JPH0825761B2 - 多孔質ガラス母材 - Google Patents
多孔質ガラス母材Info
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- JPH0825761B2 JPH0825761B2 JP27846591A JP27846591A JPH0825761B2 JP H0825761 B2 JPH0825761 B2 JP H0825761B2 JP 27846591 A JP27846591 A JP 27846591A JP 27846591 A JP27846591 A JP 27846591A JP H0825761 B2 JPH0825761 B2 JP H0825761B2
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- soot
- soot body
- cone
- silica fine
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/0148—Means for heating preforms during or immediately prior to deposition
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- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は合成シリカガラスの前駆
体となる多孔質ガラス母材に係り、特にすす状シリカ微
粒子を堆積させて少なくとも一の軸端側に断面テーパ状
のコーン部を形成した棒状多孔質ガラス母材に関する。
体となる多孔質ガラス母材に係り、特にすす状シリカ微
粒子を堆積させて少なくとも一の軸端側に断面テーパ状
のコーン部を形成した棒状多孔質ガラス母材に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、SiCl4その他の珪素化合物を
酸水素炎その他の熱源により加熱し、その火炎加水分解
反応及び高温熱酸化反応によって生成されるすす状シリ
カ微粒子をアルミナ（Al2O3）等の耐熱性基体上若しく
は該基体軸端より軸方向に沿って中実状にに堆積させ
て、合成石英ガラス体の前駆体となる多孔質ガラス母材
（以下スート体という）を生成した後、該スート体を真
空又は不活性ガス雰囲気中で加熱して焼結／溶融する事
により透明状のガラス体を得る、いわゆる気相による合
成石英ガラス体の製造方法は公知である。
酸水素炎その他の熱源により加熱し、その火炎加水分解
反応及び高温熱酸化反応によって生成されるすす状シリ
カ微粒子をアルミナ（Al2O3）等の耐熱性基体上若しく
は該基体軸端より軸方向に沿って中実状にに堆積させ
て、合成石英ガラス体の前駆体となる多孔質ガラス母材
（以下スート体という）を生成した後、該スート体を真
空又は不活性ガス雰囲気中で加熱して焼結／溶融する事
により透明状のガラス体を得る、いわゆる気相による合
成石英ガラス体の製造方法は公知である。
【０００３】かかる合成シリカガラスの前駆体となるス
ート体の製造方法には、例えばSiCl 4等の珪素化合物と
酸素及び水素を同時に供給可能なシリカ微粒子形成バー
ナと、石英ガラス、アルミナ、炭素、炭化珪素から形成
される回転可能な軸状を耐熱性基体を用い、前記バーナ
若しくは耐熱性基体の少なくとも一方を基体軸方向に順
次移動させながら、回転している該基体上にシリカ微粒
子を積層してスート体を製造する方法（特願昭４９ー９
５２３号）
ート体の製造方法には、例えばSiCl 4等の珪素化合物と
酸素及び水素を同時に供給可能なシリカ微粒子形成バー
ナと、石英ガラス、アルミナ、炭素、炭化珪素から形成
される回転可能な軸状を耐熱性基体を用い、前記バーナ
若しくは耐熱性基体の少なくとも一方を基体軸方向に順
次移動させながら、回転している該基体上にシリカ微粒
子を積層してスート体を製造する方法（特願昭４９ー９
５２３号）
【０００４】又シリカ微粒子の耐熱性基体への堆積速度
を向上させる為に、耐熱性基体のシリカ微粒子堆積部位
のほぼ全長に亙って、前記バーナを耐熱性基体軸方向に
一列状に配列し、該バーナ列を基体軸方向に相対的に往
復運動させながら前記回転している基体上にシリカ微粒
子を軸方向に均一に積層してスート体を製造させる方法
（特開昭５３ー７０４４９号他、以下径方向成長法とい
う）。
を向上させる為に、耐熱性基体のシリカ微粒子堆積部位
のほぼ全長に亙って、前記バーナを耐熱性基体軸方向に
一列状に配列し、該バーナ列を基体軸方向に相対的に往
復運動させながら前記回転している基体上にシリカ微粒
子を軸方向に均一に積層してスート体を製造させる方法
（特開昭５３ー７０４４９号他、以下径方向成長法とい
う）。
【０００５】更に前記バーナを垂設させた耐熱性基体軸
端に向け配置し、両部材間が基体軸方向に相対的に離間
する方向に移動させながら回転している該基体にシリカ
微粒子を半球状に積層して中実状スート体を製造する技
術（特開昭５２ー１４３０３７号他、以下軸方向成長法
という）等開発されている。
端に向け配置し、両部材間が基体軸方向に相対的に離間
する方向に移動させながら回転している該基体にシリカ
微粒子を半球状に積層して中実状スート体を製造する技
術（特開昭５２ー１４３０３７号他、以下軸方向成長法
という）等開発されている。
【０００６】しかしながら前記製造技術はいずれもバッ
チ式にスート体を製造する方法である為に、合成シリカ
ガラスの生産性を高める為には、スート体の大型化が必
須の条件となるが、該スート体はいずれもシリカ微粒子
を単に堆積させて多孔質状に形成されている為にその機
械的強度は極めて脆く、この為該スート体が大型化する
程又重量が増大するほど該スート体に生じる負担は大き
くなり、最悪の場合には該スート体にひび割れが発生
し、落下して破損する事態が生じてしまう恐れさえあっ
た。
チ式にスート体を製造する方法である為に、合成シリカ
ガラスの生産性を高める為には、スート体の大型化が必
須の条件となるが、該スート体はいずれもシリカ微粒子
を単に堆積させて多孔質状に形成されている為にその機
械的強度は極めて脆く、この為該スート体が大型化する
程又重量が増大するほど該スート体に生じる負担は大き
くなり、最悪の場合には該スート体にひび割れが発生
し、落下して破損する事態が生じてしまう恐れさえあっ
た。
【０００７】又前記製造方法がバッチ式である為に、前
記各耐熱性基体上に所定量のシリカガラス微粒子の堆積
終了毎に、シリカ微粒子形成バーナを消火させ、一旦所
定温度以下に冷却した後次工程の焼結溶融工程に移行す
るようなバッチ処理方式を取ると、前記スート体は透明
ガラス体に比較して大幅に熱容量が小さいために、前記
バーナの消炎にともない、スート体の表面が急激に冷却
され、該冷却した表面の収縮によりスート体表面に引張
り応力が生じ、ひび割れを引起こす事になる。而も前記
欠点はスート体を大口径化すればするほど冷却された表
面と内部の温度差が大きくなり、前記欠点が増幅され
る。
記各耐熱性基体上に所定量のシリカガラス微粒子の堆積
終了毎に、シリカ微粒子形成バーナを消火させ、一旦所
定温度以下に冷却した後次工程の焼結溶融工程に移行す
るようなバッチ処理方式を取ると、前記スート体は透明
ガラス体に比較して大幅に熱容量が小さいために、前記
バーナの消炎にともない、スート体の表面が急激に冷却
され、該冷却した表面の収縮によりスート体表面に引張
り応力が生じ、ひび割れを引起こす事になる。而も前記
欠点はスート体を大口径化すればするほど冷却された表
面と内部の温度差が大きくなり、前記欠点が増幅され
る。
【０００８】而も前記スート体を支持する耐熱性基体は
前記したようにアルミナ若しくは炭素、炭化珪素で形成
されているために、前記バーナ消炎後若しくはその堆積
部位始端側においてバーナの加熱位置が該始端より遠ざ
かるにつれ、耐熱性基体の温度低下により熱収縮が生
じ、一方スート体は前記したようにシリカ微粒子で形成
されているために前記温度低下によってもほとんど熱収
縮せず、この結果前記熱収縮した基体との間でずれや剥
離が生じやすくなる。
前記したようにアルミナ若しくは炭素、炭化珪素で形成
されているために、前記バーナ消炎後若しくはその堆積
部位始端側においてバーナの加熱位置が該始端より遠ざ
かるにつれ、耐熱性基体の温度低下により熱収縮が生
じ、一方スート体は前記したようにシリカ微粒子で形成
されているために前記温度低下によってもほとんど熱収
縮せず、この結果前記熱収縮した基体との間でずれや剥
離が生じやすくなる。
【０００９】一方前記いずれの技術も１又は複数のシリ
カ微粒子形成バーナを耐熱生基体の軸線方向に沿って相
対移動させながらシリカ微粒子を耐熱性基体上に堆積さ
せる構成を取るために、必然的に基体上に堆積されたス
ート体の軸端側に断面テーパ状のコーン部が形成される
が、該コーン部は端縁に進むにつれ薄肉化されているた
めに、その機械的強度が極めて脆く、この為該コーン部
に僅かな物理的衝撃が印加された場合他の直胴部分に比
較して一層ひび割れが発生しやすく、該ひび割れがスー
ト体軸方向全体に亙って進行し、前記した落下破損等の
問題が生じ易い。
カ微粒子形成バーナを耐熱生基体の軸線方向に沿って相
対移動させながらシリカ微粒子を耐熱性基体上に堆積さ
せる構成を取るために、必然的に基体上に堆積されたス
ート体の軸端側に断面テーパ状のコーン部が形成される
が、該コーン部は端縁に進むにつれ薄肉化されているた
めに、その機械的強度が極めて脆く、この為該コーン部
に僅かな物理的衝撃が印加された場合他の直胴部分に比
較して一層ひび割れが発生しやすく、該ひび割れがスー
ト体軸方向全体に亙って進行し、前記した落下破損等の
問題が生じ易い。
【００１０】かかる欠点を解消するために、図３（Ａ）
に示すように前記コーン部５若しくはスート体１０形成
後、前記コーン部５末端側の基体１との境界部を加熱バ
ーナ３により焼き締めてリング状の高密度化部を形成
し、前記ひび割れの発生を防止する技術が開示されてい
る。（特開昭６３ー２０６３２４号）
に示すように前記コーン部５若しくはスート体１０形成
後、前記コーン部５末端側の基体１との境界部を加熱バ
ーナ３により焼き締めてリング状の高密度化部を形成
し、前記ひび割れの発生を防止する技術が開示されてい
る。（特開昭６３ー２０６３２４号）
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、極めて
薄肉化されているコーン境界部分５Ａを火炎により焼結
化させて高密度化すると密度当りの供給熱量が特段に大
となるために、軸方向とともに周方向にも大きな収縮が
生じて歪は発生し、その為前記末端部５Ａに却って軸方
向のひび割が発生しやすくなるのみならず、前記スート
体１０の大型化により耐熱性基体１に印加される重量負
担が大になると、それだけ撓み量も大になり、前記境界
部に大きな応力が加わる事となり、その応力が最も加わ
る部分を高密度化すると応力集中によりひび割れが発生
しやすくなる。
薄肉化されているコーン境界部分５Ａを火炎により焼結
化させて高密度化すると密度当りの供給熱量が特段に大
となるために、軸方向とともに周方向にも大きな収縮が
生じて歪は発生し、その為前記末端部５Ａに却って軸方
向のひび割が発生しやすくなるのみならず、前記スート
体１０の大型化により耐熱性基体１に印加される重量負
担が大になると、それだけ撓み量も大になり、前記境界
部に大きな応力が加わる事となり、その応力が最も加わ
る部分を高密度化すると応力集中によりひび割れが発生
しやすくなる。
【００１２】本発明はかかる従来技術の欠点に鑑み、前
記スート体を大型化した場合においても、ひび割れが発
生する事がなく、又例えひび割れが発生してもその進行
を完全に阻止出来る事が可能なスート体を提供する事を
目的とする。
記スート体を大型化した場合においても、ひび割れが発
生する事がなく、又例えひび割れが発生してもその進行
を完全に阻止出来る事が可能なスート体を提供する事を
目的とする。
【００１３】
【課題を解決する為の手段】本発明は前記スート体１０
の少なくとも一のコーン部５の所望箇所を加熱バーナ
３、４を用いて焼き締めてリング状高密度化部を形成し
た点については前記従来技術と同様であるが、本発明は
特に該高密度化部２０を、コーン部両端位置５Ａ、５Ｂ
を除く中央部位５Ｃに間隔を隔てて２ヵ所以上形成した
事を特徴とするものであり、そしてより具体的には前記
高密度化部２０形成位置を、コーン部両端１５％域に挟
まれる７０％中央域５Ｃに間隔を隔てて２ヵ所以上形成
した事を特徴とするものである。尚、前記高密度化部２
０は、スート体１０の軸始端側のコーン部５にのみ形成
してもよいが、必要に応じて始端側５と終端側５’の両
者に形成するのが好ましい。又本発明は耐熱性基体１を
水平に延在する径方向成長法においても又垂直に垂設す
る軸方向成長法のいずれにも適用可能である。
の少なくとも一のコーン部５の所望箇所を加熱バーナ
３、４を用いて焼き締めてリング状高密度化部を形成し
た点については前記従来技術と同様であるが、本発明は
特に該高密度化部２０を、コーン部両端位置５Ａ、５Ｂ
を除く中央部位５Ｃに間隔を隔てて２ヵ所以上形成した
事を特徴とするものであり、そしてより具体的には前記
高密度化部２０形成位置を、コーン部両端１５％域に挟
まれる７０％中央域５Ｃに間隔を隔てて２ヵ所以上形成
した事を特徴とするものである。尚、前記高密度化部２
０は、スート体１０の軸始端側のコーン部５にのみ形成
してもよいが、必要に応じて始端側５と終端側５’の両
者に形成するのが好ましい。又本発明は耐熱性基体１を
水平に延在する径方向成長法においても又垂直に垂設す
る軸方向成長法のいずれにも適用可能である。
【００１４】
【作用】前記コーン部５の耐熱性基体側の細径末端部５
Ａを高密度化した場合には図３（Ａ）に示す欠点が生じ
る事は前記した通りである。
Ａを高密度化した場合には図３（Ａ）に示す欠点が生じ
る事は前記した通りである。
【００１５】一方スート体直胴部８との境界に位置する
太径末端部５Ｃを高密度化すると、図３（Ｂ）に示すよ
うに凹みが生じ、該凹みに起因して直胴部８との境界付
近にリング状のエッジ２９が発生し、その部分に円周方
向に沿ってクラック２８が発生し、該クラック２８の一
部にスート体１０の撓みに起因して応力集中が生じ易く
なり結果としてその部分より軸方向のひび割れ２７が生
成し、前記欠点を解消し得ない。
太径末端部５Ｃを高密度化すると、図３（Ｂ）に示すよ
うに凹みが生じ、該凹みに起因して直胴部８との境界付
近にリング状のエッジ２９が発生し、その部分に円周方
向に沿ってクラック２８が発生し、該クラック２８の一
部にスート体１０の撓みに起因して応力集中が生じ易く
なり結果としてその部分より軸方向のひび割れ２７が生
成し、前記欠点を解消し得ない。
【００１６】この為前記コーン部の中央域５Ｃを高密度
化するのが好ましいが、前記高密度化部が１本のみでは
スート体を大型化した場合、万が一ひび割れが発生した
場合その進行を完全に阻止する事が出来ない。
化するのが好ましいが、前記高密度化部が１本のみでは
スート体を大型化した場合、万が一ひび割れが発生した
場合その進行を完全に阻止する事が出来ない。
【００１７】そこで前記高密度化部２０を、コーン部全
長両端位置５Ａ、５Ｂを除く中央域５Ｃに間隔を隔てて
２ヵ所以上形成する事により、スート体の撓みが発生し
ても応力集中をその分分散する事が出来、ひび割れの発
生原因を大幅に低下し得ると共に、又例えひび割れが発
生しても、高密度化部２０が２箇所以上であるため、ひ
び割れの進行阻止力が大幅に向上する。
長両端位置５Ａ、５Ｂを除く中央域５Ｃに間隔を隔てて
２ヵ所以上形成する事により、スート体の撓みが発生し
ても応力集中をその分分散する事が出来、ひび割れの発
生原因を大幅に低下し得ると共に、又例えひび割れが発
生しても、高密度化部２０が２箇所以上であるため、ひ
び割れの進行阻止力が大幅に向上する。
【００１８】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を例示
的に詳しく説明する。但しこの実施例に記載されている
構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは特に
特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれのみ
に限定する趣旨ではなく単なる説明例に過ぎない。
的に詳しく説明する。但しこの実施例に記載されている
構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは特に
特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれのみ
に限定する趣旨ではなく単なる説明例に過ぎない。
【００１９】図１は本発明の実施例に係るスート体製造
装置を示す。先ず本実施例は図１に示すようにアルミナ
（Al2O3）製の管（外径４０ｍｍ、厚さ５ｍｍ、長さ
１．５ｍ）を水平に設置し、その両端を支持体９により
回転可能に軸支させて耐熱性基体１を形成するととも
に、該基体１の下方位置より垂直方向に前記基体１周面
に向け配置されたシリカ微粒子形成バーナ２とを設け、
該形成バーナ２を基体軸線方向に沿って相対移動可能に
構成している。尚、これらの構成は既に周知の為その詳
細な説明は省略するが、前記装置により製造されるスー
ト体１０は、その全長を１．２ｍ、直胴部８長さを０．
４ｍ、その両端側に形成されるコーン部５、５’長さを
０．４ｍに設定したスート体が製造可能に構成されてい
る。
装置を示す。先ず本実施例は図１に示すようにアルミナ
（Al2O3）製の管（外径４０ｍｍ、厚さ５ｍｍ、長さ
１．５ｍ）を水平に設置し、その両端を支持体９により
回転可能に軸支させて耐熱性基体１を形成するととも
に、該基体１の下方位置より垂直方向に前記基体１周面
に向け配置されたシリカ微粒子形成バーナ２とを設け、
該形成バーナ２を基体軸線方向に沿って相対移動可能に
構成している。尚、これらの構成は既に周知の為その詳
細な説明は省略するが、前記装置により製造されるスー
ト体１０は、その全長を１．２ｍ、直胴部８長さを０．
４ｍ、その両端側に形成されるコーン部５、５’長さを
０．４ｍに設定したスート体が製造可能に構成されてい
る。
【００２０】そしてスート体焼き締め用の加熱バーナ
３，４、３’、４’は図２に示すように、シリカ微粒子
形成バーナ２に対し±２０°〜７０°の傾斜角をもって
耐熱性基体に向け配置するとともに、該加熱バーナ３、
４、３’、４’は図２に示すように、スート体堆積部位
始端５より内側へ夫々所望箇所ずらした位置に配置す
る。尚、加熱バーナ３，４、３’、４’は一般に酸水素
バーナにて構成するが必ずしもこれのみに限定するもの
ではない。
３，４、３’、４’は図２に示すように、シリカ微粒子
形成バーナ２に対し±２０°〜７０°の傾斜角をもって
耐熱性基体に向け配置するとともに、該加熱バーナ３、
４、３’、４’は図２に示すように、スート体堆積部位
始端５より内側へ夫々所望箇所ずらした位置に配置す
る。尚、加熱バーナ３，４、３’、４’は一般に酸水素
バーナにて構成するが必ずしもこれのみに限定するもの
ではない。
【００２１】かかる構成において、まずシリカ微粒子形
成バーナ２を耐熱性基体１軸方向に沿って堆積部位始端
５側よりトラバースさせながらＨ2とＯ2との燃焼炎中に
珪素化合物を送り込み、該燃焼中で生成されたシリカ微
粒子を耐熱性基体１に堆積させ、その後適宜時期に加熱
バーナ３，４、３’、４’によりスート体８のコーン部
の所定位置６，７を加熱する事により、その加熱部がリ
ング状に焼き締められ高密度化部２０が形成される。こ
の際、該加熱バーナ３，４、３’、４’の加熱位置及び
加熱温度はシリカ微粒子形成用バーナ２とほぼ同等の１
０００〜１５００℃程度に設定する。
成バーナ２を耐熱性基体１軸方向に沿って堆積部位始端
５側よりトラバースさせながらＨ2とＯ2との燃焼炎中に
珪素化合物を送り込み、該燃焼中で生成されたシリカ微
粒子を耐熱性基体１に堆積させ、その後適宜時期に加熱
バーナ３，４、３’、４’によりスート体８のコーン部
の所定位置６，７を加熱する事により、その加熱部がリ
ング状に焼き締められ高密度化部２０が形成される。こ
の際、該加熱バーナ３，４、３’、４’の加熱位置及び
加熱温度はシリカ微粒子形成用バーナ２とほぼ同等の１
０００〜１５００℃程度に設定する。
【００２２】尚スート体軸端側に夫々配設した加熱バー
ナ３，４、３’、４’の加熱時期はいずれもコーン形成
開始からコーン形成終了後で耐熱性基体１にシリカ微粒
子が堆積している時点で夫々所定時間該バーナ３、４、
３’、４’を点火してリング状の高密度化部２０を形成
する。
ナ３，４、３’、４’の加熱時期はいずれもコーン形成
開始からコーン形成終了後で耐熱性基体１にシリカ微粒
子が堆積している時点で夫々所定時間該バーナ３、４、
３’、４’を点火してリング状の高密度化部２０を形成
する。
【００２３】次に本発明の作用効果を確認するために、
次の様な実験を試みた。先ず加熱バーナを一つに限定し
て、その加熱位置をコーン部５、５’と耐熱性基体１と
の境界より１５％域以内のコーン細端位置（以下５Ａ位
置という）を加熱した場合（比較例１）、コーン部５、
５’と直胴部８との境界より１５％域以内のコーン太端
位置（以下５Ｂ位置という）を加熱した場合（比較例
２）、次に前記各域より外れた中央域７０％（以下５Ｃ
位置という）を加熱した場合（比較例３）に分け、夫々
１５Ｋｇと３０Ｋｇのスート体１０を製造した所、比較
例１と３では、１５Ｋｇと３０Ｋｇのいずれのスート体
１０でもひび割れの発生がみられたが、比較例２では３
０Ｋｇのスート体についてのみ、ひび割れの発生がみら
れた。
次の様な実験を試みた。先ず加熱バーナを一つに限定し
て、その加熱位置をコーン部５、５’と耐熱性基体１と
の境界より１５％域以内のコーン細端位置（以下５Ａ位
置という）を加熱した場合（比較例１）、コーン部５、
５’と直胴部８との境界より１５％域以内のコーン太端
位置（以下５Ｂ位置という）を加熱した場合（比較例
２）、次に前記各域より外れた中央域７０％（以下５Ｃ
位置という）を加熱した場合（比較例３）に分け、夫々
１５Ｋｇと３０Ｋｇのスート体１０を製造した所、比較
例１と３では、１５Ｋｇと３０Ｋｇのいずれのスート体
１０でもひび割れの発生がみられたが、比較例２では３
０Ｋｇのスート体についてのみ、ひび割れの発生がみら
れた。
【００２４】次に加熱バーナを２本用いて、図４に示す
ようにその加熱位置を５Ａと５Ｂ（比較例４）、５Ａと
５Ｃ（比較例５）、５Ｂと５Ｃ（比較例６）、及び５Ｃ
領域に間隔を隔てて２本の高密度化部２０が形成される
ように加熱した場合（実施例）に分け、前記と同様に夫
々１５Ｋｇと３０Ｋｇのスート体を製造した所、比較例
４と６では、１５Ｋｇと３０Ｋｇのいずれのスート体で
もひび割れの発生がみられたが、比較例４と５では３０
Ｋｇのスート体についてのみ、ひび割れの発生がみられ
た。又５Ｃ領域に間隔を隔てて２本焼き締め部を形成し
た実施例１については１５Ｋｇと３０Ｋｇのいずれのス
ート体でもひび割れの発生がみられなかった。
ようにその加熱位置を５Ａと５Ｂ（比較例４）、５Ａと
５Ｃ（比較例５）、５Ｂと５Ｃ（比較例６）、及び５Ｃ
領域に間隔を隔てて２本の高密度化部２０が形成される
ように加熱した場合（実施例）に分け、前記と同様に夫
々１５Ｋｇと３０Ｋｇのスート体を製造した所、比較例
４と６では、１５Ｋｇと３０Ｋｇのいずれのスート体で
もひび割れの発生がみられたが、比較例４と５では３０
Ｋｇのスート体についてのみ、ひび割れの発生がみられ
た。又５Ｃ領域に間隔を隔てて２本焼き締め部を形成し
た実施例１については１５Ｋｇと３０Ｋｇのいずれのス
ート体でもひび割れの発生がみられなかった。
【００２５】次に軸方向成長法においても同様な効果が
得られるかどうか確認するために、図５に示すように、
軸心を中心として回転可能なアルミナ（Al2O3）製の種
棒からなる耐熱性基体１を垂設すると共に、該種棒１の
下端側に軸心より半径方向に僅かにずらした位置に前記
シリカ微粒子形成バーナ２を、又種棒１のスート堆積位
置始端側に一対の加熱バーナ３、４を水平方向に沿って
上下に配設する。そしてシリカ微粒子形成バーナ２は不
図示の駆動手段により垂直方向に下降可能に構成する。
得られるかどうか確認するために、図５に示すように、
軸心を中心として回転可能なアルミナ（Al2O3）製の種
棒からなる耐熱性基体１を垂設すると共に、該種棒１の
下端側に軸心より半径方向に僅かにずらした位置に前記
シリカ微粒子形成バーナ２を、又種棒１のスート堆積位
置始端側に一対の加熱バーナ３、４を水平方向に沿って
上下に配設する。そしてシリカ微粒子形成バーナ２は不
図示の駆動手段により垂直方向に下降可能に構成する。
【００２６】かかる構成において先ず耐熱性基体１を回
転させながら前記形成バーナ２を軸線方向に沿って徐々
に下降させながら、該形成バーナ２より噴射させるＨ2
とＯ2との燃焼炎中に珪素化合物を送り込み、該燃焼炎
中で生成されたシリカ微粒子を耐熱性基体１に堆積させ
る、そして耐熱性基体１にシリカ微粒子が堆積している
時点で、加熱バーナ３，４を点火してコーン部５の中央
部位５Ｃを間隔を隔てて２ヵ所を加熱する事によりリン
グ状の一対の高密度部２０を形成する。このようにして
形成した大型のスート体１０においても耐熱性基体１と
の間にずれが生じず、軸下端側のコーン部５でひび割れ
が発生していない事が確認された。
転させながら前記形成バーナ２を軸線方向に沿って徐々
に下降させながら、該形成バーナ２より噴射させるＨ2
とＯ2との燃焼炎中に珪素化合物を送り込み、該燃焼炎
中で生成されたシリカ微粒子を耐熱性基体１に堆積させ
る、そして耐熱性基体１にシリカ微粒子が堆積している
時点で、加熱バーナ３，４を点火してコーン部５の中央
部位５Ｃを間隔を隔てて２ヵ所を加熱する事によりリン
グ状の一対の高密度部２０を形成する。このようにして
形成した大型のスート体１０においても耐熱性基体１と
の間にずれが生じず、軸下端側のコーン部５でひび割れ
が発生していない事が確認された。
【００２７】
【効果】以上記載した如く本発明によれば、耐熱性基体
のひび割れの発生を防止し得るか、又例え前記コーン部
にひび割れが発生してもその進行を完全に阻止すること
が出来、これにより容易にスート体の大型化に対応出来
る。等の種々の著効を有す。
のひび割れの発生を防止し得るか、又例え前記コーン部
にひび割れが発生してもその進行を完全に阻止すること
が出来、これにより容易にスート体の大型化に対応出来
る。等の種々の著効を有す。
【図１】本発明の実施例に係わるガラス母材製造装置を
示す正面全体慨略図
示す正面全体慨略図
【図２】図１の側面図
【図３】コーン部にリング状の高密度化部を形成した従
来技術及び本発明に至る過程のスート体の要部慨略図
来技術及び本発明に至る過程のスート体の要部慨略図
【図４】コーン部の所定位置に２本のにリング状の高密
度化部を形成した比較例と実施例を示すスート体の要部
慨略図
度化部を形成した比較例と実施例を示すスート体の要部
慨略図
【図５】本発明の他の実施例に係わるガラス母材製造方
法を示す全体慨略図
法を示す全体慨略図
１ 耐熱性基体 ２ シリカ微粒子形成バーナ ３４ 加熱バーナ ２０ 高密度化部
Claims (2)
- 【請求項１】 すす状シリカ微粒子を堆積させて少なく
とも一の軸端側に断面テーパ状のコーン部を形成した多
孔質ガラス母材において少なくとも一のコーン部にリン
グ状高密度化部を形成すると共に、該高密度化部を、コ
ーン部両端位置を除く中央部位に間隔を隔てて２ヵ所以
上形成した事を特徴とする多孔質ガラス母材 - 【請求項２】 前記高密度化部形成位置が、コーン部両
端１５％域に挟まれる７０％中央域である請求項１記載
の多孔質ガラス母材
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27846591A JPH0825761B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 多孔質ガラス母材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27846591A JPH0825761B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 多孔質ガラス母材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0585761A JPH0585761A (ja) | 1993-04-06 |
| JPH0825761B2 true JPH0825761B2 (ja) | 1996-03-13 |
Family
ID=17597711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27846591A Expired - Fee Related JPH0825761B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 多孔質ガラス母材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0825761B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19649935C2 (de) * | 1996-12-02 | 1999-09-16 | Heraeus Quarzglas | Verfahren zur Herstellung von Quarzglaskörpern |
| JP4495070B2 (ja) * | 2005-11-18 | 2010-06-30 | 古河電気工業株式会社 | 光ファイバ用多孔質母材の製造方法 |
| JP6570489B2 (ja) * | 2016-08-16 | 2019-09-04 | 信越化学工業株式会社 | ガラス微粒子堆積体の製造装置 |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP27846591A patent/JPH0825761B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0585761A (ja) | 1993-04-06 |
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