JPH0564346A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0564346A JPH0564346A JP3224163A JP22416391A JPH0564346A JP H0564346 A JPH0564346 A JP H0564346A JP 3224163 A JP3224163 A JP 3224163A JP 22416391 A JP22416391 A JP 22416391A JP H0564346 A JPH0564346 A JP H0564346A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- signal
- semiconductor device
- circuit
- load
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体装置の出力端子の制御において、外部負
荷として規格を上回るものが接続されたときに、半導体
装置の電源変動による誤動作を防止や、過大な電流によ
る半導体装置の破壊を防止することを目的とする。 【構成】半導体装置の内部回路からの信号を外部へ出力
する出力バッファの制御に関して外部負荷が接続されて
いる出力端子に現れる電圧を基準電圧と比較しその結果
によって出力バッファの制御をおこなう半導体装置。
荷として規格を上回るものが接続されたときに、半導体
装置の電源変動による誤動作を防止や、過大な電流によ
る半導体装置の破壊を防止することを目的とする。 【構成】半導体装置の内部回路からの信号を外部へ出力
する出力バッファの制御に関して外部負荷が接続されて
いる出力端子に現れる電圧を基準電圧と比較しその結果
によって出力バッファの制御をおこなう半導体装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の出力端子の
制御に関する。
制御に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術では半導体装置の出力端子に
規格よりも大きな負荷が接続されてもそれを検出し、さ
らに集積回路の動作を保護するための手段はなかった。
規格よりも大きな負荷が接続されてもそれを検出し、さ
らに集積回路の動作を保護するための手段はなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし従来の技術で
は、出力端子に接続された負荷の大きさを検出し、その
負荷の大きさによって前記出力端子を制御することは出
来なかった。このため誤って前記出力端子に規格よりも
大きな負荷が接続されると過大な電流が流れて、半導体
装置の電源電圧が変動し誤動作の原因になったり、発熱
による半導体装置の破壊の原因になることが考えられ
る。
は、出力端子に接続された負荷の大きさを検出し、その
負荷の大きさによって前記出力端子を制御することは出
来なかった。このため誤って前記出力端子に規格よりも
大きな負荷が接続されると過大な電流が流れて、半導体
装置の電源電圧が変動し誤動作の原因になったり、発熱
による半導体装置の破壊の原因になることが考えられ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
ａ）同一半導体基板上に、ｂ）内部回路と、ｃ）外部へ
の信号の出力端子と、ｄ）前記出力端子に接続される外
部負荷の大きさを検出するための検出回路と、ｅ）前記
検出回路からの信号によって前記出力端子を制御するた
めの制御回路からなることを特徴とする。
ａ）同一半導体基板上に、ｂ）内部回路と、ｃ）外部へ
の信号の出力端子と、ｄ）前記出力端子に接続される外
部負荷の大きさを検出するための検出回路と、ｅ）前記
検出回路からの信号によって前記出力端子を制御するた
めの制御回路からなることを特徴とする。
【０００５】
【実施例】図１は本発明の半導体装置の構成を現すブロ
ック図。１０１は半導体装置の内部回路、１０２は１０
１からの出力信号１０３は１０２の信号を外部回路へ出
力するための出力バッファ回路、１０４は１０３の出力
と外部回路とを接続するための出力端子。１０６は１０
４にかかる電圧を１０５によって入力して外部負荷を検
出し１０７によって１０３の動作を制御する負荷値検出
回路。以下詳細について説明する。
ック図。１０１は半導体装置の内部回路、１０２は１０
１からの出力信号１０３は１０２の信号を外部回路へ出
力するための出力バッファ回路、１０４は１０３の出力
と外部回路とを接続するための出力端子。１０６は１０
４にかかる電圧を１０５によって入力して外部負荷を検
出し１０７によって１０３の動作を制御する負荷値検出
回路。以下詳細について説明する。
【０００６】先ず１０１より出力信号が１０２によって
１０３に入力される。１０３は１０２より入力された電
圧を外部回路へ出力するための増幅を行いかつ１０７の
信号によって高抵抗状態にもすることができる。１０４
に外部より負荷が接続されると負荷によって１０４に現
れる電圧は一般的に負荷の大きさによって変化するた
め、この電圧を１０５によって１０６に入力し１０６で
は基準の電圧と入力された電圧と比較し、外部負荷が規
格よりも大きいと判定した場合は１０３に対して出力を
停止し高抵抗状態になるように１０７を使って制御す
る。
１０３に入力される。１０３は１０２より入力された電
圧を外部回路へ出力するための増幅を行いかつ１０７の
信号によって高抵抗状態にもすることができる。１０４
に外部より負荷が接続されると負荷によって１０４に現
れる電圧は一般的に負荷の大きさによって変化するた
め、この電圧を１０５によって１０６に入力し１０６で
は基準の電圧と入力された電圧と比較し、外部負荷が規
格よりも大きいと判定した場合は１０３に対して出力を
停止し高抵抗状態になるように１０７を使って制御す
る。
【０００７】図２は本発明の半導体装置の一実施例。２
０１は内部回路、２０２は２０１の出力信号、２０３は
出力端子の制御回路、２０４Ａ，２０４Ｂは２０３の出
力信号、２０５は出力バッファとなるＣＭＯＳ型トラン
ジスタで信号の反転器、２０６は外部回路と接続するた
めの出力端子、２０８は高レベル出力時の基準電圧を設
定するための抵抗分圧回路、２１０は２０６に出力され
る電圧と２０８によって定められた基準電圧とを比較す
る電圧比較回路、２１２は２１０の出力、２１６は２０
３からの出力によって２１０の制御を行う回路、２１８
は２０６に接続された外部負荷。以下詳細について説明
する。２０１の出力信号２２０が２０３へ入力されると
２０４Ａには２０１とは逆位相の信号、２０４Ｂには同
位相の信号が出力される。２０５ＡのＣＭＯＳ型トラン
ジスタでは２０４Ａからの信号が低レベルの時のみ２０
６に対して高レベルの信号を出力し、高レベルの信号が
２０４Ａから入力されると高抵抗状態となる。２０５Ｂ
のＣＭＯＳ型トランジスタでは２０４Ｂからの信号が高
レベルのときのみ低レベル信号を２０６に対して出力
し、低レベルの信号が２０４Ｂから入力されると高抵抗
状態となる。２０６にはマイナス側の電源との間に負荷
２１８が接続されており２０５Ａが高レベル信号を出力
しているときに動作する。いまこの負荷２１８が２０５
Ａの出力電流規格以上の負荷であるとすると、２０６に
かかる電圧は前記出力電流規格以下の負荷が接続されて
いる場合よりも低下する。２０８では、ある一定の基準
電圧が設定されており２１０にて２０６に現れる電圧と
比較し２０６の電圧が基準電圧以下である時には、２１
２に高レベル信号を出力し２０５Ａが高抵抗状態になる
ように２０３を制御する。
０１は内部回路、２０２は２０１の出力信号、２０３は
出力端子の制御回路、２０４Ａ，２０４Ｂは２０３の出
力信号、２０５は出力バッファとなるＣＭＯＳ型トラン
ジスタで信号の反転器、２０６は外部回路と接続するた
めの出力端子、２０８は高レベル出力時の基準電圧を設
定するための抵抗分圧回路、２１０は２０６に出力され
る電圧と２０８によって定められた基準電圧とを比較す
る電圧比較回路、２１２は２１０の出力、２１６は２０
３からの出力によって２１０の制御を行う回路、２１８
は２０６に接続された外部負荷。以下詳細について説明
する。２０１の出力信号２２０が２０３へ入力されると
２０４Ａには２０１とは逆位相の信号、２０４Ｂには同
位相の信号が出力される。２０５ＡのＣＭＯＳ型トラン
ジスタでは２０４Ａからの信号が低レベルの時のみ２０
６に対して高レベルの信号を出力し、高レベルの信号が
２０４Ａから入力されると高抵抗状態となる。２０５Ｂ
のＣＭＯＳ型トランジスタでは２０４Ｂからの信号が高
レベルのときのみ低レベル信号を２０６に対して出力
し、低レベルの信号が２０４Ｂから入力されると高抵抗
状態となる。２０６にはマイナス側の電源との間に負荷
２１８が接続されており２０５Ａが高レベル信号を出力
しているときに動作する。いまこの負荷２１８が２０５
Ａの出力電流規格以上の負荷であるとすると、２０６に
かかる電圧は前記出力電流規格以下の負荷が接続されて
いる場合よりも低下する。２０８では、ある一定の基準
電圧が設定されており２１０にて２０６に現れる電圧と
比較し２０６の電圧が基準電圧以下である時には、２１
２に高レベル信号を出力し２０５Ａが高抵抗状態になる
ように２０３を制御する。
【０００８】但し２１０は２０５Ａが高レベル出力状態
の時動作するよう２１６によって制御されており２０５
Ｂが低レベル出力状態になるように２０３によって制御
されているときには出力は常に低レベルとなっている。
の時動作するよう２１６によって制御されており２０５
Ｂが低レベル出力状態になるように２０３によって制御
されているときには出力は常に低レベルとなっている。
【０００９】図３は本発明の半導体装置の一実施例。３
０１は内部回路、３０２は３０１の出力信号、３０３は
出力端子の制御回路、３０４Ａ，３０４Ｂは３０３の出
力信号、３０５は出力バッファとなるＣＭＯＳ型トラン
ジスタで信号の反転器、３０６は外部回路と接続するた
めの出力端子、３０８は低レベル出力時の基準電圧を設
定するための抵抗分圧回路、３１０は３０６に出力され
る電圧と３０８によって定められた基準電圧とを比較す
る電圧比較回路、３１２は３１０の出力、３１６は３０
３からの出力によって３１０の制御を行う回路、３１８
は３０６に接続された外部負荷。以下詳細について説明
する。３０１の出力信号３０２が３０３へ入力されると
３０４Ａには３０１とは逆位相の信号、３０４Ｂには同
位相の信号が出力される。３０５ＡのＣＭＯＳ型トラン
ジスタでは３０４Ａからの信号が低レベルの時のみ３０
６に対して高レベルの信号を出力し、高レベルの信号が
３０４Ａから入力されると高抵抗状態となる。３０５Ｂ
のＣＭＯＳ型トランジスタでは３０４Ｂからの信号が高
レベルのときのみ低レベル信号を３０６に対して出力低
レベルの信号が３０４Ｂから入力されると高抵抗状態と
なる。３０６にはプラス側の電源との間に負荷３１８が
接続されており３０５Ａが低レベル信号を出力している
ときに動作する。いまこの負荷３１８が３０５Ａの出力
電流規格以上の負荷であるとすると、３０６にかかる電
圧は前記出力電流規格以下の負荷が接続されている場合
よりも上昇する。３０８では、ある一定の基準電圧が設
定されており３１０にて３０６に現れる電圧と比較し３
０６の電圧が基準電圧以上である時には、３１２に高レ
ベル信号を出力し３０５Ａが高抵抗状態になるように３
０３を制御する。但し３１０は３０５Ａが高レベル出力
状態の時動作するよう３１６によって制御されており３
０５Ｂが低レベル出力状態になるように３０３よって制
御されているときには出力は常に低レベルとなってい
る。
０１は内部回路、３０２は３０１の出力信号、３０３は
出力端子の制御回路、３０４Ａ，３０４Ｂは３０３の出
力信号、３０５は出力バッファとなるＣＭＯＳ型トラン
ジスタで信号の反転器、３０６は外部回路と接続するた
めの出力端子、３０８は低レベル出力時の基準電圧を設
定するための抵抗分圧回路、３１０は３０６に出力され
る電圧と３０８によって定められた基準電圧とを比較す
る電圧比較回路、３１２は３１０の出力、３１６は３０
３からの出力によって３１０の制御を行う回路、３１８
は３０６に接続された外部負荷。以下詳細について説明
する。３０１の出力信号３０２が３０３へ入力されると
３０４Ａには３０１とは逆位相の信号、３０４Ｂには同
位相の信号が出力される。３０５ＡのＣＭＯＳ型トラン
ジスタでは３０４Ａからの信号が低レベルの時のみ３０
６に対して高レベルの信号を出力し、高レベルの信号が
３０４Ａから入力されると高抵抗状態となる。３０５Ｂ
のＣＭＯＳ型トランジスタでは３０４Ｂからの信号が高
レベルのときのみ低レベル信号を３０６に対して出力低
レベルの信号が３０４Ｂから入力されると高抵抗状態と
なる。３０６にはプラス側の電源との間に負荷３１８が
接続されており３０５Ａが低レベル信号を出力している
ときに動作する。いまこの負荷３１８が３０５Ａの出力
電流規格以上の負荷であるとすると、３０６にかかる電
圧は前記出力電流規格以下の負荷が接続されている場合
よりも上昇する。３０８では、ある一定の基準電圧が設
定されており３１０にて３０６に現れる電圧と比較し３
０６の電圧が基準電圧以上である時には、３１２に高レ
ベル信号を出力し３０５Ａが高抵抗状態になるように３
０３を制御する。但し３１０は３０５Ａが高レベル出力
状態の時動作するよう３１６によって制御されており３
０５Ｂが低レベル出力状態になるように３０３よって制
御されているときには出力は常に低レベルとなってい
る。
【００１０】このように外部負荷が規格よりも大きくな
っても一定以上の負荷となった場合には自動的に出力バ
ッファを高抵抗状態にすることができ、電源の変動によ
る半導体装置や周辺回路の誤動作を防ぐことができる。
っても一定以上の負荷となった場合には自動的に出力バ
ッファを高抵抗状態にすることができ、電源の変動によ
る半導体装置や周辺回路の誤動作を防ぐことができる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体装置
は、出力端子に接続された外部負荷を前記出力端子に現
れる電圧を内部の電圧比較回路で基準電圧と比較し、そ
の結果から出力バッファを制御するため、規格よりも大
きな負荷が接続されても半導体装置の電源が変動した
り、過大な電流による回路の破壊を防止することができ
る。
は、出力端子に接続された外部負荷を前記出力端子に現
れる電圧を内部の電圧比較回路で基準電圧と比較し、そ
の結果から出力バッファを制御するため、規格よりも大
きな負荷が接続されても半導体装置の電源が変動した
り、過大な電流による回路の破壊を防止することができ
る。
【図１】本発明の半導体装置の構成を示すブロック図。
【図２】本発明の半導体装置の一実施例を示す図。
【図３】本発明の半導体装置の一実施例を示す図。
１０１・・・・・・内部回路 １０２・・・・・・出力信号線 １０３・・・・・・出力バッファ回路 １０４・・・・・・出力端子 １０５・・・・・・配線 １０６・・・・・・負荷検出回路 １０７・・・・・・配線 ２０１・・・・・・内部回路 ２０２・・・・・・出力信号 ２０３・・・・・・制御回路 ２０４Ａ・・・・・出力信号 ２０４Ｂ・・・・・出力信号 ２０５Ａ・・・・・ＣＭＯＳトランジスタ ２０５Ｂ・・・・・ＣＯＭＳトランジスタ ２０６・・・・・・出力端子 ２０８・・・・・・電圧分圧器 ２１０・・・・・・電圧比較回路 ２１２・・・・・・出力信号 ２１８・・・・・・外部負荷 ３０１・・・・・・内部回路 ３０２・・・・・・出力信号 ３０３・・・・・・制御回路 ３０４Ａ・・・・・出力信号 ３０４Ｂ・・・・・出力信号 ３０５Ａ・・・・・ＣＭＯＳトランジスタ ３０５Ｂ・・・・・ＣＯＭＳトランジスタ ３０６・・・・・・出力端子 ３０８・・・・・・電圧分圧器 ３１０・・・・・・電圧比較回路 ３１２・・・・・・出力信号 ３１８・・・・・・外部負荷
Claims (1)
- 【請求項１】ａ）同一半導体基板上に、 ｂ）内部回路と、 ｃ）外部への信号の出力端子と、 ｄ）前記出力端子に接続される外部負荷の大きさを検出
するための検出回路と、 ｅ）前記検出回路からの信号によって前記出力端子を制
御するための制御回路からなることを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3224163A JPH0564346A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3224163A JPH0564346A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0564346A true JPH0564346A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=16809519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3224163A Pending JPH0564346A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0564346A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0607457A1 (en) * | 1992-08-06 | 1994-07-27 | Daikin Industries, Ltd. | Vulcanizing fluororubber composition |
-
1991
- 1991-09-04 JP JP3224163A patent/JPH0564346A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0607457A1 (en) * | 1992-08-06 | 1994-07-27 | Daikin Industries, Ltd. | Vulcanizing fluororubber composition |
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