JPH0558647A - 多孔質ガラス母材の製造方法 - Google Patents
多孔質ガラス母材の製造方法Info
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- JPH0558647A JPH0558647A JP24407191A JP24407191A JPH0558647A JP H0558647 A JPH0558647 A JP H0558647A JP 24407191 A JP24407191 A JP 24407191A JP 24407191 A JP24407191 A JP 24407191A JP H0558647 A JPH0558647 A JP H0558647A
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- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
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- C03B37/0142—Reactant deposition burners
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/50—Multiple burner arrangements
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- C03B2207/54—Multiple burner arrangements combined with means for heating the deposit, e.g. non-deposition burner
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は合成シリカガラスの前駆体となる多
孔質ガラス母材（スート体）を製造する方法において、
シリカ微粒子の生成とその密度調整の両者を精度よく且
つ円滑に行なう事の出来るスート体の製造方法を提供す
る事を目的とする。 【構成】 本発明はかかる技術的課題を達成するため
に、前記したシリカ微粒子生成手段と別異の加熱手段を
設け、前記シリカ微粒子生成手段と別異の加熱手段を設
け、該加熱手段により前記基体上に推積したシリカ微粒
子を繰返し加熱調整させながら前記シリカ微粒子の推積
を行なう事を特徴とするものである。
孔質ガラス母材（スート体）を製造する方法において、
シリカ微粒子の生成とその密度調整の両者を精度よく且
つ円滑に行なう事の出来るスート体の製造方法を提供す
る事を目的とする。 【構成】 本発明はかかる技術的課題を達成するため
に、前記したシリカ微粒子生成手段と別異の加熱手段を
設け、前記シリカ微粒子生成手段と別異の加熱手段を設
け、該加熱手段により前記基体上に推積したシリカ微粒
子を繰返し加熱調整させながら前記シリカ微粒子の推積
を行なう事を特徴とするものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は合成シリカガラスの前駆
体となる多孔質ガラス母材を製造する方法に係り、特に
シリカ微粒子を耐熱性基体上に中空円筒状に若しくは該
耐熱基体の軸端より中実状に堆積させながら多孔質ガラ
ス母材（以下スート体という）を製造する方法に関す
る。
体となる多孔質ガラス母材を製造する方法に係り、特に
シリカ微粒子を耐熱性基体上に中空円筒状に若しくは該
耐熱基体の軸端より中実状に堆積させながら多孔質ガラ
ス母材（以下スート体という）を製造する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、SiCl4その他の珪素化合物を
酸水素炎その他の熱源により加熱し、その火炎加水分解
反応及び高温熱酸化反応によって生成されるすす状シリ
カ微粒子を石英ガラス、アルミナ（Al2O3）等の耐熱性
基体上若しくは該基体軸端より軸方向に沿って中実状に
に堆積させて、合成石英ガラス体の前駆体となるスート
体を生成した後、該スート体を真空又は不活性ガス雰囲
気中で加熱して焼結／溶融する事により透明状のガラス
体を得る、いわゆる気相による合成石英ガラス体の製造
方法は公知である。
酸水素炎その他の熱源により加熱し、その火炎加水分解
反応及び高温熱酸化反応によって生成されるすす状シリ
カ微粒子を石英ガラス、アルミナ（Al2O3）等の耐熱性
基体上若しくは該基体軸端より軸方向に沿って中実状に
に堆積させて、合成石英ガラス体の前駆体となるスート
体を生成した後、該スート体を真空又は不活性ガス雰囲
気中で加熱して焼結／溶融する事により透明状のガラス
体を得る、いわゆる気相による合成石英ガラス体の製造
方法は公知である。
【０００３】かかる合成シリカガラスの前駆体となるス
ート体の製造装置は、シリカ微粒子生成手段、例えばSi
Cl4等の珪素化合物と酸素及び水素を同時に供給可能な
同心円状の環状炎バーナと、石英ガラス、アルミナ、炭
素、炭化珪素から形成される回転可能な軸状を耐熱性基
体を備え、前記バーナ若しくは耐熱性基体の少なくとも
一方を基体軸方向に順次移動させながら、回転している
該基体上にシリカ微粒子を積層してスート体を製造する
技術（特開昭４９ー９５２３号）
ート体の製造装置は、シリカ微粒子生成手段、例えばSi
Cl4等の珪素化合物と酸素及び水素を同時に供給可能な
同心円状の環状炎バーナと、石英ガラス、アルミナ、炭
素、炭化珪素から形成される回転可能な軸状を耐熱性基
体を備え、前記バーナ若しくは耐熱性基体の少なくとも
一方を基体軸方向に順次移動させながら、回転している
該基体上にシリカ微粒子を積層してスート体を製造する
技術（特開昭４９ー９５２３号）
【０００４】又シリカ微粒子の耐熱性基体への堆積速度
を向上させる為に、耐熱性基体のシリカ微粒子堆積部位
のほぼ全長に亙って、前記バーナを耐熱性基体軸方向に
一列状に配列し、該バーナ列を基体軸方向に相対的に往
復運動させながら前記回転している基体上にシリカ微粒
子を軸方向に均一に積層してスート体を製造させる技術
（特開昭５３ー７０４４９号他、、以下径方向成長法と
いう）。
を向上させる為に、耐熱性基体のシリカ微粒子堆積部位
のほぼ全長に亙って、前記バーナを耐熱性基体軸方向に
一列状に配列し、該バーナ列を基体軸方向に相対的に往
復運動させながら前記回転している基体上にシリカ微粒
子を軸方向に均一に積層してスート体を製造させる技術
（特開昭５３ー７０４４９号他、、以下径方向成長法と
いう）。
【０００５】更に前記バーナを耐熱性基体軸端に向け配
置し、両部材間が基体軸方向に相対的に離間する方向に
移動させながら回転している該基体にシリカ微粒子を半
球状に積層して中実状スート体を製造する技術（特開昭
５２ー１４３０３７号他、以下軸方向成長法とい
う）。）も開発されている。
置し、両部材間が基体軸方向に相対的に離間する方向に
移動させながら回転している該基体にシリカ微粒子を半
球状に積層して中実状スート体を製造する技術（特開昭
５２ー１４３０３７号他、以下軸方向成長法とい
う）。）も開発されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記製造
技術はいずれもバッチ式にスート体を製造する方法であ
る為に、合成シリカガラスの生産性を高める為には、ス
ート体の大型化が必須の条件となるが、該スート体はい
ずれもシリカ微粒子を単に堆積させて多孔質状に形成さ
れている為にその機械的強度は極めて脆く、この為該ス
ート体が大型化する程又重量が増大するほど該スート体
に生じる負担は大きくなり、最悪の場合には該スート体
にひび割れが発生し、落下して破損する事態が生じてし
まう恐れさえあった。
技術はいずれもバッチ式にスート体を製造する方法であ
る為に、合成シリカガラスの生産性を高める為には、ス
ート体の大型化が必須の条件となるが、該スート体はい
ずれもシリカ微粒子を単に堆積させて多孔質状に形成さ
れている為にその機械的強度は極めて脆く、この為該ス
ート体が大型化する程又重量が増大するほど該スート体
に生じる負担は大きくなり、最悪の場合には該スート体
にひび割れが発生し、落下して破損する事態が生じてし
まう恐れさえあった。
【０００７】又前記製造方法がバッチ式である為に、前
記各耐熱性基体上に所定量のシリカガラス微粒子の堆積
終了毎に、シリカ微粒子堆積用バーナを消火させ、一旦
所定温度以下に冷却した後次工程の焼結溶融工程に移行
するようなバッチ処理方式を取ると、前記スート体は透
明ガラス体に比較して大幅に熱容量が小さいために、前
記バーナの消炎にともない、スート体の表面が急激に冷
却され、該冷却した表面の収縮によりスート体表面に引
張り応力が生じ、ひび割れを引起こす事になる。而も前
記欠点はスート体を大口径化すればするほど冷却された
表面と内部の温度差が大きくなり、前記欠点が増幅され
る。
記各耐熱性基体上に所定量のシリカガラス微粒子の堆積
終了毎に、シリカ微粒子堆積用バーナを消火させ、一旦
所定温度以下に冷却した後次工程の焼結溶融工程に移行
するようなバッチ処理方式を取ると、前記スート体は透
明ガラス体に比較して大幅に熱容量が小さいために、前
記バーナの消炎にともない、スート体の表面が急激に冷
却され、該冷却した表面の収縮によりスート体表面に引
張り応力が生じ、ひび割れを引起こす事になる。而も前
記欠点はスート体を大口径化すればするほど冷却された
表面と内部の温度差が大きくなり、前記欠点が増幅され
る。
【０００８】かかる欠点を解消するために、本出願人は
先に前記バーナに供給する水素ガスや酸素ガス等のガス
流量の調整、若しくは前記バーナと耐熱性基体間の距離
調整を行なう事により、前記シリカ微粒子の堆積密度を
半径方向に変化、より具体的には中間域に対し、スート
体の内外表面側の堆積密度を大に設定した技術を提案し
た。（特開昭６４ー９８２１号）
先に前記バーナに供給する水素ガスや酸素ガス等のガス
流量の調整、若しくは前記バーナと耐熱性基体間の距離
調整を行なう事により、前記シリカ微粒子の堆積密度を
半径方向に変化、より具体的には中間域に対し、スート
体の内外表面側の堆積密度を大に設定した技術を提案し
た。（特開昭６４ー９８２１号）
【０００９】しかしながら前記技術に用いるバーナはSi
Cl4等の珪素化合物ととともに、該化合物の加水分解と
熱酸化を促す酸素及び水素を同時に且つ同一バーナより
供給する為に、該一のバーナのみでシリカ微粒子の生成
と密度調整を行なう事は極めて困難であり、特に一のバ
ーナでガス流量の調整と距離調整を行なうと燃焼温度、
酸素／原料のミキシング状態、反応状態等が変化し、円
滑なシリカ微粒子の調整と密度調整の両者を精度よく行
なう事が困難になる。特にシリカ微粒子の堆積収率を最
大にしようとすると、強力な火炎にする事が出来ず、結
果として高密度化が不可能となる。本発明はかかる従来
技術の欠点に鑑み、前記したシリカ微粒子の生成とその
密度調整の両者を精度よく且つ円滑に行なう事の出来る
スート体の製造方法を提供する事を目的とする。
Cl4等の珪素化合物ととともに、該化合物の加水分解と
熱酸化を促す酸素及び水素を同時に且つ同一バーナより
供給する為に、該一のバーナのみでシリカ微粒子の生成
と密度調整を行なう事は極めて困難であり、特に一のバ
ーナでガス流量の調整と距離調整を行なうと燃焼温度、
酸素／原料のミキシング状態、反応状態等が変化し、円
滑なシリカ微粒子の調整と密度調整の両者を精度よく行
なう事が困難になる。特にシリカ微粒子の堆積収率を最
大にしようとすると、強力な火炎にする事が出来ず、結
果として高密度化が不可能となる。本発明はかかる従来
技術の欠点に鑑み、前記したシリカ微粒子の生成とその
密度調整の両者を精度よく且つ円滑に行なう事の出来る
スート体の製造方法を提供する事を目的とする。
【００１０】
【課題を解決する為の手段】本発明はかかる技術的課題
を達成するために、前記したシリカ微粒子生成手段と別
異の加熱手段を設け、該加熱手段により前記基体上に堆
積したシリカ微粒子を繰返し加熱調整させながら前記シ
リカ微粒子の堆積を行なう事を特徴とするものである。
を達成するために、前記したシリカ微粒子生成手段と別
異の加熱手段を設け、該加熱手段により前記基体上に堆
積したシリカ微粒子を繰返し加熱調整させながら前記シ
リカ微粒子の堆積を行なう事を特徴とするものである。
【００１１】尚、前記シリカ微粒子生成手段と加熱手段
はいずれもバーナにより形成するのが一般的であるが、
これのみに限定されない。尚、本発明はシリカ微粒子を
耐熱性基体上に堆積させながらスート体を製造する、い
わゆる径方向成長法においても、又シリカ微粒子を耐熱
性基体の軸端から遠ざかる方向に順次堆積させながらス
ート体を製造させる軸方向成長法のいずれにも適用可能
である。
はいずれもバーナにより形成するのが一般的であるが、
これのみに限定されない。尚、本発明はシリカ微粒子を
耐熱性基体上に堆積させながらスート体を製造する、い
わゆる径方向成長法においても、又シリカ微粒子を耐熱
性基体の軸端から遠ざかる方向に順次堆積させながらス
ート体を製造させる軸方向成長法のいずれにも適用可能
である。
【００１２】
【作用】かかる技術手段によれば、シリカ微粒子生成
と、該生成堆積したシリカ微粒子の密度調整が夫々専用
的に行なう事が出来るために、前記したシリカ微粒子の
生成とその密度調整の両者を精度よく且つ円滑に行なう
事が出来る。又本発明はシリカ微粒子の堆積が終了した
後に、加熱するのではなく、前記基体上にシリカ微粒子
堆積の都度、繰返し加熱調整する事が出来るために、ス
ート体の半径方向の堆積密度を任意に調整でき、例えば
前記したようにシリカ微粒子の堆積密度を半径方向に変
化させたり、又半径方向全域に亙って密度増幅する事も
可能であり、特に本発明によればシリカ微粒子の堆積収
率の最大化と、高密度化の相反する要請を容易に達成で
きる。
と、該生成堆積したシリカ微粒子の密度調整が夫々専用
的に行なう事が出来るために、前記したシリカ微粒子の
生成とその密度調整の両者を精度よく且つ円滑に行なう
事が出来る。又本発明はシリカ微粒子の堆積が終了した
後に、加熱するのではなく、前記基体上にシリカ微粒子
堆積の都度、繰返し加熱調整する事が出来るために、ス
ート体の半径方向の堆積密度を任意に調整でき、例えば
前記したようにシリカ微粒子の堆積密度を半径方向に変
化させたり、又半径方向全域に亙って密度増幅する事も
可能であり、特に本発明によればシリカ微粒子の堆積収
率の最大化と、高密度化の相反する要請を容易に達成で
きる。
【００１３】この場合前記加熱調整にはシリカ微粒子堆
積の都度繰り返し加熱させる場合のみならず、又その堆
積途中で加熱を適宜停止させる場合も含む。又前記加熱
手段は、少なくとも前記シリカ微粒子生成手段の相対移
動方向下流側に配し、該加熱手段を前記生成手段と一体
的に相対移動させる事によりシリカ微粒子堆積の都度、
繰返し加熱調整する事が可能となる。
積の都度繰り返し加熱させる場合のみならず、又その堆
積途中で加熱を適宜停止させる場合も含む。又前記加熱
手段は、少なくとも前記シリカ微粒子生成手段の相対移
動方向下流側に配し、該加熱手段を前記生成手段と一体
的に相対移動させる事によりシリカ微粒子堆積の都度、
繰返し加熱調整する事が可能となる。
【００１４】又前記シリカ微粒子生成手段と耐熱性基体
間を基体軸方向に相対的に往復動させながらシリカ微粒
子の堆積を行なう装置にあっては前記シリカ微粒子生成
手段の往復動方向両側に前記加熱手段を配し、該加熱手
段を前記生成手段と一体的に往復動させる事によりより
高密度なガラス堆積が可能となる。
間を基体軸方向に相対的に往復動させながらシリカ微粒
子の堆積を行なう装置にあっては前記シリカ微粒子生成
手段の往復動方向両側に前記加熱手段を配し、該加熱手
段を前記生成手段と一体的に往復動させる事によりより
高密度なガラス堆積が可能となる。
【００１５】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を例示
的に詳しく説明する。但しこの実施例に記載されている
構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは特に
特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれのみ
に限定する趣旨ではなく単なる説明例に過ぎない。図１
は本発明の実施例に係る径方向成長法に基づくスート体
製造装置を示す。同図において、５はバーナ台で、シリ
カ微粒子形成バーナ２と加熱バーナ３を交互に１列状に
直立配置するとともに、各バーナ２、３の火炎開口を耐
熱性基体１軸線と平行な水平線状に位置せしめる。
的に詳しく説明する。但しこの実施例に記載されている
構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは特に
特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれのみ
に限定する趣旨ではなく単なる説明例に過ぎない。図１
は本発明の実施例に係る径方向成長法に基づくスート体
製造装置を示す。同図において、５はバーナ台で、シリ
カ微粒子形成バーナ２と加熱バーナ３を交互に１列状に
直立配置するとともに、各バーナ２、３の火炎開口を耐
熱性基体１軸線と平行な水平線状に位置せしめる。
【００１６】この場合各バーナ２、３はシリカ微粒子形
成バーナ２の両側に加熱バーナ３が位置するごとく設定
するのがよく、又その配列間隔はシリカ微粒子形成バー
ナ２間の配列間隔を耐熱性基体の相対的振幅幅と同程度
に設定するのがよく、更にシリカ微粒子形成バーナ２と
加熱バーナ３間の間隔は、火炎が互いに干渉しない程度
の間隔に設定するのが望ましい。
成バーナ２の両側に加熱バーナ３が位置するごとく設定
するのがよく、又その配列間隔はシリカ微粒子形成バー
ナ２間の配列間隔を耐熱性基体の相対的振幅幅と同程度
に設定するのがよく、更にシリカ微粒子形成バーナ２と
加熱バーナ３間の間隔は、火炎が互いに干渉しない程度
の間隔に設定するのが望ましい。
【００１７】又前記形成バーナ２は、前記したようにSi
Cl4等の珪素化合物と酸素及び水素を同時に供給可能な
同心円状の環状炎バーナで形成する。加熱バーナ３は一
般に酸水素バーナにて構成するが必ずしもこれのみに限
定するものではない。耐熱性基体１はアルミナその他の
耐熱性材料で中空円筒状に形成され、そして該基体を、
その周面が前記各バーナ２、３により形成される火炎中
に位置するように前記バーナ列と平行に水平方向に延設
して配設すると共に、不図示の駆動手段を利用して該基
体１の軸心を中心として回転しつつ且つ軸線方向に一定
の振幅で往復運動可能に構成している。
Cl4等の珪素化合物と酸素及び水素を同時に供給可能な
同心円状の環状炎バーナで形成する。加熱バーナ３は一
般に酸水素バーナにて構成するが必ずしもこれのみに限
定するものではない。耐熱性基体１はアルミナその他の
耐熱性材料で中空円筒状に形成され、そして該基体を、
その周面が前記各バーナ２、３により形成される火炎中
に位置するように前記バーナ列と平行に水平方向に延設
して配設すると共に、不図示の駆動手段を利用して該基
体１の軸心を中心として回転しつつ且つ軸線方向に一定
の振幅で往復運動可能に構成している。
【００１８】次にかかる装置における具体的な実験結果
を下記に示す。先ず３本のシリカ微粒子形成バーナ２と
４本の加熱バーナ３を２０ｃｍ間隔で交互にバーナ台５
上に配列した後、前記耐熱基体１にアルミナ（Al2O3）
製の管（外径４０ｍｍ、厚さ１０ｍｍ、長さ１．５ｍ）
を不図示の駆動手段に接続して、回転可能に且つ例えば
４０ｃｍ程度の振幅幅で往復運動可能に構成する。
を下記に示す。先ず３本のシリカ微粒子形成バーナ２と
４本の加熱バーナ３を２０ｃｍ間隔で交互にバーナ台５
上に配列した後、前記耐熱基体１にアルミナ（Al2O3）
製の管（外径４０ｍｍ、厚さ１０ｍｍ、長さ１．５ｍ）
を不図示の駆動手段に接続して、回転可能に且つ例えば
４０ｃｍ程度の振幅幅で往復運動可能に構成する。
【００１９】かかる構成において、前記加熱バーナ３の
スート体４への加熱温度をシリカ微粒子形成用バーナ２
とほぼ同等の１０００〜１５００℃程度に設定した後、
両バーナより同時に火炎を噴出させながら前記堆積性基
体１を回転させつつ往復運動を行なう事により、シリカ
微粒子形成バーナ２より噴射されるＨ2とＯ2との燃焼炎
中に珪素化合物を送り込み、該燃焼中で生成されたシリ
カ微粒子を耐熱性基体１に堆積させつつ、該堆積の都度
隣接する加熱バーナ３によりスート体４の堆積部位を加
熱させる。
スート体４への加熱温度をシリカ微粒子形成用バーナ２
とほぼ同等の１０００〜１５００℃程度に設定した後、
両バーナより同時に火炎を噴出させながら前記堆積性基
体１を回転させつつ往復運動を行なう事により、シリカ
微粒子形成バーナ２より噴射されるＨ2とＯ2との燃焼炎
中に珪素化合物を送り込み、該燃焼中で生成されたシリ
カ微粒子を耐熱性基体１に堆積させつつ、該堆積の都度
隣接する加熱バーナ３によりスート体４の堆積部位を加
熱させる。
【００２０】この結果堆積したスート体４の半径方向全
域に亙って密度増幅し、高密度のスート体４の形成が可
能となり、例えば前記加熱バーナ３を用いずに製造した
従来方式のスート体に比較して嵩密度が０．２〜０．５
ｇ／ｃｍ3上昇した事が確認された。
域に亙って密度増幅し、高密度のスート体４の形成が可
能となり、例えば前記加熱バーナ３を用いずに製造した
従来方式のスート体に比較して嵩密度が０．２〜０．５
ｇ／ｃｍ3上昇した事が確認された。
【００２１】次に本発明の実施例の効果を確認するため
に前記の様にして製造した従来法と本法とにより製造し
たスート体４について、人為的に堆積部位始端へ各々ひ
び割れを発生させてその進行状況を確認した所、本法の
スート体については前記ひび割れの進行を阻止すること
ができたが、従来法ではひび割れが全長に亙って進行
し、すべて割れてしまった。尚、本発明によれば更にス
ート体が大型になっても、機械的な振動、応力歪、熱歪
を緩和するためにバーナの炎の形状を広げたり、バーナ
の数を増やすことで解決できることを確認している。
に前記の様にして製造した従来法と本法とにより製造し
たスート体４について、人為的に堆積部位始端へ各々ひ
び割れを発生させてその進行状況を確認した所、本法の
スート体については前記ひび割れの進行を阻止すること
ができたが、従来法ではひび割れが全長に亙って進行
し、すべて割れてしまった。尚、本発明によれば更にス
ート体が大型になっても、機械的な振動、応力歪、熱歪
を緩和するためにバーナの炎の形状を広げたり、バーナ
の数を増やすことで解決できることを確認している。
【００２２】次に軸方向成長法の場合の効果を確認する
ために、図２に示すように、アルミナ（Al2O3）製の種
棒１０（外径４０ｍｍ、長さ３００ｍｍ）を不図示の駆
動手段に取付け、軸心を中心として回転可能且つ垂直方
向に上昇可能に構成する。そして該基体の下方の軸心よ
り半径方向に僅かにずらした位置に、前記シリカ微粒子
形成バーナ２０と基体回転方向の両側に該バーナを挟持
するごとく一対の前記した加熱バーナ３０を設ける。
ために、図２に示すように、アルミナ（Al2O3）製の種
棒１０（外径４０ｍｍ、長さ３００ｍｍ）を不図示の駆
動手段に取付け、軸心を中心として回転可能且つ垂直方
向に上昇可能に構成する。そして該基体の下方の軸心よ
り半径方向に僅かにずらした位置に、前記シリカ微粒子
形成バーナ２０と基体回転方向の両側に該バーナを挟持
するごとく一対の前記した加熱バーナ３０を設ける。
【００２３】かかる構成において先ず耐熱性基体１０を
回転させつつ軸線方向に沿って上昇させながら前記両バ
ーナ２０、３０より火炎を噴射させる事により、前記形
成バーナ３０より噴射させるＨ2とＯ2との燃焼炎中に珪
素化合物を送り込み、該燃焼炎中で生成されたシリカ微
粒子を耐熱性基体１０に堆積させつつ、該堆積の都度隣
接する加熱バーナ３０によりスート体４０の堆積部位を
加熱させる。
回転させつつ軸線方向に沿って上昇させながら前記両バ
ーナ２０、３０より火炎を噴射させる事により、前記形
成バーナ３０より噴射させるＨ2とＯ2との燃焼炎中に珪
素化合物を送り込み、該燃焼炎中で生成されたシリカ微
粒子を耐熱性基体１０に堆積させつつ、該堆積の都度隣
接する加熱バーナ３０によりスート体４０の堆積部位を
加熱させる。
【００２４】この結果前記径方向成長法と同様に、堆積
したスート体４０の半径方向全域に亙って密度増幅させ
た、高密度のスート体４０の形成が可能となり、前記と
同様に前記加熱バーナ３０を消炎させて製造した従来方
式のスート体に比較して嵩密度が０．２〜０．５ｇ／ｃ
ｍ3上昇した事が確認された。この際加熱バーナ３０の
スート体４０への加熱温度はシリカ微粒子形成用バーナ
２とほぼ同等の１０００〜１５００℃程度に設定した。
したスート体４０の半径方向全域に亙って密度増幅させ
た、高密度のスート体４０の形成が可能となり、前記と
同様に前記加熱バーナ３０を消炎させて製造した従来方
式のスート体に比較して嵩密度が０．２〜０．５ｇ／ｃ
ｍ3上昇した事が確認された。この際加熱バーナ３０の
スート体４０への加熱温度はシリカ微粒子形成用バーナ
２とほぼ同等の１０００〜１５００℃程度に設定した。
【００２５】又本実施例においても人為的に堆積部位始
端へ各々ひび割れを発生させてその進行状況を確認した
所、本法のスート体については前記ひび割れの進行を阻
止することができたが、従来法ではひび割れが全長に亙
って進行し、すべて割れてしまった。
端へ各々ひび割れを発生させてその進行状況を確認した
所、本法のスート体については前記ひび割れの進行を阻
止することができたが、従来法ではひび割れが全長に亙
って進行し、すべて割れてしまった。
【００２６】
【効果】以上記載した如く本発明によれば、前記したシ
リカ微粒子の生成とその密度調整の両者を精度よく且つ
円滑に行なう事の出来るとともに、特にシリカ微粒子の
堆積収率の最大化と高密度化という相反する要請を容易
に満足する事が出来、これによりスート体を大型化させ
つつ該スート体のひび割れの発生を防止し得ることも可
能であり、結果として容易にスート体の大型化に対応で
き、安定してスート体を供給することができる。等の種
々の著効を有す。
リカ微粒子の生成とその密度調整の両者を精度よく且つ
円滑に行なう事の出来るとともに、特にシリカ微粒子の
堆積収率の最大化と高密度化という相反する要請を容易
に満足する事が出来、これによりスート体を大型化させ
つつ該スート体のひび割れの発生を防止し得ることも可
能であり、結果として容易にスート体の大型化に対応で
き、安定してスート体を供給することができる。等の種
々の著効を有す。
【図１】本発明の実施例に係わる径方向成長法に基づく
多孔質ガラス母材製造方法を示す全体概略図
多孔質ガラス母材製造方法を示す全体概略図
【図２】本発明の実施例に係わる軸方向成長法に基づく
多孔質ガラス母材製造方法を示す全体概略図
多孔質ガラス母材製造方法を示す全体概略図
１ 耐熱性基体 ２ シリカ微粒子形成バーナ ３ 加熱バーナ ４ スート体
Claims (6)
- 【請求項１】 シリカ微粒子を耐熱性基体上に堆積させ
ながら多孔質ガラス母材を製造する方法において前記シ
リカ微粒子生成手段と別異の加熱手段を設け、該加熱手
段により前記基体上に堆積したシリカ微粒子を繰返し加
熱調整させながら前記シリカ微粒子の堆積を行なう事を
特徴とする多孔質ガラス母材の製造方法 - 【請求項２】 前記シリカ微粒子生成手段と耐熱性基体
間を基体軸方向に相対移動（移動には１方向移動のみな
らず揺動と往復動も含む）させながらシリカ微粒子の堆
積を行なう請求項１記載の製造方法において、少なくと
も前記シリカ微粒子生成手段の相対移動方向下流側に前
記加熱手段を配し、該加熱手段が前記生成手段と一体的
に相対移動させる事を特徴とする多孔質ガラス母材の製
造方法 - 【請求項３】 前記シリカ微粒子生成手段と耐熱性基体
間を基体軸方向に相対的に往復動させながらシリカ微粒
子の堆積を行なう請求項２記載の製造方法において、少
なくとも前記シリカ微粒子生成手段の往復動方向両側に
前記加熱手段を配し、該加熱手段を前記生成手段と一体
的に往復動させる事を特徴とする多孔質ガラス母材の製
造方法 - 【請求項４】 シリカ微粒子を耐熱性基体の軸端から遠
ざかる方向に順次堆積させながら多孔質ガラス母材を製
造する方法において前記シリカ微粒子生成手段と別異の
加熱手段を設け、該加熱手段により前記基体軸方向に堆
積したシリカ微粒子を繰返し加熱調整させながら前記シ
リカ微粒子の堆積を行なう事を特徴とする多孔質ガラス
母材の製造方法 - 【請求項５】 前記シリカ微粒子生成手段と耐熱性基体
軸心を中心とする周回方向に相対移動させながらシリカ
微粒子の堆積を行なう請求項４記載の製造方法におい
て、少なくとも前記シリカ微粒子生成手段の相対移動方
向下流側に前記加熱手段を配し、該加熱手段が前記生成
手段と一体的に相対移動させる事を特徴とする多孔質ガ
ラス母材の製造方法 - 【請求項６】 少なくとも前記シリカ微粒子生成手段の
相対移動方向両側に前記加熱手段を配した事を特徴とす
る請求項４記載の多孔質ガラス母材の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3244071A JP2649450B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 多孔質ガラス母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3244071A JP2649450B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 多孔質ガラス母材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0558647A true JPH0558647A (ja) | 1993-03-09 |
| JP2649450B2 JP2649450B2 (ja) | 1997-09-03 |
Family
ID=17113304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3244071A Expired - Fee Related JP2649450B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 多孔質ガラス母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2649450B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0967181A2 (de) * | 1998-06-25 | 1999-12-29 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Verfahren und Vorrichtung für die Herstellung einer porösen SiO2-Vorform |
| JP2006248880A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光ファイバ母材の製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS499523A (ja) * | 1972-03-30 | 1974-01-28 | ||
| JPS57160927A (en) * | 1981-03-25 | 1982-10-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of base material for optical fiber |
| JPS58156548A (ja) * | 1982-03-13 | 1983-09-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ−プリフオ−ムの製造方法 |
| JPS60191028A (ja) * | 1984-03-07 | 1985-09-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高純度ガラス体の製造方法 |
| JPH04240126A (ja) * | 1991-01-18 | 1992-08-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 石英系多孔質ガラス層の形成装置 |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP3244071A patent/JP2649450B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS499523A (ja) * | 1972-03-30 | 1974-01-28 | ||
| JPS57160927A (en) * | 1981-03-25 | 1982-10-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of base material for optical fiber |
| JPS58156548A (ja) * | 1982-03-13 | 1983-09-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ−プリフオ−ムの製造方法 |
| JPS60191028A (ja) * | 1984-03-07 | 1985-09-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高純度ガラス体の製造方法 |
| JPH04240126A (ja) * | 1991-01-18 | 1992-08-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 石英系多孔質ガラス層の形成装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0967181A2 (de) * | 1998-06-25 | 1999-12-29 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Verfahren und Vorrichtung für die Herstellung einer porösen SiO2-Vorform |
| EP0967181A3 (de) * | 1998-06-25 | 2000-06-14 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Verfahren und Vorrichtung für die Herstellung einer porösen SiO2-Vorform |
| US6321573B1 (en) | 1998-06-25 | 2001-11-27 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Process and apparatus for manufacturing a porous SiO2 preform |
| JP2006248880A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光ファイバ母材の製造方法 |
| JP4558547B2 (ja) * | 2005-03-14 | 2010-10-06 | 古河電気工業株式会社 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2649450B2 (ja) | 1997-09-03 |
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