JP3111460B2 - 電圧/絶対値電流コンバータ回路 - Google Patents

電圧/絶対値電流コンバータ回路

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JP3111460B2
JP3111460B2 JP02174616A JP17461690A JP3111460B2 JP 3111460 B2 JP3111460 B2 JP 3111460B2 JP 02174616 A JP02174616 A JP 02174616A JP 17461690 A JP17461690 A JP 17461690A JP 3111460 B2 JP3111460 B2 JP 3111460B2
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    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10Regulating voltage or current
    • G05F1/46Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/561Voltage to current converters
    • GPHYSICS
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    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/22Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only

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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、一般的にコンバータ回路に関し、さらに詳
しくは、入力電圧信号を絶対値電流出力信号に変換する
回路であって、コンデンサを使用しないため集積回路と
して構築することの可能なコンバータ回路に関する。
(従来技術および解決すべき課題) 入力電圧信号を絶対値電流信号に変換するコンバータ
回路は現在入手可能である。しかし、一般にこれらの回
路は信号のDC成分を除去するため結合コンデンサを使用
しており、したがって集積回路として構築することは容
易ではなかった。
したがって、本発明の1つの目的は、DCおよびAC成分
を有する入力電圧信号をAC成分のみを有する絶対値電流
信号に変換するコンバータ回路を提供することである。
本発明の他の目的は、コンデンサを使用せずに電圧/
絶対値電流変換を行うコンバータ回路を提供することで
ある。
本発明のさらに他の目的は、集積回路として構築でき
る電圧/絶対値電流コンバータ回路を提供することであ
る。
(課題を解決するための手段) 上述および他の機能および目的にしたがって、電圧/
絶対値電流コンバータ回路が提供され、このコンバータ
回路は、コレクタ、ベースならびに第1および第2エミ
ッタ端子をそれぞれ有する第1および第2トランジスタ
から構成される。第1および第2トランジスタのコレク
タ端子は相互結合されることにより電源電圧ソースに結
合され、第1および第2トランジスタのベース端子は差
動入力電圧信号を受け取るためのものである。第1およ
び第2トランジスタの第1エミッタ端子は第1抵抗器の
第1端子に結合され、第1および第2トランジスタの第
2エミッタ端子はそれぞれ第2および第3抵抗器の第1
端子に結合される。
第1抵抗器の第2端子は、第3および第4トランジス
タのコレクタならびに増幅器の非反転入力に結合され
る。第2および第3抵抗器の第2端子は、第3トランジ
スタのベース、ダイオードのアノード、および増幅器の
反転入力に結合される。増幅器の出力は第4トランジス
タのベースおよび第5トランジスタのベースに結合され
る。第3、第4および第5トランジスタのエミッタはダ
イオードのカソードに結合されることにより基準端子に
結合される。第5トランジスタのコレクタ電流は、差動
入力電圧信号のAC成分の絶対値に正比例する。
(実施例) 添付図面とともに上述の説明を参考にすることによ
り、本発明の上述および他の機能ならびにこれらの機能
を達成する方法は明らかになり、本発明はもっともよく
理解される。
第1図は本発明の概略図であり、ここで本発明はダブ
ル・エミッタNPNトランジスタ1、2によって構成さ
れ、ダブル・エミッタNPNトランジスタ1、2のコレク
タは相互結合されることにより電源電圧ソースに結合さ
れる。トランジスタ1、2のベース端子42、44は入力電
圧信号を受け取るためのものである。トランジスタ1、
2の第1エミッタは相互結合されることにより抵抗器36
の第1端子に結合される。トランジスタ1の第2エミッ
タは抵抗器32の第1端子に結合され、抵抗器32の第2端
子はNPNトランジスタ3のベースおよびダイオード20の
アノードに結合される。トランジスタ2の第2エミッタ
は、抵抗器34の第1端子に結合され、抵抗器34の第2端
子はトランジスタ3のベースおよび増幅器10の負入力端
子または反転入力端子に結合される。抵抗器36の第2端
子はトランジスタ3、4のコレクタおよび増幅器10の正
入力端子または非反転入力端子に結合される。増幅器10
の出力端子は,NPNトランジスタ4、5のベースに結合さ
れ、NPNトランジスタ4、5のエミッタは、トランジス
タ3のエミッタおよびダイオード20のカソード端子に結
合されることにより基準端子に結合される。
端子42、44に印加される差動入力信号はグランドに対
して2つの成分に分解される;すなわち、端子42に印加
される(Vdc+Vac)および端子44に印加される(Vdc−V
ac)であり、その結果、トランジスタ1、2のエミッタ
に直列である抵抗器32、34に電流が流れる。すなわち、
抵抗器32に(Idc+iac)が流れ、抵抗器34に(Idc
iac)が流れる。ダイオード20に流れる電流(I20)は、
これらの電流の和、すなわち: I20=Idc+iac+Idc−iac=2Idc となる。このDC電流はトランジスタ3により鏡映(mirr
ored)される。何故ならば、トランジスタ3のコレクタ
は増幅器10によりノード24における電圧に維持されるか
らである。抵抗器32および抵抗器34の値は等しく、かつ
その値は抵抗器36の値の2倍に等しいので、抵抗器36を
流れる全電流は2(Idc+iac)となる。この電流は、入
力信号Vinの極性に拘わらず、常に同じ方向に変化する
ことに注意されたい。トランジスタ4を流れるコレクタ
電流は、抵抗器36を流れる全電流からトランジスタ3の
コレクタを流れる電流を差し引いた電流になる。したが
って、トランジスタ4のコレクタ電流(I4)は: I4=2(Idc+iac)−I20=2Idc+2iac−2Idc=2iac となる。トランジスタ4を流れるこのコレクタ電流は、
トランジスタ5を流れるコレクタ電流により鏡映(mirr
ored)され、かつ端子42と端子44との間の入力信号電圧
のAC成分に正比例するAC電流のみから成る。
理解できるように、抵抗器32、34を流れる電流のAC成
分は、ダイオード20により加算されると、だがいに打ち
消しあうことにより、端子42、44に印加される入力電圧
信号から得られる電流のDC成分のみが残る。抵抗器36を
流れる電流のDC成分を抵抗器32、34を流れる電流の和の
DC成分に等しくするため、等しい値の抵抗器32、34の値
の2分の1に抵抗器36の値を選ぶ。この電流のDC成分は
トランジスタ3により分流され、抵抗器36を流れる全電
流のAC成分のみがトランジスタ4のコレクタを流れる。
このAC電流はトランジスタ5により鏡映(mirrored)さ
れ、DC成分が無く、かつ端子42と端子44との間の元の入
力電圧信号のAC成分の絶対値に比例する出力電流信号
(i0)が得られる。明らかなように、この変換はコンデ
ンサを使用せずに行われ、したがって図示の回路を集積
回路として構築できる。
第2図は、典型的な増幅器10のより詳細な回路図を示
す本発明の概略図である。増幅器10以外の図1における
素子は、上述同様に結合され、増幅器はトランジスタ
6、7、8、能動負荷(active load)30および抵抗器3
8によって構成される。NPNトランジスタ8のコレクタは
NPNトランジスタ7のコレクタおよび能動負荷30の第1
端子に結合されることにより電源電圧ソースに結合され
る。能動負荷30の第2端子はトランジスタ8のベースお
よびNPNトランジスタ6のコレクタに結合され、NPNトラ
ンジスタ6のベースは抵抗器34の第2端子に結合され
る。トランジスタ7のベースはトランジスタ4のコレク
タに結合され、トランジスタ6、7のエミッタは抵抗器
38の第1端子に結合され、抵抗器38の第2端子はトラン
ジスタ4のエミッタに結合されることにより基準端子に
結合される。トランジスタ8のエミッタはトランジスタ
4、5のベースに結合される。
理解できるように、抵抗器34の第2端子は、増幅器の
反転入力として動作するトランジスタ6のベースに結合
される。ここで、増幅器への非反転入力は、トランジス
タ3のコレクタに結合されるトランジスタ7のベースと
なる。このとき、増幅器の出力は、トランジスタ4、5
のベース端子に結合されるトランジスタ8のエミッタと
なる。
上述の回路を構築する場合、AC誤差を抑えるために、
ノード24のインピーダンスをできるだけ小さくしなけれ
ばならない。抵抗器32、34およびダイオード20を流れる
DC電流は、大電流に維持されなければならない。さら
に、入力オフセット電圧の出力電流に対する影響を抑え
るため、増幅器10への正(非反転)入力は高インピーダ
ンスでなくてはならない。トランジスタ4を流れる電流
はゼロまで下げることができるので、トランジスタ4の
スピードがさらに低下することを防ぐためには、小さい
デバイスを用いてトランジスタ4のコレクタのキャパシ
タンスをできるだけ小さくしなければならない。
したがって、本発明で提供するものは、コンデンサを
使用せずに変換を行う電圧/絶対値電流コンバータであ
り、したがって集積回路として容易に実施できる電圧/
絶対値電流コンバータである。本発明の原理および特定
の形状を具体的なデバイスとともに述べてきたが、この
説明は一例にすぎず、本発明の範囲を限定するものでは
ない。例えば、第1図の増幅器10は、集積回路として実
施することのできる多くの高利得増幅器の1つでもよ
く、第2図の増幅器10の具体的な構成は、回路の基本機
能に影響を与えることなく、能動負荷30の代わりに受動
負荷を使用して実現できる。ただしこの場合、性能は多
少劣化する。また、当業者にとって明らかなように、抵
抗器32、34、36に適切な値を用いることにより、出力に
おいてゼロ以外の具体的なDCレベルを得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の好適な実施例であるコンバータ回路
の概略図である。 第2図は、増幅器部分のより詳細な構成を示す本発明の
好適な実施例の詳細図である。 (主要符号の説明) 1、2……ダブル・エミッタNPNトランジスタ 3、4、5、6、7、8……トランジスタ 10……増幅器 20……ダイオード 24……ノード 32、34、36……抵抗器 42、44……差動入力端子

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】コンバータ回路であって: 第1、第2および第3抵抗器であって、第1抵抗器の抵
    抗値が、同じ抵抗値を有する第2および第3抵抗器の抵
    抗値の半分であるところの、第1、第2および第3抵抗
    器; それぞれ差動信号を受信するように結合されたベース端
    子と、第1の電源電圧ソースに共通して結合されたコレ
    クタ端子とを有する第1および第2トランジスタ; 第2抵抗器を通して第1トランジスタの第1エミッタ端
    子に結合されかつ第3抵抗器を通して第2トランジスタ
    の第1エミッタ端子に結合されたベース端子と、第1抵
    抗器を通して第1および第2トランジスタの第2エミッ
    タ端子に共通して結合されたコレクタ端子と、第2電源
    電圧ソースに結合されたエミッタ端子とを有する第3ト
    ランジスタ; 第3トランジスタのベース端子に結合されたアノード端
    子と、第2電源電圧ソースに結合されたカソード端子と
    を有するダイオード; 第3トランジスタのコレクタ端子に結合された正入力端
    子と、第3トランジスタのベース端子に結合された負入
    力端子とを有する増幅器;ならびに それぞれ増幅器の出力に共通して結合されたベース端子
    と、第2電源電圧ソースに共通して結合されたエミッタ
    端子とを有する第4および第5トランジスタであって、
    第4トランジスタのコレクタ端子が第3トランジスタの
    コレクタ端子に結合され、第5トランジスタのコレクタ
    端子が当該コンバータ回路の出力に結合されるところ
    の、第4および第5トランジスタ; によって構成されることを特徴とするコンバータ回路。
  2. 【請求項2】前記第1および第2トランジスタが、ダブ
    ル・エミッタNPNトランジスタであることを特徴とする
    請求項1記載のコンバータ回路。
  3. 【請求項3】前記第3、第4および第5トランジスタが
    NPNトランジスタであることを特徴とする請求項2記載
    のコンバータ回路。
  4. 【請求項4】前記トランジスタ、抵抗器、増幅器および
    ダイオードがすべて1つの集積回路に集積されているこ
    とを特徴とする請求項1記載のコンバータ回路。
  5. 【請求項5】請求項1記載のコンバータ回路であって、
    前記増幅器が: 第4抵抗器; 負荷; 第3トランジスタのベース端子に結合されたベース端子
    と、前記負荷を通して第1電源電圧ソースに結合された
    コレクタ端子とを有する第6トランジスタ; 第3トランジスタのコレクタ端子に結合されたベース端
    子と、第1電源電圧ソースに結合されたコレクタ端子
    と、第6トランジスタのエミッタ端子に共通して結合さ
    れて第4抵抗器を通して第2電源電圧に結合されたエミ
    ッタ端子とを有する第7トランジスタ; 第6トランジスタのコレクタ端子に結合されたベース端
    子と、第1電源電圧に結合されたコレクタ端子と、第4
    および第5トランジスタの両ベース端子に結合されたエ
    ミッタ端子とを有する第8トランジスタ; によって構成されることを特徴とするコンバータ回路。
  6. 【請求項6】前記負荷が能動負荷であることを特徴とす
    る請求項5記載のコンバータ回路。
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