JPH0563451A - 高周波増幅回路のバツテリーセービング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 電子出願以前の出願であるので 要約・選択図及び出願人の識別番号は存在しない。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高周波増幅回路のバッテリーセービ ング方法に関する。

従来の技術 第２図は、従来のバッテリーセービング方法を 使用した高周波増幅回路である。第２図におい て、１はＮＰＮトランジスタであり、このトラン ジスタ１のコレクタは回路負荷及び抵抗値Ｒ_３の デカップリング抵抗３を介して一定出力電圧源Ｖ_ｒｅｇ に接続され、エミッタは接地されている。ト ランジスタ１のベースと、負荷回路２とデカップ リング抵抗３の接続点Ａ間には抵抗値Ｒ_４のバイ アス抵抗４が接続され、さらに接続点Ａとアース 間には交流分をバイパスするコンデンサ５が接続 されている。また、トランジスタ１のベースは入 力電圧Ｖ_ｉｎを印加する入力端子ＩＮに接続され、 コレクタには出力電圧Ｖ_ｏｕｔを取り出す出力端子 ＯＵＴが接続されている。

このように構成された高周波増幅回路におい て、一定出力電圧源Ｖ_ｒｅｇをバイアス電圧源およ び出力電圧源用として印加することにより、高周 波増幅回路のコレクタ電流Ｉ_ｃばらつき、及び 利得のばらつきを抑えている。また、バイアス電 圧源Ｖ_ｒｅｇにバッテリーセービングをかけること により、高周波増幅回路を間欠動作させ、これに より低消費電力化を図り、電池及びバッテリーの 寿命を伸ばしている。

発明が解決しようとする課題 ところで、上記のような従来の高周波増幅回路 におけるコレクタ電流Ｉ_ｃ及びコレクタ電圧Ｖ_ｃは 次式で与えられる。

Ｖ_ｃ＝Ｖ_ｒｅｇ−Ｉ_ｃ・Ｒ_１ Ｖ_ｃ＜Ｖ_ｒｅｇ ・・・・・・・・・(2) 但し、Ｖ_ＢＥはベース・エミッタ間のバイアス電 圧、βは電流増幅率である。

(2)式から明らかなようにＶ_ｃ＜Ｖ_ｒｅｇとなるこ とにより、高周波増幅回路の出力電圧Ｖ_ｏｕｔのダ イナミックレンジは一定出力電圧Ｖ_ｒｅｇで制約さ れる。すなわち、Ｖ_ｒｅｇ−Ｖ_{ＳａｔＰ−Ｐ}（Ｖ
_{ＳａｔＰ−Ｐ}： コレクタ飽和電圧）以上のダイナミックレンジを 取ることができないという問題があった。

本発明は、このような従来の問題を解決するも のであり、一定出力電圧源より大きい出力電圧源 に依在したダイナミックレンジを得ることができ る高周波増幅回路のバッテリーセービング方法を 提供することを目的とする。

課題を解決するための手段 本発明は、上記目的を達成するために高周波増 幅回路に供給される出力用電圧源及びバイアス電 圧源を独立させ、バイアス電圧源のみにバッテ リーセービングをかけるようにしたものである。

作用 したがって、本発明によれば、出力用電圧源と バイアス電圧源を独立させ、かつバイアス電圧源 を出力用電圧源より低く設定することにより、出 力用電圧源に依存した高周波増幅回路のダイナ ミツクレンジを得ることができ、そしてバイアス 電圧源のみにバッテリーセービングをかけること により高周波増幅回路を間欠動作させることがで きるという効果を有する。

実施例 第１図は、本発明方法を適用した一実施例を示 す高周波増幅回路である。第１図において、トラ ンジスタ１のコレクタは回路負荷２を介して出力 用の電圧源のＶ_０に接続され、エミッタは抵抗値Ｒ_１ の電流帰還抵抗６を介してアースに接続されてい る。また、エミッタとアース間には交流分をバイ パスするバイパスコンデンサ７が直列に接続され ている。

トランジスタ１のベースには抵抗値Ｒ_２のバイ アス抵抗８を介して一定出力電圧のバイアス電圧 源Ｖ_ｒｅｇ（Ｖ_ｒｅｇ＜Ｖ_０）が印加されている。ま た、ベースは入力電圧Ｖ_ｉｎを印加する入力端子Ｉ Ｎに接続され、コレクタには出力電圧Ｖ_ｏｕｔを取 り出す出力端子ＯＵＴが接続されている。

次に上記実施例の動作について説明する。上記 実施例において、コレクタ電圧Ｖ_ｃ及びエミッタ 電圧Ｖ_ｅは次式によって与えられる。

Ｖ_ｃ＝Ｖ_０ ・・・・・・・・・・(3) Ｖ_ｅ＝（Ｉ_Ｃ＋Ｉ_Ｂ）Ｒ_１ ・(4) ここで、ベース電流Ｉ_Ｂはコレクタ電流Ｉ_Ｃに比 較して無視できる程度に小さいので、 となる。したがって、高周波増幅回路の出力電圧 Ｖ_ｏｕｔのダイナミックレンジは、最大でＶ_０−Ｖ_{ｓａ ｔ} −Ｖ_ｅＰ−Ｐとなる。ここで、エミッタ電圧Ｖ_ｅをで きるだけ小さくし、Ｖ_ｒｅｇ＜Ｖ_０と設定すれば、Ｖ_{ｒｅｇＰ−Ｐ} 以上のダイナミックレンジを得ることがで きる。すなわち、出力用の電圧源Ｖ_０とバイアス 用の一定出力電圧源Ｖ_ｒｅｇとを独立して設けてあ るから出力電圧Ｖ_ｏｕｔのダイナミックレンジはＶ_０ に依存することができる。

また、上記構成の高周波増幅回路においてもコ レクタ電流Ｉ_Ｃは、 となり、Ｖ_０に依存することがない。そして、Ｖ_ｒｅｇ は一定出力電圧源であるため、高周波増幅回 路のコレクタ電流Ｉ_Ｃのばらつき、及び利得のば らつきを抑えることができる。さらに一定出力電 圧源Ｖ_ｒｅｇにバッテリーセービングをかけること により、上記構成の高周波増幅回路でも間欠動作 させることができ、電池，バッテリーの長寿命化 を可能にする。

発明の効果 本発明は上記実施例から明らかなように、バイ アス電圧源と出力用の電圧源を独立させることに より、出力電圧源に依存した出力のダイナミック レンジを得ることができるとともに、バイアス電 圧源のみにバッテリーセービングをかけても高周 波増幅回路を間欠させることができるという効果 がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法の一実施例における高周波 増幅回路図、第２図は従来方法の一般的な高周波 増幅回路図である。 １…トランジスタ、２…回路負荷、６…電流帰 還抵抗、７…バイパスコンデンサ、８…バイアス 抵抗、Ｖ_０…出力用電圧源、Ｖ_ｒｅｇ…バイアス電圧 源。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高周波増幅回路に供給される出力用電圧
   源とバ イアス電圧源をそれぞれ独立させ、前記バイアス 電圧源のみにバッテリーセービングをかけるよう にしたことを特徴とする高周波増幅回路のバッテ リーセービング方法。