JPH0566247B2 - - Google Patents
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- JPH0566247B2 JPH0566247B2 JP60281202A JP28120285A JPH0566247B2 JP H0566247 B2 JPH0566247 B2 JP H0566247B2 JP 60281202 A JP60281202 A JP 60281202A JP 28120285 A JP28120285 A JP 28120285A JP H0566247 B2 JPH0566247 B2 JP H0566247B2
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- Japan
- Prior art keywords
- sheet
- less
- mirror
- polycarbonate
- birefringence
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- Expired - Lifetime
Links
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Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学用途、特に光デイスク基板用の
ポリカーボネート（以下、PCと略記する）シー
トの製法に関しするものである。 〔従来の技術およびその問題点〕 PCは、透明性、耐熱性、耐衝撃性に優れ、優
れた加工性を有することから、光学分野に広く使
用されている。最近は、オーデイオ用のコンパク
トデイスク等に使用され、更に、光磁気デイスク
基板用としての実用化の検討、試作などもなされ
ている。これら光デイスク用PC基板は、主に射
出成形法によつて製造されており、この射出成形
法は量産性に優れているが、光学歪みが残りやす
い欠点がある。 光デイスク用基板としては、複屈折の低いこと
が重要な条件となり、コンパクトデイスクでは複
屈折が通常50nm以下、光磁気デイスクでは20nm
以下（いずれもシングルパス）にすることが必要
とされている。 通常の射出成形用に使用されている分子量が
22000〜25000程度のPC材料を用い射出成形によ
りPC基板を成形した場合には、流動性が低く、
複屈折が150nm以上と高く実用化は到底不可能で
あるので、分子量が通常15000程度の低分子量高
流動性PCを材料として、高温成形することによ
り製造される。 ところが、上記方法では、複屈折は低減される
が、反面PCの特徴である耐衝撃性の大幅に低下
したものなること、光デイスク基板の直径が200
mm以上のものの場合には、中心部と周辺部で複屈
折に差が生じ易く、300mmの基板では射出成形が
難しいこと、更に光デイスク基板は、Al蒸着膜
その他の記録部部分の保護膜や表面保護膜を通常
塗装法で形成するが、低分子量PCでは、洗浄工
程や塗装工程、特に塗料中の溶剤により、クラツ
クや亀裂が生成し易いという欠点があつた。 〔問題点を解決するための手段〕 上記の如き射出成形法によるPC光デイスク基
板の持つ欠点を解決する方法として、本発明者
は、PCシートを使用する方法について鋭意検討
した結果、本発明を完成した。 即ち、本発明は、分子量が25000〜35000の範囲
のポリカーボネート樹脂をＴダイ押出機によりシ
ート状に押出し、表面粗さ0.1μm以下の鏡面ロー
ルにて鏡面を転写しながら冷却し、所定の厚みの
ポリカーボネートシートを成形し（以下工程と
いう）、該ポリカーボネートシートを表面粗さ
0.1μm以下の鏡面仕上げを施した鏡面板間に挟
み、温度160〜180℃、圧力0.1〜30Kg／cm2で熱処
理する（以下工程という）ことを特徴とする複
屈折が20nm以下の光デイスク基板用ポリカーボ
ネートシートの製法である。 まず、本発明に用いる原料PCシートは、通常
の押出成形用に使用しているポリカーボネート樹
脂で良く、特に限定されないが、当然、用途との
関係からゴミの極めて少ないものを使用し、環境
からのゴミの混入を極力抑えるためにクリート度
の高い雰囲気で、前記の方法（工程）で製造し
たものである。この方法で製造したPCシート中
の有害なゴミの量は射出成形法と比較した場合同
等以上の高品質であり、複屈折は通常10〜200nm
の範囲でバラツイており、また押出方向に延伸さ
れたものである。 次いで、このシートを用い、前記と同様に環境
からのゴミの付着を極力抑えた前記工程の如く
熱処理することにより、シート全面の複屈折が
20nm以下に低減させる。ここに、加熱温度が160
℃未満では複屈折の低減効果が少なく、180℃を
超えると、鏡面板とPCシートとが密着し、取り
出しが困難となるばかりか、PCの軟化が大きく
シートの厚み精度が悪くなるので好ましくない。
また圧力が0.1Kg／cm2未満では、押出時の延伸歪
が熱処理時に除去される過程で収縮が生じてシー
トが変形し、逆に30Kg／cm2を超えるとシート厚み
が変化するので好ましくない。 本発明による熱処理工程は、シートの押出工
程に引き続いて連続処理してする方法でも良
く、また押出シートを所定の寸法に切断した後、
一段乃至多段のプレスに仕込み行つてもよい。 〔実施例〕 以下、実施例により本発明を詳細に説明する。 実施例 １及び比較例 １〜３ 粘度平均分子量28000のPCを280℃にてＴダイ
式押出機により1100mm巾のシート状に押出し、鏡
面ロールにて鏡面を転写しつつ冷却して厚み1.2
mmのPCシートを連続的に生産した。 このシートを400mm×400mmに切断した。 次いで、この切断シートを表面粗さ0.09μmの
クロムメツキ仕上げしたステンレス製鏡面板の間
に挟み、熱処理を行つた。熱処理条件と得られた
処理PC切断シートの複屈折を第１表に示した。 また、このシートに擦り傷性改良の為にシリコ
ン系のハードコート塗料を塗布した場合のクラツ
クや亀裂の発生の有無、及び１Kgの重りを1mの
高さから落下させる衝撃試験を実施した。この結
果も第１表に併記した。 参考例 １ 粘度平均分子量15000のPCを使用してなる直径
120mmの射出成形による光デイスク基板について
の物性値を第１表に併記した。
ポリカーボネート（以下、PCと略記する）シー
トの製法に関しするものである。 〔従来の技術およびその問題点〕 PCは、透明性、耐熱性、耐衝撃性に優れ、優
れた加工性を有することから、光学分野に広く使
用されている。最近は、オーデイオ用のコンパク
トデイスク等に使用され、更に、光磁気デイスク
基板用としての実用化の検討、試作などもなされ
ている。これら光デイスク用PC基板は、主に射
出成形法によつて製造されており、この射出成形
法は量産性に優れているが、光学歪みが残りやす
い欠点がある。 光デイスク用基板としては、複屈折の低いこと
が重要な条件となり、コンパクトデイスクでは複
屈折が通常50nm以下、光磁気デイスクでは20nm
以下（いずれもシングルパス）にすることが必要
とされている。 通常の射出成形用に使用されている分子量が
22000〜25000程度のPC材料を用い射出成形によ
りPC基板を成形した場合には、流動性が低く、
複屈折が150nm以上と高く実用化は到底不可能で
あるので、分子量が通常15000程度の低分子量高
流動性PCを材料として、高温成形することによ
り製造される。 ところが、上記方法では、複屈折は低減される
が、反面PCの特徴である耐衝撃性の大幅に低下
したものなること、光デイスク基板の直径が200
mm以上のものの場合には、中心部と周辺部で複屈
折に差が生じ易く、300mmの基板では射出成形が
難しいこと、更に光デイスク基板は、Al蒸着膜
その他の記録部部分の保護膜や表面保護膜を通常
塗装法で形成するが、低分子量PCでは、洗浄工
程や塗装工程、特に塗料中の溶剤により、クラツ
クや亀裂が生成し易いという欠点があつた。 〔問題点を解決するための手段〕 上記の如き射出成形法によるPC光デイスク基
板の持つ欠点を解決する方法として、本発明者
は、PCシートを使用する方法について鋭意検討
した結果、本発明を完成した。 即ち、本発明は、分子量が25000〜35000の範囲
のポリカーボネート樹脂をＴダイ押出機によりシ
ート状に押出し、表面粗さ0.1μm以下の鏡面ロー
ルにて鏡面を転写しながら冷却し、所定の厚みの
ポリカーボネートシートを成形し（以下工程と
いう）、該ポリカーボネートシートを表面粗さ
0.1μm以下の鏡面仕上げを施した鏡面板間に挟
み、温度160〜180℃、圧力0.1〜30Kg／cm2で熱処
理する（以下工程という）ことを特徴とする複
屈折が20nm以下の光デイスク基板用ポリカーボ
ネートシートの製法である。 まず、本発明に用いる原料PCシートは、通常
の押出成形用に使用しているポリカーボネート樹
脂で良く、特に限定されないが、当然、用途との
関係からゴミの極めて少ないものを使用し、環境
からのゴミの混入を極力抑えるためにクリート度
の高い雰囲気で、前記の方法（工程）で製造し
たものである。この方法で製造したPCシート中
の有害なゴミの量は射出成形法と比較した場合同
等以上の高品質であり、複屈折は通常10〜200nm
の範囲でバラツイており、また押出方向に延伸さ
れたものである。 次いで、このシートを用い、前記と同様に環境
からのゴミの付着を極力抑えた前記工程の如く
熱処理することにより、シート全面の複屈折が
20nm以下に低減させる。ここに、加熱温度が160
℃未満では複屈折の低減効果が少なく、180℃を
超えると、鏡面板とPCシートとが密着し、取り
出しが困難となるばかりか、PCの軟化が大きく
シートの厚み精度が悪くなるので好ましくない。
また圧力が0.1Kg／cm2未満では、押出時の延伸歪
が熱処理時に除去される過程で収縮が生じてシー
トが変形し、逆に30Kg／cm2を超えるとシート厚み
が変化するので好ましくない。 本発明による熱処理工程は、シートの押出工
程に引き続いて連続処理してする方法でも良
く、また押出シートを所定の寸法に切断した後、
一段乃至多段のプレスに仕込み行つてもよい。 〔実施例〕 以下、実施例により本発明を詳細に説明する。 実施例 １及び比較例 １〜３ 粘度平均分子量28000のPCを280℃にてＴダイ
式押出機により1100mm巾のシート状に押出し、鏡
面ロールにて鏡面を転写しつつ冷却して厚み1.2
mmのPCシートを連続的に生産した。 このシートを400mm×400mmに切断した。 次いで、この切断シートを表面粗さ0.09μmの
クロムメツキ仕上げしたステンレス製鏡面板の間
に挟み、熱処理を行つた。熱処理条件と得られた
処理PC切断シートの複屈折を第１表に示した。 また、このシートに擦り傷性改良の為にシリコ
ン系のハードコート塗料を塗布した場合のクラツ
クや亀裂の発生の有無、及び１Kgの重りを1mの
高さから落下させる衝撃試験を実施した。この結
果も第１表に併記した。 参考例 １ 粘度平均分子量15000のPCを使用してなる直径
120mmの射出成形による光デイスク基板について
の物性値を第１表に併記した。
【表】
以上、実施例、比較例及び参考例から明白な如
く、本発明のPC製光デイスク基板は、 押出法によるシートを作成する為に高分子量
（25000〜35000）PCを使用できるので、耐衝撃
性が優れている。 塗装時のクラツク、亀裂の発生が防止でき
る。 押出用のＴダイを大きくすれば、1000mm巾以
上のシートも生産出来、大型の基板を容易に作
成できる。 大型の基板を適当な大きさの基板に切り出す
ことによつて、効率良く小型の基板もうること
が出来る。 の特徴がある。
く、本発明のPC製光デイスク基板は、 押出法によるシートを作成する為に高分子量
（25000〜35000）PCを使用できるので、耐衝撃
性が優れている。 塗装時のクラツク、亀裂の発生が防止でき
る。 押出用のＴダイを大きくすれば、1000mm巾以
上のシートも生産出来、大型の基板を容易に作
成できる。 大型の基板を適当な大きさの基板に切り出す
ことによつて、効率良く小型の基板もうること
が出来る。 の特徴がある。
Claims (1)
- １ 分子量が25000〜35000の範囲のポリカーボネ
ート樹脂をＴダイ押出機によりシート状に押出
し、表面粗さ0.1μm以下の鏡面ロールにて鏡面を
転写しながら冷却し、所定の厚みのポリカーボネ
ートシートを成形し、該ポリカーボネートシート
を表面粗さ0.1μm以下の鏡面仕上げを施したステ
ンレス板間に挟み、温度160〜180℃、圧力0.1〜
30Kg／cm2で熱処理することを特徴とする複屈折が
20nm以下の光デイスク基板用ポリカーボネート
シートの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60281202A JPS62140817A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 光デイスク基板用ポリカ−ボネ−トシ−トの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60281202A JPS62140817A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 光デイスク基板用ポリカ−ボネ−トシ−トの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62140817A JPS62140817A (ja) | 1987-06-24 |
| JPH0566247B2 true JPH0566247B2 (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=17635771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60281202A Granted JPS62140817A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 光デイスク基板用ポリカ−ボネ−トシ−トの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62140817A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2506784B2 (ja) * | 1987-07-01 | 1996-06-12 | 松下電器産業株式会社 | カ−ド状光記録媒体 |
| US5075060A (en) * | 1988-11-16 | 1991-12-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing a substrate sheet for an optical recording medium |
| DE4018530A1 (de) * | 1990-06-09 | 1991-12-12 | Roehm Gmbh | Verfahren zur herstellung von geglaetteten extrudierten vollplatten oder folien aus thermoplastischem kunststoff |
| JP2932731B2 (ja) * | 1991-03-01 | 1999-08-09 | 宇部興産株式会社 | ポリカーボネート単層シートの製造方法 |
| DE69218555T2 (de) * | 1991-11-28 | 1997-08-21 | Canon Kk | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Substrates für Informationsträger |
| JPH07126375A (ja) * | 1993-11-04 | 1995-05-16 | Teijin Chem Ltd | 光学用ポリカーボネート樹脂シート |
| DE19836800A1 (de) | 1998-08-14 | 2000-02-17 | Roehm Gmbh | Optisch isotrope Polycarbonat-Folien sowie Verfahren zu deren Herstellung |
| JP2003082131A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-19 | Keiwa Inc | ポリカーボネートシート、光学シート及び非晶質ポリマーシートの製造方法 |
-
1985
- 1985-12-16 JP JP60281202A patent/JPS62140817A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62140817A (ja) | 1987-06-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |