JP2908129B2 - 半導体装置の保管方法 - Google Patents
半導体装置の保管方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の保管に係
わり、特に半導体装置の製造時において、各工程間で半
導体装置を一事保管する方法に関する。
わり、特に半導体装置の製造時において、各工程間で半
導体装置を一事保管する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体装置の保管装置に
は、例えば図８に示す様なものがある。図８に基づき簡
単に説明を行なうと一事保管される半導体装置１７は導
電性キャリア５の中に納められ、浮遊塵の付着防止の
為、ストッカー１８の中に収納される。ストッカー１８
には、外部からの浮遊塵の進入防止のため、シロッコフ
ァン１９からヘパフィルター（ＨＥＰＡ）１４を通して
強制的に空気又は、窒素ガス等が送風される。
は、例えば図８に示す様なものがある。図８に基づき簡
単に説明を行なうと一事保管される半導体装置１７は導
電性キャリア５の中に納められ、浮遊塵の付着防止の
為、ストッカー１８の中に収納される。ストッカー１８
には、外部からの浮遊塵の進入防止のため、シロッコフ
ァン１９からヘパフィルター（ＨＥＰＡ）１４を通して
強制的に空気又は、窒素ガス等が送風される。
【０００３】この様な保管装置は、手動で半導体装置の
出し入れを行なうものと自動で任意の半導体装置の出し
入れを行なうものがある。また従来のこの種の保管装置
は、大気と完全に遮断されていない。
出し入れを行なうものと自動で任意の半導体装置の出し
入れを行なうものがある。また従来のこの種の保管装置
は、大気と完全に遮断されていない。
【０００４】近年、シリコンウェーハを水分と酸素の共
存する場所に保管するとシリコンウェーハ上に自然酸化
膜が成長することが報告されている（森田他「Ｓｉ表面
の自然酸化膜成長機構」，シリコン材料デバイス，ＳＤ
Ｍ９０−７２，ｐｐ．２１−２６，１９９０．）。
存する場所に保管するとシリコンウェーハ上に自然酸化
膜が成長することが報告されている（森田他「Ｓｉ表面
の自然酸化膜成長機構」，シリコン材料デバイス，ＳＤ
Ｍ９０−７２，ｐｐ．２１−２６，１９９０．）。
【０００５】また、半導体装置の特性の高性能化のため
には、この様な自然酸化膜をシリコンウェーハ上に成長
させてはならないことも報告されている（Ｍ．Ｍｉｙａ
ｗａｋｉ，Ｓ．Ｙｏｓｈｉｔａｋｅ，ａｎｄ Ｔ．Ｏｈ
ｍｉ， ＩＥＥＥ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ
Ｌｅｔｔ．１１，１０６５（１９９０）．）。
には、この様な自然酸化膜をシリコンウェーハ上に成長
させてはならないことも報告されている（Ｍ．Ｍｉｙａ
ｗａｋｉ，Ｓ．Ｙｏｓｈｉｔａｋｅ，ａｎｄ Ｔ．Ｏｈ
ｍｉ， ＩＥＥＥ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ
Ｌｅｔｔ．１１，１０６５（１９９０）．）。
【０００６】したがって、長時間半導体装置を保管して
もシリコン表面上に全く自然酸化膜を成長させない機構
を従来の保管装置に持たせる必要がある。
もシリコン表面上に全く自然酸化膜を成長させない機構
を従来の保管装置に持たせる必要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置の保
管装置では、保管を窒素ガス雰囲気中で行なっていて
も、半導体装置の出し入れの時に扉が大気中で開閉され
るために大気中に存在する酸素と水分が混入してしまう
という問題点があった。
管装置では、保管を窒素ガス雰囲気中で行なっていて
も、半導体装置の出し入れの時に扉が大気中で開閉され
るために大気中に存在する酸素と水分が混入してしまう
という問題点があった。
【０００８】また、構造上大気系と完全に遮断されてお
らず、常に酸素と水分が共存する様な状態におかれ、ガ
ス雰囲気をモニタリングする機能も有していないことも
あり、完全にシリコン上に成長する自然酸化膜を抑制で
きずに半導体装置の性能を劣化させてしまうといった問
題点があった。
らず、常に酸素と水分が共存する様な状態におかれ、ガ
ス雰囲気をモニタリングする機能も有していないことも
あり、完全にシリコン上に成長する自然酸化膜を抑制で
きずに半導体装置の性能を劣化させてしまうといった問
題点があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の保
管方法は、半導体装置保管室と、内部を外気から遮断す
るための第１のシャッターを有するとともに第２のシャ
ッターを介して前記半導体装置保管室に接続された中間
室とを備えた保管装置を用いた半導体装置の保管方法に
おいて、半導体装置を搭載したキャリアを前記半導体保
管装置に搬入するときは、前記第１のシャッターを開い
て前記キャリアを前記中間室内に搬送し、前記第１のシ
ャッターを閉めた後に、前記中間室に置換ガスを導入
し、前記中間室内の雰囲気が規格値を満たした時点で前
記置換ガスの導入を止め、その後前記第２のシャッター
を開いて前記キャリアを前記半導体装置保管室内へ搬送
し、前記キャリアを前記半導体保管装置から搬出すると
きは、前記中間室に置換ガスを導入し、前記中間室内の
雰囲気が規格値を満たした時点で前記第２のシャッター
を開いて前記半導体装置保管室から前記キャリアを前記
中間室内に搬送し、前記第２のシャッターを閉じた後に
前記第１のシャッターを開き前記キャリアを前記中間室
から外部へ搬送し、そして前記第１のシャッターを閉め
た後前記置換ガスの導入を止めることを特徴としてい
る。
管方法は、半導体装置保管室と、内部を外気から遮断す
るための第１のシャッターを有するとともに第２のシャ
ッターを介して前記半導体装置保管室に接続された中間
室とを備えた保管装置を用いた半導体装置の保管方法に
おいて、半導体装置を搭載したキャリアを前記半導体保
管装置に搬入するときは、前記第１のシャッターを開い
て前記キャリアを前記中間室内に搬送し、前記第１のシ
ャッターを閉めた後に、前記中間室に置換ガスを導入
し、前記中間室内の雰囲気が規格値を満たした時点で前
記置換ガスの導入を止め、その後前記第２のシャッター
を開いて前記キャリアを前記半導体装置保管室内へ搬送
し、前記キャリアを前記半導体保管装置から搬出すると
きは、前記中間室に置換ガスを導入し、前記中間室内の
雰囲気が規格値を満たした時点で前記第２のシャッター
を開いて前記半導体装置保管室から前記キャリアを前記
中間室内に搬送し、前記第２のシャッターを閉じた後に
前記第１のシャッターを開き前記キャリアを前記中間室
から外部へ搬送し、そして前記第１のシャッターを閉め
た後前記置換ガスの導入を止めることを特徴としてい
る。
【００１０】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１１】図１（ａ）は本発明の一実施例の装置正面
図である。この図１（ａ）に示す本実施例の保管装置
は、半導体ウェーハ６を収納した導電性キャリア５を保
管するための半導体装置保管室１，ガスを置換するため
の中間室４，半導体装置保管室１及び中間室４のガス雰
囲気を監視するためのサンプリング部９，監視部３，保
管装置の全体の動作を制御する制御部２を有して構成さ
れている。また外気と中間室４の雰囲気を遮断するため
の第１のシャッター７，中間室４と半導体装置保管室１
の雰囲気を遮断するための第２のシャッター８が設置さ
れている。
図である。この図１（ａ）に示す本実施例の保管装置
は、半導体ウェーハ６を収納した導電性キャリア５を保
管するための半導体装置保管室１，ガスを置換するため
の中間室４，半導体装置保管室１及び中間室４のガス雰
囲気を監視するためのサンプリング部９，監視部３，保
管装置の全体の動作を制御する制御部２を有して構成さ
れている。また外気と中間室４の雰囲気を遮断するため
の第１のシャッター７，中間室４と半導体装置保管室１
の雰囲気を遮断するための第２のシャッター８が設置さ
れている。
【００１２】図１（ｂ）は同実施例の半導体装置保管室
の断面図である。保管室はファンフィルタユニット１０
からヘパフィルタ（ＨＥＰＡ）１４を通して常に清浄な
ガスが供給される様になっており、供給されたガスは、
ガスリターンエリア１３を通り、一部は排気され残りは
再びファンフィルタユニット１０から供給される。ま
た、保管室内のガス圧力を一定に保持し、ガスの清浄度
を保つために一定量の新鮮ガスが供給される様になって
いる。半導体ウェーハ５の帯電を防止するために、導電
性キャリア５を保管する台は、導電性保管台１２を使用
しており、すべて接地されている。また、導電性キャリ
ア５はキャリア搬送ロボット１１（導電性の材料で構成
され接地してある）により、任意の場所へ収納すること
が可能となっている。
の断面図である。保管室はファンフィルタユニット１０
からヘパフィルタ（ＨＥＰＡ）１４を通して常に清浄な
ガスが供給される様になっており、供給されたガスは、
ガスリターンエリア１３を通り、一部は排気され残りは
再びファンフィルタユニット１０から供給される。ま
た、保管室内のガス圧力を一定に保持し、ガスの清浄度
を保つために一定量の新鮮ガスが供給される様になって
いる。半導体ウェーハ５の帯電を防止するために、導電
性キャリア５を保管する台は、導電性保管台１２を使用
しており、すべて接地されている。また、導電性キャリ
ア５はキャリア搬送ロボット１１（導電性の材料で構成
され接地してある）により、任意の場所へ収納すること
が可能となっている。
【００１３】図１（ｃ）は中間室４の断面図である。ガ
スは、ファンフィルタユニット１０からヘパフィルター
１４を通して中間室４へ供給されると同時に排気され
る。ガスの供給、排気のＯＮ，ＯＦＦは制御部２からの
指令により、自動バルブ１５を開閉することにより実施
する。
スは、ファンフィルタユニット１０からヘパフィルター
１４を通して中間室４へ供給されると同時に排気され
る。ガスの供給、排気のＯＮ，ＯＦＦは制御部２からの
指令により、自動バルブ１５を開閉することにより実施
する。
【００１４】次にその作用について図１（ａ）及び図
２，図３，図４に示すフローチャートを用いて説明す
る。最初にガス雰囲気中から酸素を除外する例として窒
素ガスを用いた例を説明する。ここで使用するガスは、
窒素ガスに限らずアルゴンガス、ヘリウムガスの様な不
活性ガス、あるいは、常温でシリコンと直接反応しない
様なガス、すなわち酸素や酸素を含むガスを除くガスな
らばどの様なガスを用いても問題はない。
２，図３，図４に示すフローチャートを用いて説明す
る。最初にガス雰囲気中から酸素を除外する例として窒
素ガスを用いた例を説明する。ここで使用するガスは、
窒素ガスに限らずアルゴンガス、ヘリウムガスの様な不
活性ガス、あるいは、常温でシリコンと直接反応しない
様なガス、すなわち酸素や酸素を含むガスを除くガスな
らばどの様なガスを用いても問題はない。
【００１５】まずキャリアを搬入する場合について説明
する。保管装置のローダ１６（ａ）の位置にキャリアが
置かれると中間室４（ｂ）の位置にキャリアが有るかど
うかを確認する。中間室４（ｂ）の位置にキャリアが無
い場合、第１のシャッター７を開きキャリアをローダ１
６（ａ）の位置から中間室４（ｂ）の位置に搬入し、搬
送後に第１のシャッター７を閉じる。次に中間室４
（ａ）へ窒素ガスを入れ、排気を開始する。次に監視部
３においてガスのサンプリングを開始する。ここで窒素
ガス中の酸素濃度を測定し、規定された濃度以下になる
まで窒素ガスの供給及び排気を継続する。酸素濃度が規
定値以下に達したらガスのサンプリングを終了し、中間
室４の排気をやめ窒素ガスの供給をとめる。次に保管室
受入口（ｃ）の位置にウェーハが無いことを確認した
後、第２のシャッター８を開き、キャリアを中間室４
（ｂ）の位置から保管室受入口（ｃ）の位置に搬入し、
第２のシャッター８を閉じる。最後にキャリアを保管室
受入口（ｃ）の位置から任意の保管場所（ｄ）の位置に
搬入し、ウェーハの保管を行ない一連のキャリア保管動
作を完了する。
する。保管装置のローダ１６（ａ）の位置にキャリアが
置かれると中間室４（ｂ）の位置にキャリアが有るかど
うかを確認する。中間室４（ｂ）の位置にキャリアが無
い場合、第１のシャッター７を開きキャリアをローダ１
６（ａ）の位置から中間室４（ｂ）の位置に搬入し、搬
送後に第１のシャッター７を閉じる。次に中間室４
（ａ）へ窒素ガスを入れ、排気を開始する。次に監視部
３においてガスのサンプリングを開始する。ここで窒素
ガス中の酸素濃度を測定し、規定された濃度以下になる
まで窒素ガスの供給及び排気を継続する。酸素濃度が規
定値以下に達したらガスのサンプリングを終了し、中間
室４の排気をやめ窒素ガスの供給をとめる。次に保管室
受入口（ｃ）の位置にウェーハが無いことを確認した
後、第２のシャッター８を開き、キャリアを中間室４
（ｂ）の位置から保管室受入口（ｃ）の位置に搬入し、
第２のシャッター８を閉じる。最後にキャリアを保管室
受入口（ｃ）の位置から任意の保管場所（ｄ）の位置に
搬入し、ウェーハの保管を行ない一連のキャリア保管動
作を完了する。
【００１６】半導体装置保管室１内のガス雰囲気は、図
３に示すフローチャートの様に監視部３により管理され
ている。監視部３では、保管室中の窒素ガスの連続サン
プリングを行なっており、常に窒素ガス中の酸素濃度を
モニタリングしている。酸素濃度がある規定値以上にな
るとアラームを発生する。
３に示すフローチャートの様に監視部３により管理され
ている。監視部３では、保管室中の窒素ガスの連続サン
プリングを行なっており、常に窒素ガス中の酸素濃度を
モニタリングしている。酸素濃度がある規定値以上にな
るとアラームを発生する。
【００１７】次に、キャリアを搬出する場合を図４によ
り説明する。保管室受入口（ｃ）の位置にキャリアが無
いことを確認した後、キャリアを保管場所（ｄ）の位置
から保管室受入口（ｃ）の位置に搬出する。中間室４
（ｂ）の位置にキャリアが無いことを確認した後、中間
室４へ窒素ガスを供給するとともに中間室４の排気を開
始する。監視部３にて中間室４の窒素ガス中の酸素濃度
を測定し、規定濃度以下に達したら第２のシャッター８
を開き、キャリアを保管室受入口（ｃ）の位置から中間
室（ｂ）の位置へ搬出し、第２のシャッター８を閉じ
る。ローダ１６（ａ）の位置にキャリアが無いことを確
認した後に、第１のシャッター７を開き、キャリアを中
間室４（ｂ）の位置からローダ１６（ａ）の位置へ搬出
し、第１のシャッター７を閉じる。ローダ１６（ａ）の
位置にあるキャリアを搬出した後、中間室４の排気をや
め、中間室４への窒素ガスの供給をとめて、一連のキャ
リア搬出動作を完了する。
り説明する。保管室受入口（ｃ）の位置にキャリアが無
いことを確認した後、キャリアを保管場所（ｄ）の位置
から保管室受入口（ｃ）の位置に搬出する。中間室４
（ｂ）の位置にキャリアが無いことを確認した後、中間
室４へ窒素ガスを供給するとともに中間室４の排気を開
始する。監視部３にて中間室４の窒素ガス中の酸素濃度
を測定し、規定濃度以下に達したら第２のシャッター８
を開き、キャリアを保管室受入口（ｃ）の位置から中間
室（ｂ）の位置へ搬出し、第２のシャッター８を閉じ
る。ローダ１６（ａ）の位置にキャリアが無いことを確
認した後に、第１のシャッター７を開き、キャリアを中
間室４（ｂ）の位置からローダ１６（ａ）の位置へ搬出
し、第１のシャッター７を閉じる。ローダ１６（ａ）の
位置にあるキャリアを搬出した後、中間室４の排気をや
め、中間室４への窒素ガスの供給をとめて、一連のキャ
リア搬出動作を完了する。
【００１８】次に保管雰囲気のガス中に酸素が入ってい
る場合について説明する。ここでは乾燥空気を用いた場
合を例にとり説明する。装置構成は、図１（ａ），
（ｂ），（ｃ）に示したものと全く同様である。図５，
図６，図７はこの場合の動作を表わすフローチャートで
ある。前述した窒素ガスを用いた場合と異なるのは、フ
ローチャートに示したＡ，Ｂ，Ｃの部分のみであるの
で、ここでは異なる部分のみ説明する。
る場合について説明する。ここでは乾燥空気を用いた場
合を例にとり説明する。装置構成は、図１（ａ），
（ｂ），（ｃ）に示したものと全く同様である。図５，
図６，図７はこの場合の動作を表わすフローチャートで
ある。前述した窒素ガスを用いた場合と異なるのは、フ
ローチャートに示したＡ，Ｂ，Ｃの部分のみであるの
で、ここでは異なる部分のみ説明する。
【００１９】まず第一にキャリアの搬入あるいは搬出時
に中間室へ供給されるガスは、乾燥空気である。この
時、第１のシャッター７，第２のシャッター８の開閉を
決定するのは中間室内の乾燥空気中に含まれる水分濃度
である。監視部３にてサンプリングした乾燥空気中の水
分濃度がある規定値以下になった場合のみ第１のシャッ
ター７，第２のシャッター８の開閉が行なわれ、キャリ
アの搬入、あるいは、搬出動作が行なわれる。
に中間室へ供給されるガスは、乾燥空気である。この
時、第１のシャッター７，第２のシャッター８の開閉を
決定するのは中間室内の乾燥空気中に含まれる水分濃度
である。監視部３にてサンプリングした乾燥空気中の水
分濃度がある規定値以下になった場合のみ第１のシャッ
ター７，第２のシャッター８の開閉が行なわれ、キャリ
アの搬入、あるいは、搬出動作が行なわれる。
【００２０】また図６のフローチャートに示す様に保管
室内の乾燥空気雰囲気を保つために監視部３にてモニタ
リングされるのも水分濃度であり、ある規定値以上の水
分濃度が検出されると、自動的にアラームが発生する様
になっている。他の動作は前述した窒素ガス雰囲気の保
管の場合の動作と全く同様である。
室内の乾燥空気雰囲気を保つために監視部３にてモニタ
リングされるのも水分濃度であり、ある規定値以上の水
分濃度が検出されると、自動的にアラームが発生する様
になっている。他の動作は前述した窒素ガス雰囲気の保
管の場合の動作と全く同様である。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、水分と酸
素の共存しない外気から完全に遮断された保管場所を有
する保管装置とすることで、シリコンウェーハ上に成長
する自然酸化膜の形成を防止し、半導体装置の性能を劣
化させないという効果を有する。
素の共存しない外気から完全に遮断された保管場所を有
する保管装置とすることで、シリコンウェーハ上に成長
する自然酸化膜の形成を防止し、半導体装置の性能を劣
化させないという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例の半導体装置の保管装置を示
す構成図であり、（ａ）は全体の正面図、（ｂ）は半導
体装置保管室の断面図、（ｃ）は中間室の断面図であ
る。
す構成図であり、（ａ）は全体の正面図、（ｂ）は半導
体装置保管室の断面図、（ｃ）は中間室の断面図であ
る。
【図２】本発明の一実施例において窒素ガス雰囲気保管
の場合の搬入動作を示すフローチャートである。
の場合の搬入動作を示すフローチャートである。
【図３】本発明の一実施例において窒素ガス雰囲気保管
の場合の保管室管理を示すフローチャートである。
の場合の保管室管理を示すフローチャートである。
【図４】本発明の一実施例において窒素ガス雰囲気保管
の場合の搬出動作を示すフローチャートである。
の場合の搬出動作を示すフローチャートである。
【図５】本発明の一実施例において乾燥空気雰囲気保管
の場合の搬入動作を示すフローチャートである。
の場合の搬入動作を示すフローチャートである。
【図６】本発明の一実施例において乾燥空気雰囲気保管
の場合の保管室管理を示すフローチャートである。
の場合の保管室管理を示すフローチャートである。
【図７】本発明の一実施例において乾燥空気雰囲気保管
の場合の搬出動作を示すフローチャートである。
の場合の搬出動作を示すフローチャートである。
【図８】従来技術の半導体装置の保管装置を示す構成図
である。
である。
１ 半導体装置保管室 ２ 制御部 ３ 監視部 ４ 中間室 ５ 導電性キャリア ６ 半導体ウェーハ ７ 第１のシャッター ８ 第２のシャッター ９ サンプリング部 １０ ファンフィルタユニット １１ キャリア搬送ロボット １２ 導電性保管台 １３ ガスリターンエリア １４ ヘパフィルター １５ 自動バルブ １６ ローダ １７ 半導体装置 １８ ストッカー １９ シロッコファン
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体装置保管室と、内部を外気から遮
断するための第１のシャッターを有するとともに第２の
シャッターを介して前記半導体装置保管室に接続された
中間室とを備えた保管装置を用いた半導体装置の保管方
法において、半導体装置を搭載したキャリアを前記半導
体保管装置に搬入するときは、前記第１のシャッターを
開いて前記キャリアを前記中間室内に搬送し、前記第１
のシャッターを閉めた後に、前記中間室に置換ガスを導
入し、前記中間室内の雰囲気が規格値を満たした時点で
前記置換ガスの導入を止め、その後前記第２のシャッタ
ーを開いて前記キャリアを前記半導体装置保管室内へ搬
送し、前記キャリアを前記半導体保管装置から搬出する
ときは、前記中間室に置換ガスを導入し、前記中間室内
の雰囲気が規格値を満たした時点で前記第２のシャッタ
ーを開いて前記半導体装置保管室から前記キャリアを前
記中間室内に搬送し、前記第２のシャッターを閉じた後
に前記第１のシャッターを開き前記キャリアを前記中間
室から外部へ搬送し、そして前記第１のシャッターを閉
めた後前記置換ガスの導入を止めることを特徴とする半
導体装置の保管方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21985792A JP2908129B2 (ja) | 1992-08-19 | 1992-08-19 | 半導体装置の保管方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21985792A JP2908129B2 (ja) | 1992-08-19 | 1992-08-19 | 半導体装置の保管方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669311A JPH0669311A (ja) | 1994-03-11 |
| JP2908129B2 true JP2908129B2 (ja) | 1999-06-21 |
Family
ID=16742149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21985792A Expired - Fee Related JP2908129B2 (ja) | 1992-08-19 | 1992-08-19 | 半導体装置の保管方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2908129B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1179318A (ja) * | 1997-09-05 | 1999-03-23 | Toyota Autom Loom Works Ltd | 自動倉庫 |
-
1992
- 1992-08-19 JP JP21985792A patent/JP2908129B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0669311A (ja) | 1994-03-11 |
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