JPH0563007B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、積層セラミツクコンデンサに関す
るものである。

［従来の技術］ 積層セラミツクコンデンサの本体部分をなすセ
ラミツク積層体の内部には、複数の内部電極が形
成されている。また、セラミツク積層体の両端面
には、それぞれ、外部電極が形成されている。内
部電極のセラミツク積層体中での形成状態に着目
すると、当該内部電極は、これと接続されるべき
外部電極が形成された端面にまで達する状態で形
成されているが、その他の部分においては、マー
ジンが残されている。すなわち、内部電極と接続
されない外部電極が形成された端面に対してはエ
ンドマージンが残され、セラミツク積層体の各側
面に対してはそれぞれサイドマージンが残されて
いる。

通常、積層セラミツクコンデンサを大量に製造
するときには、１枚の大きなセラミツクグリーン
シートの上に内部電極となるべき導電膜を縦およ
び横に配列した状態で印刷したものを用意し、こ
のようなセラミツクグリーンシートを複数枚積重
ねてから切断することが行なわれる。したがつ
て、このような工程をとる場合、導電膜の印刷工
程における誤差、セラミツクグリーンシートの積
重ね工程における誤差、および積重ねられたもの
を切断する工程における誤差を考慮しなければな
らない。そのため、エンドマージンやサイドマー
ジンをあまりにもゆとりなく設定した場合、上述
の誤差が重畳されることにより、所定のマージン
が形成されないという問題点を引き起こす可能性
がある。たとえば、サイドマージンが所定値より
小さい場合には、切断工程の結果、内部電極がセ
ラミツク積層体の側面から露出することもある。
内部電極が露出したときには、得られた積層セラ
ミツクコンデンサの外部との耐電圧性が劣り、か
つ外部電極との不所望な電気的接続が引き起こさ
れる可能性がある。

このように、上述した通常の製造方法をとる限
り、エンドマージンやサイドマージンは、誤差を
許容できる程度に余裕をもつて形成されなければ
ならない。そのため、内部電極の互いの重なり部
分の面積が小さくならざるを得ず、特に小型の積
層セラミツクコンデンサでは静電容量の取得効率
をそれほど高く望むことはできなかつた。

上述のような問題点を解決するために、切断工
程において、サイドマージンを形成する側面に、
内部電極を積極的に露出させ、サイドマージンと
して機能する部分を、後で形成しようとする技術
が、たとえば特公昭53−23496号公報に記載され
ている。

この従来技術では、セラミツクの焼成後におい
て、切断を行ない、内部電極が露出された切断面
にグレーズを付与して焼付けることがで行なわれ
る。グレーズは、絶縁性を有していて、内部電極
のためのサイドマージンとして働く。

上述のようなグレーズを後で付与するという工
程をとることにより、従来の通常の製造方法にお
いて考慮しなければならなかつた導電膜の印刷工
程における誤差、積重ね工程における誤差、およ
び切断工程における誤差を考慮しなくても、グレ
ーズにより確実にサイドマージンが形成されるの
で、セラミツク積層体の両側面間の全幅にわたつ
て内部電極を形成することができるようになり、
静電容量の取得効率を高めることができる。

［発明が解決しようとする問題点］ 上述したグレーズは、セラミツクとは異質の材
料であるガラスで構成されるものである。したが
つて、このようなガラスの性質に起因して、次の
ような問題点に遭遇することがわかつた。

まず、得られた積層セラミツクコンデンサは、
ヒートシヨツクに対して弱い。ガラスとセラミツ
クとでは熱膨張係数が異なるためである。

また、グレーズの焼付けにより形成されるガラ
スの層の厚みは、これを制御するのが比較的困難
である。なぜなら、グレーズの焼付時において、
ガラスが溶融し、当初の付着量を焼付後まで維持
できないことがあるためである。すなわち、焼付
後におけるガラスの厚みは、溶融時における表面
張力によつて微妙に左右されるためである。

また、ガラスは、セラミツクに比べて誘電率が
低いため、ガラス部分での電界集中が生じ、耐電
圧性が低下する。

また、ガラスの誘電体損が比較的大きいため、
得られた積層セラミツクコンデンサとしての誘電
体損も大きくなる。

また、グレーズの焼付は、セラミツクの焼結後
に改めて行なわれなければならない。また、グレ
ーズの焼付時において、他のセラミツク積層体と
の溶着を防ぐために互いに離しておかなければな
らない。これらのことから、生産性がそれほど高
くない。

そこで、この発明は、上述したような問題点を
解消し得る積層セラミツクコンデンサを提供しよ
うとするものである。

［問題点を解決するための手段］ この発明は、複数のセラミツク誘電体層が積層
されてなり、上面、下面、相対向する両側面およ
び相対向する両端面を有する直方体状のセラミツ
ク積層体と、セラミツク積層体の各端面にそれぞ
れ形成された外部電極と、セラミツク積層体の内
部にあつてセラミツク誘電体層を挾んで互いに対
向するようにセラミツク誘電体層間に形成される
とともにいずれか一方の外部電極に接続されるよ
うにセラミツク積層体の当該外部電極が形成され
た端面にまで達する状態で形成された複数の内部
電極とを備え、各内部電極は、当該内部電極と接
続されない外部電極が形成された端面に対しては
エンドマージンを残し、かつセラミツク積層体の
各側面に対してはそれぞれサイドマージンを残す
ように、形成された、積層セラミツクコンデンサ
であつて、上述の問題点は次のように解決され
る。

すなわち、セラミツク積層体のサイドマージン
を形成する部分は、セラミツク積層体の未焼成段
階において、セラミツク積層体のサイドマージン
部分を除く部分に、セラミツク誘電体層を構成す
るのと同じセラミツク材料のスラリの層が付加さ
れ、その状態で前記セラミツク積層体が一体に焼
成されたときに得られたものであり、その層の厚
みは200μｍ以下である。

［発明の作用効果］ この発明によれば、厚みが200μｍ以下の層を
もつて内部電極のためのサイドマージンが形成さ
れる。したがつて、セラミツク積層体の幅に占め
る内部電極の幅を広くすることができ、静電容量
の取得効率を高めることができるとともに、等価
直列抵抗をを小さくすることができる。

また、サイドマージンを形成する部分は、セラ
ミツク積層体の残りの部分を構成するのと同じセ
ラミツク材料、なわち共素地で構成されるため、
熱膨張係数が一致し、耐ヒートシヨツク性が向上
する。

また、サイドマージンを形成するセラミツク材
料は、グレーズのように焼付時において溶融する
ことがないので、その厚みの制御が容易である。

また、ガラスに比べて、セラミツクは誘電体損
が小さいため、ガラスによりサイドマージンを形
成する場合に比べて、コンデンサとしての誘電体
損が小さくなる。

また、サイドマージンを形成するセラミツク材
料は、セラミツク積層体の未焼成段階において付
加され、この付加の後で、セラミツク積層体がサ
イドマージンの部分を含めて一体に焼成されるた
め、セラミツクの焼成後にグレーズを焼付ける場
合に比べて、生産性が向上する。また、グレーズ
の焼付の場合のように、互いの溶着を考慮する必
要がないことも、生産性の向上につながる。

［実施例］ 第１図には、この発明の一実施例の積層セラミ
ツクコンデンサ２６の外観が斜視図で示されてい
る。この積層セラミツクコンデンサ２６の構成を
明らかにするため、第２図ないし第７図を参照し
て、当該積層セラミツクコンデンサ２６の製造方
法について説明する。

まず、セラミツク誘電体層となる、第２図に示
すようなセラミツクグリーンシート１１が複数枚
用意される。各セラミツクグリーンシート１１に
は、内部電極となるべき複数の導電膜１２が、
各々ギヤツプ１３を介して互いに離隔された状態
で横方向に並んで、たとえば印刷により形成さ
れ、その後乾燥される。この実施例では、後で述
べる説明から明らかなように、多数の積層セラミ
ツクコンデンサを同時に得るため、各導電膜１２
は、縦方向に帯状に延びる状態で形成されてい
る。

印刷された導電膜１２を乾燥した後、第３図に
示すような位置関係をもつて、複数のセミツクグ
リーンシート１１が積層される。この実施例で
は、同じパターンをもつて形成された導電膜１２
を有する同じセラミツクグリーンシート１１を交
互に水平面内において１８０度回転させることに
より向きを変えながら、所定枚数積重ねられる。
この積重ね状態において、或るセラミツクグリー
ンシート１１上のギヤツプ１３と他のセラミツク
グリーンシート１１上の導電膜１２（この例では
導電膜１２のほぼ中央部）とが積層方向に整列す
るようになる。さらに、このように積層されたセ
ラミツクグリーンシート１１の上側および下側
に、必要に応じて、導電膜が形成されていないセ
ラミツクグリーンシートが所定枚数積重ねられ
る。

積重ねられたセラミツクグリーンシート１１
は、プレスして互いに圧着されたとき、第４図に
示すような積層体１４を構成する。この積層体１
４内には、それぞれの導電膜１２およびギヤツプ
１３の位置関係が図解的に示されている。

第４図に示す積層体１４は、次に、第２図に示
した横方向に向く切断線１５によつて厚さ方向に
切断され、それによつて、第５図に示すような長
手の積層体ブロツク１６が形成される。この積層
体ブロツク１６の側面をなす切断線１５に沿う切
断面１７には、導電膜１２が露出している。

次に、積層体ブロツク１６の両切断面１７に
は、第６図に示すように、セラミツクスラリ１８
が塗布される。このセラミツクスラリ１８の厚み
は、後の焼成後において、50〜200μｍ程度とな
るように選ばれ、特に50μｍ程度が好ましい。な
お、セラミツクスラリ１８の厚みは、印刷法やス
プレー法で精度良くコントロールすることができ
る。

上移したセラミツクスラリ１８は、セラミツク
グリーンシート１１を構成するのと同じセラミツ
ク材料、すなわち共素地のスラリから構成され
る。このように、セラミツクグリーンシート１１
とセラミツクスラリ１８とが同じセラミツク材料
から構成されていれば、後で述べる焼成工程にお
いて、同一条件で両者を焼成することができると
ともに、セラミツクグリーンシート１１とセラミ
ツクスラリ１８との境界で異常な反応が起こらな
い。

なお、セラミツクスラリ１８に含まれる結合
剤、溶媒および添加剤ならびにそれらの配合割合
は、これを塗布する方式に応じて選択すればよ
い。また、セラミツクスラリ１８に含まれる結合
剤は、セラミツクグリーンシート１１で用いられ
た結合剤との関係で、有機溶剤系または水溶性の
いずれかの結合剤に特定する方が好ましい。すな
わち、セラミツクグリーンシート１１にポリビニ
ルアルコール、ポリビニルブチラールなどの有機
溶剤系の結合剤を用いていれば、セラミツクスラ
リ１８に用いる結合剤としては、ポリビニルアセ
テートなどの水溶性の結合剤を用い、逆に、セラ
ミツクグリーンシート１１に水溶性の結合剤を用
いていれば、セラミツクスラリ１８には有機溶剤
系の結合剤を用いる方が好ましい。なぜなら、セ
ラミツクスラリ１８の結合剤がセラミツクグリー
ンシート１１の結合剤を溶解しないようにするた
めである。

次に、第６図に示した積層体ブロツク１６は、
第２図および第４図に示した縦方向に向く切断線
１９によつて、ギヤツプ１３を通る位置において
厚さ方向に切断される。それによつて、第７図に
拡大して示すような積層体チツプ２０が得られ
る。この積層体チツプ２０の両端面をなす切断面
２１の各々には、内部電極となるべき導電膜１２
が露出する。なお、２つの切断面２１のそれぞれ
には、異なる導電膜１２が露出している。

第７図に示すような直方体状の積層体チツプ２
０は、焼成される。そして。焼成された積層体チ
ツプ２０の各端面には、第１図に示すように、外
部電極２２，２３が形成される。外部電極２２，
２３は、金属を含むペーストを塗布してから焼付
ける方法、あるいはめつきなどにより形成するこ
とができる。このように外部電極２２，２３が形
成されたとき、積層体チツプ２０の内部に形成さ
れている導電膜１２をもつて与えられた内部電極
の第１グループのものが第１の外部電極２２に接
続され、同じく第２グループのものが第２の外部
電極２３に接続されて、積層セラミツクコンデン
サ２６が構成される。また、前述したセラミツク
スラリ１８の層は、焼成後において、これら内部
電極に対してサイドマージンを与えるセラミツク
層１８ａとなる。

以上のようにして得られた積層セラミツクコン
デンサの特性を、従来のものと比較して、第８図
および第９図を参照しながら、より具体的に説明
する。

第８図および第９図は、共に、セラミツク部分
２４と内部電極２５との大きさの関係を平面的に
示したもので、同じ外形寸法を有する積層セラミ
ツクコンデンサでの比較を明確にするために、セ
ラミツク部分２４における平面形状の寸法は同一
に表わされている。内部電極２５が形成されてい
る領域は、ハツチングで示され、セラミツク部分
２４の内部に隠れる内部電極２５は点線で示され
ている。なお、第８図および第９図に記入した寸
法を表わす数字の単位は［mm］であり、第８図に
示すものが従来例であり、第９図に示すものがこ
の発明によるものである。

外形の平面形状での寸法が1.5×0.8mmといつた
小形の積層セラミツクコンデンサを得ようとする
場合、従来においては、第８図に示すように、印
刷精度および切断精度の点から、サイドマージン
およびエンドマージンとして0.25mmを見込んで製
造していた。したがつて、セラミツク部分２４の
全面積に対する内部電極２５の重なり部分の面積
の比は、 （1.0×0.3）／（1.5×0.8）＝0.25 すなわち、25％にしか達することがなかつた。
これに、セラミツクグリーンシートの積重ね時の
誤差によつて生じる内部電極２５の重なりのずれ
を考慮すると、実質22〜23％にしか前述の比が達
していないのが現状であつた。

これに対して、第９図では、セラミツク層１８
ａの厚みを50μｍとすると、この厚みに相当する
0.05mmしかサイドマージンに相当する部分が存在
せず、前述の比は、 （1.0×0.7）／（1.5×0.8）＝0.58 となり、一挙に2.5倍の静電容量を取得すること
ができる。

また、静電容量のばらつきについても、3CVに
おいて、従来30％であつたのが、７〜８％にまで
少なくすることができる。

第１０図には、この発明の他の実施例の積層セ
ラミツクコンデンサ１２７が斜視図で示されてい
る。この積層セラミツクコンデンサ１７の構成を
明らかにするため、第１１図ないし第１８図を参
照しながら、その製造方法について説明する。

まず、第１１図および第１２図に示すように、
内部電極となるべき導電膜１１１がそれぞれ形成
された複数の未焼成のセラミツク誘電体層１１２
が用意される。導電膜１１１は、この実施例で
も、帯状に延びて複数列に形成されている。

第１１図および第１２図のそれぞれにおいて、
上に示したセラミツク誘電体層１１２と下に示し
たセラミツク誘電体層１１２とは互いに同一であ
るが、上のもと下のものとは互いにセラミツク誘
電体層１１２の面方向に180度回転されている。
すなわち、次の工程として、複数のセラミツク誘
電体層１１２は、上に示したものと下に示したも
のとが交互に積重ねられる。

上述のような積重ね工程は、第１３図および第
１４図に示すように、作業台１１３上で実施され
る。セラミツク誘電体層１１２の積重ね後プレス
によつて、各セラミツク誘電体層１１２は互いに
圧着される。この状態において、導電膜１１１
は、セラミツク誘電体層１１２を挾んで互いに対
向する状態となる。なお、第１２図ないし第１４
図からわかるように、或るセラミツク誘電体層１
１２上に形成された複数の導電膜１１１間の間隙
の部分は、次にセラミツク誘電体層１１２上に形
成された特定の導電膜１１１のほぼ中央部に対向
するように位置決めされている。

前述したように積重ねられ圧着されたセラミツ
ク誘電体層１１２積層構造物１１４は、以下に述
べる工程を進めるにあたつて、第１４図に示すよ
うに、作業台１１３にしつかりと固定される。こ
の固定の手段として、たとえば、ワツクスが用い
られる。

次に、第１５図に一部を示すように、作業台１
１３（図示せず）に保持されたまま、積層物構造
物１１４に対して、平行な複数の切込１１５が形
成される。これら切込１１５は、第１３図におい
て示した複数の切断線１１６に沿つて、たとえば
300μｍ程度の厚みのブレードで切断することに
より形成されたものである。これによつて複数個
の棒状のブロツク１１７が得られる。第１３図に
示した切断線１１６は、導電膜１１１を切断する
位置にあるので、得られた各ブロツク１１７の各
切断面上には、導電膜１１１が露出する。この露
出した導電膜１１１の端縁は、得ようとする積層
セラミツクコンデンサ１２７（第１０図）の内部
電極のサイドマージンと隣接すべき端縁に相当し
ている。

次に、作業台１１３上に保持された状態を保ち
ながら、第１６図に示すように、切込１１５内
に、後でサイドマージンを形成すべきセラミツク
スラリ１１８が充填される。このセラミツクスラ
リ１１８は、セラミツク誘電体層１１２を構成す
るのと同じセラミツク材料からなるものである。
なお、セラミツクスラリ１１８を充填する際、切
込１１５内に空気が入り込まないように配慮する
必要がある。そのため、たとえば負圧を与えなが
らセラミツクスラリを流し込むこと、あるいは風
を吹付けながら、その風の方向にセラミツクスラ
リを流すことなどが有利な方法として採用される
ことができる。さらに、その表面にセラミツクス
ラリを付着させたブレードを切込１１５内に走ら
せることも考えられる。

次に、作業台１１３になおも保持されたままの
状態で、第１７図に示すように、切込１１５内に
充填されたセラミツクスラリ１１８を２分割する
ように再び切断される。このとき得られた切断線
は「１１９」で示されている。この２回目の切断
は、前に切込１１５を形成したブレードより薄
い、たとえば150〜200μｍ程度の厚みのブレード
で実施される。このようにして、セラミツクスラ
リ１１８は分割され、さらにその厚みが薄くされ
る。分割されたセラミツクスラリ１１８の各部分
は、ブロツク１１７の両側面に付着した状態とな
つている。

次に、方向を90度変えて切断が実施される。す
なわち、第１２図、第１３図および第１４図に示
した切断線１２０に沿う切断が行なわれる。この
切断により得られた未焼成のセラミツク積層体１
２１が、拡大されて第１８図に示されている。セ
ラミツク積層体１２１は、第７図に示した積層体
チツプ２０と同様、上面、下面、相対向する両側
面および相対向する両端面を有する直方体状をな
している。第１８図においては、上面１１２、一
方の側面１２３および一方の端面１２４が図示さ
れている。側面１２３は、前述した切断線１１９
の結果として生じたものである。また、端面１２
４は、前述した切断線１２０に沿う切断により形
成されたものである。第１８図において、端面１
２４には、導電膜１１１の特定のものが露出して
おり、図示しないが、他方の端面にも、残る導電
膜が露出している。このようなセラミツク積層体
１２１の内部に残された導電膜１１１は、内部電
極となるものである。

未焼成のセラミツク積層体１２１は、次に、焼
成される。そして、第１０図に示すように、焼成
されたセラミツク積層体１２１の両端面には、外
部電極１２５，１２６が形成される、外部電極１
２５，１２６は、前述した実施例と同様の方法に
より形成されることができる。

第１０図に示すように得られた積層セラミツク
コンデンサ１２７は、チツプ状をなしている。こ
こで、前述したセラミツクスラリ１１８は、セラ
ミツク積層体１２１の両側面に沿つて延びるセラ
ミツク層１１８ａとなつてセラミツク積層体１２
０の一部として一体に焼結される。そして、第１
８図に示した導電膜１１１（内部電極）のための
サイドマージンを構成している。

第１９図および第２０図には、この発明による
積層セラミツクコンデンサ３０の一例が断面図で
示されている。この積層セラミツクコンデンサ３
０は、複数の内部電極３１を備え、それぞれ、サ
イドマージン３２を形成している。また、第２１
図には、従来の積層セラミツクコンデンサ４０が
断面図で示されている。この積層セラミツクコン
デンサ４０は、複数の内部電極４１を備え、それ
ぞれ、サイドマージン４２を形成している。

これら積層セラミツクコンデンサ３０および４
０は、共通して、それぞれのサイドマージン３
２，４２が現われる断面が実質的に正方形である
という寸法的な特徴を有している。また、それぞ
れの内部電極３１，４１と平行に延びる最も外側
のセラミツク層３３，４３の各厚みを、それぞ
れ、“Ａ”、“ａ”で表わす。また、サイドマージ
ン３２の幅を“Ｂ”で表わし、サイドマージン４
２の幅を“ｂ”で表わす。

まず、第２１図に示す従来の積層セラミツクコ
ンデンサ４０では、厚みａは、セラミツクグリー
ンシートの厚みや積層枚数によつて決定されるも
ので、比較的薄くすることも可能である。従来、
厚みａは、たとえば100μｍ以上に設定されてい
た。他方、幅ｂは、前述したように、それほど短
くできず、従来は、250μｍ以上の長さを有して
いた。

これに対して、第１９図および第２０図に示
す、この発明による積層セラミツクコンデンサ３
０においては、幅Ｂは、50〜200μｍ程度に短く
することができる。したがつて、幅Ｂは、厚みＡ
と等しい寸法にすることができ、当該セラミツク
コンデンサ３０では、厚みＡおよび幅Ｂを、共に
500〜200μｍの寸法とすることができる。

第１９図および第２０図には、それぞれ、プリ
ント回路基板３４が極めて省略的に図示されてい
る。第１９図では、積層セラミツクコンデンサ３
０が、その内部電極３１を基板３４と平行に向け
た状態で、基板３４上に装着されている。他方、
第２０図では、積層セラミツクコンデンサ３０
は、その内部電極３１を基板３４に対して垂直方
向に向けた状態で、基板３４上に装着されてい
る。前述したように、積層セラミツクコンデンサ
３０の断面が実質的に正方形であり、かつ厚みＡ
が幅Ｂに等しいとき、積層セラミツクコンデンサ
３０は、第１９図に示す装着状態とされても、第
２０図に示す装着状態とされても、基板３４上の
配線導体（図示せず）と内部電極３１との間に発
生する相互インダクタンスは、ほとんど変わらな
い。したがつて、第１９図および第２０図に示し
た寸法関係を有するように積層セラミツクコンデ
ンサ３０を設計すれば、積層セラミツクコンデン
サ３０は、相互インダクタンスを変化させること
なく、２種類の装着態様が可能である。

これに対して、第２１図に示す積層セラミツク
コンデンサ４０では、厚みａと幅ｂとが互いに異
なつているので、第１９図に相当の装着状態と第
２０図に相当の装着状態とでは、内部電極４１と
プリント回路基板の配線導体との間で発生する相
互インダクタンスが変化するため、その装着にあ
たつては、積層セラミツクコンデンサ４０の方向
を管理しなければならない。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例の積層セラミツ
クコンデンサ２６の外観を示す斜視図である。第
２図ないし第７図は、第１図の積層セラミツクコ
ンデンサ２６を得るための製造方法に含まれる各
工程を順次示したものである。第８図および第９
図は、従来技術との対比で、第１図ないし第７図
に示した実施例の効果をより具体的に説明するた
めの、セラミツク部分２４と内部電極２５との大
きさの関係を示す図解図である。第１０図は、こ
の発明の他の実施例の積層セラミツクコンデンサ
１２７の外観を示す斜視図である。第１１図ない
し第１８図は、第１０図の積層セラミツクコンデ
ンサ１２７を得るための製造方法に含まれる各工
程を順次示したものである。第１９図および第２
０図は、この発明にかかる積層セラミツクコンデ
ンサの装着例を示す図解的断面図である。第２１
図は、第１９図および第２０図に対応する図であ
つて、従来の積層セラミツクコンデンサの図解的
断面図である。 図において、１１はセラミツクグリーンシート
（セラミツク誘電体層）、１２は内部電極となるべ
き導電膜、１７は切断面（側面）、１８はセラミ
ツクスラリ、１８ａはセラミツク層、２１は切断
面（端面）、２２，２３は外部電極、２６は積層
セラミツクコンデンサ、３０は積層セラミツクコ
ンデンサ、３１は内部電極、３２はサイドマージ
ン、１１１は内部電極となるべき導電膜、１１２
はセラミツク誘電体層、１１８はセラミツクスラ
リ、１１８ａはセラミツク層、１２１はセラミツ
ク積層体、１２２は上面、１２３は側面、１２４
は端面、１２５，１２６は外部電極、１２７は積
層セラミツクコンデンサである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 複数のセラミツク誘電体層が積層されてな
   り、上面、下面、相対向する両側面および相対向
   する両端面を有する直方体状のセラミツク積層体
   と、セラミツク積層体の各端面にそれぞれ形成さ
   れた外部電極と、セラミツク積層体の内部にあつ
   てセラミツク誘電体層を挾んで互いに対向するよ
   うにセラミツク誘電体層間に形成されるとともに
   いずれか一方の外部電極に接続されるようにセラ
   ミツク積層体の当該外部電極が形成された端面に
   まで達する状態で形成された複数の内部電極とを
   備え、各内部電極は、当該内部電極と接続されな
   い外部電極が形成された端面に対してはエンドマ
   ージンを残し、かつセラミツク積層体の各側面に
   対してはそれぞれサイドマージンを残すように、
   形成された、積層セラミツクコンデンサにおい
   て、 前記セラミツク積層体の前記サイドマージンを
   形成する部分は、当該セラミツク積層体の未焼成
   段階において、前記セラミツク積層体の前記サイ
   ドマージン部分を除く部分に、前記セラミツク誘
   電体層を構成するのと同じセラミツク材料のスラ
   リが付加され、その状態で前記セラミツク積層体
   が一体に焼成されたときに得られたものであり、
   その層の厚みは200μｍ以下であることを特徴と
   する、積層セラミツクコンデンサ。