JPH0566424A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH0566424A JPH0566424A JP22684691A JP22684691A JPH0566424A JP H0566424 A JPH0566424 A JP H0566424A JP 22684691 A JP22684691 A JP 22684691A JP 22684691 A JP22684691 A JP 22684691A JP H0566424 A JPH0566424 A JP H0566424A
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- electrode
- substrate
- display device
- crystal display
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Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、大容量表示でありながら高コント
ラスト比の液晶表示装置を提供することを目的とする。 【構成】この発明の液晶表示装置は、信号電極を有する
基板１０と複数の走査電極を有する基板１３の少なくと
も一方の基板上にて、信号電極あるいは走査電極に、非
線形抵抗素子からなるスイッチング素子８を通して画素
電極９を電気的に接続せしめた、２枚の基板間に液晶を
挾持して相対向させることにより複数個の画素が形成さ
れ、画素は１／Ｎデュ−ティで時分割駆動され、且つ、
ｍ≦Ｎ／２なる走査線ｍ本ごとに極性反転駆動されてな
り、更に画素電極およびスイッチング素子８が形成され
た基板が、絶縁基板１と、その上の画素領域の少なくと
も一部に形成され２ｍｎ本（ｎは自然数）の走査線にま
たがる透明導電層２と、それを被覆する透明絶縁層３と
から構成され、上記の目的を達成することが出来る。
ラスト比の液晶表示装置を提供することを目的とする。 【構成】この発明の液晶表示装置は、信号電極を有する
基板１０と複数の走査電極を有する基板１３の少なくと
も一方の基板上にて、信号電極あるいは走査電極に、非
線形抵抗素子からなるスイッチング素子８を通して画素
電極９を電気的に接続せしめた、２枚の基板間に液晶を
挾持して相対向させることにより複数個の画素が形成さ
れ、画素は１／Ｎデュ−ティで時分割駆動され、且つ、
ｍ≦Ｎ／２なる走査線ｍ本ごとに極性反転駆動されてな
り、更に画素電極およびスイッチング素子８が形成され
た基板が、絶縁基板１と、その上の画素領域の少なくと
も一部に形成され２ｍｎ本（ｎは自然数）の走査線にま
たがる透明導電層２と、それを被覆する透明絶縁層３と
から構成され、上記の目的を達成することが出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は液晶表示装置に係り、
特に非線形抵抗素子からなるスイッチング素子を各画素
に組み込んだ液晶表示装置に関する。
特に非線形抵抗素子からなるスイッチング素子を各画素
に組み込んだ液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示装置は、時計・電卓・計
測機器等の比較的簡単なものから、パ−ソナル・コンピ
ュ−タ，ワ−ド・プロセッサ，更にＯＡ用の端末機器，
ＴＶ画像表示等の大容量情報表示用として使用されてき
ている。
測機器等の比較的簡単なものから、パ−ソナル・コンピ
ュ−タ，ワ−ド・プロセッサ，更にＯＡ用の端末機器，
ＴＶ画像表示等の大容量情報表示用として使用されてき
ている。
【０００３】こうした大容量の液晶表示装置には、ＳＴ
Ｎ（Super Twisted Nematic)型の液晶表示装置が使用さ
れているが、液晶自身の電気光学特性における閾値特性
の急峻性を利用しているため、表示部分（ＯＮ画素）と
非表示部分（ＯＦＦ画素）のコントラスト比の点では、
２００本程度の走査電極を有する場合でも不十分であ
り、更に走査電極が５００本以上の大規模なマトリクス
表示を行なう場合には、コントラスト比の低下が致命的
であった。又、応答速度の点でも１００msec乃至３００
msecと遅く、コンピュ−タの端末ディスプレイなどの高
度な利用には無理があった。
Ｎ（Super Twisted Nematic)型の液晶表示装置が使用さ
れているが、液晶自身の電気光学特性における閾値特性
の急峻性を利用しているため、表示部分（ＯＮ画素）と
非表示部分（ＯＦＦ画素）のコントラスト比の点では、
２００本程度の走査電極を有する場合でも不十分であ
り、更に走査電極が５００本以上の大規模なマトリクス
表示を行なう場合には、コントラスト比の低下が致命的
であった。又、応答速度の点でも１００msec乃至３００
msecと遅く、コンピュ−タの端末ディスプレイなどの高
度な利用には無理があった。
【０００４】この液晶表示装置の持つ欠点を解決するた
めの開発が、各所で盛んに行なわれている。その１つの
方向が、個々の画素を直接にスイッチ駆動するものであ
る。その場合のスイッチング素子として、薄膜トランジ
スタが採用されている。薄膜トランジスタ素子を構成す
る半導体として、これまで単結晶シリコン，セレン化カ
ドミウムおよびテルル等の種々の材料が提案されてきた
が、現在は非晶質シリコンが最も多く研究されている。
めの開発が、各所で盛んに行なわれている。その１つの
方向が、個々の画素を直接にスイッチ駆動するものであ
る。その場合のスイッチング素子として、薄膜トランジ
スタが採用されている。薄膜トランジスタ素子を構成す
る半導体として、これまで単結晶シリコン，セレン化カ
ドミウムおよびテルル等の種々の材料が提案されてきた
が、現在は非晶質シリコンが最も多く研究されている。
【０００５】しかしながら、この種の液晶表示装置の製
造においては、微細加工工程が数回必要となり、工程が
複雑で歩留まりが悪くなることがあった。その結果、製
品コストが高くなり、又、大規模な液晶表示装置の製造
が著しく困難となっていた。スイッチング素子列（アレ
イ）を用いた別の方向として、非線形な電流電圧特性を
有するスイッチング素子（以下、非線形抵抗素子と呼
ぶ）を用いたものがある。この非線形抵抗素子は、薄膜
トランジスタの３端子に比べて基本的に２端子であるた
めに構造が簡単であり、製造が容易である。このため、
製造歩留まりの向上が期待出来、コスト低下の利点があ
る。
造においては、微細加工工程が数回必要となり、工程が
複雑で歩留まりが悪くなることがあった。その結果、製
品コストが高くなり、又、大規模な液晶表示装置の製造
が著しく困難となっていた。スイッチング素子列（アレ
イ）を用いた別の方向として、非線形な電流電圧特性を
有するスイッチング素子（以下、非線形抵抗素子と呼
ぶ）を用いたものがある。この非線形抵抗素子は、薄膜
トランジスタの３端子に比べて基本的に２端子であるた
めに構造が簡単であり、製造が容易である。このため、
製造歩留まりの向上が期待出来、コスト低下の利点があ
る。
【０００６】このような非線形抵抗素子は、薄膜トラン
ジスタと同様の材料を用いて接合形成したダイオ−ドの
型、酸化亜鉛を用いたバリスタの型、電極間に絶縁物を
挾んだ金属層−絶縁体層−金属層（ＭＩＭ）の型、更に
は金属電極間に半導電性の層（ＭＳＩ）を用いた型など
が開発されている。このうちＭＩＭ型は、構造が最も簡
単なものの１つで、現在、既に実用化されている。
ジスタと同様の材料を用いて接合形成したダイオ−ドの
型、酸化亜鉛を用いたバリスタの型、電極間に絶縁物を
挾んだ金属層−絶縁体層−金属層（ＭＩＭ）の型、更に
は金属電極間に半導電性の層（ＭＳＩ）を用いた型など
が開発されている。このうちＭＩＭ型は、構造が最も簡
単なものの１つで、現在、既に実用化されている。
【０００７】このＭＩＭ型液晶表示装置では、液晶を挾
持する両電極間に駆動電圧が印加されると、小さい時定
数で充電が行なわれ、駆動電圧が印加されなくなると大
きい時定数で充電する。従って、図６に示すように駆動
電圧がＯＮされてから短い選択期間τonで液晶は充電さ
れ、ＯＦＦされた後も長い時間τoff だけ充分な電圧を
保持する。この結果、選択期間τonにおける印加電圧が
駆動電圧の実効値を決定し、通常のマトリクス表示の時
分割駆動方式の液晶表示素子よりもＯＮとＯＦＦの実効
値比を大きくすることが出来、コントラスト比の大きい
液晶表示装置が実現される。
持する両電極間に駆動電圧が印加されると、小さい時定
数で充電が行なわれ、駆動電圧が印加されなくなると大
きい時定数で充電する。従って、図６に示すように駆動
電圧がＯＮされてから短い選択期間τonで液晶は充電さ
れ、ＯＦＦされた後も長い時間τoff だけ充分な電圧を
保持する。この結果、選択期間τonにおける印加電圧が
駆動電圧の実効値を決定し、通常のマトリクス表示の時
分割駆動方式の液晶表示素子よりもＯＮとＯＦＦの実効
値比を大きくすることが出来、コントラスト比の大きい
液晶表示装置が実現される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】さて、このＭＩＭ型に
代表される２端子型液晶表示装置の表示性能は、非線形
抵抗素子の電流電圧特性と、非線形抵抗素子と液晶層の
容量比に大きく依存する。非線形抵抗素子の電流電圧特
性は、実用レベルまで高められており、問題ないが、大
容量に伴なう微細化により、非線形抵抗素子と液晶層の
容量比を確保するのが難しいという問題が出てきた。高
コントラスト表示には、非線形抵抗素子の容量ＣNLと液
晶層の容量ＣLCの比がＣNL／ＣLC≦１／７であることが
必要であり、これより大きいとクロスト−クが発生して
コントラスト比は低下する（K.Niwaet al.,SID 84 DIGE
ST,p.304,1984) 。
代表される２端子型液晶表示装置の表示性能は、非線形
抵抗素子の電流電圧特性と、非線形抵抗素子と液晶層の
容量比に大きく依存する。非線形抵抗素子の電流電圧特
性は、実用レベルまで高められており、問題ないが、大
容量に伴なう微細化により、非線形抵抗素子と液晶層の
容量比を確保するのが難しいという問題が出てきた。高
コントラスト表示には、非線形抵抗素子の容量ＣNLと液
晶層の容量ＣLCの比がＣNL／ＣLC≦１／７であることが
必要であり、これより大きいとクロスト−クが発生して
コントラスト比は低下する（K.Niwaet al.,SID 84 DIGE
ST,p.304,1984) 。
【０００９】この問題を解決する試みが、幾つかなされ
ている。例えば、図７（ａ）に示すように、液晶層に並
列に蓄積コンデンサを設け、液晶層の容量を疑似的に増
やせば容量比ＣNL／ＣLCが小さくなり、問題は解決す
る。しかし、ＭＩＭ型液晶表示装置では、走査電極と信
号電極とが液晶層を介して対向する２枚の基板上に別々
に形成されるため、蓄積コンデンサの対極（画素電極に
接続されていない方の電極）は信号電極とは別に取り出
す必要がある。従って、外部に取り出すストライプ状の
配線の組が、従来の２組から３組となり、製造工程およ
び端子取り出しが複雑になり、実用的でない。そこで、
図７（ｂ）に示すように、蓄積コンデンサを走査電極に
接続し、液晶層の対極に共通電極を配置した構造の液晶
表示装置が提案された。しかし、このものでは、信号電
極と走査電極が同一基板上で交差することになり、薄膜
トランジスタの場合と同様に、信号電極と走査電極間で
のショ−トが発生し、製造するのが難しい構造になって
いる。
ている。例えば、図７（ａ）に示すように、液晶層に並
列に蓄積コンデンサを設け、液晶層の容量を疑似的に増
やせば容量比ＣNL／ＣLCが小さくなり、問題は解決す
る。しかし、ＭＩＭ型液晶表示装置では、走査電極と信
号電極とが液晶層を介して対向する２枚の基板上に別々
に形成されるため、蓄積コンデンサの対極（画素電極に
接続されていない方の電極）は信号電極とは別に取り出
す必要がある。従って、外部に取り出すストライプ状の
配線の組が、従来の２組から３組となり、製造工程およ
び端子取り出しが複雑になり、実用的でない。そこで、
図７（ｂ）に示すように、蓄積コンデンサを走査電極に
接続し、液晶層の対極に共通電極を配置した構造の液晶
表示装置が提案された。しかし、このものでは、信号電
極と走査電極が同一基板上で交差することになり、薄膜
トランジスタの場合と同様に、信号電極と走査電極間で
のショ−トが発生し、製造するのが難しい構造になって
いる。
【００１０】以上説明したように、従来の構造では、大
容量表示化に伴なう微細化により、非線形抵抗素子と液
晶層の容量比ＣNL／ＣLCが大きくなる結果、クロスト−
クが発生してコントラスト比が低下するという欠点があ
る。この発明は、上記事情に鑑みなされたもので、大容
量表示且つ高コントラスト表示の液晶表示装置を提供す
ることを目的とする。
容量表示化に伴なう微細化により、非線形抵抗素子と液
晶層の容量比ＣNL／ＣLCが大きくなる結果、クロスト−
クが発生してコントラスト比が低下するという欠点があ
る。この発明は、上記事情に鑑みなされたもので、大容
量表示且つ高コントラスト表示の液晶表示装置を提供す
ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明は、一方の基板
上に信号電極を具備し、他方の基板上に複数の走査電極
を具備し、且つ、上記基板の少なくとも一方の基板上に
て、上記信号電極あるいは上記走査電極に、非線形抵抗
素子からなるスイッチング素子を通して画素電極を電気
的に接続せしめた、上記２枚の基板間に液晶を挾持して
相対向させることにより複数個の画素が形成され、上記
画素は１／Ｎデュ−ティで時分割駆動され、且つ、ｍ≦
Ｎ／２なる走査線ｍ本ごとに極性反転駆動される液晶表
示装置において、
上に信号電極を具備し、他方の基板上に複数の走査電極
を具備し、且つ、上記基板の少なくとも一方の基板上に
て、上記信号電極あるいは上記走査電極に、非線形抵抗
素子からなるスイッチング素子を通して画素電極を電気
的に接続せしめた、上記２枚の基板間に液晶を挾持して
相対向させることにより複数個の画素が形成され、上記
画素は１／Ｎデュ−ティで時分割駆動され、且つ、ｍ≦
Ｎ／２なる走査線ｍ本ごとに極性反転駆動される液晶表
示装置において、
【００１２】上記画素電極およびスイッチング素子が形
成された基板が、絶縁基板と、該絶縁基板上の画素領域
の少なくとも一部に形成された透明導電層と、該透明導
電層を被覆する透明絶縁層とから構成され、且つ、上記
透明導電層が２ｍｎ本（ｎは自然数）の走査線にまたが
っていることを特徴とする液晶表示装置である。
成された基板が、絶縁基板と、該絶縁基板上の画素領域
の少なくとも一部に形成された透明導電層と、該透明導
電層を被覆する透明絶縁層とから構成され、且つ、上記
透明導電層が２ｍｎ本（ｎは自然数）の走査線にまたが
っていることを特徴とする液晶表示装置である。
【００１３】
【作用】この発明によれば、透明導電層は全体として一
定電位に保たれグラウンドの役目を果たし、透明導電層
は蓄積容量として機能する。従って、蓄積容量は液晶層
の容量を駆動上増やしたことに相当し、それに伴なって
容量比ＣNL／ＣLCは実効的に小さくなる。その結果、Ｍ
ＩＭ型非線形抵抗素子の特性を有効に活かすことが出
来、高コントラスト比が得られる。又、素子サイズが大
きく出来るため、製造が容易になり、歩留まりが向上す
る。
定電位に保たれグラウンドの役目を果たし、透明導電層
は蓄積容量として機能する。従って、蓄積容量は液晶層
の容量を駆動上増やしたことに相当し、それに伴なって
容量比ＣNL／ＣLCは実効的に小さくなる。その結果、Ｍ
ＩＭ型非線形抵抗素子の特性を有効に活かすことが出
来、高コントラスト比が得られる。又、素子サイズが大
きく出来るため、製造が容易になり、歩留まりが向上す
る。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明を５つの実
施例により詳細に説明する。 （実施例１）
施例により詳細に説明する。 （実施例１）
【００１５】図１はこの発明の液晶表示装置におけるマ
トリクスアレイ基板を示す平面図、図２は図１のＡ−
Ａ′線に対応する液晶表示装置全体を示す断面図であ
り、製造工程に従って述べることにする。
トリクスアレイ基板を示す平面図、図２は図１のＡ−
Ａ′線に対応する液晶表示装置全体を示す断面図であ
り、製造工程に従って述べることにする。
【００１６】先ず、例えばガラスからなる絶縁基板１上
に、例えばＩＴＯ(Indium Tin Oxide)からなる透明導電
層２とこれを被覆する例えばＳｉＯ2 からなる透明絶縁
層３を形成する。この透明絶縁層３の厚さは、蓄積容量
の大きさを決める。この実施例１では、５０００オング
ストロ−ムとした。蓄積容量は1.0pF となる。この透明
絶縁層３の上に、例えばＴａからなる信号電極４とスイ
ッチング素子（非線形抵抗素子）の下部電極（金属層）
５を形成する。次に、信号電極４と下部電極５の表面に
は、陽極酸化により、スイッチング素子の絶縁体層６を
形成する。更に、例えばＣｒからなるスイッチング素子
の上部電極（金属層）７を形成することにより、スイッ
チング素子８が完成する。スイッチング素子８は５×５
μｍサイズで、素子容量ＣNLは0.07pFになるように形成
してある。次に、例えばＩＴＯからなる画素電極９を上
部電極７と電気的に接続するように形成することにより
マトリクスアレイ基板１０が得られる。
に、例えばＩＴＯ(Indium Tin Oxide)からなる透明導電
層２とこれを被覆する例えばＳｉＯ2 からなる透明絶縁
層３を形成する。この透明絶縁層３の厚さは、蓄積容量
の大きさを決める。この実施例１では、５０００オング
ストロ−ムとした。蓄積容量は1.0pF となる。この透明
絶縁層３の上に、例えばＴａからなる信号電極４とスイ
ッチング素子（非線形抵抗素子）の下部電極（金属層）
５を形成する。次に、信号電極４と下部電極５の表面に
は、陽極酸化により、スイッチング素子の絶縁体層６を
形成する。更に、例えばＣｒからなるスイッチング素子
の上部電極（金属層）７を形成することにより、スイッ
チング素子８が完成する。スイッチング素子８は５×５
μｍサイズで、素子容量ＣNLは0.07pFになるように形成
してある。次に、例えばＩＴＯからなる画素電極９を上
部電極７と電気的に接続するように形成することにより
マトリクスアレイ基板１０が得られる。
【００１７】一方、別に例えばガラスからなる絶縁基板
１１上に、例えばＩＴＯからなる走査電極１２を信号電
極４と直交する方向に形成することにより、対向基板１
３を得る。そして、マトリクスアレイ基板１０と対向基
板１３を５μｍの間隔を保って保持させ、この間隙に液
晶１４を注入する。ここで、接続されたスイッチング素
子８と画素電極９，走査電極１２および液晶１４の組合
わせにより１つの画素が構成されている。
１１上に、例えばＩＴＯからなる走査電極１２を信号電
極４と直交する方向に形成することにより、対向基板１
３を得る。そして、マトリクスアレイ基板１０と対向基
板１３を５μｍの間隔を保って保持させ、この間隙に液
晶１４を注入する。ここで、接続されたスイッチング素
子８と画素電極９，走査電極１２および液晶１４の組合
わせにより１つの画素が構成されている。
【００１８】図１および図２に示した液晶表示装置は９
００×１１５２ドットの画素を有し、表示画素は１２０
×１２０μｍの大きさである。各画素は、信号電極４に
印加される表示信号および走査電極１２に印加される走
査信号の組合わせにより駆動される。又、この液晶表示
装置は、デュ−ティ比1/450 、バイアス比1/9 で２ライ
ンごとに極性反転される時分割駆動法により駆動され
る。
００×１１５２ドットの画素を有し、表示画素は１２０
×１２０μｍの大きさである。各画素は、信号電極４に
印加される表示信号および走査電極１２に印加される走
査信号の組合わせにより駆動される。又、この液晶表示
装置は、デュ−ティ比1/450 、バイアス比1/9 で２ライ
ンごとに極性反転される時分割駆動法により駆動され
る。
【００１９】以上のようにして作製した液晶表示装置を
駆動し、視感度補正された輝度計にてコントラスト比を
測定したところ、コントラスト比は４２と高く、良好な
表示が得られた。又、最適動作電圧は２３Ｖであった。 （実施例２）
駆動し、視感度補正された輝度計にてコントラスト比を
測定したところ、コントラスト比は４２と高く、良好な
表示が得られた。又、最適動作電圧は２３Ｖであった。 （実施例２）
【００２０】実施例１において、図３に示すように、コ
ンタクトホ−ル１８を通して透明導電層２をグラウンド
に接続し、他は全て実施例１と同様構成である。更に、
実施例１と同様にしてコントラスト比を測定したとこ
ろ、コントラスト比は５１と極めて高く、良好な表示で
あった。又、最適動作電圧は２３Ｖであった。尚、図３
中の符号１９は外部引出し電極である。 （実施例３）
ンタクトホ−ル１８を通して透明導電層２をグラウンド
に接続し、他は全て実施例１と同様構成である。更に、
実施例１と同様にしてコントラスト比を測定したとこ
ろ、コントラスト比は５１と極めて高く、良好な表示で
あった。又、最適動作電圧は２３Ｖであった。尚、図３
中の符号１９は外部引出し電極である。 （実施例３）
【００２１】実施例１において、透明導電層２の形状を
図４の斜線部のように変え、透明絶縁層３の厚さを１０
００オングストロ−ムに変えた。蓄積容量は0.25pFとな
る。他は実施例１と同様構成である。更に、実施例１と
同様にしてコントラスト比を測定したところ、コントラ
スト比は３５と高く、良好な表示であった。又、最適動
作電圧は２５Ｖであった。 （実施例４）
図４の斜線部のように変え、透明絶縁層３の厚さを１０
００オングストロ−ムに変えた。蓄積容量は0.25pFとな
る。他は実施例１と同様構成である。更に、実施例１と
同様にしてコントラスト比を測定したところ、コントラ
スト比は３５と高く、良好な表示であった。又、最適動
作電圧は２５Ｖであった。 （実施例４）
【００２２】実施例１において、透明導電層２の形状を
図５に示すように、表示領域をＡ，Ｂ，Ｃの３つの部分
に分けた。Ａ，Ｂ，Ｃ各々は300 ×1152ドットの画素を
有している。他は実施例１と同様構成である。更に、実
施例１と同様にしてコントラスト比を測定したところ、
コントラスト比は４０と高く、良好な表示であった。
又、最適動作電圧は２３Ｖであった。 （実施例５）
図５に示すように、表示領域をＡ，Ｂ，Ｃの３つの部分
に分けた。Ａ，Ｂ，Ｃ各々は300 ×1152ドットの画素を
有している。他は実施例１と同様構成である。更に、実
施例１と同様にしてコントラスト比を測定したところ、
コントラスト比は４０と高く、良好な表示であった。
又、最適動作電圧は２３Ｖであった。 （実施例５）
【００２３】実施例１において、透明絶縁層３の厚さを
１０００オングストロ−ムに変えた。又、ＭＩＭ型非線
形抵抗素子のサイズを１２×１２μｍに変えた。このと
きＣNLは0.4pF となる。他は実施例１と同様構成であ
る。更に、実施例１と同様にしてコントラスト比を測定
したところ、コントラスト比は４３と高く、良好な表示
であった。又、最適動作電圧は２３Ｖであった。 （比較例）
１０００オングストロ−ムに変えた。又、ＭＩＭ型非線
形抵抗素子のサイズを１２×１２μｍに変えた。このと
きＣNLは0.4pF となる。他は実施例１と同様構成であ
る。更に、実施例１と同様にしてコントラスト比を測定
したところ、コントラスト比は４３と高く、良好な表示
であった。又、最適動作電圧は２３Ｖであった。 （比較例）
【００２４】上記実施例１において透明導電層２を形成
せず、他は実施例１と同様にした。そして、実施例１と
同様にしてコントラスト比を測定したところ、コントラ
スト比は１６と低く、又、最適動作電圧が３１Ｖと高か
った。尚、各実施例では、上部電極７としてＣｒを用い
たが、Ｔｉ，Ｎｉ，Ａｌなどを使用しても勿論構わな
い。
せず、他は実施例１と同様にした。そして、実施例１と
同様にしてコントラスト比を測定したところ、コントラ
スト比は１６と低く、又、最適動作電圧が３１Ｖと高か
った。尚、各実施例では、上部電極７としてＣｒを用い
たが、Ｔｉ，Ｎｉ，Ａｌなどを使用しても勿論構わな
い。
【００２５】
【発明の効果】この発明によれば、液晶層の容量に蓄積
容量が並列に接続されるため、容量比ＣNL／ＣLCは実効
的に小さくなる。その結果、ＭＩＭ型非線形抵抗素子の
特性を有効に活かすことが出来、高コントラスト比が得
られる。又、素子サイズを小さくする必要がないため、
製造が容易になり、歩留まりの向上が期待出来る。従っ
て、大容量表示でありながら高コントラスト比の液晶表
示装置が得られる。
容量が並列に接続されるため、容量比ＣNL／ＣLCは実効
的に小さくなる。その結果、ＭＩＭ型非線形抵抗素子の
特性を有効に活かすことが出来、高コントラスト比が得
られる。又、素子サイズを小さくする必要がないため、
製造が容易になり、歩留まりの向上が期待出来る。従っ
て、大容量表示でありながら高コントラスト比の液晶表
示装置が得られる。
【図１】この発明の実施例１に係る液晶表示装置におけ
るマトリクスアレイ基板を示す平面図。
るマトリクスアレイ基板を示す平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ′線に対応する液晶表示装置全体
を示す断面図。
を示す断面図。
【図３】この発明の実施例２を示す断面図。
【図４】この発明の実施例３におけるマトリクスアレイ
基板を示す平面図。
基板を示す平面図。
【図５】この発明の実施例４におけるマトリクスアレイ
基板上の透明導電層の形状を示す平面図。
基板上の透明導電層の形状を示す平面図。
【図６】ＭＩＭ型液晶表示装置の例を示す等価回路図。
【図７】従来のＭＩＭ型液晶表示装置における液晶層に
印加される電圧波形を示す信号波形図。
印加される電圧波形を示す信号波形図。
１…絶縁基板、２…透明導電層、３…透明絶縁層、４…
信号電極、５…下部電極（金属層）、６…絶縁体層、７
…上部電極（金属層）、８…スイッチング素子、９…画
素電極、１０…マトリクスアレイ基板１０、１２…走査
電極、１３…対向基板、１４…液晶。
信号電極、５…下部電極（金属層）、６…絶縁体層、７
…上部電極（金属層）、８…スイッチング素子、９…画
素電極、１０…マトリクスアレイ基板１０、１２…走査
電極、１３…対向基板、１４…液晶。
Claims (1)
- 【請求項１】 一方の基板上に信号電極を具備し、他方
の基板上に複数の走査電極を具備し、且つ、上記基板の
少なくとも一方の基板上にて、上記信号電極あるいは上
記走査電極に、非線形抵抗素子からなるスイッチング素
子を通して画素電極を電気的に接続せしめた、上記２枚
の基板間に液晶を挾持して相対向させることにより複数
個の画素が形成され、上記画素は１／Ｎデュ−ティで時
分割駆動され、且つ、ｍ≦Ｎ／２なる走査線ｍ本ごとに
極性反転駆動される液晶表示装置において、 上記画素電極およびスイッチング素子が形成された基板
が、絶縁基板と、該絶縁基板上の画素領域の少なくとも
一部に形成された透明導電層と、該透明導電層を被覆す
る透明絶縁層とから構成され、且つ、上記透明導電層が
２ｍｎ本（ｎは自然数）の走査線にまたがっていること
を特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22684691A JPH0566424A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22684691A JPH0566424A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0566424A true JPH0566424A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16851487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22684691A Pending JPH0566424A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0566424A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1197945A2 (en) * | 2000-10-17 | 2002-04-17 | Seiko Epson Corporation | Electrooptical panel, method for driving the same, and electronic equipment |
-
1991
- 1991-09-06 JP JP22684691A patent/JPH0566424A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1197945A2 (en) * | 2000-10-17 | 2002-04-17 | Seiko Epson Corporation | Electrooptical panel, method for driving the same, and electronic equipment |
| EP1197945A3 (en) * | 2000-10-17 | 2003-11-19 | Seiko Epson Corporation | Electrooptical panel, method for driving the same, and electronic equipment |
| US6853361B2 (en) | 2000-10-17 | 2005-02-08 | Seiko Epson Corporation | Electrooptical panel, method for driving the same, and electronic equipment |
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