JPH0557609B2 - - Google Patents

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JPH0557609B2
JPH0557609B2 JP58036097A JP3609783A JPH0557609B2 JP H0557609 B2 JPH0557609 B2 JP H0557609B2 JP 58036097 A JP58036097 A JP 58036097A JP 3609783 A JP3609783 A JP 3609783A JP H0557609 B2 JPH0557609 B2 JP H0557609B2
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transistor
point
electrode
current
resistor
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JP58036097A
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Georugu Ka Uorufudeiitoritsuhi
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Koninklijke Philips Electronics NV
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Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV, Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of JPS58166412A publication Critical patent/JPS58166412A/ja
Publication of JPH0557609B2 publication Critical patent/JPH0557609B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/29Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator multistable
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/30Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities

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  • Electromagnetism (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
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  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は識別すべき電流を受電する入力端子
と、出力端子とを有する電流識別回路に関するも
のである。
このような電流識別回路は特に電流安定器に使
用されるが、例えば、信号レベル検出器に使用す
ることもできる。
特に、米国特許第3887863号明細書に記載され
ているような所謂「バンドギヤツプリフアレン
ス」(band gap reference)形の電流安定器で
は、このような電流識別回路が2つの電流通路を
具え、一方の電流通路における半導体接合(一方
向性素子)が他方の電流通路における抵抗と直列
に接続された半導体接合により分路される。2個
の電流通路における電流は抵抗と差動増幅器又は
電流ミラーにより比較され(この比較は識別機能
を意味する)、これらの電流は2個の半導体接合
が等しくない場合、又は2個の電流通路における
電流を等しくしない場合には、2個の半導体接合
における電流密度をn≠1として1:nの比にな
るように制御される。この時電流はkT/qRln nに 等しい値で安定化される。但し、ここではkはボ
ルツマン定数であり、Tは〓で表わした絶対温度
であり、qは電荷素量であり、Rは前記抵抗の値
であり、ln nは因子nの自然対数である。この
タイプの電流安定器では電流が因子nにより決ま
る値で安定化する。電流識別の急峻さも因子nに
より決まる。因子nが1から離れる程安定化は改
善される。しかしこうすると回路構成が一層非対
称になり、これは一般に欠点となる。
本発明の目的は急峻な識別特性を有し、高度に
対称的な回路設計がなされ、kT/qに比例する値を 中心として識別を行なう電流識別回路を提供する
ことにある。
この目的を達成するため本発明によれば、識別
すべき電流を受電する入力端子と、出力端子とを
有する電流識別回路において、当該電流識別回路
が、各々ベース電極と、エミツタ電極と、コレク
タ電極とを有する第1トランジスタと第2トラン
ジスタとを具え、第1トランジスタのコレクタ電
極を第1抵抗を介して第1の点に結合させ、第2
トランジスタのコレクタ電極を第1抵抗とほぼ同
一の抵抗値を有する第2抵抗を介して前記第1の
点に結合させ、第1トランジスタのベース電極を
第2抵抗と第2トランジスタのコレクタ電極との
間の一点に接続し、第2トランジスタのベース電
極を第1抵抗と第1トランジスタのコレクタ電極
との間の一点に接続し、第1トランジスタのエミ
ツタ電極と第2トランジスタのエミツタ電極とを
第2の点に接続し、前記第1の点と第2の点との
間の回路を識別すべき電流を受電すべく前記入力
端子と直列に接続し、前記出力端子を前記両コレ
クタ電極の少なくとも一方に結合させたことを特
徴とする。
このような回路では、入力電流が2つのコレク
タ−エミツタ回路間に等しく分配される。そして
電流がループ利得(ベースからコレクタ電極ま
で)が1になる迄増大するや否や回路は双安定状
態になり、これは極めて容易に検出できる。この
双安定状態には非常に急峻な特性が伴ない、極く
僅か電流が増大しただけでも2個のトランジスタ
の一方をターンオフする。回路が双安定状態とな
るこの点は入力電流が2kT/qRに等しくなる場合に 到達する。但し、Rは第1の抵抗及び第2の抵抗
の抵抗値である。なお、この場合に出力端子を第
1トランジスタのコレクタ電極と第2トランジス
タのコレクタ電極との間に結合する差動出力端子
とするのが好適である。こうすると一層激しく変
化する信号が得られる。
回路が双安定状態になる点に到達した時、この
回路は2つの双安定状態のいずれかをとる。しか
し、回路を、出力信号が2つの双安定状態のいず
れを回路がとるかに無関係となるようにすること
ができる。
好ましくは、前記第1トランジスタ及び第2ト
ランジスタの各特性又は前記第1抵抗及び第2抵
抗の各抵抗値を相違させることにより、前記第1
及び第2トランジスタが双安定状態に移行する場
合に前記第1トランジスタが前記第2トランジス
タに優先して導通するようにする。
本発明はさらに、識別すべき電流を受電する入
力端子と、出力端子とを有する電流識別回路にお
いて、 当該電流識別回路が、各々ベース電極と、エミ
ツタ電極と、コレクタ電極とを有している第1ト
ランジスタと第2トランジスタとを具え、第1ト
ランジスタのコレクタ電極を第1抵抗を介して第
1の点に結合させ、第2トランジスタのコレクタ
電極を第1抵抗とほぼ同一の抵抗値を有する第2
抵抗を介して前記第1の点に結合させ、第1トラ
ンジスタのベース電極を第2抵抗と第2トランジ
スタのコレクタ電極との間の第2の点に接続し、
第2トランジスタのベース電極を第1抵抗と第1
トランジスタのコレクタ電極との間の第3の点に
接続し、第1トランジスタのエミツタ電極と第2
トランジスタのエミツタ電極とを第4の点に接続
し、前記第1の点と第4の点との何れか一方をこ
れら各点の間の回路に識別すべき電流を供給すべ
く前記入力端子に接続し、前記出力端子を前記両
コレクタ電極の少なくとも一方に結合させるよう
に構成し、 且つ当該電流識別回路に、前記第1及び第2ト
ランジスタの少なくとも一方に結合されてこれら
トランジスタに異なるバイアスを付与し、これら
トランジスタが双安定状態に移行する場合に第1
トランジスタを第2トランジスタに優先させて導
通させるバイアス回路を設けたことを特徴とす
る。
上記本発明の好適な実施例では、前記バイアス
回路を前記第1トランジスタのコレクタ電極と前
記第3の点との間に介挿された第3抵抗と、前記
第2トランジスタのコレクタ電極と前記第2の点
との間に介挿された前記第3抵抗よりも高い抵抗
値の第4抵抗とを設けて構成し、前記第1及び第
2トランジスタのコレクタ電極に差動増幅器の第
1及び第2入力端子を各々結合する。
この結果、差動増幅器が平衡する点(この点は
差動増幅器を含む電流識別回路の識別特性のほぼ
中心である)が、実際の電流識別回路の識別特性
の急峻な部分の境界からこの急峻な部分の中心に
より近い点へとシフトする。これは例えば、電流
安定器を一層良好に制御することになる。
本発明のさらに他の好適な実施例では、前記第
1の点及び第4の点を第1及び第2電源端子にそ
れぞれ結合させ、前記差動増幅器が、各々ベース
電極と、エミツタ電極と、コレクタ電極とを有し
ている第3及び第4トランジスタを具え、これら
両トランジスタの相互接続したエミツタ電極を前
記第2電源端子に結合させ、第3トランジスタの
コレクタ電極を直接第1の点に接続し、第4トラ
ンジスタのコレクタ電極を第5トランジスタのベ
ース電極に接続し、この第5トランジスタのエミ
ツタ電極を前記第1の点に接続するとともに第5
トランジスタのコレクタ電極を第2電源端子に結
合させ、第3及び第4トランジスタのベース電極
を前記差動増幅器の各入力端子に接続する。第5
トランジスタのベース−エミツタ接合のために、
第4トランジスタのコレクタ−ベース電圧は、識
別回路の入力電流が小さい場合には実質的に反転
し、一方(第5トランジスタ)のベース−エミツ
タ電圧に等しくなり、しかも第3トランジスタの
ベース−エミツタ電圧はほぼ0ボルトであるか
ら、第4トランジスタのベース電流が第3トラン
ジスタのベース電流よりも大きくなり、第1の抵
抗と第2の抵抗とを経て流れるこれらのベース電
流のために、第1トランジスタのベースは第2ト
ランジスタのベースよりも高くバイアスがかか
り、双安定状態に達した時第2トランジスタが常
にカツトオフされる。
図面につき本発明を詳細に説明する。
第1図は本発明に係る電流識別回路を示す。こ
の回路はトランジスタT1を具えるが、このトラ
ンジスタT1のエミツタ電極は端子6に接続し、
コレクタ電極は抵抗1を介して端子3に接続す
る。この回路はまたトランジスタT2を具えるが、
このトランジスタT2のエミツタ電極は端子6に
接続し、コレクタ電極は抵抗2を介して端子3に
接続する。トランジスタT1のベースはトランジ
スタT2のコレクタに接続すると共に出力端子4
に接続し、トランジスタT2のベースはトランジ
スタT1のコレクタに接続すると共に出力端子5
に接続する。
端子3又は6で電流駆動をする結果端子3と6
との間の回路に電流Iが流れる場合、第2図の
V1は抵抗2の両端間の電圧を表し、V2は抵抗1
の両端間の電圧を表し、ΔVは出力端子4と5の
間の電圧を表す。従つて、抵抗値が各々Rである
抵抗1及び2を流れる電流をそれぞれI1及びI2
し、トランジスタT1及びT2の相互コンダタタン
スをそれぞれgm1及びgm2とし、且つトラジスタ
T1及びT2のエミツタ−ベース電圧をそれぞれ
Vbe1及びVbe2とすると、次式がほぼ有効とな
る。
ΔV=V1−V2 =I2×R−I1×R =gm2×Vbe2×R−gm1×Vbe2×R =(q/kT)×I2×Vbe2×R −(q/kT)×I1×Vbe1×R 電流Iが比較的小さい場合には、トランジスタ
T1及びT2に流れる電流がほぼ等しく、 I1=I2=1/2×I となり、しかも電圧V1及びV2は電流Iと正比例
するため、この場合には差電圧が約0となる。さ
らに、トランジスタT1とT2との間を交差結合す
ることによつて電流識別回路に生ずるループ利得
LGは次式によつて表わされる。
LG=(V1−V2)/(Vbe1−Vbe2) =1/2×I×(q/kT)×R これから明らかなように、ループ利得LGは電
流Iに依存する。従つて、電流Iが増大すると、
或る瞬時にループ利得は1となり、これは電流識
別回路の発振条件である。この瞬時には電流Iが
2kT/qRに等しく、この回路は双安定状態とな
り、トランジスタT1かトランジスタT2のいずれ
かが全電流Iを引き込む双安定状態の一方の状態
になる。
第2図ではトランジスタT2が全電流Iを引き
込み、この結果kT/qであつた電圧V1は2倍にな り、V1=2kT/qとなり、電圧V2は零になり、差 電圧ΔVが2kT/qとなるものとする。回路が双安 定状態となる電流I=2kT/qでは、V1、V2及び ΔVは電流Iの関数として非常に急峻な特性に従
つて変化する。それ故特性のこの部分は識別特性
として大いに適している。電圧V1及びV2並びに
差電圧ΔVのいずれもこの目的に使用することが
できるが、多くの場合差動出力端子4,5に得ら
れる差電圧ΔVが最も適している。そしてこの差
電圧ΔVを識別電圧として用いる時は、例えば、
差電圧ΔVを増幅する差動増幅器にオフセツトV0
を導入したり、2個の出力端子4及び5の一方と
直列にV1に等しいレベルシフトを与えることに
より、差電圧にほぼV1に等しい値を与える(第
2図)と好適である。
第1図に示した回路が双安定状態になる瞬時に
おいて、2個のトランジスタT1とT2のいずれが
電流Iを担うことになるのか予測することはでき
ない。しかし、これは何の問題も生じない。例え
ば、極性に無関係に差電圧ΔVを増幅する回路を
出力端子4,5に接続することができ、導通の双
安定状態は関係しなくなる。しかし、回路構成を
簡単にするためには回路が双安定状態になつた後
の回の状態を規定する方が有利である。これは
種々の方法で達成できるが、特に2個のトランジ
スタ若しくは2個のコレクタ負荷を僅かに相違さ
せ、又は2個のトランジスタの一方のコレクタ回
路に追加の電流を流すことにより達成できる。
第3図は電流安定化回路又は電圧安定化回路で
使用される第1図に示した回路の一例を示したも
のである。電流Iはエミツタ抵抗8を具える電流
源トランジスタT3により端子6に与える。端子
3は正の電源電圧Vsに接続する。出力端子4及
び5は2個のトランジスタT4及びT5のベース電
極に接続する。これらの2個のトランジスタT4
及びT5は差動増幅器として配設され、その共通
エミツタラインは抵抗10及び12並びにトラン
ジスタT7を具える電流源を具備する。トランジ
スタT4のコレクタは直接正の電源端子3に接続
し、トランジスタT5のコレクタはpnpトランジス
タT6のベースに接続する。トランジスタT6のエ
ミツタは正の電源端子3に接続する。トランジス
タT4及びT5のベース電極はトランジスタT2及び
T1のコレクタ抵抗を介して正の電源端子3に接
続する。トランジスタT6のベース−エミツタ接
合はトランジスタT4のコレクタ電圧に比較して
トランジスタT5のコレクタ電圧を下げ、関連ベ
ース電極がトランジスタT1及びT2のコレクタ抵
抗を介して電源端子3に接続されており、これら
のコレクタ抵抗の両端間に小さな電圧降下が生ず
るから、トランジスタT5のベース電流はトラン
ジスタT4のベース電流よりも大きくなり、この
効果は後述するように電流識別回路が双安定状態
となる瞬時においてトランジスタT5がトランジ
スタT4よりも大きな電流を運ぶから一層強めら
れる。この結果抵抗1と2を経て流れるベース電
流が等しくなり、トランジスタT1のベースはト
ランジスタT2のベースよりも高い電圧にバイア
スされるため、電流識別回路が双安定状態になる
時トランジスタT2がカツトオフされる。
電流Iが2kT/qRより小さい場合には、トランジ スタT1とT2の両方が導通する。又、トランジス
タT5が導通して、トランジスタT6を駆動する。
I=2kT/qRである双安定状態になる瞬時において は、トランジスタT2は非常に急激にターンオフ
するため、トランジスタT4が完全に導通状態に
駆動され、トランジスタT5とトランジスタT6
カツトオフされる。これはI=2kT/qRの場合に電 流Iが少し変化しただけでもトランジスタT6
コレクタ電流が相当に変化すること意味する。こ
うしてトランジスタT6のコレクタ電流により電
流Iを制御することにより電流の安定化が達成さ
れる。本例の場合、これは入力回路がダイオード
として構成されたトランジスタT8(これに抵抗9
が直列に接続されている)を具え、出力回路が抵
抗8とトランジスタT3とを具える電流ミラーを
介して達成される。この結果、電流Iは値I=2
kT/qRに安定化される。例えば、出力端子11をト ランジスタT8のベースに接続することにより、
安定化された基準電圧が得られる。
制御レンジを最大にするためには、電流Iが値
I=2kT/qR以下の場合、即ち第2図でV=0の場 合に差動増幅器T4。T5をオフセツトして、トラ
ンジスタT6が最大電流を供給し、ΔV=V0(第2
図)の場合に差動増幅器を平衡させるようにする
のが有利である。これは抵抗1及び2とトランジ
スタT1及びT2の関連コレクタ並びにトランジス
タT5及びT4の関連ベース電極との間に抵抗7及
び16を設けることにより達成される。抵抗16
の抵抗値を抵抗7の抵抗値より大きくし、これら
の抵抗を流れる電流が等しい場合にトランジスタ
T5がエミツタ電流源10,12,T7からの全電
流を担うようにする。実施例では、抵抗7の抵抗
値を4Rとし、抵抗16の抵抗値を20Rとし
た。I=2kT/qRとなる双安定瞬時に達する直前 に、差動増幅器の入力差電圧は、 ΔV=−I2×20R+Vbe1−Vbe2+I1×4R =1/2×I×4R−1/2×I×20R =−1/2×I×16R =(kT/q)×16 に等しくなり、これはほぼ400mVの電圧に等し
い。また抵抗16及び7は電流Iの変化に対して
付加的な増倍を与える。第3図に示す回路は更に
端子4と端子3の間にキヤパシタンスとして構成
されたトランジスタT9を具え、回路の安定度を
増している。
第3図に示した基準電圧回路は1.8V以下の非
常に低い電源電圧の場合に非常に適しており、
(出力端子11から)1.1V以下の基準電圧を供給
する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明電流識別回路の回路図、第2図
は第1図の回路の動作を説明するためのいくつか
の電圧特性の線図、第3図は電圧基準源に用いた
本発明による好適な電流識別回路の回路図であ
る。 1,2……抵抗、3……電源端子、4,5……
差動出力端子、6……端子、7……抵抗、8……
エミツタ抵抗、9,10,12,16……抵抗、
11……出力端子、T……トランジスタ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 識別すべき電流を受電する入力端子と、出力
    端子とを有する電流識別回路において、 当該電流識別回路が、各々ベース電極と、エミ
    ツタ電極と、コレクタ電極とを有している第1ト
    ランジスタと第2トランジスタとを具え、第1ト
    ランジスタのコレクタ電極を第1抵抗を介して第
    1の点に結合させ、第2トランジスタのコレクタ
    電極を第1抵抗とほぼ同一の抵抗値を有する第2
    抵抗を介して前記第1の点に結合させ、第1トラ
    ンジスタのベース電極を第2抵抗と第2トランジ
    スタのコレクタ電極との間の一点に接続し、第2
    トランジスタのベース電極を第1抵抗と第1トラ
    ンジスタのコレクタ電極との間の一点に接続し、
    第1トランジスタのエミツタ電極と第2トランジ
    スタのエミツタ電極とを第2の点に接続し、前記
    第1の点と第2の点との間の回路を識別すべき電
    流を受電すべく前記入力端子と直列に接続し、前
    記出力端子を前記両コレクタ電極の少なくとも一
    方に結合させたことを特徴とする電流識別回路。 2 前記出力端子を第1トランジスタのコレクタ
    電極と第2トランジスタのコレクタ電極との間に
    結合される差動出力端子としたことを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の電流識別回路。 3 前記第1トランジスタ及び第2トランジスタ
    の各特性又は前記第1抵抗及び第2抵抗の各抵抗
    値を相違させることにより、前記第1及び第2ト
    ランジスタが双安定状態に移行する場合に前記第
    1トランジスタが前記第2トランジスタに優先し
    て導通するようにしたことを特徴とする特許請求
    の範囲第1項又は第2項に記載の電流識別回路。 4 識別すべき電流を受電する入力端子と、出力
    端子とを有する電流識別回路において、 当該電流識別回路が、各々ベース電極と、エミ
    ツタ電極と、コレクタ電極とを有している第1ト
    ランジスタと第2トランジスタとを具え、第1ト
    ランジスタのコレクタ電極を第1抵抗を介して第
    1の点に結合させ、第2トランジスタのコレクタ
    電極を第1抵抗とほぼ同一の抵抗値を有する第2
    抵抗を介して前記第1の点に結合させ、第1トラ
    ンジスタのベース電極を第2抵抗と第2トランジ
    スタのコレクタ電極との間の第2の点に接続し、
    第2トランジスタのベース電極を第1抵抗と第1
    トランジスタのコレクタ電極との間の第3の点に
    接続し、第1トランジスタのエミツタ電極と第2
    トランジスタのエミツタ電極とを第4の点に接続
    し、前記第1の点と第4の点との何れか一方をこ
    れら各点の間の回路に識別すべき電流を供給すべ
    く前記入力端子に接続し、前記出力端子を前記両
    コレクタ電極の少なくとも一方に結合させるよう
    に構成し、 且つ当該電流識別回路に、前記第1及び第2ト
    ランジスタの少なくとも一方に結合されてこれら
    トランジスタに異なるバイアスを付与し、これら
    トランジスタが双安定状態に移行する場合に第1
    トランジスタを第2トランジスタに優先させて導
    通させるバイアス回路を設けたことを特徴とする
    電流識別回路。 5 前記バイアス回路を前記第1トランジスタの
    コレクタ電極と前記第3の点との間に介挿された
    第3抵抗と、前記第2トランジスタのコレクタ電
    極と前記第2の点との間に介挿された前記第3抵
    抗よりも高い抵抗値の第4抵抗とを設けて構成
    し、前記第1及び第2トランジスタのコレクタ電
    極に差動増幅器の第1及び第2入力端子を各々結
    合したことを特徴とする特許請求の範囲第4項に
    記載の電流識別回路。 6 前記第1の点及び第4の点を第1及び第2電
    源端子にそれぞれ結合させ、前記差動増幅器が、
    各々ベース電極と、エミツタ電極と、コレクタ電
    極とを有している第3及び第4トランジスタを具
    え、これら両トランジスタの相互接続したエミツ
    タ電極を前記第2電源端子に結合させ、第3トラ
    ンジスタのコレクタ電極を直接第1の点に接続
    し、第4トランジスタのコレクタ電極を第5トラ
    ンジスタのベース電極に接続し、この第5トラン
    ジスタのエミツタ電極を前記第1の点に接続する
    とともに第5トランジスタのコレクタ電極を第2
    電源端子に結合させ、第3及び第4トランジスタ
    のベース電極を前記差動増幅器の各入力端子に接
    続したことを特徴とする特許請求の範囲第5項に
    記載の電流識別回路。
JP58036097A 1982-03-10 1983-03-07 電流識別回路 Granted JPS58166412A (ja)

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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4851759A (en) * 1988-05-26 1989-07-25 North American Philips Corporation, Signetics Division Unity-gain current-limiting circuit
DE3936392A1 (de) * 1989-11-02 1991-05-08 Telefunken Electronic Gmbh Stromstabilisierungsschaltung
GB2264573B (en) * 1992-02-05 1996-08-21 Nec Corp Reference voltage generating circuit
US6794915B2 (en) * 2000-11-10 2004-09-21 Leonid B. Goldgeisser MOS latch with three stable operating points
JP3681374B2 (ja) * 2002-12-19 2005-08-10 株式会社日立製作所 電流検出装置及びそれを用いたpwmインバータ
FR2954866B1 (fr) * 2009-12-28 2012-01-20 St Microelectronics Sa Circuit de polarisation pour amplificateur differentiel
US20160070288A1 (en) * 2013-06-12 2016-03-10 Sharp Kabushiki Kaisha Voltage generation circuit
WO2014208339A1 (ja) * 2013-06-27 2014-12-31 シャープ株式会社 電圧発生回路
EP3021189B1 (en) * 2014-11-14 2020-12-30 ams AG Voltage reference source and method for generating a reference voltage

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL298196A (ja) * 1962-09-22
US3573499A (en) * 1969-05-02 1971-04-06 Bell Telephone Labor Inc Bipolar memory using stored charge
US3686515A (en) * 1970-12-24 1972-08-22 Hitachi Ltd Semiconductor memory
GB1461443A (en) * 1973-02-06 1977-01-13 Sony Corp Bistable multivibrator circuit
US3953746A (en) * 1974-07-29 1976-04-27 Honeywell Information Systems, Inc. Selector latch gate
US3930172A (en) * 1974-11-06 1975-12-30 Nat Semiconductor Corp Input supply independent circuit
US4282477A (en) * 1980-02-11 1981-08-04 Rca Corporation Series voltage regulators for developing temperature-compensated voltages
US4370573A (en) * 1980-11-28 1983-01-25 Honeywell Information Systems Inc. Wave form transition sequence detector

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