NL8200974A - Stroomdiskriminatie-schakeling. - Google Patents

Stroomdiskriminatie-schakeling. Download PDF

Info

Publication number
NL8200974A
NL8200974A NL8200974A NL8200974A NL8200974A NL 8200974 A NL8200974 A NL 8200974A NL 8200974 A NL8200974 A NL 8200974A NL 8200974 A NL8200974 A NL 8200974A NL 8200974 A NL8200974 A NL 8200974A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
transistor
current
circuit
resistor
collector
Prior art date
Application number
NL8200974A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL8200974A priority Critical patent/NL8200974A/nl
Priority to EP83200302A priority patent/EP0088477B1/en
Priority to DE8383200302T priority patent/DE3377169D1/de
Priority to CA000422769A priority patent/CA1194144A/en
Priority to JP58036097A priority patent/JPS58166412A/ja
Priority to BR8301102A priority patent/BR8301102A/pt
Priority to ES520410A priority patent/ES520410A0/es
Priority to KR1019830000951A priority patent/KR900004189B1/ko
Priority to US06/469,544 priority patent/US4709163A/en
Publication of NL8200974A publication Critical patent/NL8200974A/nl
Priority to HK854/91A priority patent/HK85491A/xx

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/29Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator multistable
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/30Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Description

« i . «.
EHN 10.298 1 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.
Stroomdiskriminatie-schakeling.
De uitvinding heeft betrekking op een stroomdiskriminatie-schakeling met een ingang voor het opnemen van een te diskrimineren strocm en een uitgang.
Een dergelijke stroandiskr iminatie-schakeling kan onder meer toegepast 5 worden in stroomstabilisatie-schakelingen maar ook in bijvoorbeeld signaalniveau-detéktoren.
In strocmstabilisatoren van het zogenaamde "bandafstands type (Engels: Band gap reference), zoals onder andere beschreven zijn in het Amerikaanse oktrooiscbrift 3 887 863, cravat zo een stroom-10 diskriminatie-schakeling een tweetal stroomketens, waarbij een halfgeleiderovergang in de ene keten, overbrugd wordt door een halfgeleiderovergang in serie met een weerstand in de andere keten.
De stromen in beide ketens worden door middel van een weerstand en een verschilversterker of door middel van een strooraspiegel verge-15 leken - hetgeen de diskriminatiefunktie vormt - en zodanig bestuurd dat de strocndichtheden in beide halfgeleiderovergangen zich als 1 :n verhouden, waarbij die faktor n^1 gerealiseerd kan worden' door de beide halfgeleiderovergangen ongelijk te kiezen of door de stromen in beide ketens ongelijk in te stellen. De strocm stabiliseert dan
KT
20 op een waarde gelijk aan ^Inn met K de konstante van Bolzman, T de absolute temperatuur in K, q de lading van het elektron, R de waarde van de genoemde weerstand en In n de natuurlijke logaritme van de faktor n. Bij dit type stabilisatoren stabiliseert de strocm qp een waarde die door de faktor n bepaald wordt. De steilheid 25 van de stroomdiskr imlnatie wordt eveneens door de faktor n bepaald.
Hoe meer de faktor n afwijkt van êên des te beter de stabilisatie is maar des te asymmetrischer de schakeling is, hetgeen vaak niet erg voordelig.is.
De uitvinding beoogt een stroomdiskriminatie-schakeling 30 met een scherpe diskriminatiekarakteristiek die in hoge mate
syrrmetrisch is opgebouwd en die eveneens diskrimineert rond een KT
met -~· evenredige waarde. De uitvinding wordt daartoe gekenmerkt, doordat de stroomdiskr iminatie-schakeling een eerste en een tweede, 8200974 r EHN 10.298 2 __.transistor/ elk met een basiselektrode, emitter elektrode en kollëktor- - elektrode, omvat, waarbij de kollektorelèktrode van de eerste transistor via een eerste weerstand en de kollektorelèktrode van de tweede transistor via een tweede weerstand, die in hoofdzaak dezelfde 5 waarde heeft als de eerstè weerstand, met een eerste punt zijn ver benden, waarbij de basiselektrode van de eerste transistor net een punt tussen de tweede weerstand en de kollektorelèktrode van de tweede transistor en de bas iselektrode van de tweede transistor met een punt tussen de eerste weerstand en de kollèktorelektrode van 10 de eerste transistor is verbonden, waarbij de anitterelektroden van de eerste en tweede transistor met een tweede punt zijn verbonden, waarbij de tussen het eerste en tweede punt aanwezige schakeling in serie met de ingang is geschakeld voor opname van de te diskrimineren stroom, en waarbij de uitgang is gekoppeld met althans één van 15 beide kollektorelektroden.
Bij een dergelijke schakeling verdeelt de ingangsstroom zich gelijkelijk over beide kollektor-emitterketens. Zodra de stroom zover is toegenomen dat de rondgaande versterking (van basis naar kollèktorelektrode) gelijk aan één geworden is,· wordt de schakeling 20 bistabiel, hetgeen zeer gemakkelijk gedetekteerd kan worden.
Het bistabiel worden gaat gepaard met een zeer steile karakteristiek: slechts een zeer kleine:.· stroom toename is nodige cm één van beide transistoren stroomloos te doen zijn.
Dit punt waar de schakeling bistabiel wordt, wordt bereikt bij een
KT
25 ingangsstroom gelijk aan 2^, met R de waarde van de eerste en tweede weerstand. Hierbij is het voordelig, dat de uitgang een differentiële uitgang is tassen de kollektorelektroden van de eerste en tweede transistor. Hierdoor wordt een sterker variërend signaal verkregen.
30 Bij het bereiken van het punt waar de schakeling bistabiel wordt, kan de schakeling naar twee stabiele toestanden overgaan. De schakeling kan dan toch zo worden ingericht dat het voor het uitgangssignaal irrelevant is naar welke van de twee toestanden de schakeling anslaat.
35 Voordeliger is het echter, dat middelen aanwezig zijn voor het vastleggen van een voorkeursgeleidingstoestand voor beide transistoren bij het ingangsstroembereik waarbij de kruisgekoppelde. eerste en tweede transistor een bistabiele. schakeling vormen zodanig 8200974 HJN 10.298 3 A' * „_dat bij het bereiken van die bistabiele toestand de eerste _ transistor verder in geleiding zal geraken en de tweede transistor omgeleidend zal worden.
Een voorkeursuitvoeringsvorm van de diskriminatorschakeling 5 kan worden gekenmerkt, doordat tussen de kollektorelektrode van de eerste transistor en de verbinding tussen de basiselektrode van de tweede transistor. en de eerste weerstand een derde weerstand is aangebracht, dat tussen de kollektorelektrode van de tweede transistor en de verbinding tussen de basiselektrode van de eerste transistor 10 en de tweede weerstand een vierde weerstand is aangebracht met een weerstandswaarde die groter is dan de weerstandswaarde van de derde weerstand en dat de ingang van de verschilversterker met de verbindingen tussen die derde en vierde weerstand en de kollektorelektroden van de eerste en tweede transistor is verbonden.
10 Hierdoor wordt het punt waar de verschilversterker in balans is - welk punt min of meer het middelpunt van de diskriminatiekarakte-ristiek van de strocmdiskriminatie-schakeling inklusief de verschilversterker vormt - verschoven van de grens van het steile gedeelte van de diskriminatiekarakteristiek van de strocmliskriininatie zelf 20 naar een punt meer naar het midden van dit steile gedeelte hetgeen in bijvoorbeeld een strocmstabilisatie een betere regeling mogelijk maakt. De laatst genoemde voorkeursuitvoeringsvorm kan nader worden gekenmerkt, doordat de verschilversterker een derde en een vierde transistor met gemeenschappelijke emitterelektroden omvat 25 waarbij de kollektorelektrode. van de derde transistor in hoofdzaak direkt met het eerste punt is verbonden en de kollektorelektrode van de vierde transistor met de basiselektrode van die vijfde transistor waarvan de emitterelektrcde eveneens met het tweede punt is verbanden, waarbij de basiselektrode van de derde transistor 30 met de kollektorelektrode van de tweede transistor is verbonden en de basiselektrode van de vierde transistor met de kollektorelektrode van de eerste transistor is verbonden.
Doordat ten gevolge van de basis-emitterovergang van de vijfde transistor de kollektor-basisspanning van de vierde transistor bij een 35 geringe ingangsstrocm van de diskriminatieschakeling vrijwel tegengesteld is aan êén basis-emitterspanning (van de vijfde transistor) en die van de derde transistor nagenoeg gelijk is aan nul Volt, is de bas is s troon van de vierde transistor groter dan die van de 8200974 EHN 10.298 4 ____derde transistor waardoor ten gevolge van die basisstromen, die via da......
eerste en tweede weerstand vloeien, de basis van de eerste transistor een hogere voorspanning heeft dan de basis van de tweede transistor waardoor bij het bereiken van de bistabiele toestand steeds de tweede 5 transistor ongeleidend zal geraken.
De uitvinding zal nader warden toegelicht aan de hand van de tekening, waarin figuur 1 een strocmiiskriminatie-schakeling volgens de uitvinding toont, 10 figuur 2 enkele karakteristieken ter verklaring van de werking van de schakeling volgens figuur 1 toont, en figuur 3 een voorkeur suitvoeringsvorm van de strocm-diskriminatie volgens de uitvinding toegepast in een spannings-referentieKbron· toont.
15 Figuur 1 toont een stroomdiskriminatie-schakeling volgens de uitvinding. De schakeling cravat een transistor , waarvan de emitterelektrode met een aansluipunt 6 is verbonden en de kollektorelektrode via een weerstand 1 met een aansluitpunt 3 is verbonden, en een transistor T2 waarvan de emitterelektrode 20 met aansluitpunt 6 is verbonden en de kollektorelektrode via een weerstand 2 met een aansluitpunt 3 is verbonden. De basis van transistor is met de kollektor van transistor T2 en met een uitgangsaansluitpunt 4 verbonden en de basis van transistor T2 is met de kollektor van transistor en met een uitgangsaansluit-25 punt 5 verbanden.
Vloeit er over de schakeling tussen de punten 3 en 6 - door stroomstoring op punt 3 óf 6 - een stroom I, dan toont figuur 2 de spanning over weerstand 2, de spanning V2 over weerstand 1 en de spanning Δν tussen uitgangsaansluitpunten 4 30 en 5. Voor kleinere stromen I vloeien er gelijke stromen door transistoren en T2 en zijn de spanningen V^ en V2 rechtevenredig met. de stroom I en is de verschilspanning AV gelijk aan nul Volt.
Bij een bepaalde sterkte van de stroom I bij welke sterkte de rondgaande versterking in de kruiskoppeling tussen beide transistoren 35 gelijk aan één is, wordt de schakeling volgens figuur 1 bistabiel.
Dit gebeurt wanneer de stroom I de sterkte 2~,heeft bereikt.
- gR-"-
Qp dat moment zal één van beide transistoren en T2 de volle stroom I gaan voeren.
8200974 PHN 10.298 5 _ In figuur 2 is ervan uitgegaan dat transistor de __ volle strocra I gaat voeren, hetgeen tot gevolg heeft dat de spanning van V^==^ verdubbelt naar V.j=2~-, de spanning gelijk aan nul Volt wordt en de verschilspanning -A.V Jgelijk aan 5 2~ Volt wordt. Op het moment I=2^j| wanneer de schakeling bistabiel wordt, veranderen V^, V^ en Δν volgens een zeer steile karakteristiek als funktie van de stroom I.
Dit gedeelte van de karakteristiek kan dan .ook zeer goed als diskriminatiekarakteristiek gebruikt worden. Zowel de spanningen 10 V,j. of V^ alsook de verschilspanning Δν kan hiertoe gebruikt worden,, waarbij de spanning AV aanwezig op de differentiële uitgang (4, 5), het gunstigste is in de meeste gevallen.
Om de spanning Δ v goed als diskriininatiespanning te gebruiken is, is het voordelig cm deze rond een waarde V^ te plaatsen {figuur 2) 15 bijvoorbeeld door het aanbrengen van een fout-spanning (off-set)
Vq in een verschilversterker die de spanning Av versterkt of door het aanbrengen van bijvoorbeeld een niveauverschuiving ter grootte van V^ in aade met één van beide uitgangsaansluitpunten 4 en 5.
20 Op het moment dat de schakeling volgens figuur 1 bistabiel wordt is het niet voorspelbaar welke van beide trans is tor en en T2 de stroom I zal gaan geleiden·;. Dit hoeft geen bezwaar te zijn. Zo kan bijvoorbeeld aan uitgang 4,5 een schakeling toegevoegd worden „die de spanning AV polariteitsonafhankelijk 25 versterkt waardoor de bistabiele geleidingstoestand er niet toe doet. Om een eenvoudige schakeling mogelijk te maken zal het echter voordeliger zijn om de toestand van de schakeling na het bistabiel worden vast te leggen. Dit kan op vele manieren bereikt worden, onder andere door het een beetje ongelijk maken 30 van beide transistoren of beide kollektor belastingen,of door het toevoeren van een ekstra stroom aan de kollektorketen van één van de beide transistoren.
Figuur 3 toont een uitvoeringsvoorteeld van de toepassing . van de schakeling volgens figuur 1 in een stroom c.q. spannings-35 stabilisatie-schakeling. Aan aansluitpunt 6 wordt een*, stroom I toegevoerd door middel van stroombron-transistor met emitter-weerstand 8, terwijl aansluitpunt 3 met een positieve voedingsspanning VS is verbonden. De uitgangsaansluitingen 4 en 5 zijn 8200974 * * PHN 10.298 6 -verbonden met de basiselektroden van twee als verschil versterker —~~ geschakelde transistoren en waarvan in de gemeenschappelijke emitterleiding een stroombron met weerstanden 10 en 11 en transistor Ύη is opgenomen. De kollektor van transistor is rechtstreeks 5 met het voedingsaansluitpiint 3 verbonden. terwij 1 de kollektor van transistor T,. met de basis van pnp-transistor Tg, waarvan de emitter-elektrode met het positieve voedingsaansluitpunt 3 is verbonden.
De basiselektrodenvan transistoren en voeren via de kolléktor-weerstanden van transistoren en T2 naar het voedingsaansluitpunt 10 3. Omdat de basis-emitterovergang van transistor Tg de kollektor-basisspanning van transistor verlaagt ten opzichte van de kollektor spanning van transistor T^, terwijl de bijbehorende basiselektroden via de kolléktorweerstanden van transistoren en T2# over welke weerstanden een geringe spanningsval optreedt# is de 15 basisstroom van transistor groter dan die van transistor T4# wat nog versterkt wordt doordat zoals nog besproken zal worden, transistor op het moment dat de strocmdiskriminatie-schakeling bistabiel wordt# meer stroom voert dan transistor T^. Door deze ongelijkheid in basisstromen# welke basisstromen via de weerstanden 20 1 en 2 vloeien, is de basisspanning van transistor hoger voorgespannen dan de basisspanning van transistor T2 zodat bij het bistabiel worden van de stroomdiskrlininatie-schakeling transistor T„ ongeleidend zal worden.
~ KT
Is de stroom I kleiner dan 2—, dan is zowel transistor
9-K
25 T1 als transistor T0 geleidend. Transistor Τς voert stroom en
^ ^ KT
stuurt transistor Tg. Op het bistabiele moment waar 1=2^ wordt transistor T2 volgens een zeer steile karakteristiek afgeschakeld waardoor transistor vol in geleiding gestuurd wordt en transistor Τς ongeleidend gestuurd wordt evenals transistor Tc.
3 2ΚΓ ° 30 Dit betekent# dat voor I=--R· de kollektorstrocra van transistor
Tg zeer sterk varieert·, bij een gering variatie van de stroom I.
Een stroamstabilisatie wordt dan bereikt door de kolléktorstrocm van transistor Tg de stroom I te doen sturen; hier via een stroomspiegel met als 35 ingangsketen een als diode geschakelde transistor Tg in serie met een weerstand 9 en als uitgangsketen de weerstand 8 en de transistor T,. De stroom I zal aldus stabiliseren op een waarde KT ^ 1=2^. Door bijvoorbeeld een uitgang 11 te verbinden met de 8200974 PHN 10.298 7 __basis van transistor Tg kan een gestabiliseerde referentiespanning _ worden af genomen.
Om een zo groot mogelijk regelbereikte verkrijgen is het voordelig om verschilversterker T^, Tg bij een stroom I beneden 5 de waarde 1=2=^- dus νοατΔ V=o in figuur 2 .uit balans voor in te stellen zodat dan transistor Tg een maximale stroom stuurt en zodanig dat voor Δ V=VQ (figuur 2) de verschilversterker in balans is. Dit wordt bereikt door tussen de weerstanden 1 en 2 en de bijbehorende kollektoren van de transistoren T^ en T^ 10 evenals de bijbehorende basiselektroden van transistoren en Tg weerstanden 6 en 7 aan te brengen. Weerstand 6 heeft een zodanig kleinere waarde dan weerstand 7 dat bij gelijke stromen door die weerstanden transistor Tg de volle stroom van de emitter-stroombron (10, 11, Ύη) voert. In een praktische uitvoering was gekozen 15 dat weerstand 7 en waarde 4R vertoonde en weerstand 6 een waarde
van 20R. Net voor het bereiken van het bistabiele moment met KT
1=2-=· is dan de ingangsverschilspanning van de verschilversterker S*·'- τ/rn xrrn gelijk aan (21R-5R)2^=16^· wét ongeveer gelijk is aan 400 mV.
De weerstanden 6 en 7 geven· bovendien nog een destra versterking 20 voor variaties van I. Verder vertoont de schakeling volgens figuur 3 een als kapaciteit geschakelde transistor T^ die tussen punt 4 en punt 3 is opgenomen.ter verhoging van de stabiliteit van de schakeling.
De spanningsreferentie-schakeling volgens figuur 3 25 is uitermate geschikt voor zeer lage: voedingsspanningen kleiner dan 1.8 Volt en is geschikt cm referentiespanningen (aan uitgang 11) kleiner dan 1.1 Volt te leveren.
30 35 8200974

Claims (7)

  1. 2. Stroomdiskriminatie-schakeling volgens konklusie 1, 20 met het kenmerk, dat de uitgang een differentiële uitgang is tussen de kollektorelektroden van de eerste en tweede transistor.
  2. 3. Stroamdiskrirninatie-schakeling volgens konklusie 1 of 2, met het kenmerk, dat middelen aanwezig zijn voor het vastleggen van een voorkeursgeleidingstoestand voor beide transistoren 25 bij het ingangsstroambereik, waarbij de kruisgekoppelde eerste en tweede transistor een bistabiele schakeling vormen zodanig, dat bij het bereiken van die bistabiele toestand de eerste transistor verder in geleiding zal geraken en de tweede transistor ongeleidend zal worden.
  3. 4. Stroomdiskriminatie-schakeling volgens konklusie 3 voor zover afhankelijk van konklusie 2, met het kenmerk, dat tussen de kollektorelektrode van de eerste transistor en de verbinding tussen de basiselektrode:' van de tweede transistor en de eerste weerstand een derde weerstand is aangebracht, dat tussen de kollektor-35 elektrode van de tweede transistor en de verbinding tussen de basiselektrode van de eerste transistor en de tweede weerstand een vierde weerstand is aangebracht net een weerstandswaarde die groter is dan de weerstandswaarde van de derde weerstand en dat de ingang van de . 8200974 PHN 10.298 9 m --verschilversterker met de verbindingen tussen die derde en vierde __________ weerstand en de kollektorelektroden van een eerste en tweede transistor is verbonden.
  4. 5. Stroomdiskriininatie^dhakeling volgens konklusie 4, 5 met het kenmerk, dat de verschilversterker een derde en een vierde transistor met gemeenschappelijke emitterelektroden omvat, waarbij de kollektorelektrode van de derde transistor in hoofdzaak direkt met het eerste punt is verbonden en de kollektorelektrode van dé vierde transistor met de basiselektrode van een vijfde transistor 10 waarvan·, de emitterelektrode eveneens met het eerste punt is verbonden, waarbij de basiselektrode van de derde transistor met de kollektor-elektrcde van de tweede transistor is verbonden en de basiselektrode van de vierde transistor met de kollektorelektrode van de eerste transistor is verbonden.
  5. 6. Stroomdiskrimlnatie-schakeling volgens één of meer. der konklusies 1 tot en met 5, met het kenmerk, dat ter verkrijging van een strocmstabilisatie schakeling de uitgang is teruggekoppeld naar de ingang zodanig, dat de aldus ontstane rondgekoppelde keten zich instelt op een punt waarbij de stroom in de strocmdiskriminatie 20 schakeling een zodanigewaarde bereikt heeft dat de kruislings gekoppelde eerste en tweede transistor een bistabiele schakeling vormen.
  6. 7. Strocmdiskriminatie-schakeling volgens konklusie 6, voor zover afhankelijk van konklusie 5, met het kenmerk, dat de 25 kollektor van de vijfde transistor via een stroomspiegel is gekoppeld met het tweede punt en dat het eerste punt een punt op vaste potentiaal is. 8 . 5troomdiskriminatie-schakeling volgens konklusie 7, met het kenmerk, dat tussen de kollektorelektrode van de tweede 18o transistor en het eerste punt een kapaciteit is aangebracht.
  7. 9. Strocmstabilisatie- schakeling volgens konklusie 7 of 8, met het kenmerk, dat de stroomspiegel een ingangsketen vertoont die de serie schakeling van een halfgeleiderovergang en een weerstand omvat, welke serie schakeling met een referentie-35 spanningsuitgang is verbonden ter afname van een referentiespanning voor die serie schakeling. 8200974
NL8200974A 1982-03-10 1982-03-10 Stroomdiskriminatie-schakeling. NL8200974A (nl)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8200974A NL8200974A (nl) 1982-03-10 1982-03-10 Stroomdiskriminatie-schakeling.
EP83200302A EP0088477B1 (en) 1982-03-10 1983-03-01 Current-discrimination arangement
DE8383200302T DE3377169D1 (en) 1982-03-10 1983-03-01 Current-discrimination arangement
CA000422769A CA1194144A (en) 1982-03-10 1983-03-03 Current-discrimination arrangement
JP58036097A JPS58166412A (ja) 1982-03-10 1983-03-07 電流識別回路
BR8301102A BR8301102A (pt) 1982-03-10 1983-03-07 Sistema de discriminacao de corrente e sua estabilizacao
ES520410A ES520410A0 (es) 1982-03-10 1983-03-08 Una disposicion de discriminacion de corriente, particularmente destinada a usarse en estabilizadores de corriente y detectores de nivel de senal.
KR1019830000951A KR900004189B1 (ko) 1982-03-10 1983-03-09 전류 판별장치
US06/469,544 US4709163A (en) 1982-03-10 1983-03-16 Current-discrimination arrangement
HK854/91A HK85491A (en) 1982-03-10 1991-10-31 Current-discrimination arrangement

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8200974 1982-03-10
NL8200974A NL8200974A (nl) 1982-03-10 1982-03-10 Stroomdiskriminatie-schakeling.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8200974A true NL8200974A (nl) 1983-10-03

Family

ID=19839398

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8200974A NL8200974A (nl) 1982-03-10 1982-03-10 Stroomdiskriminatie-schakeling.

Country Status (10)

Country Link
US (1) US4709163A (nl)
EP (1) EP0088477B1 (nl)
JP (1) JPS58166412A (nl)
KR (1) KR900004189B1 (nl)
BR (1) BR8301102A (nl)
CA (1) CA1194144A (nl)
DE (1) DE3377169D1 (nl)
ES (1) ES520410A0 (nl)
HK (1) HK85491A (nl)
NL (1) NL8200974A (nl)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4851759A (en) * 1988-05-26 1989-07-25 North American Philips Corporation, Signetics Division Unity-gain current-limiting circuit
DE3936392A1 (de) * 1989-11-02 1991-05-08 Telefunken Electronic Gmbh Stromstabilisierungsschaltung
GB2264573B (en) * 1992-02-05 1996-08-21 Nec Corp Reference voltage generating circuit
US6794915B2 (en) * 2000-11-10 2004-09-21 Leonid B. Goldgeisser MOS latch with three stable operating points
JP3681374B2 (ja) * 2002-12-19 2005-08-10 株式会社日立製作所 電流検出装置及びそれを用いたpwmインバータ
FR2954866B1 (fr) * 2009-12-28 2012-01-20 St Microelectronics Sa Circuit de polarisation pour amplificateur differentiel
US20160070288A1 (en) * 2013-06-12 2016-03-10 Sharp Kabushiki Kaisha Voltage generation circuit
WO2014208339A1 (ja) * 2013-06-27 2014-12-31 シャープ株式会社 電圧発生回路
EP3021189B1 (en) * 2014-11-14 2020-12-30 ams AG Voltage reference source and method for generating a reference voltage

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL298196A (nl) * 1962-09-22
US3573499A (en) * 1969-05-02 1971-04-06 Bell Telephone Labor Inc Bipolar memory using stored charge
US3686515A (en) * 1970-12-24 1972-08-22 Hitachi Ltd Semiconductor memory
GB1461443A (en) * 1973-02-06 1977-01-13 Sony Corp Bistable multivibrator circuit
US3953746A (en) * 1974-07-29 1976-04-27 Honeywell Information Systems, Inc. Selector latch gate
US3930172A (en) * 1974-11-06 1975-12-30 Nat Semiconductor Corp Input supply independent circuit
US4282477A (en) * 1980-02-11 1981-08-04 Rca Corporation Series voltage regulators for developing temperature-compensated voltages
US4370573A (en) * 1980-11-28 1983-01-25 Honeywell Information Systems Inc. Wave form transition sequence detector

Also Published As

Publication number Publication date
JPS58166412A (ja) 1983-10-01
BR8301102A (pt) 1983-11-22
EP0088477B1 (en) 1988-06-22
EP0088477A1 (en) 1983-09-14
DE3377169D1 (en) 1988-07-28
HK85491A (en) 1991-11-08
ES8401645A1 (es) 1983-12-16
ES520410A0 (es) 1983-12-16
US4709163A (en) 1987-11-24
KR900004189B1 (ko) 1990-06-18
CA1194144A (en) 1985-09-24
KR840004331A (ko) 1984-10-10
JPH0557609B2 (nl) 1993-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4105942A (en) Differential amplifier circuit having common mode compensation
US3512096A (en) Transistor circuit having stabilized output d.c. level
US4514702A (en) Logarithmic electronic gain control circuit
US4065725A (en) Gain control circuit
US3997849A (en) Push-pull amplifier
US3983502A (en) Bridge-output amplifier with direct-coupled differential-mode feedback
NL8200974A (nl) Stroomdiskriminatie-schakeling.
US4152667A (en) Gain-controlled signal amplifier
US4636743A (en) Front end stage of an operational amplifier
US2810024A (en) Efficient and stabilized semi-conductor amplifier circuit
US3903479A (en) Transistor base biasing using semiconductor junctions
US4460873A (en) Active differential output direct current offset voltage compensation circuit for a differential amplifier
US3649847A (en) Electrically controlled attenuation and phase shift circuitry
US4002993A (en) Differential amplifier
US4540953A (en) Gain control circuit for obtaining a constant output signal amplitude by attenuating an input signal amplitude
JPH0115168B2 (nl)
US3141137A (en) Balanced gain control circuit
US5166560A (en) Voltage-controlled variable capacitor
US4429284A (en) Operational amplifier
US4236117A (en) FM Detector using a phase shift network and an analog multiplier
US4378528A (en) Gain-controlled amplifier system
NL8400634A (nl) Balansversterker.
US4506176A (en) Comparator circuit
EP0129936B1 (en) Current source circuit arrangement
NL8005179A (nl) Signaalomzetschakeling.

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed