JPH0550913U - ガス絶縁開閉装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】主回路導体の温度上昇を抑制し、ガス絶縁開閉
装置の通電容量を増大させる。 【構成】水平方向に延びる中空の主回路導体２ｕ〜２ｗ
の上部及び下部にそれぞれ内外を連通させるスリット２
０１，２０２を形成した。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、絶縁ガスを封入した容器内に遮断器、断路器、主回路導体等の機器 を収納してなるガス絶縁開閉装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】

ガス絶縁開閉装置は、ＳＦ₆ ガスを封入した容器内に所定の機器を収納して、 異なる容器の間を絶縁スペーサを介して、ガス区分した状態で接続した構造を有 する。図６及び図７は従来のガス絶縁開閉装置における母線部分の構成を示した もので、同図において１は軸線を水平方向に向けて配置された管状の母線容器、 ２ｕ´〜２ｗ´は軸線を水平方向に向けた状態で容器１内に収納された中空管状 の主回路導体であり、これらの主回路導体によりＵ〜Ｗ３相の母線が構成されて いる。母線容器１の両端は絶縁スペーサを介して遮断器や断路器等を収納した他 の容器に接続され、各容器内にはＳＦ₆ ガスが所定の圧力で封入されている。

【０００３】 ガス絶縁開閉装置に通電すると、主回路導体２ｕ´〜２ｗ´はジュール熱によ り発熱し、それぞれの温度が上昇する。各主回路導体から熱が生じると図示の矢 印のように容器１内で自然対流が生じる。主回路導体からの発熱はこの対流によ り運ばれて容器１に伝達され、該容器１から外部に放散される。導体２ｕ〜２ｗ からの発熱と容器１外への放熱量とが等しくなる温度で定常状態に到達する。

【０００４】

【考案が解決しようとする課題】

従来のガス絶縁開閉装置においては、各主回路導体の中空部内が閉鎖されてい て、自然対流による放熱は各主回路導体の外表面から行われるだけであったため 、外部への放熱量を増大させることができず、主回路導体の温度上昇によりガス 絶縁開閉装置の通電容量が制限されるという問題があった。

【０００５】 尚ガス絶縁開閉装置の通電容量を増大させるために、主回路導体の径を大きく してその外表面の面積を増大させることが考えられるが、このようにした場合に は、容器１及び主回路導体を支える絶縁スペーサ等のすべてが大形になるため、 ガス絶縁開閉装置が大形化するという問題があった。

【０００６】 本考案の目的は、主回路導体の径を大きくすることなくその温度上昇を抑制し て、通電容量を増大させることができるようにしたガス絶縁開閉装置を提供する ことにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】

本考案においては、ガス絶縁開閉装置において水平方向に延びる中空の主回路 導体の上部及び下部にそれぞれ内外を連通させるスリットを形成した。

【０００８】 また上記主回路導体の上部及び下部にそれぞれ平面を形成して、各平面に上記 スリットを開口させるようにしてもよい。

【０００９】 尚主回路導体とは主回路電流が流れる導体を意味するが、本考案においては、 ガス絶縁開閉装置内のすべての中空の主回路導体にスリットを設ける必要はなく 、特に温度上昇が問題になる箇所に配置された主回路導体のみにスリットを設け るようにしてもよい。

【００１０】

【作用】

上記のように、水平方向に配置された主回路導体として、上部及び下部にそれ ぞれスリットを有する中空導体を用いると、自然対流により生じたガスの流れが 主回路導体の外面だけでなく、内面にも接触するため、主回路導体からの放熱量 を増大させることができる。従って主回路導体の温度上昇を抑制できるため、主 回路導体の径を大きくすることなく、ガス絶縁開閉装置の通電容量を増大させる ことができる。

【００１１】 また主回路導体の上部及び下部に平面を形成して、スリットを各平面に開口さ せるようにすると、スリットの開口部付近での電界の集中を緩和することができ るので、絶縁設計上有利である。

【００１２】

【実施例】

図１ないし図４はガス絶縁開閉装置の母線部分に本考案を適用した実施例を示 したもので、図１及び図２において１は金属からなる管状の母線容器、２ｕ〜２ ｗは３相の母線を構成する主回路導体であり、容器１及び主回路導体２ｕ〜２ｗ はそれぞれの軸線を水平方向に向けた状態で配置されている。主回路導体２ｕ〜 ２ｗは図２に示したように、管状に形成された中空導体２００からなり、それぞ れの上部及び下部には、導体の軸線方向に長い多数のスリット２０１及び２０２ が、導体の軸線方向に所定の間隔をあけた状態で設けられている。容器１の両端 は絶縁スペーサを介して他の容器に接続され、該絶縁スペーサにより各主回路導 体が支持されている。容器１内には、ＳＦ₆ ガスが所定の圧力で封入されている 。

【００１３】 主回路導体の各スリットの部分に電界が集中するエッジ部を生じさせないよう にするため、図４に示したように、各スリットの外側の開口部内面が、滑らかな 円筒面状ないしは曲面状に形成されている。

【００１４】 上記のように、水平方向に配置された主回路導体の上部及び下部にそれぞれス リットを形成すると、図に矢印で示したように、自然対流により生じたガスの流 れを主回路導体の外面だけでなく、内面にも接触させることができるため、主回 路導体からの放熱量を増大させることができる。従って主回路導体の温度上昇を 抑制して、ガス絶縁開閉装置の通電容量を増大させることができる。

【００１５】 上記のようにスリットを形成することにより、約７４％の放熱量の増大を期待 できる。例えば通電容量が3000［Ａ］であったガス絶縁開閉装置の主回路導体に 上記の構造を適用した場合に流し得る電流をｉとすると、（ｉ／3000）² ＝1.74 から、ｉ＝3960［Ａ］となり、通電容量を4000［Ａ］に格上げすることができる 。

【００１６】 上記の実施例では、中空導体２００の上部及び下部のスリット２０１及び２０ ２を同じ大きさとして、両スリットを上下に整合させた状態で設けているが、上 部及び下部のスリットを同じ大きさとして、上下のスリットを互いに整合させな いように、両スリットの位置を軸線方向に適宜にずらして設けたり、上下のスリ ットの大きさを異ならせたりすることもできる。

【００１７】 また図５に示したように、水平方向に配置された中空円筒状の主回路導体２０ ０の上部及び下部にそれぞれ平面２０３及び２０４を形成して、上下のスリット ２０１及び２０２をそれぞれ平面２０３及び２０４に開口させるようにしてもよ い。このように構成すると、スリット２０１及び２０２の開口部付近での電界の 集中を緩和することができる。

【００１８】

【考案の効果】

以上のように、本考案によれば、水平方向に配置される主回路導体として、上 部及び下部にそれぞれスリットを有する中空導体を用いたので、自然対流により 生じたガスの流れを主回路導体の外面だけでなく、内面にも接触させて、主回路 導体からの放熱量を増大させることができる。従って主回路導体の径を大きくす ることなく、主回路導体の温度上昇を抑制して、ガス絶縁開閉装置の通電容量を 増大させることができる利点がある。

【００１９】 特に請求項２に記載した考案によれば、主回路導体の上部及び下部にそれぞれ 設けた平面にスリットを開口させたことにより、各スリットの開口部付近での電 界の集中を緩和できるため、絶縁設計を容易にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の実施例の要部を示す横断面図である。

【図２】図１の実施例の縦断面図である。

【図３】同実施例で用いる中空導体の斜視図である。

【図４】図３の中空導体の横断面図である。

【図５】本考案の他の実施例で用いる中空導体の横断面
図である。

【図６】従来のガス絶縁開閉装置の要部を示した横断面
図である。

【図７】図６のガス絶縁開閉装置の縦断面図である。

【符号の説明】

１…容器、２ｕ〜２ｗ…主回路導体、２００…中空導
体、２０１，２０２…スリット。

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】水平方向に延びる中空の主回路導体の上部
   及び下部にそれぞれ内外を連通させるスリットを形成し
   たことを特徴とするガス絶縁開閉装置。
2. 【請求項２】前記主回路導体の上部及び下部にそれぞれ
   平面が形成され、各平面に前記スリットが開口している
   ことを特徴とする請求項１に記載のガス絶縁開閉装置。