JPH05501316A - 電気光学系 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 電気光学系 本発明は、動作電圧を低下させた請求項１の前文に従う電気光学系、および電気 光学系の動作電圧を低下させる方法に関する。

この種の系の電気光学特性は１重要なパラメーター、即ちしきい電圧ｖｔｈ、飽 和電圧Ｖ　＊　ａ　ｔおよび電気光学特性の傾斜γを波線することができる透過 率−電圧線図を用いて通常特徴付けられる。

しきいおよび飽和電圧は、例えば、次の通り定義することができる二 Ｖｔｂ＝Ｖ、。、０，２゜および ■、□　＝Ｖｇ、）、。、２゜ 但し、ＶＸ、、、工は、観測角度θ＝Ｙ”　においてＺ’ＣでＸ％の透過率が認 められる際の電圧である。Ｖ２Ｏ，０，２０≧ｖ１゜、０，２゜であることがこ の定義の先行条件である、即ち、スイッチオンの状態でより高い透過率を有する 系を包含する。これは、例えば平行な偏光子間に位置するＴＮセルにおける場合 である。

対照的に、例えば交差した偏光子間のＴＮセルにおいて見られるＶ、。、。、２ ゜〉Ｖ９゜、。、２゜の場合、便宜上次の定義を使用する。

Ｖ　ｔｈ　”　Ｖ　９０．０．２０およびＶｌａｔ　＝Ｖ１ｏ　Ｏ１２゜ 請求項１の前文に従う電気光学系を改善するための必須要件はそれぞれの動作電 圧、即ちしきいおよび／または飽和電圧を低くすることである。これによって、 ドライバ系エレクトロニクスのかなりの簡略化およびコストの低減をもたらし、 および／または、例えば比較的高価なリチウム電池の代わりに安価な亜鉛／炭素 電池または比較的低い端子電圧の再充電可能な電池を使用することが可能となる 。

従来、特に、使用する液晶混合物の誘電特性を改良することによって動作電圧を 低くすることが試みられてきた０例えば、高極性４−置換ベンゾニトリルを使用 することによって誘電異方性Δεを高め、よってしきい電圧を低下させることが できる。　しかしながら、特に高いベンゾニトリル濃度において、得ることがで きる誘電異方性△εは互いに逆平行関係にある分子双極子を有するダイマーが生 成されることによって限定される。さらに、ベンゾニトリル含有液晶混合物の温 度およびＵＶ安定性は、例えばアクティブマトリックス駆動によってアドレスさ れる系から成るような極めて高度な要求に適わないことがよくある［例えば、Ｈ ９Ｊ、ブラック（Ｐｌａｃｋ）等、新規の末端フッ素化化合物を用いるアクティ ブマトリックスディスプレイ用液晶混合物（Ｌｉｑｕｉｄ　ｃｒｙｓｔａｌ　ｍ １ｘｔｕｒｅ　ｆｏｒ　ａｃｔｉｖｅ　ｍａｔｒｉｘｄｉｓｐｌａｙｓ　ｕｓｉ ｎｇ　ｎｅｗｔｅｒｍｉｎａｌｌｙ　ｆｌｕｏｒｊｎａｔｅｄ　ｃｏｍｐｏｕｎ ｄｓ）、９０年度ＳＩＤ、ラスベガス（１９９０年５月）参照］、対照的に、例 えば末端基として−Ｆ、−〇ＣＦ３、−〇ＣＨＦ２　または−ＣＦ３を含有する ＳＦＭ化合物（類フッ素化物質）（例えば、Ｈ，Ｊ、ブラック等、上記引例参照 ）は極めて高い安定性を特徴とするが、同時にしばしば中ぐらいにしか高くない 誘電異方性Δεも特徴とする。

このことは、使用する液晶材料を最適化することによって電気光学系の動作電圧 を随意に低下させられるのではなくある範囲内でしか変えられないことを意味す る。

本発明の目的は、特に、従来の系と比べて低い動作電圧を特徴とする請求項ｌの 前文に従う電気光学系を提供することにある。

更に１本発明の目的および利点は以下の本発明の詳細な説明および添付図面から 当業者にとって明らかになる。

本発明者らは、電気光学系の配向層の少なくとも１層が透明な高度にフッ素化さ れた重合体から成る場合にこれらの目的が達成されることを見出した。

本発明は。

一フレームと共にセルを形成する２枚の基板間に、電気的にアドレスすることが でき、誘電的に正のねじれネマチック液晶層を含み、 一基板の内部の、液晶分子を実質的に平行にエツジ配向させる配向層と対向する 位置に電極層を含み、および 一静的にまたはアクティブマトリックスによってまたは低いないしは比較的高い マルチプレックス率のパッシブマトリックスによってアドレスされる電気光学系 であって、 配向層の少なくとも１層が透明な高度にフッ素化された重合体から成ることを特 徴とする電気光学系に関する。

本発明は、さらに 一フレームと共にセルを形成する２枚の基板間に、電気的にアドレスすることが でき、誘電的に正のねじれネマチック液晶層、および −外板の内部の、液晶分子を実質的に平行にエツジ配向させる配向層と対向する 位置に電極層とを含む電気光学系の動作電圧低下方法であって。

少なくとも１暦の配向層を薄く透明な高度にフッ素化された重合体から製造する ことを特徴とする電気光学系の動作電圧低下方法に関する。

本発明の電気光学系は０〈φ≦６００°のねじれ角を有し、フレームと共にセル を形成する２枚の基板、すなわち外板間に位置し、電気的にアドレスすることが でき、誘電的に正である少なくとも１層のねじれネマチック液晶層を含んでなる ものである。ネマチックという用語はここでは広く解釈され、ネマチック−コレ ステリック液晶も含むものとする。

約８０”〜１００’のねじれ角を有する液晶セルはＴＮ（ねじれネマチック）セ ルとして一般に知られており、そのようなセルの構造は１例えばサーモトロピッ ク・リキッド・クリスタルズ（Ｔｈｅｒｍｏｔｒｏｐｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒ ｙｓｔａｌｓ）　、編者Ｇ、Ｗ、グレー（Ｇｒａｙ）、７７頁以降に記載されて いる。ψ〉１００°の液晶セルは５ＴＮ（超ねじれネマチック）セルとして一般 に知られ、一方ＬＴＮ　（低ねじれネマチック）セルはψ〈８０゜のセルとして Ｐ　４０１０５０３で提案されている。ＳＴＮディスプレイに関する簡単な説明 が、例えばＢ、Ｓ。

スキュープル（５ｃｈｅｕｂｌｅ）、高情報量の液晶ディスプレイ（Ｌｉｑｕｉ ｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙｓ　ｗｉｔｈ　）ｌｉｇｈ　Ｉｎｆｏｒｍ ａｔｉｏｎ　Ｃｏｎｔｅｎｔ）、コンタクト（Ｋｏｎｔａｋｔｅ）、１１８９． ３４〜３８頁、ダルムシュタット、に示されている。

基板の内部には、例えば薄くて平坦かつ透明のインジウム−スズ酸化物（Ｉ　Ｔ ｏ）または酸化インジウム層（Ｉｎ２０ｇ）から成る電極層が設けられている。

この系は色を再現することができ、また基板の少なくとも１つは液晶に対向する その表面と電極層との間に有機着色材料を含んでなるさらに別の層を有している ０例えば、補強及び絶縁層のようなさらに別の層を電極と配向層との間に配置し てもよい。

基板の内部には、液晶と直接接触し、液晶分子を実質的に平坦にエツジ配向させ る配向層が設けられている。液晶分子は一定のチルト角またはプレチルトαを有 している。一般に必要なプレチルトの大きさは液晶層のねじれ角ψによって決ま る。ＬＴＮおよびＴＮセルは、例えばＯ°≦α≦１０°、特に０．　５°≦α≦ ５°の比較的小さいチルト角（低チルト配向）を一般に有しているのに対し、Ｓ ＴＮセルは、例えば２°≦α〈９０°、特に５°くαく４５゛の大きいチルト角 （高チルト配向）を一般に特徴とする。

従来、小さなプレチルトを有する平坦な配向層は重合体層を用いて、例えば、必 要ならば同時に圧力を使用して摩擦することによって均一な配向が得られるポリ イミドまたはポリビニルアルコールからねる重合体層を用いて一般に製造されて きた。しかしながら、これらの配向層は清浄にすることがしばしば困難であり、 特にアクティブマトリックスによってアドレスされる電気光学系において問題を 生じる液晶の汚染、したがって液晶の電気抵抗の低下が起きる（例えば、Ｈ，Ｊ 。

ブラック等、上記引例参照）、比較的大きなチルト角を有する平坦な配向層は、 例えば酸化ケイ素またはフッ化マグネシウム等の無機材料を用いる斜め蒸着によ って得ることができる。

これまでの通例の配向技術の評論は、例えばサーモトロピック・リキッド・クリ スタルズ、編者Ｇ、Ｗ。

グレー、　７５〜７７頁に示されている。

Ｐ　４０　＋５８６９は、透明で、高度にフッ素化され、好ましくは完全にフッ 素化された非晶質の脂肪族または脂環式重合体類が従来の配向層と比べて著しく 低い熱処理温度を要する高プレチルトの平坦な配向層の製造を可能とするので、 これらの物質をパッシブにアドレスされる高解像度の液晶ディスプレイ用の配向 層として使用することを提案している。

少なくとも１層の配向層を薄く、透明でかつ高度にフッ素化された重合体から製 造する場合に、電気光学系の動作電圧をかなり低下させることができることをこ こに見出した。動作電圧を低くするこの方法は新規であり、また本発明の主題で ある。

実施例１ａ）は、配向層を１００℃で処理した本発明のＴＮセルを説明するもの である１図１は静的にアドレスする際の二の系の透過率の電圧の関数としてのプ ロットを示すものである。

＠１は、この系のしきいおよび飽和電圧が以下の値であることを示している： ｖ９Ｑ、０．２０　＝　１．　４　Ｖ Ｖ　＝２．５Ｖ １０、　０．　２０ このセルは６００　：　１の優れたコントラストを有している。Ｔ＝１００％の 完全に透明な状態からＴ−１０％の状態に転移するのに必要な時間として定義さ れるスイッチオン時間は１．　５ｍｓであり、一方Ｔ＝Ｏ％の状態からＴ＝８０ ％の状態にまで転移するのに必要なスイッチオフ時間はｔ＝２２ｍｓである。

比較するために、９０°のねじれ角を有し、かつ低チルトポリイミド配向層を含 む実施＠　１　ｃ　）に記載の従来のセルを考察する。以下の値は静的なアドレ ッシングに対しこの従来の系が得たしきいおよび飽和電圧測定結果の比較は、著 しく低いしきいおよび飽和電圧値が従来のＴＮセルにおけるよりも本発明の系に おいて認められることを示している９本発明の系において、従来の系におけるよ りもしきい電圧値が約２２％低く、また飽和電圧値は約４％低い。

図２は、配向層をＴ＝２５０℃の温度で処理した実施例１ｂ）の本発明の系の透 過率−電圧曲線を示す。

配向層の熱処理温度を上昇させることによって、しきいおよび飽和電圧がかなり 低下される。

■、。、。、２０＝０，４Ｖ ■１０．０．２０　”　１・　８Ｖ これは、低チルトポリイミド配向層を含む従来のＴＮセルと比べて７７％のしき い電圧の低下および３２％の飽和電圧の低下を意味する。配向層の熱処理温度が ２５０℃である本発明のこの系に見られるコントラストは５Ｑ：１となお優れて いる。

実施例１ａ）お上びｌｂ）に記載した本発明の系および比較するために使用する 実施例１ｃ）の従来の系は第一の透過極小（ｄ＝４μｍ、△ｎ＝０．１３、ｄ・ Δｎ＝０．５２）で操作される０本発明の系および従来の系の両方とも第一の透 過極小よりも第二の透過極小においてしきいおよび飽和電圧に関し高い値が認め られるが１本発明の系に関し第二の透過極小で見られる値も従来の系に関するも のより著しく低い。

本発明の系に見られるしきいおよび飽和電圧値は使用するキラルドーブ（類）の 濃度によっても影響される１例えば、実施例１ａ）に記載した本発明の系に関し 、他のセルパラメーターは変化させずにドープ濃度を０．０６４％から０．２１ ５％に増大させた場合。

以下のように、より高い値が動作電圧に認められる。

本発明の系の動作電圧、コントラスト、スイッチ切替時間およびプレチルトは系 の製造条件および使用する液晶混合物のパラメーターを愛犬ることによって改質 することができ、また、例えば特定の用途および使用するドライバー系エレクト ロニクスに関し最適化することができる。

例えば、使用する特定のフッ素化重合体および／または溶媒、採用する機械的処 理、中でも熱処理温度のような配向層の製造条件がここでは特に重要である。

配向層は高度にフッ素化された重合体、特に高度にフッ素化された非晶質の脂肪 族または脂環式重合体から製造することができることが示されている。これらの 重合体は通常、例えばフッ素化、特に完全にフッ素化された炭化水素等の溶媒中 に溶がした後、基板に付与する。溶液を表面から回転除去し、残っている溶媒を 蒸発させることによって薄い透明な層が得られる。

次いで、この層を熱処理する。熱処理温度は通常５０℃より高く、好ましくは１ ００℃より高い、配向層を５０℃≦Ｔ≦３５０℃、特に７０℃≦Ｔ≦３２５℃の 温度で熱処理する本発明の電気光学系は特に非常に好ましい特性を有する。ここ で、それぞれの場合の最適な熱処理温度は、使用する重合体のガラス転移温度に も特に依存することを注意すべきである。熱処理後、必要ならば同時に圧力を使 用して摩擦することによってまたは同様な機械的処理によって配向層に一様な配 向を与える。

両基板が高度にフッ素化された重合体から製造された配向層を有する本発明の系 および一方の配向層だけが高度にフッ素化された重合体を基礎とし、他方は、例 えば通常の構造のものである本発明の系は共に有利な特性、特に動作電圧の有利 な値を特徴とすることが示された。また、高度にフッ素化された重合体から成る ２配向層を含む本発明の系が好ましいが、この場合、２配向層は、例えば熱処理 温度等の異なる製造条件を特徴とする。また、高度にフッ素化された重合体から 成る２配向層を含み、かつ同一の製造条件で処理された対称系が特に好ましい。

高度にフッ素化された重合体を基礎とする配向層の製造条件を変更することによ っておよびこれらの配向層を互いに適切に組合せ、あるいはまたこれらの配向層 を通常の配向層と組合せることによっておよび／またはキラルドープを使用する 液晶媒体のドーピングを変更することによって、得ることができる全チルトを実 質的に完全に平坦な配向（α＝Ｏ）からホメオトロピック（ｈｏｍｅｏｔｒｏｐ ｉｃ）配向（α＝９０°）までの間の広い範囲で変えることができる。比較的多 くの変動が可能なので、ある種のセルに必要なプレチルトを調節することおよび 同時に動作電圧、コントラスト、切替時間およびしゅん度などの系の電気光学特 性を最適化することが実質的に常に可能となる。変動の可能性を本明細書で指摘 し説明するので、当業者はさらに難しい工程を必要とせずに特定のセルの最適化 を行うことができる。誘電的に正のネマチックまたはネマチック−コレステリッ ク液晶媒体を本発明の系に使用する。

これらの媒体は、ネマチック又はネマチック形成性（単変性又は等方性）物質、 特にビフェニル類、テルフェニル類、安息香酸フェニル類または安息香酸シクロ ヘキシル類、シクロヘキサンカルボン酸のフェニルまたはシクロヘキシルエステ ル類、シクロヘキシル安息香酸のフェニルまたはシクロヘキシルエステル類、シ クロヘキシルシクロヘキサンカルボン酸のフェニルまたはシクロヘキシルエステ ル類、安息香酸のシクロヘキシルフェニルエステル類、シクロヘキサンカルボン 酸およびシクロヘキシルシクロヘキサンカルボン酸のシクロヘキシルフェニルエ ステル類、フェニルシクロヘキサン類、シクロヘキシルビフェニル類、フェニル シクロへキシルシクロヘキサン類、シクロヘキシルシクロヘキサン類、シクロヘ キシルシクロヘキセン類、シクロへキシルシクロへキシルシクロヘキセン類、　 ｌ。

４−ビス−シクロヘキシルベンゼン類、４．　４’　−ビス−シクロヘキシルビ フェニル類、フェニルピリミジン類またはシクロヘキシルピリミジン類、フェニ ルピリジン類またはシクロヘキシルピリジン類、フェニルジオキサン類またはシ クロヘキシルジオキサン類、フェニル−１，３−ジチアン類またはシクロへキシ ルー１、　３−ジチアン類、　１．　２−ジフェニルエタン類、１．２−ジシク ロヘキシルエタン類、　１−フェニル−２−シクロヘキシルエタン類、　ｌ−シ クロへキシル−２−（４−フェニルシクロへキシル）エタン類、　ｌ−シクロへ キシル−２−ビフェニルエタン顕、　１−フェニル−２−シクロへキシルフェニ ルエタン類およびトラン類の群から成る物質から好ましく選択される２〜４５、 特に３〜３９種の成分を含んでいる。

これらの化合物における１、４−フェニレン基もフッ素化されていてもよい。

本発明に従って使用することができる化合物は次式ｌ、２、３．４および５によ って特徴付けることができるものであるのがさらに好ましい。

Ｒ’　−Ｌ−Ｅ−Ｒ’　Ｉ Ｒ’−Ｌ−ＣＯＯ−Ｅ−Ｒ’　２ Ｒ’−Ｌ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｅ−Ｒ’　４Ｒ’　−Ｌ−ＣＣ−Ｅ−Ｒ’　５ 式１．　２．３．４および５において、同一でも異なってもよいしおよびＥは、 それぞれの場合に互いに独立して、−Ｐｈｅ−、ｌｌ：’ＩＣ−１−Ｐｈａ−Ｐ ｈｅ−２−Ｐｈｅ−Ｃｙｃ−１−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−２−Ｐｙｒ−２−Ｄｉｏ−、 −Ｇ−Ｐｈｅ−および−Ｇ−ＣｙＣ−並びにそれらの鏡像基［但し、Ｐｈｅは未 置換またはフッ素置換１．４−フェニレンであり、Ｃｙｃはトランス−１，４− シクロヘキシレン又は１，４−シクロヘキセニレンであり、Ｐｙｒはピリミジン −２，５−ジイルまたはピリジン−２，５−ジイルであり、Ｄｉｏは１゜３−ジ オキサン−２，５−ジイルであり、モしてＧは２−（トランス−１，４−シクロ ヘキシル）エチル、ピリミジン−２，５−ジイル、ピリジン−２，５−ジイルま たは１．　３−ジオキサン−２，５−ジイルであるコから成る群からの２価の基 である。

基りおよびＥの１つはＣｙｃ、　ＰｈｅまたはＰｙｒであるのが好ましい、Ｅは Ｃｙｃ、　ＰｈｅまたはＰｈｅ−Ｃｙｃであるのが好ましい０本発明の媒体は、 ＬおよびＥがＣｙｃ、Ｐｈｅおよび　Ｐｙｒから成る群から選択される式１．２ ．３．４および５の化合物から選択される１種以上の成分を含み、同時に基りお よびＥの１つがＣｙｃ、　ＰｈｅおよびＰｙｒから成る群から選択され、他方の 基が−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−１−Ｐｈｅ−Ｃｙｃ−１−Ｃｙｃ−（：ｙｃ−１−Ｇ− Ｐｈｅ−および−Ｇ−Ｃｙｃ−から成る群から選択される式１，２．３．４及び ５の化合物から選択される１種以上の成分を含み、また必要に応じてＬおよびＥ が−Ｐｈｅ−（：ｙｃ−１−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−１−Ｇ−Ｐｈｅ−および−Ｇ−Ｃ ｙｃ−から成る群から選択される式１、　２．　３．４及び５の化合物から選択 される１種以上の成分を含んでいるのが好ましい。

下位式］ａ、２ａ、３ａ、４ａおよび５ａの化合物において、Ｒ′およびＲ′は 、それぞれの場合に互いに独立して。

８個までの炭素原子を有するアルキル、アルケニル。

アルコキシ、アルケニルオキシまたはアルカノイルオキシである。これらの化合 物の大部分は、Ｒ′　とＲ′が互いに異なり、これらの基の１つは通常アルキル またはアルケニルである。下位式１ｂ、２ｂ、３ｂ、４ｂおよび５ｂの化合物に おいて、Ｒ’は一〇Ｎ、−ＣＦ３、−〇ＣＦ、、Ｆ、（１：Ｉ又は−ＮＣ３であ り、この場合、Ｒは下位式１ａ〜５ａの化合物に関して示した意味であり、アル キルまたはアルケニルであるのが好ましい、Ｒ′は−Ｆ、ＣＩ、ＣＦ３および一 〇〇Ｆ、から成る群から選択されるのが特に好ましい、しかしながら、式１．２ ．３．４および５の化合物において提案した置換基の他のあらゆるものが共通す る。そのような物質あるいはまたそれらの混合物の多くは市販されている。これ らの物質は全て文献で知られている方法又はそれに準じる方法によって得る二と ができる。

化合物１ａ、２ａ、３ａ、４ａおよび５ａ　（１群）から成る群からの成分以外 に、本発明の系に使用される液晶媒体は化合物１ｂ、　２ｂ、３ｂ、４ｂおよび ５ｂ（２群）から成る群からの成分も含んでいるのが好ましく、それらの成分の 割合は次の通りであるのが好ましい。

１群＝２０〜９０％、特に３０〜９０％２群：１０〜８０％、特に１０〜５０％ 。

例えば、実施例１ａ）およびｌｂ）において再現される実験結果はψ−９０”の ねじれ角を有する静的にアドレスされるＴＮセルに基づく本発明の系に関して得 られたものである。

しかしながら、本発明はこの種の系に決して限定するものではない５　実際、Ｌ ＴＮ、ＴＮまたはＳＴＮセルに基づき、０くψ≦６００°のねじれ角を有する本 発明の系が動作電圧に関し有利な値によって特徴付けられることが示された。こ の種の系は新規であり、好ましくまた本発明の主題である。ＬＴＮまたはＴＮセ ルまたはψ≦２７００、特にψ≦２２０＠、さらに特別にはψ≦１８０°のねじ れ角を有するＳＴＮセルに基づ（本発明の系が特に好ましい。

本発明の系はアクティブマトリックスによってアドレスされることが好ましい、 即ち、個々の画素が、例えばトランジスタ（薄膜トランジスタＴＰＴ、金属酸化 物半導体ＭＯＳトランジスタ）、ダイオード（金属−絶縁体−金属ＭＩＭダイオ ード）またはバリスタ等のアクティブな非線形素子によって切り替えられるのが 好ましい、アクティブなアドレス方法の評論が１例えばＥ、カネコ（Ｋａｎｅｋ ｏ）、液晶ＴＶディスプレイ（Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　ＴＶ　Ｄｉｓｐ ｌａｙｓ）、ＫＴＫ科学出版社。

東京、１９７８、第６および７章に示されている６本発明のアクティブにアドレ スされる系は、特にＴＮセルに基づくものであるが、０°〜６００°の他のねじ れ角ψを有するセルを使用することも可能である。この種の系は新規であり、好 ましくまた本発明の主題である。フッ素化重合体から製造された配向層を含む本 発明の系は非常に高い抵抗を特徴とすることが多い。

したがって、それらは、可能な限り高い保持率を達成するために、例えば配向層 による液晶の汚染によってまたは液晶と配向層との反応の結果として抵抗が減少 することを避けねばならないアクティブにアドレスされる系に特に適している。

本発明の系はパッシブマルチプレックスアドレッシングによって駆動されるのが さらに好ましい、パッシブにアドレスされる系に関する評論は、例えばＥ、カネ コの上記引例の第４章に示されている０本発明の系は１：２から約１：３００の 低いおよび比較的高いマルチプレックス率でパッシブにアドレスされることが好 ましい、　１：２００より低い、特に１：１２８を越えない、さらに特別にはｌ ：１００より低いマルチプレックス率が特に好ましい。

本発明の電気光学系は有利な特性、特に動作電圧に対する有利な値を特徴とする 。このことは、例えば倍電圧器を省略することができるのでドライバー系エレク トロニクスのかなりの簡略化、よってコストの低減をもたらすことになる。した がって、本発明の電気光学系は経済的に相当な重要性がある。

以下に挙げる実施例は本発明を説明するためのものであり、本発明を限定するも のではない。

実施例１ ａ）　本発明の系を製造するために、完全にフッ素化したフッ素化炭化水素、フ ルオリナート（Ｆｌｕｏｒｉｎｅｒｔ）Ｆｅ１２　（３Ｍ製）に溶かしたテフロ ンＡＦ１６００（デュポン製）の１％溶液を電極、補強層および絶縁層を設けた 基板に付与し、３０秒間露光した後、　１０００　ｒｐｍで３０秒間回転し、溶 媒を除去する。配向層を１００℃で充分乾燥させ、表面処理を施した。

このようにして製造した２枚の基板にフレームを取り付け、このようにして得た セルに １２％のｐ−トランス−４−エチルシクロヘキシルベンゾニトリル １０％のｐ−トランス−４−プロピルシクロへキシルベンゾニトリル １０％のｐ−トランス−４−ブチルシクロへキシルベンゾニトリル ３％の４−メチル−４′−エトキシトラン４％の４−メトキシ−４′−二チルト ラン５％の４−　（）ランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４１−メトキシ トラン ５％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４′−エトキシトラン ５％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４′−プロポキシトラ ン １３％のトランス−４−プロピルシクロヘキサンカルボン酸トランス−４−プロ ピルシクロヘキシル１０％のトランス−４−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸 トランス−４−プロピルシクロヘキシル５％の４−プロピルシクロヘキシルシク ロヘキサンカルボン酸トランス、　トランス−ｐ−プロピルフェニル ５％の４−プロピルシクロヘキシルシクロヘキサンカルボン酸トランス、　トラ ンス−ｐ−ペンチルフェニル ５％の４−ブチルシクロヘキシルシクロヘキサンカルボン酸トランス、トランス −ｐ−プロピルフェニル５％の４−ブチルシクロヘキシルシクロヘキサンカルボ ン酸トランス、トランス−ｐ−ペンチルフェニル３％の４．４′−ビス（トラン ス−４−プロピルシクロヘキシル）ビフェニル から成る液晶混合物を満たし、これに０．０６４％の（Ｒ）−１，２−ビス（４ −？ｌ−ランスー４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゾイルオキシ）−１−フェ ニルエタンをドープとして添加した。

セルは４μｍの基板間隔およびψ＝９０°のねじれ角を有している。

液晶を導入した後、等方性化するためにセルをＴ＝９５℃で４５分間保持する。

セルを交差する線形偏光子間に置く、このセルはスイッチを入れた状態で暗くな る。

図１はこのセルを静的にアドレスする際に測定した透過率−電圧曲線を示す。

ドープ濃度をＣｄｏｐ。＝０．０６４％から０．２１５％に増大させると、この 系のしきいおよび飽和電圧に関し以下の値が得られる。

ｂ）　熱処理温度を２５０℃に選択することを除いて実施例１ａ）に示した方法 によって本発明の系を製造する。他の特性は実施例１ａ）に示したと同じである （Ｃｄａｐ。＝０．０６４％）。

図２はこのセルを静的にアドレスする際に測定した透過率−電圧曲線を示す。

Ｃ）　比較のために、−９０°のねじれ角を有し、低チルトポリイミド配向層を 含む従来のＴＮセルを考察する。基板間隔はｄ＝４μｍであり、セルに実施例１ ａ）で示した液晶混合物を満たすが、先に述べたドープをその鏡像異性体、即ち ０．０６４％の濃度の（Ｓ）−１，２−ビス（４−（トランス−４−ペンチルシ クロヘキシル）ベンゾイルオキシ）−１−フェニルエタンに置き換える１等方性 化するためにセルを７２１２０℃で５分間保持する。静的にアドレスすると、し きいおよび飽和電圧に関し以下の値が得られる。

ドープ濃度Ｃ，ｉ。、を変化させると、　しきいおよび飽和電圧に関し以下の値 が測定される。

Ｖ、ｏ、。、２ｏ２．　６５Ｖ　２．　７２Ｖ図面の説明の翻訳文 図１は配向層を１００℃で処理した本発明に係る系の透過率−電圧曲線である。

図２は配向層を２５０℃で処理した本発明に係る系の透過率−電圧曲線である。

透過率　［％Ｊ 要約書 本発明は、 一フレームと共にセルを形成する２枚の基板間に電気的にアドレスする二とがで き、誘電的に正のねじれネマチック液晶層を含み、 一基板の内部の、液晶分子を実質的に平行にエツジ配向させる配向層と対向する 位置に電極層を含み、および −静的にまたはアクティブマトリックスによってよたは低いないしは比較的高い マルチプレックス率のパッシブマトリックスによってアドレスされる電気光学系 に関し、配向層の少なくとも１層が透明な高度にフッ素化された重合体から成る ことを特徴とする。

国際調査報告 国際調査報告 ＠発明者フラツノｈ１ヘルベルト ＠発明者　ネーフ、ライナー ドイツ連邦共和国　ダブリュー−７０３６シエーンアイヒ　ライプ゛ソネンシュ トラーセ　３９

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. １．−フレームと共にセルを形成する２枚の基板間に電気的にアドレスすること ができ、誘電的に正のねじれネマチック液晶層を含み、 −基板の内部の、液晶分子を実質的に平行にエッジ配向させる配向層と対向する 位置に電極層を含み、および −静的にまたはアクティプマトリックスによってまたは低いないしは比較的高い マルチプレックス率のパツシブマトリツクスによってアドレスされる電気光学系 であって、配向層の少なくとも１層が透明な高度にフッ素化された重合体から成 ることを特徴とする電気光学系。
2. ２．ねじれ角が０＜φ≦６００°であることを特徴とする請求項１記載の電気光 学系。
3. ３．マルチプレックス率が３００以下であることを特徴とする請求項１または２ 記載の電気光学系。
4. ４．−フレームと共にセルを形成する２枚の基板間に電気的にアドレスすること ができ、誘電的に正のねじれネマチック液晶層、および −外板の内部の、液晶分子を実質的に平行にエッジ配向させる配向層と対向する 位置に電極層とを含む電気光学系の動作電圧低下方法であって、少なくとも１層 の配向層を薄く透明な高度にフッ素化された重合体から製造することを特徴とす る電気光学系の動作電圧低下方法。
5. ５．外板に付与した後、配向層を５０℃以上の温度で状態調整することを特徴と する請求項４記載の電気光学系の動作電圧低下方法。