JPH0555294A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPH0555294A
JPH0555294A JP3212092A JP21209291A JPH0555294A JP H0555294 A JPH0555294 A JP H0555294A JP 3212092 A JP3212092 A JP 3212092A JP 21209291 A JP21209291 A JP 21209291A JP H0555294 A JPH0555294 A JP H0555294A
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JP
Japan
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pad
capacitance
impurity region
semiconductor integrated
integrated circuit
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JP3212092A
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English (en)
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Satoru Uematsu
悟 植松
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Seiko Epson Corp
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Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体集積回路装置外からリード、ワイヤーボ
ンディングによる金属線、パッド、静電保護回路をへ
て、入力回路に達する間に生ずる容量である入力容量を
低減させる。 【構成】パッド下にＮ型基板と逆の導電性を有するＰ型
不純物領域を形成する。パッドの下層にフィールド酸化
膜、Ｐ型不純物領域、Ｎ型基板を有する構造。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路装置の外
部との信号およびデータの出入れの窓口となるパッドに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体集積回路装置の平面図の一
実施例を図３に示す。
【０００３】１はパッド、３はパッド１への入力信号を
伝達する信号線、４は静電保護回路、５は入力回路、６
は静電保護回路４と入力回路５を結ぶ信号線、７は第１
の電源配線、８は第２の電源配線、９はパッド１と静電
保護回路４を結ぶ信号線である。
【０００４】前記パッドの断面図を図４に示す。１はパ
ッド、２は保護膜、１１はフィールド酸化膜、１２はＮ
型不純物領域、１３はＮ型基板である。図４においてＮ
型基盤とＮ型不純物領域は同電位なので、パッドとＮ型
板間の容量は誘電体であるフィールド酸化膜１１を挟ん
でパッドと不純物領域間の容量Ｃ１である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年の半導体集積回路
装置が示すように記憶容量の増大にともない半導体集積
回路内の集積度が高まり、半導体集積回路内の回路配置
を決定するにあたり多くの制約を受けることとなる。半
導体集積回路装置外からリード、ワイヤーボンディング
による金属線、パッド、静電保護回路をへて入力回路に
達する間に生ずる容量である入力容量は、記憶容量の増
大に伴う回路配置位置のばらつきにより静電保護回路と
入力回路間を結ぶ信号線の距離が長くなり、フィールド
酸化膜を挟んで基板と信号線との間に生じる端子容量が
増大することで、入力容量が増大するという問題を有し
ていた。
【０００６】このため、入力回路への入力信号の遷移時
間が大きくなり半導体集積回路装置のアクセスタイムの
高速化ができないという問題を有していた。
【０００７】そこで本発明はこのような問題を解決する
ものでその目的とするところは、パッド下に基板と逆の
導電性を有する不純物領域を形成することで入力容量の
一部であるパッドの容量を低減し、従来技術より入力容
量を低減した半導体集積回路装置を提供するところであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積保護
回路は、外部との信号およびデータの出入れの窓口とな
るパッドを有する半導体集積回路装置において、前記パ
ッド下に基板と逆の導電性を有する不純物領域を形成し
たことを特徴とする。
【０００９】
【実施例】本発明の半導体集積回路装置の一実施例を示
す平面図を図１に示す。
【００１０】１はパッド、３はパッド１への入力信号を
伝達する信号線、４は静電保護回路、５は入力回路、６
は静電保護回路４と入力回路５を結ぶ信号線、７は第１
の電源配線、８は第２の電源配線、９はパッド１と静電
保護回路４を結ぶ信号線、１０はＰ型不純物領域であ
る。
【００１１】前記パッドの断面図を図２に示す。１はパ
ッド、２は保護膜、１０はＰ型不純物領域、１１はフィ
ールド酸化膜、１２はＮ型不純物領域、１３はＮ型基板
である。
【００１２】電位の異なるＮ型基板１３とＰ型不純物領
域１０の間のＰ−Ｎ結合に電圧をかけると空乏層領域が
接合部に生じ、空乏層容量を形成する。
【００１３】図２においてパッドとＮ型基板間の容量Ｃ
はフィールド酸化膜を挟んでパッドと不純物領域間の容
量Ｃ１と、Ｎ型基板とＰ型不純物領域間のＰ−Ｎ結合に
よる空乏層容量Ｃ２から形成される。このときＰ型不純
物領域を任意の電位の固定しない状態にすることでパッ
ドとＮ型基板間の容量Ｃ１，Ｃ２は直列接続したコンデ
ンサー構造をとるため、パッドとＮ型基板間の容量は Ｃ＝１／（１／Ｃ１＋１／Ｃ２） により求められ、従来の技術を用いたものと比べ入力容
量を低減するという効果が得られる。
【００１４】このため、入力信号の遷移時間を短縮する
ことができ、半導体集積回路装置のアクセスタイムを高
速化することができる。
【００１５】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、従来
の技術に対しＰ型不純物領域をパッド下に備えたことで
パッドとＮ型基板間の容量が低減され入力信号の遷移時
間を短縮することができ、半導体集積回路装置のアクセ
スタイムを高速化することができる。
【００１６】パッドとＮ型基板の間の容量の低減だけで
なく、パッド部から入力保護抵抗であるポリシリコン抵
抗にいたる領域で用いても、フィールド酸化膜を挟んで
ポリシリコンとＮ型基板の間の容量を低減でき、出力回
路から出力端子までの容量である出力容量を低減するこ
とで半導体集積回路装置外への出力信号のノイズを低減
する効果を得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体集積回路装置の一実施例を示す
平面図。
【図２】本発明の半導体集積回路装置のパッド部の一実
施例を示す断面図。
【図３】従来の半導体集積回路装置の一実施例を示す平
面図。
【図４】従来の半導体集積回路装置のパッド部の一実施
例を示す断面図。
【符号の説明】
１ パッド ２ 保護膜 ３ 信号線 ４ 静電保護回路 ５ 入力回路 ６ 信号線 ７ 電源配線 ８ 電源配線 ９ 信号線 １０ Ｐ型不純物領域 １１ フィールド酸化膜 １２ Ｎ型不純物領域 １３ Ｎ型基板

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 外部との信号およびデータの出入れの窓
    口となるパッドを有する半導体集積回路装置において、
    前記パッド下に基板と逆の導電性を有する不純物領域を
    形成したことを特徴とする半導体集積回路装置。
JP3212092A 1991-08-23 1991-08-23 半導体集積回路装置 Pending JPH0555294A (ja)

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JP3212092A JPH0555294A (ja) 1991-08-23 1991-08-23 半導体集積回路装置

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JP3212092A JPH0555294A (ja) 1991-08-23 1991-08-23 半導体集積回路装置

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JPH0555294A true JPH0555294A (ja) 1993-03-05

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ID=16616745

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