、 その後先端部露出面を所定の位置まで切削あるいは研磨
をして薄膜磁気ヘッドを作ることを特徴とする薄膜磁気
ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3223434A JP2586763B2 (ja) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3223434A JP2586763B2 (ja) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3081458A Division JP2636539B2 (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567308A true JPH0567308A (ja) | 1993-03-19 |
| JP2586763B2 JP2586763B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=16798088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3223434A Expired - Lifetime JP2586763B2 (ja) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2586763B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6480371A (en) * | 1987-07-02 | 1989-03-27 | Kabivitrum Ab | Injecting method and apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6045916A (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-12 | Canon Inc | 薄膜磁気ヘツド |
-
1991
- 1991-08-08 JP JP3223434A patent/JP2586763B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6045916A (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-12 | Canon Inc | 薄膜磁気ヘツド |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6480371A (en) * | 1987-07-02 | 1989-03-27 | Kabivitrum Ab | Injecting method and apparatus |
| JPH0661361B2 (ja) * | 1987-07-02 | 1994-08-17 | カビ・フアーマシア・アクチエボラーグ | 注射方法および注射装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2586763B2 (ja) | 1997-03-05 |
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