JPH0563016B2 - - Google Patents
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- JPH0563016B2 JPH0563016B2 JP61252363A JP25236386A JPH0563016B2 JP H0563016 B2 JPH0563016 B2 JP H0563016B2 JP 61252363 A JP61252363 A JP 61252363A JP 25236386 A JP25236386 A JP 25236386A JP H0563016 B2 JPH0563016 B2 JP H0563016B2
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- Japan
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- vacuum chamber
- carrier
- cryopump
- semiconductor devices
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- Prior art date
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- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 13
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Landscapes
- Warehouses Or Storage Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の保管装置、特に半導体
装置の製造時において、各工程間で半導体装置を
一時保管する場合に使用する保管装置に関する。
装置の製造時において、各工程間で半導体装置を
一時保管する場合に使用する保管装置に関する。
従来、この種の半導体装置の保管装置には、例
えば第２図に示すようなものがある（例えば、特
開昭57−156903号参照）。第２図に基づき簡単に
説明を行うと一時保管される半導体装置１０１は
キヤリア１０２の中に納められ、浮遊塵の付着防
止のため、ストツカー１０３の中に収納される。
えば第２図に示すようなものがある（例えば、特
開昭57−156903号参照）。第２図に基づき簡単に
説明を行うと一時保管される半導体装置１０１は
キヤリア１０２の中に納められ、浮遊塵の付着防
止のため、ストツカー１０３の中に収納される。
ストツカー１０３には、外部からの浮遊塵の進
入防止のため、シロツコフアン１０５からフイル
ター１０４を通して強制的に空気又は、窒素ガス
等が送風される。
入防止のため、シロツコフアン１０５からフイル
ター１０４を通して強制的に空気又は、窒素ガス
等が送風される。
しかしながら、上述した従来の半導体装置の保
管装置では、ストツカー内で空気又は窒素ガスが
乱流となるために外気の巻き込みを生じ進入する
浮遊塵を完全に防止できないという欠点がある。
また、ストツカーに送風する空気又は窒素ガスか
らの半導体装置への汚染という欠点もある。
管装置では、ストツカー内で空気又は窒素ガスが
乱流となるために外気の巻き込みを生じ進入する
浮遊塵を完全に防止できないという欠点がある。
また、ストツカーに送風する空気又は窒素ガスか
らの半導体装置への汚染という欠点もある。
また、従来の装置では、半導体装置の保管雰囲
気は清浄空気であるため、半導体装置を長期間保
管する際に、清浄空気中に含まれる酸素と水分に
基因して半導体装置の表面に自然酸化膜が成長
し、その表面が汚染されるという問題があつた。
気は清浄空気であるため、半導体装置を長期間保
管する際に、清浄空気中に含まれる酸素と水分に
基因して半導体装置の表面に自然酸化膜が成長
し、その表面が汚染されるという問題があつた。
さらに、半導体装置が収納されたキヤリアは、
搬送の途中で移し替えられるため、その移替時に
塵埃が発生し、キヤリア内の半導体装置が塵埃に
より汚染される可能性があつた。
搬送の途中で移し替えられるため、その移替時に
塵埃が発生し、キヤリア内の半導体装置が塵埃に
より汚染される可能性があつた。
本発明の目的は、半導体装置の長期間に亘る保
管を可能とした保管装置を提供することにある。
管を可能とした保管装置を提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明に係る半導体
装置の保管装置は、搬送系と、真空室と、予備真
空室と、開閉扉とを有し、半導体装置を真空雰囲
気中に保管する半導体装置の保管装置であつて、 搬送系は、半導体装置を収納したキヤリアを予
備真空室、真空室に順次搬送するものであり、 真空室は、ストツカーとクライオポンプとを有
し、 ストツカーは、真空室に搬入された半導体装置
をキヤリアごと保管するものであり、 クライオポンプは、真空室内を真空脱気するも
のであり、 予備真空室は、真空室と連通してその前段に設
けられ、クライオポンプを有し、 クライオポンプは、予備真空室内を真空脱気す
るものであり、 開閉扉は、真空室と予備真空室との連通口及び
予備真空室の搬出入口にそれぞれ設けられ、キヤ
リアの搬出入時以外は閉止し、少なくとも真空室
を外気から遮断するものである。
装置の保管装置は、搬送系と、真空室と、予備真
空室と、開閉扉とを有し、半導体装置を真空雰囲
気中に保管する半導体装置の保管装置であつて、 搬送系は、半導体装置を収納したキヤリアを予
備真空室、真空室に順次搬送するものであり、 真空室は、ストツカーとクライオポンプとを有
し、 ストツカーは、真空室に搬入された半導体装置
をキヤリアごと保管するものであり、 クライオポンプは、真空室内を真空脱気するも
のであり、 予備真空室は、真空室と連通してその前段に設
けられ、クライオポンプを有し、 クライオポンプは、予備真空室内を真空脱気す
るものであり、 開閉扉は、真空室と予備真空室との連通口及び
予備真空室の搬出入口にそれぞれ設けられ、キヤ
リアの搬出入時以外は閉止し、少なくとも真空室
を外気から遮断するものである。
本発明によれば、半導体装置を収納したキヤリ
アを予備真空室内に一旦搬入し、予備真空室内を
真空脱気して外気から遮断し、次いで半導体装置
を予備真空室から真空保管室内に搬入し、半導体
装置を真空雰囲気中に保管する。
アを予備真空室内に一旦搬入し、予備真空室内を
真空脱気して外気から遮断し、次いで半導体装置
を予備真空室から真空保管室内に搬入し、半導体
装置を真空雰囲気中に保管する。
予備真空室から真空室へのキヤリアの搬入に際
しては、両室が真空であり、両室の連通口を開い
てキヤリアを真空室に搬入しても真空室内の真空
雰囲気は損われない。
しては、両室が真空であり、両室の連通口を開い
てキヤリアを真空室に搬入しても真空室内の真空
雰囲気は損われない。
真空雰囲気中では、酸素や水分が無視できる程
度に抑えられ、かつ真空室内への浮遊塵の侵入が
なく、半導体装置を長期間に亘つて保管する際
に、自然酸化膜の成長による汚染を防止できる。
度に抑えられ、かつ真空室内への浮遊塵の侵入が
なく、半導体装置を長期間に亘つて保管する際
に、自然酸化膜の成長による汚染を防止できる。
以下に本発明の一実施例を図により説明する。
第１図は、本発明の一実施例を示す構成図であ
る。
第１図は、本発明の一実施例を示す構成図であ
る。
図において、本発明に係る半導体装置の保管装
置は、単一の搬送系６と、真空室５と予備真空室
３とを有している。
置は、単一の搬送系６と、真空室５と予備真空室
３とを有している。
搬送系６は、半導体装置１を収納したキヤリア
２を予備真空室３、真空室５、さらに真空室５内
のストツカー４へ順次搬送するものである。
２を予備真空室３、真空室５、さらに真空室５内
のストツカー４へ順次搬送するものである。
真空室５は、ストツカー４とクライオポンプ７
とを有している。ストツカー４は、マトリツクス
状に縦横に整列して設けられ、搬送系６で搬送さ
れた半導体装置１をキヤリア２ごと保管する場所
である。クライオポンプ７は、真空室５内を真空
脱気して、キヤリア２が設置されたストツカー４
内を真空雰囲気に維持するものである。
とを有している。ストツカー４は、マトリツクス
状に縦横に整列して設けられ、搬送系６で搬送さ
れた半導体装置１をキヤリア２ごと保管する場所
である。クライオポンプ７は、真空室５内を真空
脱気して、キヤリア２が設置されたストツカー４
内を真空雰囲気に維持するものである。
予備真空室３は、真空室５と連通してその前段
に設けられ、クライオポンプ８を有している。ク
ライオポンプ８は、予備真空室３内を真空脱気し
て室内雰囲気を真空に保持するものである。
に設けられ、クライオポンプ８を有している。ク
ライオポンプ８は、予備真空室３内を真空脱気し
て室内雰囲気を真空に保持するものである。
また、真空室５と予備真空室３との連通口及び
予備真空室３の搬出入口には、開閉扉９，１０が
それぞれ設けられており、常時各扉９，１０は閉
止され、各室３，５は外気から遮断されている。
予備真空室３の搬出入口には、開閉扉９，１０が
それぞれ設けられており、常時各扉９，１０は閉
止され、各室３，５は外気から遮断されている。
本発明において、半導体装置１を真空室５内に
保管するにあたつては、第１図ａの位置で半導体
装置１を納めたキヤリア２を搬送系６上に載せ
る。まず、予備真空室３をパージし、扉９を開
け、キヤリア２を予備真空室３内のｂ位置まで搬
送し、その後、扉９を閉じる。そして、クライオ
ポンプ８により予備真空室３を真空状態にした
後、扉１０を開き、予備真空室３と真空室５とを
連通し、キヤリア２を引き続いて搬送系６により
キヤリア２を真空室５内のｃ位置に搬入する。
保管するにあたつては、第１図ａの位置で半導体
装置１を納めたキヤリア２を搬送系６上に載せ
る。まず、予備真空室３をパージし、扉９を開
け、キヤリア２を予備真空室３内のｂ位置まで搬
送し、その後、扉９を閉じる。そして、クライオ
ポンプ８により予備真空室３を真空状態にした
後、扉１０を開き、予備真空室３と真空室５とを
連通し、キヤリア２を引き続いて搬送系６により
キヤリア２を真空室５内のｃ位置に搬入する。
その後、真空室５の扉１０を閉じた後、搬送系
６により第１図のｄのようにキヤリア２をストツ
カー４に収納し保管する。
６により第１図のｄのようにキヤリア２をストツ
カー４に収納し保管する。
キヤリア２を搬送する場合は、搬送系６により
第１図のｃのようにキヤリア２をストツカー４よ
り搬出する。そして扉１０を開き、第１図のｂの
ようにキヤリア２を搬送する。扉１０を閉じた
後、予備真空室３をパージし、扉９を開いて第１
図のａ位置までキヤリア２を搬出する。扉９を閉
じてクライオポンプ８により予備真空室３を真空
に維持する。
第１図のｃのようにキヤリア２をストツカー４よ
り搬出する。そして扉１０を開き、第１図のｂの
ようにキヤリア２を搬送する。扉１０を閉じた
後、予備真空室３をパージし、扉９を開いて第１
図のａ位置までキヤリア２を搬出する。扉９を閉
じてクライオポンプ８により予備真空室３を真空
に維持する。
以上説明したように本発明によれば、真空室の
前段に予備真空室を連設し、両室間の連通口及び
予備真空室の搬出入口に別個に開閉する扉を取付
けたため、半導体装置を収納したキヤリアを真空
室内で保管するに先立ち、予備真空室内に一旦収
容して真空雰囲気に保ち、次いで両室を連通させ
て真空室内に移し替えるため、真空室内を開いた
ときに外気が真空室内に侵入することがなく、浮
遊塵の半導体装置への付着を防止するとともに、
自然酸化膜形成による汚染を防止できる効果を有
する。
前段に予備真空室を連設し、両室間の連通口及び
予備真空室の搬出入口に別個に開閉する扉を取付
けたため、半導体装置を収納したキヤリアを真空
室内で保管するに先立ち、予備真空室内に一旦収
容して真空雰囲気に保ち、次いで両室を連通させ
て真空室内に移し替えるため、真空室内を開いた
ときに外気が真空室内に侵入することがなく、浮
遊塵の半導体装置への付着を防止するとともに、
自然酸化膜形成による汚染を防止できる効果を有
する。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図であ
る。第２図ａは従来例を示す正面図、ｂは同側面
図である。 １……半導体装置、２……キヤリア、３……予
備真空室、４……ストツカー、５……真空室、６
……搬送系、７，８……クライオポンプ、９，１
０……扉、１０１……半導体装置、１０２……キ
ヤリア、１０３……ストツカー、１０４……フイ
ルター、１０５……シロツコフアン。
る。第２図ａは従来例を示す正面図、ｂは同側面
図である。 １……半導体装置、２……キヤリア、３……予
備真空室、４……ストツカー、５……真空室、６
……搬送系、７，８……クライオポンプ、９，１
０……扉、１０１……半導体装置、１０２……キ
ヤリア、１０３……ストツカー、１０４……フイ
ルター、１０５……シロツコフアン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 搬送系と、真空室と、予備真空室と、開閉扉
とを有し、半導体装置を真空雰囲気中に保管する
半導体装置の保管装置であつて、 搬送系は、半導体装置を収納したキヤリアを予
備真空室、真空室に順次搬送するものであり、 真空室は、ストツカーとクライオポンプとを有
し、 ストツカーは、真空室に搬入された半導体装置
をキヤリアごと保管するものであり、 クライオポンプは、真空室内を真空脱気するも
のであり、 予備真空室は、真空室と連通してその前段に設
けられ、クライオポンプを有し、 クライオポンプは、予備真空室内を真空脱気す
るものであり、 開閉扉は、真空室と予備真空室との連通口及び
予備真空室の搬出入口にそれぞれ設けられ、キヤ
リアの搬出入時以外は閉止し、少なくとも真空室
を外気から遮断するものであることを特徴とする
半導体装置の保管装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61252363A JPS63104441A (ja) | 1986-10-22 | 1986-10-22 | 半導体装置の保管装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61252363A JPS63104441A (ja) | 1986-10-22 | 1986-10-22 | 半導体装置の保管装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63104441A JPS63104441A (ja) | 1988-05-09 |
| JPH0563016B2 true JPH0563016B2 (ja) | 1993-09-09 |
Family
ID=17236250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61252363A Granted JPS63104441A (ja) | 1986-10-22 | 1986-10-22 | 半導体装置の保管装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63104441A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5503389B2 (ja) * | 2010-04-16 | 2014-05-28 | 株式会社ダン・タクマ | 保管システムおよび保管方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57156903A (en) * | 1981-03-23 | 1982-09-28 | Hitachi Ltd | Automatic stockpiler for products |
| JPS6228359A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-02-06 | 株式会社 和広武 | 真空コンテナ |
| JPS62169347A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-07-25 | テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド | 処理済ウエーハを所望の真空状態下で保管する方法 |
-
1986
- 1986-10-22 JP JP61252363A patent/JPS63104441A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57156903A (en) * | 1981-03-23 | 1982-09-28 | Hitachi Ltd | Automatic stockpiler for products |
| JPS6228359A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-02-06 | 株式会社 和広武 | 真空コンテナ |
| JPS62169347A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-07-25 | テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド | 処理済ウエーハを所望の真空状態下で保管する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63104441A (ja) | 1988-05-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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