JPH0554686A - 入力回路 - Google Patents

入力回路

Info

Publication number
JPH0554686A
JPH0554686A JP21209191A JP21209191A JPH0554686A JP H0554686 A JPH0554686 A JP H0554686A JP 21209191 A JP21209191 A JP 21209191A JP 21209191 A JP21209191 A JP 21209191A JP H0554686 A JPH0554686 A JP H0554686A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power supply
input circuit
logic level
channel
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21209191A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Uematsu
彰 植松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP21209191A priority Critical patent/JPH0554686A/ja
Publication of JPH0554686A publication Critical patent/JPH0554686A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】入力回路の高電源電位側でのロジックレベルの
安定化を計る。 【構成】入力回路のPチャンネルトランジスタ間とNチ
ャンネルトランジスタのソース電位間にメモリセルトラ
ンジスタと同しきい値電圧を有するトランジスタからな
る電流バイパス手段を設けて成る。電源電位が上がると
電流バイパス手段が動作するため見かけ上Pチャンネル
型トランジスタの能力が弱められロジックレベルの上昇
を抑えることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はアドレス信号を検出する
機能を有する入力回路に関する。
【0002】
【従来の技術】図2に従来の入力回路を示す。図2にお
いて1は電源電位、2は接地電位、7はアドレス信号入
力端子、8は制御信号入力端子、9は入力回路の出力端
子、3、4はPチャンネル型トランジスタ、5、6はN
チャンネル型トランジスタである。この回路は制御信号
入力端子8に有効な制御信号(接地電位状態)が入ると
アドレス信号入力端子に入っているアドレス信号に応じ
た出力信号を出力端子9から出力する。非有効な制御信
号(電源電位状態)時はアドレス信号に応じた出力信号
が出力端子9から出力されない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】図2に示す入力回路は
ロジックレベルを持っている。アドレス信号がロジック
レベル以上の時は出力端子9は接地電位2となり、アド
レス信号がロジックレベル下時は出力は電源電位1とな
る。メモリを例にとればロジックレベルは0.8V〜
2.2V(TTL論理)内にはいることが要求される。
電源電位1が高ければロジックレベルも上がり、低けれ
ばロジックレベルは下がる。電源電位が高い場合ノイズ
レベルが高いため電源線や接地線が大きく揺れロジック
レベルが悪化し2.2V以内にはいることが難しくな
る。
【0004】本発明の目的は高電源電位側のロジックレ
ベルの改善にある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の入力回路はPチ
ャンネル型トランジスタ間とNチャンネル型トランジス
タのソース電位間にメモリセルと同しきい値電圧を持つ
トランジスタからなる電流バイパス手段を設けて成る。
【0006】
【作用】電源電位が上がると電流バイパス手段が動作す
るため見かけ上Pチャンネル型トランジスタの能力が弱
められロジックレベルの上昇を抑えることができる。
【0007】
【実施例】本発明の実施例を図1に示す。図1において
図2と同番号の物は図2中のそれと同意である。図1に
おいて10はメモリセルトランジスタと同しきい値電圧
を持つNチャンネル型トランジスタである。MASK−
ROMはメモリセルトランジスタのしきい値電圧に高低
差をつけこれを0、1データに対応させ読み出しを行っ
ている。高い方のしきい値電圧は4〜5Vと非常に大き
い。低い方のしきい値電圧はメモリセル周辺回路のトラ
ンジスタと同一である。MASK−ROMの場合メモリ
セル周辺回路にこの高いしきい値電圧トランジスタを使
用することができる。
【0008】トランジスタ10は高いしきい値電圧を持
ったトランジスタで、電流バイパス手段はこのトランジ
スタからなる。この手段はトランジスタ10のドレイン
点電位がその高いしきい値電圧を越えないと電流が流れ
ない。電源電位1が上昇すると制御信号をゲートとした
Pチャンネル型トランジスタ3のドレイン点も上昇す
る。ドレイン点電位が高いしきい値電圧を越えると電流
バイパス手段に電流が流れるため制御信号をゲートとし
たPチャンネル型トランジスタ3のドレイン電位が下が
る。従って電源電位1が上がってもトランジスタ3のド
レイン点の電位が上がらないためロジックレベルを安定
化させることができる。
【0009】ロジックレベルの安定化以前はPチャンネ
ル型トタンジスタ3のソース・ドレイン間電位差はほと
んどない。通常メモリなどの仕様電源中心は5Vであ
る。ロジックレベルの安定化は電源5V程度から行いた
い。そうすると電流バイパス手段はひとつのトランジス
タで良いことになる。電流バイパス手段にしきい値の高
いトランジスタを使用したときは構成部品が少なくてす
むというメリットがある。
【0010】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、高電
源電位側でのロジックレベルの安定化が計れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の入力回路の実施例を示す回路図。
【図2】従来の入力回路の実施例を示す回路図。
【符号の説明】
1 電源電位 2 接地電位 3,4,Pチャンネル型トランジスタ 5,6,10 Pチャンネル型トランジスタ 7 アドレス信号入力端子 8 制御信号入力端子 9 入力回路出力端子

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】アドレス信号と制御信号を入力としたC−
    MOS型NOR構成のアドレス信号を検出する機能を有
    す入力回路において、前記入力回路のPチャンネル型ト
    ランジスタ間とNチャンネル型トランジスタのソースが
    接続される電位との間にメモリセルトランジスタと同し
    きい値電圧を有するトランジスタから成る電流バイパス
    手段を設けたことを特徴とする入力回路。
JP21209191A 1991-08-23 1991-08-23 入力回路 Pending JPH0554686A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21209191A JPH0554686A (ja) 1991-08-23 1991-08-23 入力回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21209191A JPH0554686A (ja) 1991-08-23 1991-08-23 入力回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0554686A true JPH0554686A (ja) 1993-03-05

Family

ID=16616728

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21209191A Pending JPH0554686A (ja) 1991-08-23 1991-08-23 入力回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0554686A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4893275A (en) High voltage switching circuit in a nonvolatile memory
JPS5990292A (ja) 電圧変換回路
JPH05217370A (ja) 内部降圧電源回路
US4825110A (en) Differential amplifier circuit
US4578694A (en) Inverter circuit provided with gate protection
JPH0241838B2 (ja)
US5801586A (en) Circuit for supplying a reference level to a differential sense amplifier in a semiconductor memory
US4774692A (en) Sense circuit of a semiconductor memory device
JPH09265797A (ja) 高電圧検出回路
JPH0554686A (ja) 入力回路
US5847583A (en) Sense amplifier circuit in which erroneous read operation can be prevented
JP3086043B2 (ja) 半導体読み出し専用メモリのセンス増幅回路
US4751682A (en) Sense circuit
JP2758735B2 (ja) 論理回路
JPH0554669A (ja) 入力回路
KR0156127B1 (ko) 반도체 소자의 리퍼런스 셀 구조
JP2707825B2 (ja) 半導体集積回路装置
JPS6129496A (ja) 半導体記憶装置
JPH0344692B2 (ja)
JPH0554670A (ja) 入力回路
JPH05288782A (ja) 高電位検知回路
JP3133175B2 (ja) 半導体集積回路
JP2690554B2 (ja) 半導体記憶装置
JP2575142B2 (ja) 半導体記憶装置
JPH04237214A (ja) クロックドインバータ