JPH0566993U - Ｃｃｄイメージセンサ - Google Patents
ＣｃｄイメージセンサInfo
- Publication number
- JPH0566993U JPH0566993U JP014457U JP1445792U JPH0566993U JP H0566993 U JPH0566993 U JP H0566993U JP 014457 U JP014457 U JP 014457U JP 1445792 U JP1445792 U JP 1445792U JP H0566993 U JPH0566993 U JP H0566993U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- light
- ccd
- receiving element
- cover glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＣＣＤ受光素子の受光画素以外への光照射を
防止してＣＣＤイメージセンサの信頼性を高める。 【構成】 ケーシング１に内装したＣＣＤ受光素子２の
前方に位置されるカバーガラス４の外面及び内面にそれ
ぞれ光不透過材料を蒸着形成し、ＣＣＤ受光素子の受光
画素３に対応する部分に窓５ａを有する薄膜マスク５，
５を設ける。カバーガラス４の外面及び内面のそれぞれ
に設けた薄膜マスク５，５のアパーチャ効果により、斜
め方向からの光が受光画素３以外に照射されることを防
止する。
防止してＣＣＤイメージセンサの信頼性を高める。 【構成】 ケーシング１に内装したＣＣＤ受光素子２の
前方に位置されるカバーガラス４の外面及び内面にそれ
ぞれ光不透過材料を蒸着形成し、ＣＣＤ受光素子の受光
画素３に対応する部分に窓５ａを有する薄膜マスク５，
５を設ける。カバーガラス４の外面及び内面のそれぞれ
に設けた薄膜マスク５，５のアパーチャ効果により、斜
め方向からの光が受光画素３以外に照射されることを防
止する。
Description
【０００１】
本考案はＣＣＤイメージセンサに関し、特に画素以外への光照射を防止した構 造に関する。
【０００２】
従来のＣＣＤイメージセンサの一例を図２に示す。同図（ａ）は正面図、同図 （ｂ）はそのＢ−Ｂ線断面図である。箱型のケーシング１内にＣＣＤ受光素子２ が内装され、カバーガラス４で封止される。このカバーガラス４の表面には金属 製のマスク６を接着剤７で接着しており、このマスク６にはＣＣＤ受光素子２の 受光画素３に対応する部分にのみ窓６ａを設けてある。この構成のＣＣＤイメー ジセンサでは、図外のレンズ系により結像される光のうち、マスク６の窓を通し た光のみがカバーガラス４を透過してＣＣＤ受光素子２の受光画素３に照射され 、イメージ信号を出力する。
【０００３】
このような従来のＣＣＤイメージセンサでは、レンズ系からの強い光や乱反射 光をマスク６で遮光するために、ＣＣＤ受光素子２では受光画素３以外の受光面 に光が照射されることはなく、得られるイメージ信号に縞模様が生じる等の画質 の劣化を防止することができる。 しかしながら、この構造では、マスク６をカバーガラス４に貼り付ける際に、 受光画素３に対して高精度に位置合わせを行う必要があるため、製造が極めて困 難になるとともに、位置ずれが生じ易く、位置ずれが生じたときには受光画素３ 以外にも光が照射されることになり、所期の目的が達せられなくなる。
【０００４】 又、マスクを高精度に位置決めした場合でも、カバーガラス４と受光画素３と の間隔が大きいため、ＣＣＤイメージセンサの正面に対して斜め方向から入射さ れた光がマスク６を通過した後に受光画素３以外の箇所に照射されるという問題 もある。 本考案の目的は、受光画素以外への光照射を防止して信頼性を高めたＣＣＤイ メージセンサを提供することにある。
【０００５】
本考案は、ケーシングに内装したＣＣＤ受光素子の前面に位置されるカバーガ ラスの外面及び内面にそれぞれ光不透過材料を蒸着形成し、ＣＣＤ受光素子の受 光画素に対応する部分に窓を有する薄膜マスクを設けている。
【０００６】
カバーガラスの外面及び内面のそれぞれに設けた薄膜マスクのアパーチャ効果 により、斜め方向からの光がＣＣＤ受光素子に照射されることを防止する。
【０００７】
次に、本考案について図面を参照して説明する。図１は本考案の一実施例を示 しており、同図（ａ）は正面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。同図 において、１はケーシング、２はケーシング１内に内装されたＣＣＤ受光素子、 ４はこのケーシング１の開口に取着されてＣＣＤ受光素子２を封止するカバーガ ラスである。又、３は前記ＣＣＤ受光素子２に設けられた受光画素である。
【０００８】 前記カバーガラス４は、その表面（外面）及び裏面（内面）にそれぞれ金属等 の光不透過材料を蒸着した薄膜マスク５，５を形成している。この薄膜マスク５ は、例えばＣＣＤ受光素子２を製造する際に、受光画素３を形成する工程で用い られるフォトマスクを利用して蒸着処理を行うことで、受光画素３と同一形状で 、しかも受光画素３に対応する位置に窓５ａを有するマスクとして形成すること ができる。又、カバーガラス４及び薄膜マスク５の受光画素３に対する位置決め も、光学手段を利用した位置決め装置を利用することで、受光画素３及びケーシ ング１に対して高精度に位置決めを行うことができる。
【０００９】 したがって、この構成では、受光画素３に対して薄膜マスク５を高精度に位置 決めすることが可能となる。又、カバーガラス４の外面と内面の両方に薄膜マス ク５を形成しているため、これらによるアパーチャ効果によって、カバーガラス ４とＣＣＤ受光素子２の受光画素３との間隔が大きい場合でも斜め方向からの光 が受光画素３以外に照射されることが回避できる。
【００１０】
以上説明したように本考案は、カバーガラスの外面と内面の両方に蒸着形成し た薄膜マスクを設け、これらマスクでＣＣＤ受光素子への光照射を規制している ので、マスクを高精度に製造できるとともに、薄膜マスクのアパーチャ効果によ ってＣＣＤ受光素子に対して斜め方向から光が照射されることはなく、受光画素 以外への光照射を有効に防止することができる効果がある。
【図１】本考案の一実施例を示し、（ａ）は正面図、
（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。
（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。
【図２】従来のＣＣＤイメージセンサの一例を示し、
（ａ）は正面図、（ｂ）はそのＢ−Ｂ線断面図である。
（ａ）は正面図、（ｂ）はそのＢ−Ｂ線断面図である。
１ ケーシング ２ ＣＣＤ受光素子 ３ 受光画素 ４ カバーガラス ５ 薄膜マスク
Claims (1)
- 【請求項１】 ケーシングに内装したＣＣＤ受光素子
を、ケーシングに取着したカバーガラスで封止してなる
ＣＣＤイメージセンサにおいて、前記カバーガラスの外
面及び内面にそれぞれ光不透過材料を蒸着形成し、ＣＣ
Ｄ受光素子の受光画素に対応する部分に窓を有する薄膜
マスクを設けたことを特徴とするＣＣＤイメージセン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP014457U JPH0566993U (ja) | 1992-02-15 | 1992-02-15 | Ｃｃｄイメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP014457U JPH0566993U (ja) | 1992-02-15 | 1992-02-15 | Ｃｃｄイメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0566993U true JPH0566993U (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=11861577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP014457U Pending JPH0566993U (ja) | 1992-02-15 | 1992-02-15 | Ｃｃｄイメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0566993U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014142644A (ja) * | 2014-02-12 | 2014-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2016015479A (ja) * | 2014-06-09 | 2016-01-28 | Ｈｏｙａ Ｃａｎｄｅｏ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ株式会社 | 光学素子 |
-
1992
- 1992-02-15 JP JP014457U patent/JPH0566993U/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014142644A (ja) * | 2014-02-12 | 2014-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2016015479A (ja) * | 2014-06-09 | 2016-01-28 | Ｈｏｙａ Ｃａｎｄｅｏ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ株式会社 | 光学素子 |
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