JPH0549718B2 - - Google Patents
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Landscapes
- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
Description
本発明は、新規なフオトクロミツク化合物に関
するもので、さらに詳細には特に700nm以上の長
波長に対して高い吸収特性を有しかつ発色状態で
の安定性の優れたスピロピラン系(チオピラン骨
格を有する)フオトクロミツク化合物に関するも
のである。 スピロピラン系フオトクロミツク感光材料は、
(1)、粒子性がなく解像度が高いこと、(2)、特別な
現像、定着処理を必要としないこと、(3)、発色濃
度が高いので薄膜化が可能であること、及び(4)、
消去・書き換えが可能であることを特徴とし、各
種記録、記憶材料、複写材料などへの応用が試み
られてきた。特に最近では前記(1)及び(4)の特徴を
生かして、スピロピラン系フオトクロミツク感光
材料は光学式ビデオデイスク等のレーザ記録媒体
としての応用が期待されている。 しかし、従来のスピロピラン系フオトクロミツ
ク感光材料はその発色状態における吸収波長域が
せいぜい400nmから700nmの範囲であり、吸収極
大波長(λnax)も580nm付近であるために、レー
ザにより記録再生を行なう場合、Ar+レーザや
He−Neレーザのような気体レーザを使用する必
要があつた。そのために、装置を大型化せざるを
得ないし、また発色も不安定であつた。最近、小
型、軽量の半導体レーザの進展が著しく、このた
めに、記録再生用レーザとして半導体レーザが気
体レーザに取つて代わろうとしている。 しかし、実用に供されるレーザ記録又は再生用
の半導体レーザは、780〜850nmの発振波長を有
するものが特に使用されている。 従つて、スピロピラン系フオトクロミツク感光
材料を半導体レーザ記録再生用記録媒体として使
用するためには、この材料がその発色状態におい
て、700nm以上の長波長、特に780nm付近の光に
対して高い吸収特性を有する必要がある。 このような波長域の光に対して発色状態で高い
吸収特性を有する物質として次のようなスピロチ
オピラン化合物が知られている(H.S.Becker
and J.Kolc,J.Phys.Chem,72,997(1968)を
参照)。 しかし、3−メチルペンタン溶液中、77〓でこ
の化合物は波長域600〜850nmの光に対して発色
状態で高い吸収特性を有しているが、溶液中又は
高分子フイルム中でも常温では発色せず、0℃以
下の低温でのみ発色し、常温に戻すと直ちに消色
するので実用的ではない。 前記の諸問題を解決するため各種化合物を合成
し、それらの化合物の発色状態での光吸収特性、
発色及び消色特性を調査した結果、次式で示され
る新規なフオトクロミツク化合物が、その発色状
態において700nm以上の長波長、特に780nm付近
に高い吸収特性を有し、かつ、発色状態の安定性
がよく、さらに発色−消色の繰返しが可能なフオ
トクロミツク化合物の発明を完成するに至つた。 即ち、本発明の新規なフオトクロミツク化合物
は下記の一般式 又は (式中、R1及びR2はハロゲン原子、炭素数1
〜5のアルキル基、炭素数1〜5のアルコキシル
基、シアノ基、ニトロ基又は炭素数2〜10のアル
コキシアルキル基を表わし、Aは炭素数1〜20の
アルキレン基又は炭素数8〜20のアリールアルキ
レン基を表わす) 本発明の新規なフオトクロミツク化合物の例は
後述の各実施例及び第1表と第2表に示されてい
る。 本発明のフオトクロミツク化合物は、n−アル
キレン基又はアリールアルキレン基を介してベン
ゾチオピラン系スピロピランを二量化させること
により合成される。 従来、スピロピランを二量化する方法は、例え
ばドイツ公開特許第2342273号明細書及びA.N.
Flerovaらの論文(Khim Geterotsikl SoedinNo.
12,1631(1973))に記載されている。本発明にお
いてもこれらを参考にしてスピロピラン二量体を
合成した。 なお、以下の各反応式中の各化合物において、
R1及びR2は前記と同じ意味を有する。 前記一般式()及び()の各化合物の合成
はそれぞれ次の各反応(A)及び(B)に従つて合成でき
る。 及び 即ち、2,3,3−トリメチル−5置換〔3H〕
インドール化合物()及び2,3,3−トリメ
チル−〔3H〕ベンズ〔f〕インドール化合物
()をアルキレンジハロゲン化合物又はアリー
ルアルキレンジハロゲン化合物()(式中、A
は前記と同じ意味を有し、Xはハロゲン原子を表
わす)と反応させてそれぞれインドリウム塩
()及び()とした後、エタノール中で塩基
を触媒として、5−ニトロチオサリチルアルデヒ
ド誘導体()と反応させることにより、それぞ
れ目的の化合物()及び()を容易に合成す
ることができる。 前記各反応(A)及び(B)において用いられる原料の
うち、前記インドール化合物()及び()
は、Fischerのインドール合成法に従つて、担当
するヒドラジンと3−メチル−2−ブタノンとを
酸性触媒下、加熱還流することによつて得ること
ができる。 別の原料である前記5−ニトロチオサリチルア
ルデヒド誘導体()は、その合成法はほとんど
知られていないが、次の反応(c)に従つて、サリチ
ルアルデヒドのOH基をSH基に変える方法によ
つて合成することができる。 まず、サリチルアルデヒド()をそのDMF
溶液中で、ジメチルチオカルバモイルクロライド
とNaH又は1,4−ジアザビシクロ〔2,2,
2〕オクタンと反応させることによつてジメチル
チオカルバメート()を合成し、加熱によりO
→S転位反応を行なわせ(XI)、引き続きアルカ
リ加水分解によりチオサリチルアルデヒド()
を合成する。この反応自体は既知であるが、この
化合物()の骨格構造を得るためにこの反応を
適用した例は知られていない。この(C)の反応は、
原料であるサリチルアルデヒドの合成が容易であ
り、また各合成段階での収率が高い。なお、この
方法において、化合物()から一挙に化合物
(XI)まで反応を進めることができる。 本発明のフオトクロミツク化合物を用いたフオ
トクロミツク感光材料は半導体レーザ記録再生用
媒体として使用できる利点を有するほか、各種の
記録、記憶材料、複写材料、印刷用感光体、陰極
線管用記録材料、ホログラフイー用感光材料、写
真植字用感光材料などの種々の記録材料として利
用できる。また、光学フイルター、デイスプレー
材料、マスキング用材料、光量計、装飾などの材
料としても利用でき、幅広い用途をもつている。 本発明のフオトクロミツク化合物は、メタノー
ル、エタノール、イソプロピルアルコールなどの
アルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、
シクロヘキサノンなどのケトン類、エチルエーテ
ル、ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエー
テル類、酢酸エチル、酢酸n−ブチルなどのエス
テル類、更にベンゼン、トルエン、キシレン、n
−ヘキサン、シクロヘキサン、アセトニトリル、
ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、
クロロホルムなどの各種溶媒及びこれらの混合溶
媒に溶解する。この化合物をフオトクロミツク感
光材料として用いるには、上記溶媒に高分子物質
と共に上記化合物を溶解し、製膜或いは支持体に
塗布乾燥するか、溶媒を用いずに高分子物質に上
記化合物を混練溶解し、製膜して用いることがで
きる。 前記高分子物質としては、前記一般式()又
は()の化合物との相溶性がよくかつフイルム
形成能の優れたものであればよく、その例を挙げ
れば、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレン、
ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラール、酢酸セ
ルロース、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリプロ
ピレン、ポリエチレン、ポリアクリロニトリル、
ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル、フ
エノール樹脂、フエノキシ樹脂などである。この
うち、塩素系の高分子物質の方が、発色後の安定
性が良好となるために望ましい。 また、前記支持体用物質としては、ポリエチレ
ンテレフタレート、セルロースアセテート、ポリ
カーボネート、通常の紙、バライタ紙、ガラス、
金属等がある。 次に、本発明を実施例について更に詳述する。 実施例 1 1′,1″(1,10−デカンジイル)ビス(1′,3′−
ジヒドロ−3′,3′−ジメチル−5′,8−ジメト
キシ−6−ニトロ−スピロ〔2H−1−ベンゾ
チオピラン−2,2′−〔2H〕インドール〕 本実施例のスピロピラン二量体は次のようにし
て合成することができる。 5−メトキシ−2,3,3−トリメチル−
〔3H〕−インドールと1,10−ジブロモデカンと
を封管中110℃で4時間反応させる。生成物をエ
ーテルで十分に洗浄後、3−メトキシ−5−ニト
ロチオサリチルアルデヒドとエタノール中、ピペ
リジンを触媒として30分間加熱還流後、冷却し、
生じた沈澱をろ過し、次いでシリカゲルカラムク
ロマトで精製した後、n−ヘキサンとクロロホル
ムとの混合溶媒で再結晶を行い、目的のスピロピ
ラン二量体を得る(融点79〜81℃)。 実施例 2 1′,1(1,5−ペンタンジイル)ビス
〔1′,3′−ジヒドロ−3,3′−ジメチル−8−メ
トキシ−6−ニトロ−スピロ〔2H−1−ベン
ゾチオピラン−2,2′−〔2H〕ベンズ〔f〕イ
ンドール〕 本実施例のスピロピラン二量体のは次のように
して合成することができる。 2,3,3−トリメチル−〔3H〕−ベンズ〔f〕
インドールと1,5ジブロモペンタンとを前記実
施例1と同様に反応させ、精製した後、目的のス
ピロピラン二量体を得る(融点176〜178℃)。 実施例 3 1′,1−〔1,4−フエニレンビス(メチレ
ン)〕ビス〔1′,3′−ジヒドロ−3′,3′−ジメチ
ル−5′,8−ジメトキシ−6−ニトロ−スピロ
〔2H−1−ベンゾチオピラン−2,2′−〔2H〕
インドール 本実施例のスピロピラン二量体は次のようにし
て合成することができる。 2,3,3−トリメチル−5−メトキシ−
〔3H〕インドールとα,α′−ジブロモ−p−キシ
レンとをメチルエチルケトン(MEK)中で一昼
夜還流させ、生じた沈澱をろ過後、アルカリ処理
して、α,α′−ビス〔2−メチレン−3,3−ジ
メチルインドリニル−p−キシレンを得た後、こ
れと3−メトキシ−5−ニトロチオサリチルアル
デヒドとをMEK中で3時間加熱還流させて目的
のスピロピラン二量体を得る(融点254〜256℃)。 こうして得られたベンゾチオピラン系スピロピ
ラン二量体3重量部と、塩化ビニル−塩化ビニリ
デン共重合体(電気化学工業社製デンカビニル
#1000W)10重量部と、テトラヒドロフランとシ
クロヘキサノンが1:1(体積比)の混合物1000
重量部とからなる溶液を石英ガラス板上にスピン
ナ塗布し、80℃で2時間真空乾燥後、感光層の厚
さが1μmの試料を作製した。この試料に500Wの
超高圧水銀灯(ウシオ電気社製)を用い、東芝製
フイルター(UV−36C、IRA−25S)を用いて
360nm付近の紫外光を選択的に照射すると、飽和
発色状態で濃緑色に変化する。この濃緑色の試料
は、80℃に加熱されるか、可視光を照射されると
消色し、再び紫外光を照射されると濃緑色に発色
し、これを何度も繰り返すことができる。 実施例1〜3と同様の合成法を用い、種々のベ
ンゾチオピラン系スピロピラン二量体を合成し、
前記と同様に、紫外光を飽和発色状態になるまで
照射し、この発色状態で吸収スペクトルを測定し
た。次の第1表と第2表には、実施例1〜3の化
合物を含めて合計8種類の本発明のベンゾチオピ
ラン系スピロピラン二量体について測定した融点
(MP)、吸収極大波長(λnax)、吸収極大波長に
おける吸光度(Abs(λnax))及び波長780nmにお
ける吸光度(Abs(780nm))の結果並びに発色状
態の試料の780nmにおける吸光度が半減する時間
(t1/2)を求めた結果が示されている。
するもので、さらに詳細には特に700nm以上の長
波長に対して高い吸収特性を有しかつ発色状態で
の安定性の優れたスピロピラン系(チオピラン骨
格を有する)フオトクロミツク化合物に関するも
のである。 スピロピラン系フオトクロミツク感光材料は、
(1)、粒子性がなく解像度が高いこと、(2)、特別な
現像、定着処理を必要としないこと、(3)、発色濃
度が高いので薄膜化が可能であること、及び(4)、
消去・書き換えが可能であることを特徴とし、各
種記録、記憶材料、複写材料などへの応用が試み
られてきた。特に最近では前記(1)及び(4)の特徴を
生かして、スピロピラン系フオトクロミツク感光
材料は光学式ビデオデイスク等のレーザ記録媒体
としての応用が期待されている。 しかし、従来のスピロピラン系フオトクロミツ
ク感光材料はその発色状態における吸収波長域が
せいぜい400nmから700nmの範囲であり、吸収極
大波長(λnax)も580nm付近であるために、レー
ザにより記録再生を行なう場合、Ar+レーザや
He−Neレーザのような気体レーザを使用する必
要があつた。そのために、装置を大型化せざるを
得ないし、また発色も不安定であつた。最近、小
型、軽量の半導体レーザの進展が著しく、このた
めに、記録再生用レーザとして半導体レーザが気
体レーザに取つて代わろうとしている。 しかし、実用に供されるレーザ記録又は再生用
の半導体レーザは、780〜850nmの発振波長を有
するものが特に使用されている。 従つて、スピロピラン系フオトクロミツク感光
材料を半導体レーザ記録再生用記録媒体として使
用するためには、この材料がその発色状態におい
て、700nm以上の長波長、特に780nm付近の光に
対して高い吸収特性を有する必要がある。 このような波長域の光に対して発色状態で高い
吸収特性を有する物質として次のようなスピロチ
オピラン化合物が知られている(H.S.Becker
and J.Kolc,J.Phys.Chem,72,997(1968)を
参照)。 しかし、3−メチルペンタン溶液中、77〓でこ
の化合物は波長域600〜850nmの光に対して発色
状態で高い吸収特性を有しているが、溶液中又は
高分子フイルム中でも常温では発色せず、0℃以
下の低温でのみ発色し、常温に戻すと直ちに消色
するので実用的ではない。 前記の諸問題を解決するため各種化合物を合成
し、それらの化合物の発色状態での光吸収特性、
発色及び消色特性を調査した結果、次式で示され
る新規なフオトクロミツク化合物が、その発色状
態において700nm以上の長波長、特に780nm付近
に高い吸収特性を有し、かつ、発色状態の安定性
がよく、さらに発色−消色の繰返しが可能なフオ
トクロミツク化合物の発明を完成するに至つた。 即ち、本発明の新規なフオトクロミツク化合物
は下記の一般式 又は (式中、R1及びR2はハロゲン原子、炭素数1
〜5のアルキル基、炭素数1〜5のアルコキシル
基、シアノ基、ニトロ基又は炭素数2〜10のアル
コキシアルキル基を表わし、Aは炭素数1〜20の
アルキレン基又は炭素数8〜20のアリールアルキ
レン基を表わす) 本発明の新規なフオトクロミツク化合物の例は
後述の各実施例及び第1表と第2表に示されてい
る。 本発明のフオトクロミツク化合物は、n−アル
キレン基又はアリールアルキレン基を介してベン
ゾチオピラン系スピロピランを二量化させること
により合成される。 従来、スピロピランを二量化する方法は、例え
ばドイツ公開特許第2342273号明細書及びA.N.
Flerovaらの論文(Khim Geterotsikl SoedinNo.
12,1631(1973))に記載されている。本発明にお
いてもこれらを参考にしてスピロピラン二量体を
合成した。 なお、以下の各反応式中の各化合物において、
R1及びR2は前記と同じ意味を有する。 前記一般式()及び()の各化合物の合成
はそれぞれ次の各反応(A)及び(B)に従つて合成でき
る。 及び 即ち、2,3,3−トリメチル−5置換〔3H〕
インドール化合物()及び2,3,3−トリメ
チル−〔3H〕ベンズ〔f〕インドール化合物
()をアルキレンジハロゲン化合物又はアリー
ルアルキレンジハロゲン化合物()(式中、A
は前記と同じ意味を有し、Xはハロゲン原子を表
わす)と反応させてそれぞれインドリウム塩
()及び()とした後、エタノール中で塩基
を触媒として、5−ニトロチオサリチルアルデヒ
ド誘導体()と反応させることにより、それぞ
れ目的の化合物()及び()を容易に合成す
ることができる。 前記各反応(A)及び(B)において用いられる原料の
うち、前記インドール化合物()及び()
は、Fischerのインドール合成法に従つて、担当
するヒドラジンと3−メチル−2−ブタノンとを
酸性触媒下、加熱還流することによつて得ること
ができる。 別の原料である前記5−ニトロチオサリチルア
ルデヒド誘導体()は、その合成法はほとんど
知られていないが、次の反応(c)に従つて、サリチ
ルアルデヒドのOH基をSH基に変える方法によ
つて合成することができる。 まず、サリチルアルデヒド()をそのDMF
溶液中で、ジメチルチオカルバモイルクロライド
とNaH又は1,4−ジアザビシクロ〔2,2,
2〕オクタンと反応させることによつてジメチル
チオカルバメート()を合成し、加熱によりO
→S転位反応を行なわせ(XI)、引き続きアルカ
リ加水分解によりチオサリチルアルデヒド()
を合成する。この反応自体は既知であるが、この
化合物()の骨格構造を得るためにこの反応を
適用した例は知られていない。この(C)の反応は、
原料であるサリチルアルデヒドの合成が容易であ
り、また各合成段階での収率が高い。なお、この
方法において、化合物()から一挙に化合物
(XI)まで反応を進めることができる。 本発明のフオトクロミツク化合物を用いたフオ
トクロミツク感光材料は半導体レーザ記録再生用
媒体として使用できる利点を有するほか、各種の
記録、記憶材料、複写材料、印刷用感光体、陰極
線管用記録材料、ホログラフイー用感光材料、写
真植字用感光材料などの種々の記録材料として利
用できる。また、光学フイルター、デイスプレー
材料、マスキング用材料、光量計、装飾などの材
料としても利用でき、幅広い用途をもつている。 本発明のフオトクロミツク化合物は、メタノー
ル、エタノール、イソプロピルアルコールなどの
アルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、
シクロヘキサノンなどのケトン類、エチルエーテ
ル、ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエー
テル類、酢酸エチル、酢酸n−ブチルなどのエス
テル類、更にベンゼン、トルエン、キシレン、n
−ヘキサン、シクロヘキサン、アセトニトリル、
ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、
クロロホルムなどの各種溶媒及びこれらの混合溶
媒に溶解する。この化合物をフオトクロミツク感
光材料として用いるには、上記溶媒に高分子物質
と共に上記化合物を溶解し、製膜或いは支持体に
塗布乾燥するか、溶媒を用いずに高分子物質に上
記化合物を混練溶解し、製膜して用いることがで
きる。 前記高分子物質としては、前記一般式()又
は()の化合物との相溶性がよくかつフイルム
形成能の優れたものであればよく、その例を挙げ
れば、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレン、
ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラール、酢酸セ
ルロース、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリプロ
ピレン、ポリエチレン、ポリアクリロニトリル、
ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル、フ
エノール樹脂、フエノキシ樹脂などである。この
うち、塩素系の高分子物質の方が、発色後の安定
性が良好となるために望ましい。 また、前記支持体用物質としては、ポリエチレ
ンテレフタレート、セルロースアセテート、ポリ
カーボネート、通常の紙、バライタ紙、ガラス、
金属等がある。 次に、本発明を実施例について更に詳述する。 実施例 1 1′,1″(1,10−デカンジイル)ビス(1′,3′−
ジヒドロ−3′,3′−ジメチル−5′,8−ジメト
キシ−6−ニトロ−スピロ〔2H−1−ベンゾ
チオピラン−2,2′−〔2H〕インドール〕 本実施例のスピロピラン二量体は次のようにし
て合成することができる。 5−メトキシ−2,3,3−トリメチル−
〔3H〕−インドールと1,10−ジブロモデカンと
を封管中110℃で4時間反応させる。生成物をエ
ーテルで十分に洗浄後、3−メトキシ−5−ニト
ロチオサリチルアルデヒドとエタノール中、ピペ
リジンを触媒として30分間加熱還流後、冷却し、
生じた沈澱をろ過し、次いでシリカゲルカラムク
ロマトで精製した後、n−ヘキサンとクロロホル
ムとの混合溶媒で再結晶を行い、目的のスピロピ
ラン二量体を得る(融点79〜81℃)。 実施例 2 1′,1(1,5−ペンタンジイル)ビス
〔1′,3′−ジヒドロ−3,3′−ジメチル−8−メ
トキシ−6−ニトロ−スピロ〔2H−1−ベン
ゾチオピラン−2,2′−〔2H〕ベンズ〔f〕イ
ンドール〕 本実施例のスピロピラン二量体のは次のように
して合成することができる。 2,3,3−トリメチル−〔3H〕−ベンズ〔f〕
インドールと1,5ジブロモペンタンとを前記実
施例1と同様に反応させ、精製した後、目的のス
ピロピラン二量体を得る(融点176〜178℃)。 実施例 3 1′,1−〔1,4−フエニレンビス(メチレ
ン)〕ビス〔1′,3′−ジヒドロ−3′,3′−ジメチ
ル−5′,8−ジメトキシ−6−ニトロ−スピロ
〔2H−1−ベンゾチオピラン−2,2′−〔2H〕
インドール 本実施例のスピロピラン二量体は次のようにし
て合成することができる。 2,3,3−トリメチル−5−メトキシ−
〔3H〕インドールとα,α′−ジブロモ−p−キシ
レンとをメチルエチルケトン(MEK)中で一昼
夜還流させ、生じた沈澱をろ過後、アルカリ処理
して、α,α′−ビス〔2−メチレン−3,3−ジ
メチルインドリニル−p−キシレンを得た後、こ
れと3−メトキシ−5−ニトロチオサリチルアル
デヒドとをMEK中で3時間加熱還流させて目的
のスピロピラン二量体を得る(融点254〜256℃)。 こうして得られたベンゾチオピラン系スピロピ
ラン二量体3重量部と、塩化ビニル−塩化ビニリ
デン共重合体(電気化学工業社製デンカビニル
#1000W)10重量部と、テトラヒドロフランとシ
クロヘキサノンが1:1(体積比)の混合物1000
重量部とからなる溶液を石英ガラス板上にスピン
ナ塗布し、80℃で2時間真空乾燥後、感光層の厚
さが1μmの試料を作製した。この試料に500Wの
超高圧水銀灯(ウシオ電気社製)を用い、東芝製
フイルター(UV−36C、IRA−25S)を用いて
360nm付近の紫外光を選択的に照射すると、飽和
発色状態で濃緑色に変化する。この濃緑色の試料
は、80℃に加熱されるか、可視光を照射されると
消色し、再び紫外光を照射されると濃緑色に発色
し、これを何度も繰り返すことができる。 実施例1〜3と同様の合成法を用い、種々のベ
ンゾチオピラン系スピロピラン二量体を合成し、
前記と同様に、紫外光を飽和発色状態になるまで
照射し、この発色状態で吸収スペクトルを測定し
た。次の第1表と第2表には、実施例1〜3の化
合物を含めて合計8種類の本発明のベンゾチオピ
ラン系スピロピラン二量体について測定した融点
(MP)、吸収極大波長(λnax)、吸収極大波長に
おける吸光度(Abs(λnax))及び波長780nmにお
ける吸光度(Abs(780nm))の結果並びに発色状
態の試料の780nmにおける吸光度が半減する時間
(t1/2)を求めた結果が示されている。
【表】
第1表において、化合物No.3は実施例1の化合
物に相当し、化合物No.4は実施例3の化合物に相
当する。
物に相当し、化合物No.4は実施例3の化合物に相
当する。
【表】
第2表において、化合物No.5は実施例2の化合
物に相当する。 第1表に例示した本発明の化合物の1H−NMR
スペクトルとその帰属を次式の化合物No.2につい
て以下に示す。なお、測定には、日本電子社製
JNM−FX60QNMR装置を使用し、内部基準と
してテトラメチルシランを、溶媒として重水素化
クロロホルムを用いた。 δ(ppm) 1.22 6H 一重線 1.36 6H 一重線〓〓〓CH3 CH3 1.10 〜 1.80 6H 多重線 CH2−CH 2−CH 2 −CH 2−CH2 2.96 〜 3.24 4H 多重線 N−CH 2−CH2−CH2 −CH2−CH 2−N 3.84 6H 一重線 OCH3 3.96 6H 一重線 0CH3 5.92 2H 二重線 3位の水素 J=11.0Hz 6.43 2H 二重線 7′位の水素 J=8.9Hz 6.84 2H 二重線 4位の水素 J=11.0Hz 6.56 〜 6.94 4H 多重線 4′,6′位の水素 7.54 2H 二重線 7位の水素 J=4Hz 7.76 2H 二重線 5位の水素 J=4Hz 以上に記載の通り、スピロピラン化合物のベン
ゾピラン部に6位のNO2基を有するベンゾチオ
ピラン系スピロピラン化合物を、アルキレン基あ
るいはアリールアルキレン基を介して二量化させ
ることにより、発色状態における吸収波長が従来
のスピロピラン化合物より、λmaxが約100nm長
波長化し、780nm付近に大きい吸収をもちかつ発
色状態における安的性の優れた、半導体レーザ対
応のフオトクロミツク材料が得られる。特にn−
アルキレン基の炭素数が5以上の場合、発色安定
性が一層向上し、なおかつ、炭素数10以上におい
ては発色濃度も高めることができる。
物に相当する。 第1表に例示した本発明の化合物の1H−NMR
スペクトルとその帰属を次式の化合物No.2につい
て以下に示す。なお、測定には、日本電子社製
JNM−FX60QNMR装置を使用し、内部基準と
してテトラメチルシランを、溶媒として重水素化
クロロホルムを用いた。 δ(ppm) 1.22 6H 一重線 1.36 6H 一重線〓〓〓CH3 CH3 1.10 〜 1.80 6H 多重線 CH2−CH 2−CH 2 −CH 2−CH2 2.96 〜 3.24 4H 多重線 N−CH 2−CH2−CH2 −CH2−CH 2−N 3.84 6H 一重線 OCH3 3.96 6H 一重線 0CH3 5.92 2H 二重線 3位の水素 J=11.0Hz 6.43 2H 二重線 7′位の水素 J=8.9Hz 6.84 2H 二重線 4位の水素 J=11.0Hz 6.56 〜 6.94 4H 多重線 4′,6′位の水素 7.54 2H 二重線 7位の水素 J=4Hz 7.76 2H 二重線 5位の水素 J=4Hz 以上に記載の通り、スピロピラン化合物のベン
ゾピラン部に6位のNO2基を有するベンゾチオ
ピラン系スピロピラン化合物を、アルキレン基あ
るいはアリールアルキレン基を介して二量化させ
ることにより、発色状態における吸収波長が従来
のスピロピラン化合物より、λmaxが約100nm長
波長化し、780nm付近に大きい吸収をもちかつ発
色状態における安的性の優れた、半導体レーザ対
応のフオトクロミツク材料が得られる。特にn−
アルキレン基の炭素数が5以上の場合、発色安定
性が一層向上し、なおかつ、炭素数10以上におい
ては発色濃度も高めることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 下記一般式で示されるフオトクロミツク化合
物。 又は (式中、R1及びR2はハロゲン原子、炭素数1
〜5のアルキル基、炭素数1〜5のアルコキシル
基、シアノ基、ニトロ基又は炭素数2〜10のアル
コキシアルキル基を表わし、Aは炭素数1〜20の
アルキレン基又は炭素数8〜20のアリールアルキ
レン基を表わす)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6421284A JPS60208390A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | フオトクロミツク化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6421284A JPS60208390A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | フオトクロミツク化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60208390A JPS60208390A (ja) | 1985-10-19 |
JPH0549718B2 true JPH0549718B2 (ja) | 1993-07-27 |
Family
ID=13251549
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6421284A Granted JPS60208390A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | フオトクロミツク化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60208390A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62164590A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-21 | Sony Corp | 光記録媒体 |
JP2763263B2 (ja) * | 1992-12-31 | 1998-06-11 | 第一合纖株式會社 | 光記録媒体 |
-
1984
- 1984-03-31 JP JP6421284A patent/JPS60208390A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60208390A (ja) | 1985-10-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |