JPH0547641A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- JPH0547641A JPH0547641A JP3343793A JP34379391A JPH0547641A JP H0547641 A JPH0547641 A JP H0547641A JP 3343793 A JP3343793 A JP 3343793A JP 34379391 A JP34379391 A JP 34379391A JP H0547641 A JPH0547641 A JP H0547641A
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- ray
- exposure apparatus
- mask
- semiconductor wafer
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 アライメント光学系を構成する光電変換素子
の検出出力が経時的に変化してしまうことを防止して、
常に安定かつ高精度にＸ線マスクと半導体ウェハとの位
置合わせ及びギャップの検出を行うことができるように
したものを提供する。 【構成】 Ｘ線マスク８と半導体ウェハ５との位置合わ
せ及びギャップの検出を行うアライメント光学系１１を
備え、Ｘ線源から放射されるＸ線をＸ線マスクのマスク
パターンに照射して該パターンを半導体ウェハ上に転写
するＸ線露光装置において、前記アライメント光学系１
１に備えられている光電変換素子１０の周囲を保護カバ
ー１７で気密的に包囲するとともに、この保護カバー１
７の内部をガラスを透過しない拡散係数を持った気体で
充満させたことを特徴とする。
の検出出力が経時的に変化してしまうことを防止して、
常に安定かつ高精度にＸ線マスクと半導体ウェハとの位
置合わせ及びギャップの検出を行うことができるように
したものを提供する。 【構成】 Ｘ線マスク８と半導体ウェハ５との位置合わ
せ及びギャップの検出を行うアライメント光学系１１を
備え、Ｘ線源から放射されるＸ線をＸ線マスクのマスク
パターンに照射して該パターンを半導体ウェハ上に転写
するＸ線露光装置において、前記アライメント光学系１
１に備えられている光電変換素子１０の周囲を保護カバ
ー１７で気密的に包囲するとともに、この保護カバー１
７の内部をガラスを透過しない拡散係数を持った気体で
充満させたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線を利用して露光を
行うＸ線露光装置に関する。
行うＸ線露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩの製造工程では、縮小投影
露光装置に代表される光露光装置が一般に用いられてい
る。しかし、ＬＳＩパターンの高密度、高集積化に伴
い、回路パターンがより微細化され、このように微細化
された回路パターンを光露光装置で形成するのは、解像
度の面で限界に近くなってきている。そこで最近では、
光露光装置よりも微細な回路パターンを形成することが
可能なＸ線露光装置の開発が進められている。
露光装置に代表される光露光装置が一般に用いられてい
る。しかし、ＬＳＩパターンの高密度、高集積化に伴
い、回路パターンがより微細化され、このように微細化
された回路パターンを光露光装置で形成するのは、解像
度の面で限界に近くなってきている。そこで最近では、
光露光装置よりも微細な回路パターンを形成することが
可能なＸ線露光装置の開発が進められている。
【０００３】このＸ線露光装置では、Ｘ線の大気中によ
る減衰を最小限にするため、Ｘ線光路の雰囲気を真空又
は大気圧にほぼ等しい圧力を有するヘリウムガス等のガ
ス雰囲気のＸ線低減衰雰囲気にする必要がある。図９及
び図１０は、Ｘ線源としてシンクロトロンを用いた従来
の一般的なＸ線露光装置を示す概略構成図である。
る減衰を最小限にするため、Ｘ線光路の雰囲気を真空又
は大気圧にほぼ等しい圧力を有するヘリウムガス等のガ
ス雰囲気のＸ線低減衰雰囲気にする必要がある。図９及
び図１０は、Ｘ線源としてシンクロトロンを用いた従来
の一般的なＸ線露光装置を示す概略構成図である。
【０００４】即ち、図９において、除振台１に取り付け
られた石定盤２の上面には、ウェハステージ架台３及び
マスクステージ架台４が互いに対峙して据付けられてい
る。このウェハステージ架台３には、半導体ウェハ５を
真空吸着等により着脱自在に保持するウェハステージ６
が備えられ、一方、マスクステーシ架台４の上部にはチ
ャンバ７が形成され、このチャンバ７内にＸ線マスク８
を着脱自在に保持するマスクステージ９が貫通して配置
されているとともに、光電変換素子（フォトマル）１０
を備え半導体ウェハ５とＸ線マスク８との位置決め及び
ギャップの検出を行う複数（例えば、Ｘ1 光学系，Ｘ2
光学系及びＹ光学系の３個）のアライメント光学系１１
が収納されている。
られた石定盤２の上面には、ウェハステージ架台３及び
マスクステージ架台４が互いに対峙して据付けられてい
る。このウェハステージ架台３には、半導体ウェハ５を
真空吸着等により着脱自在に保持するウェハステージ６
が備えられ、一方、マスクステーシ架台４の上部にはチ
ャンバ７が形成され、このチャンバ７内にＸ線マスク８
を着脱自在に保持するマスクステージ９が貫通して配置
されているとともに、光電変換素子（フォトマル）１０
を備え半導体ウェハ５とＸ線マスク８との位置決め及び
ギャップの検出を行う複数（例えば、Ｘ1 光学系，Ｘ2
光学系及びＹ光学系の３個）のアライメント光学系１１
が収納されている。
【０００５】そして、図示しないシンクロトロン（Ｘ線
源）から放射されたＸ線１２は、Ｘ線反射ミラー（図示
せず）で反射され、高真空のポート（図示せず）からベ
ローズ１３内を通って、Ｘ線取出し窓１４からチャンバ
７内に取入れられてＸ線マスク８に照射され、このＸ線
マスク８を通して半導体ウェハ５の表面にＸ線を照射す
ることにより、半導体ウェハ５上にＸ線マスク８のマス
クパターンを転写するようなされている。
源）から放射されたＸ線１２は、Ｘ線反射ミラー（図示
せず）で反射され、高真空のポート（図示せず）からベ
ローズ１３内を通って、Ｘ線取出し窓１４からチャンバ
７内に取入れられてＸ線マスク８に照射され、このＸ線
マスク８を通して半導体ウェハ５の表面にＸ線を照射す
ることにより、半導体ウェハ５上にＸ線マスク８のマス
クパターンを転写するようなされている。
【０００６】ここに、前記チャンバ７内は、ここを通過
するＸ線１２の減衰を防止するため、高純度のヘリウム
雰囲気等のＸ線低減衰雰囲気になされ、また前記半導体
ウェハ５とＸ線マスク８とのギャップｇ（図１０参照）
は、ここでのＸ線１２の減衰を少なくするとともに所望
の解像度を得るため、１０〜５０μｍ程度の極小に設定
されている。
するＸ線１２の減衰を防止するため、高純度のヘリウム
雰囲気等のＸ線低減衰雰囲気になされ、また前記半導体
ウェハ５とＸ線マスク８とのギャップｇ（図１０参照）
は、ここでのＸ線１２の減衰を少なくするとともに所望
の解像度を得るため、１０〜５０μｍ程度の極小に設定
されている。
【０００７】また、初期設定時に先ず最初にＸ線マスク
８とアライメント光学系１１との位置合わせを行うた
め、半導体ウェハ５はＸ線マスク８の面を基準として位
置合わせする必要がある。これは、Ｘ線マスク８の面に
対してウェハ移動用Ｘ−Ｙテーブルの走行軸で位置合わ
せすると、ウェハ移動時にＸ線マスク８と半導体ウェハ
５とが接触してしまう可能性があるからである。このた
め、ウェハステージ６全体をＸ線マスク８側に近付けて
ギャップｇ（図１０参照）を調整したり、Ｘ線マスク８
と半導体ウェハ５との平行出しを行う必要がある。
８とアライメント光学系１１との位置合わせを行うた
め、半導体ウェハ５はＸ線マスク８の面を基準として位
置合わせする必要がある。これは、Ｘ線マスク８の面に
対してウェハ移動用Ｘ−Ｙテーブルの走行軸で位置合わ
せすると、ウェハ移動時にＸ線マスク８と半導体ウェハ
５とが接触してしまう可能性があるからである。このた
め、ウェハステージ６全体をＸ線マスク８側に近付けて
ギャップｇ（図１０参照）を調整したり、Ｘ線マスク８
と半導体ウェハ５との平行出しを行う必要がある。
【０００８】この調整のため、図１０に示すように、ウ
ェハステージ架台３の上面には、これをホイスト（図示
せず）等で吊り上げるためのアイボルト１５が取付けら
れ、またウェハステージ架台３は、ベース本体１６上に
載置されている。そして、ウェハステージ架台３をホイ
スト等で吊り上げた状態で、ベース本体１６上にスペー
サ１６ａを取付けたり移動したりして、この調整を行う
ようなされていた。
ェハステージ架台３の上面には、これをホイスト（図示
せず）等で吊り上げるためのアイボルト１５が取付けら
れ、またウェハステージ架台３は、ベース本体１６上に
載置されている。そして、ウェハステージ架台３をホイ
スト等で吊り上げた状態で、ベース本体１６上にスペー
サ１６ａを取付けたり移動したりして、この調整を行う
ようなされていた。
【０００９】なお、ウェハステージ６及びマスクステー
ジ９には、各々Ｚまたはチルトテーブル等の微移動機構
が搭載されているが、この微移動機構の可動範囲は、一
般に数１０μｍとかなり小さいため、最初の組立調整時
点で１０μｍ程度以下にＸ線マスク８と半導体ウェハ５
との平行出し及び両者５，８のギャップｇの調整を行う
必要がある。
ジ９には、各々Ｚまたはチルトテーブル等の微移動機構
が搭載されているが、この微移動機構の可動範囲は、一
般に数１０μｍとかなり小さいため、最初の組立調整時
点で１０μｍ程度以下にＸ線マスク８と半導体ウェハ５
との平行出し及び両者５，８のギャップｇの調整を行う
必要がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようにヘリウム等のＸ線低減衰雰囲気のチャンバ７内に
複数のアライメント光学系１１を収納すると、この各ア
ライメント光学系１１に備えられている光電変換素子１
０内にヘリウムガスが浸透侵入して光電変換素子１０の
検出出力が経時的に変化（低下）してしまい（本発明者
等の実験によると一例では、大気圧ヘリウム雰囲気下に
１０日間放置すると１／１０に低下）、Ｘ線マスク８と
半導体ウェハ５との位置合わせ及びギャップの検出がで
きなくなってしまうことが判った。
ようにヘリウム等のＸ線低減衰雰囲気のチャンバ７内に
複数のアライメント光学系１１を収納すると、この各ア
ライメント光学系１１に備えられている光電変換素子１
０内にヘリウムガスが浸透侵入して光電変換素子１０の
検出出力が経時的に変化（低下）してしまい（本発明者
等の実験によると一例では、大気圧ヘリウム雰囲気下に
１０日間放置すると１／１０に低下）、Ｘ線マスク８と
半導体ウェハ５との位置合わせ及びギャップの検出がで
きなくなってしまうことが判った。
【００１１】これは、一般に光電変換素子１０はガラス
製で真空管とほぼ同じ構造をしているため、拡散係数が
大きなヘリウムガスではガラス自体を透過して光電変換
素子１０内に入り込み、この真空度が悪くなってしまう
からであると考えられる。
製で真空管とほぼ同じ構造をしているため、拡散係数が
大きなヘリウムガスではガラス自体を透過して光電変換
素子１０内に入り込み、この真空度が悪くなってしまう
からであると考えられる。
【００１２】なお、光電変換素子をチャンバの外に配置
することも考えられるが、この場合には光ケーブル等を
使用する必要があり、強度的にかなり弱くなってしまう
ばかりでなく、振動等による影響を受けやすくなってし
まう。
することも考えられるが、この場合には光ケーブル等を
使用する必要があり、強度的にかなり弱くなってしまう
ばかりでなく、振動等による影響を受けやすくなってし
まう。
【００１３】また、ホイスト等でウェハステージ架台を
吊上げて最初の組立調整を行うと、この時の作業性が著
しく悪く大きな時間ロスに繋がってしまうばかりでな
く、微小な移動調整が困難であるといった問題点があっ
た。
吊上げて最初の組立調整を行うと、この時の作業性が著
しく悪く大きな時間ロスに繋がってしまうばかりでな
く、微小な移動調整が困難であるといった問題点があっ
た。
【００１４】本発明は上記に鑑み、アライメント光学系
を構成する光電変換素子の検出出力が経時的に変化して
しまうことを防止して、常に安定かつ高精度にＸ線マス
クと半導体ウェハとの位置合わせ及びギャップの検出を
行うことができるようにしたもの、及び基準面となるＸ
線マスクに対して半導体ウェハを保持するウェハステー
ジを微移動調整してＸ線マスクと半導体ウェハとの平行
出し及びギャップの調整を行う最初の組立調整の作業性
を向上させることができるようにしたものを提供するこ
とを目的とする。
を構成する光電変換素子の検出出力が経時的に変化して
しまうことを防止して、常に安定かつ高精度にＸ線マス
クと半導体ウェハとの位置合わせ及びギャップの検出を
行うことができるようにしたもの、及び基準面となるＸ
線マスクに対して半導体ウェハを保持するウェハステー
ジを微移動調整してＸ線マスクと半導体ウェハとの平行
出し及びギャップの調整を行う最初の組立調整の作業性
を向上させることができるようにしたものを提供するこ
とを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の係る請求項１記載のＸ線露光装置は、Ｘ線
マスクと半導体ウェハとの位置合わせ及びギャップの検
出を行うアライメント光学系を備え、Ｘ線源から放射さ
れるＸ線をＸ線マスクのマスクパターンに照射して該パ
ターンを半導体ウェハ上に転写するＸ線露光装置におい
て、前記アライメント光学系に備えられている光電変換
素子の周囲を少なくとも一部にアライメント光が透過す
る透過窓を有する保護カバーで気密的に包囲するととも
に、この保護カバーの内部をガラスを透過しない拡散係
数を持った気体で充満させたものである。
め、本発明の係る請求項１記載のＸ線露光装置は、Ｘ線
マスクと半導体ウェハとの位置合わせ及びギャップの検
出を行うアライメント光学系を備え、Ｘ線源から放射さ
れるＸ線をＸ線マスクのマスクパターンに照射して該パ
ターンを半導体ウェハ上に転写するＸ線露光装置におい
て、前記アライメント光学系に備えられている光電変換
素子の周囲を少なくとも一部にアライメント光が透過す
る透過窓を有する保護カバーで気密的に包囲するととも
に、この保護カバーの内部をガラスを透過しない拡散係
数を持った気体で充満させたものである。
【００１６】ここに、前記保護カバーの内部と外部とを
ガス導入口を介して連通させたり、前記光電変換素子か
らの配線（信号線および電源線）の導線露出部を気密的
に封止するようにすることもできる。また、前記ガス導
入口の内側に前記配線を通すこともできる。
ガス導入口を介して連通させたり、前記光電変換素子か
らの配線（信号線および電源線）の導線露出部を気密的
に封止するようにすることもできる。また、前記ガス導
入口の内側に前記配線を通すこともできる。
【００１７】また、本発明に係る請求項５記載のＸ線露
光装置は、Ｘ線マスクと半導体ウェハとの位置合わせ及
びギャップの検出を行うアライメント光学系を備え、Ｘ
線源から放射されるＸ線をＸ線マスクのマスクパターン
に照射して該パターンを半導体ウェハ上に転写するＸ線
露光装置において、前記半導体ウェハを着脱自在に保持
するウェハステージ架台を周縁部に上下方向に貫通して
延びる上下方向調整用ボルトを螺入させたベース本体上
に載置するとともに、このベース本体の周囲に水平方向
に貫通して延びる水平方向調整用ボルトを螺入させたブ
ロックを配置したものである。
光装置は、Ｘ線マスクと半導体ウェハとの位置合わせ及
びギャップの検出を行うアライメント光学系を備え、Ｘ
線源から放射されるＸ線をＸ線マスクのマスクパターン
に照射して該パターンを半導体ウェハ上に転写するＸ線
露光装置において、前記半導体ウェハを着脱自在に保持
するウェハステージ架台を周縁部に上下方向に貫通して
延びる上下方向調整用ボルトを螺入させたベース本体上
に載置するとともに、このベース本体の周囲に水平方向
に貫通して延びる水平方向調整用ボルトを螺入させたブ
ロックを配置したものである。
【００１８】
【作用】上記のように構成した請求項１記載の本発明に
よれば、複数のアライメント光学系の各々に備えられて
いる各光電変換素子は、内部にガラスを透過しない拡散
係数を持った気体を充満させ、且つヘリウムガスが入り
込まないように気密的に封止した保護カバー内に配置さ
れているので、光電変換素子の外部雰囲気からヘリウム
ガスを排除することができ、これによってヘリウムガス
がガラスを通じて光電変換素子の内部に透過侵入してし
まうことを防止することができる。
よれば、複数のアライメント光学系の各々に備えられて
いる各光電変換素子は、内部にガラスを透過しない拡散
係数を持った気体を充満させ、且つヘリウムガスが入り
込まないように気密的に封止した保護カバー内に配置さ
れているので、光電変換素子の外部雰囲気からヘリウム
ガスを排除することができ、これによってヘリウムガス
がガラスを通じて光電変換素子の内部に透過侵入してし
まうことを防止することができる。
【００１９】また、請求項５記載の本発明によれば、ベ
ース本体内に螺入させた上下方向調整用ボルト及びブロ
ック内に螺入させた水平方向調整用ボルトの螺入量を調
整することにより、Ｘ線マスクと半導体ウェハとの平行
出し及びギャップの調整を容易に行うことができる。
ース本体内に螺入させた上下方向調整用ボルト及びブロ
ック内に螺入させた水平方向調整用ボルトの螺入量を調
整することにより、Ｘ線マスクと半導体ウェハとの平行
出し及びギャップの調整を容易に行うことができる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。なお、上記従来例と同一部材には、同一符号を付
してその説明を省略する。図１乃至図３は、第１の実施
例を示すもので、上記図９に示す従来例と異なる点は以
下の通りである。
する。なお、上記従来例と同一部材には、同一符号を付
してその説明を省略する。図１乃至図３は、第１の実施
例を示すもので、上記図９に示す従来例と異なる点は以
下の通りである。
【００２１】即ち、チャンバ７内に配置された各アライ
メント光学系１１に夫々備えられている各光電変換素子
（フォトマル）１０の周囲は、略円筒状に形成された保
護カバー１７で気密的に包囲されている。この保護カバ
ー１７には、図２に示すように、光電変換素子１０の先
端に位置して透過窓１８が設けられ、ここから光電変換
素子１０へアライメント光が外部から入射されるような
されているとともに、光電変換素子１０の後端面から延
びてチャンバ７に設けられた電流導入端子１９との接続
を行う配線２０の挿通部には、接着剤等の封止部材２１
が介装されている。なお、透過窓１８は光を透過させや
すいガラス窓が望ましいがプラスチック等の窓でもよ
い。
メント光学系１１に夫々備えられている各光電変換素子
（フォトマル）１０の周囲は、略円筒状に形成された保
護カバー１７で気密的に包囲されている。この保護カバ
ー１７には、図２に示すように、光電変換素子１０の先
端に位置して透過窓１８が設けられ、ここから光電変換
素子１０へアライメント光が外部から入射されるような
されているとともに、光電変換素子１０の後端面から延
びてチャンバ７に設けられた電流導入端子１９との接続
を行う配線２０の挿通部には、接着剤等の封止部材２１
が介装されている。なお、透過窓１８は光を透過させや
すいガラス窓が望ましいがプラスチック等の窓でもよ
い。
【００２２】また、前記保護カバー１７の内部とチャン
バ７の外部とは、２本のガス導入口２２ａ，２２ｂによ
って連通され、この２本のガス導入口２２ａ，２２ｂを
介して保護カバー１７の内部にガラスを透過しない拡散
係数をもった気体、例えば分子量が大きく拡散係数が小
さい空気、Ｎ2 ガスまたはＯ2 ガス等の気体が大気圧ま
たは大気圧±α（例えば、α＝１Kg／cm2 程度）の圧力
で充填されるようなされている。
バ７の外部とは、２本のガス導入口２２ａ，２２ｂによ
って連通され、この２本のガス導入口２２ａ，２２ｂを
介して保護カバー１７の内部にガラスを透過しない拡散
係数をもった気体、例えば分子量が大きく拡散係数が小
さい空気、Ｎ2 ガスまたはＯ2 ガス等の気体が大気圧ま
たは大気圧±α（例えば、α＝１Kg／cm2 程度）の圧力
で充填されるようなされている。
【００２３】このように、複数のアライメント光学系１
１の各々に備えられている各光電変換素子１０を、内部
にガラスを透過しない拡散係数を持った気体を充満さ
せ、且つヘリウムガスを入り込まないように気密的に封
止した保護カバー１７内に配置することにより、光電変
換素子１０の外部雰囲気からヘリウムガスを排除し、こ
れによって、ヘリウムガスがガラスを通じて光電変換素
子１０の内部に透過侵入してしまうことを防止すること
ができる。
１の各々に備えられている各光電変換素子１０を、内部
にガラスを透過しない拡散係数を持った気体を充満さ
せ、且つヘリウムガスを入り込まないように気密的に封
止した保護カバー１７内に配置することにより、光電変
換素子１０の外部雰囲気からヘリウムガスを排除し、こ
れによって、ヘリウムガスがガラスを通じて光電変換素
子１０の内部に透過侵入してしまうことを防止すること
ができる。
【００２４】この気体、例えば大気の保護カバー１７内
への充填は、保護カバー１７内の圧力が大気圧−αとな
るように一方のガス導入口２２ａから保護カバー１７内
の大気を引いたり、また逆に、保護カバー１７内の圧力
が大気圧＋αとなるように他方のガス導入口２２ｂから
保護カバー１７内に大気を導入することによって行われ
る。
への充填は、保護カバー１７内の圧力が大気圧−αとな
るように一方のガス導入口２２ａから保護カバー１７内
の大気を引いたり、また逆に、保護カバー１７内の圧力
が大気圧＋αとなるように他方のガス導入口２２ｂから
保護カバー１７内に大気を導入することによって行われ
る。
【００２５】このように、保護カバー１７内に大気等の
気体を循環させつつ充満させることによって、保護カバ
ー１７の気密性の保護（完全な密閉）の困難性を緩和さ
せることができるとともに、チャンバ７内から透過窓１
８を介して保護カバー１７内にごくわずかに透過侵入す
るヘリウムガスが、さらに光電変換素子１０内部に透過
侵入するのを防止することができる。また、気体を循環
させることにより、発熱する光電変換素子１０を冷却す
る効果も得られる。
気体を循環させつつ充満させることによって、保護カバ
ー１７の気密性の保護（完全な密閉）の困難性を緩和さ
せることができるとともに、チャンバ７内から透過窓１
８を介して保護カバー１７内にごくわずかに透過侵入す
るヘリウムガスが、さらに光電変換素子１０内部に透過
侵入するのを防止することができる。また、気体を循環
させることにより、発熱する光電変換素子１０を冷却す
る効果も得られる。
【００２６】ここに、前記配線２０において、この外皮
２０ａと導体２０ｂとの間の僅かな隙間２０ｃを介して
保護カバー１７の内部とチャンバ７の内部とが互いに連
通してしまうため、チャンバ７内をヘリウム置換するた
めに真空にしようとすると、この隙間２０ｃを通じて外
気がチャンバ７内に漏れてしまい、チャンバ７内が真空
にならないばかりでなく、チャンバ７内の高純度のヘリ
ウム雰囲気が壊れてしまうことがある。
２０ａと導体２０ｂとの間の僅かな隙間２０ｃを介して
保護カバー１７の内部とチャンバ７の内部とが互いに連
通してしまうため、チャンバ７内をヘリウム置換するた
めに真空にしようとすると、この隙間２０ｃを通じて外
気がチャンバ７内に漏れてしまい、チャンバ７内が真空
にならないばかりでなく、チャンバ７内の高純度のヘリ
ウム雰囲気が壊れてしまうことがある。
【００２７】また、逆に保護カバー１７の内部に気体を
循環させつつ充満させる際に、この隙間２０ｃを通じ
て、チャンバ７内のヘリウムガスが侵入してしまうおそ
れもある。
循環させつつ充満させる際に、この隙間２０ｃを通じ
て、チャンバ７内のヘリウムガスが侵入してしまうおそ
れもある。
【００２８】このため、図３に示すように、配線２０の
導線２０ｂの露出端部を接着剤等の封止部材２３で気密
的に封止することにより、保護カバー１７の内部とチャ
ンバ７の内部とが互いに連通してしまうことを防止する
ことができる。
導線２０ｂの露出端部を接着剤等の封止部材２３で気密
的に封止することにより、保護カバー１７の内部とチャ
ンバ７の内部とが互いに連通してしまうことを防止する
ことができる。
【００２９】なお、図４に示すように、保護カバー１７
上に直接電流接続端子１９を設けることにより、配線２
０の導線２０ｂの露出端部が保護カバー１７内に存在す
ることになるので、封止部材２３により封止する必要が
なくなる。
上に直接電流接続端子１９を設けることにより、配線２
０の導線２０ｂの露出端部が保護カバー１７内に存在す
ることになるので、封止部材２３により封止する必要が
なくなる。
【００３０】さらに、図６においては、１本のガス導入
口２２ａの内側にもう１本のガス導入口２２ｂが挿入さ
れた構造を有し、さらに、前記配線２０をもその内側に
通している。これにより、配線２０の導線２０ｂの露出
端部を封止部材で封止する必要はなくなるとともに、外
部との配管接合部を減らすことにより、シール部を少な
くできるため、チャンバ７内部の気密度に対する信頼性
を向上させることが可能となる。また、ガス導入口２２
ｂの長さは、保護カバー１７内部の気体の循環を円滑に
行うため、図示するように多少長めにとる方がよい。
口２２ａの内側にもう１本のガス導入口２２ｂが挿入さ
れた構造を有し、さらに、前記配線２０をもその内側に
通している。これにより、配線２０の導線２０ｂの露出
端部を封止部材で封止する必要はなくなるとともに、外
部との配管接合部を減らすことにより、シール部を少な
くできるため、チャンバ７内部の気密度に対する信頼性
を向上させることが可能となる。また、ガス導入口２２
ｂの長さは、保護カバー１７内部の気体の循環を円滑に
行うため、図示するように多少長めにとる方がよい。
【００３１】なお、図２乃至図４に示したような、２本
のガス導入口２２ａ，２２ｂを有する場合であっても、
そのいずれかもしくは両方の内側に前記配線２０を通す
ことは可能である。
のガス導入口２２ａ，２２ｂを有する場合であっても、
そのいずれかもしくは両方の内側に前記配線２０を通す
ことは可能である。
【００３２】図７及び図８は、第２の実施例を示すもの
で、ウェハステージ架台３を上面に載置するベース本体
１６の周縁部の四隅には、上下方向に貫通して延びる上
下方向調整用ボルト２４が螺入されている。また、この
ベース本体１６の周囲の四隅には、ここを包囲する如
く、計４個の鉤形のブロック２５が配置され、この各ブ
ロック２５内には、水平方向に貫通して延びる水平方向
調整用ボルト２６がその先端をベース本体１６に当接さ
せて互いに直交する方向に螺入されている。
で、ウェハステージ架台３を上面に載置するベース本体
１６の周縁部の四隅には、上下方向に貫通して延びる上
下方向調整用ボルト２４が螺入されている。また、この
ベース本体１６の周囲の四隅には、ここを包囲する如
く、計４個の鉤形のブロック２５が配置され、この各ブ
ロック２５内には、水平方向に貫通して延びる水平方向
調整用ボルト２６がその先端をベース本体１６に当接さ
せて互いに直交する方向に螺入されている。
【００３３】これにより、各上下方向調整用ボルト２４
を締付けまたは弛緩方向に回転させてこの先端のベース
本体１６の上面からの突出量を調整することにより、ウ
ェハステージ架台３を介して主に半導体ウェハ５の傾き
を調整し、各水平方向調整用ボルト２６を締付けまたは
弛緩方向に回転させてこの先端のブロック２５からの突
出量を調整することにより、ブロック２５及びウェハス
テージ架台３を介して主に半導体ウェハ５の前後の位置
及び左右方向のぶれを調整することができるようなされ
ている。
を締付けまたは弛緩方向に回転させてこの先端のベース
本体１６の上面からの突出量を調整することにより、ウ
ェハステージ架台３を介して主に半導体ウェハ５の傾き
を調整し、各水平方向調整用ボルト２６を締付けまたは
弛緩方向に回転させてこの先端のブロック２５からの突
出量を調整することにより、ブロック２５及びウェハス
テージ架台３を介して主に半導体ウェハ５の前後の位置
及び左右方向のぶれを調整することができるようなされ
ている。
【００３４】従って、ベース本体１６内に螺入させた上
下方向調整用ボルト２４及びブロック２５内に螺入させ
た水平方向調整用ボルト２６の螺入量を調整することに
より、Ｘ線マスク８と半導体ウェハ５との平行出し及び
ギャップの調整を容易に行うことができる。なお、調整
ボルトの代わりに楔形状のものを使用しても同様な効果
を得ることができることは勿論である。
下方向調整用ボルト２４及びブロック２５内に螺入させ
た水平方向調整用ボルト２６の螺入量を調整することに
より、Ｘ線マスク８と半導体ウェハ５との平行出し及び
ギャップの調整を容易に行うことができる。なお、調整
ボルトの代わりに楔形状のものを使用しても同様な効果
を得ることができることは勿論である。
【００３５】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１記載の本
発明によれば、ヘリウムガスを経時的に光電変換素子の
内部に透過侵入してこの出力が徐々に低下してしまうこ
とを防止して、Ｘ線マスクと半導体ウェハとの位置合わ
せ及びギャップの検出を安定して且つ高精度に行うこと
ができる。
発明によれば、ヘリウムガスを経時的に光電変換素子の
内部に透過侵入してこの出力が徐々に低下してしまうこ
とを防止して、Ｘ線マスクと半導体ウェハとの位置合わ
せ及びギャップの検出を安定して且つ高精度に行うこと
ができる。
【００３６】また、請求項５記載の本発明によれば、Ｘ
線マスクと半導体ウェハの平行出し及びギャップの調整
が容易となり、初期設定の組立て作業を効率良く短時間
で行うとともに、微小な移動調整も行うことができる。
線マスクと半導体ウェハの平行出し及びギャップの調整
が容易となり、初期設定の組立て作業を効率良く短時間
で行うとともに、微小な移動調整も行うことができる。
【図１】 本発明によるＸ線露光装置の第１の実施例を
示す概略側断面図。
示す概略側断面図。
【図２】 本発明の第１の実施例における保護カバーを
拡大して示す断面図。
拡大して示す断面図。
【図３】 本発明の第１の実施例に関する図２の部分拡
大図。
大図。
【図４】 本発明の第１の実施例の変形例を示す図２相
当断面図。
当断面図。
【図５】 本発明の第１の実施例の他の変形例を示す図
２相当断面図。
２相当断面図。
【図６】 本発明の第１の実施例の他の変形例を示す図
２相当断面図。
２相当断面図。
【図７】 本発明によるＸ線露光装置の第２の実施例を
示す概略側断面図。
示す概略側断面図。
【図８】 本発明によるＸ線露光装置の第２の実施例を
示す平面図。
示す平面図。
【図９】 従来のＸ線露光装置を示す図１相当概略側断
面図。
面図。
【図１０】 従来のＸ線露光装置を示す図７相当概略側
断面図。
断面図。
２ 石定盤 ３ ウェハステージ架台 ４ マスクステージ架台 ５ 半導体ウェハ ６ ウェハステージ ７ チャンバ ８ Ｘ線マスク ９ マスクステージ １０ 光電変換素子（フォトマル） １１ アライメント光学系 １６ ベース本体 １７ 保護カバー １９ 電流導入端子 ２０ 配線 ２１，２３ 封止部材 ２２ａ，２２ｂ ガス導入口 ２４ 上下方向調整用ボルト ２５ ブロック ２６ 水平方向調整用ボルト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石橋 頼幸 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内 (72)発明者 平野 亮一 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内 (72)発明者 工藤 章 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内 (72)発明者 菊入 信孝 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内 (72)発明者 長友 志郎 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内 (72)発明者 田中 国義 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｘ線マスクと半導体ウェハとの位置合わ
せ及びギャップの検出を行うアライメント光学系を備
え、Ｘ線源から放射されるＸ線をＸ線マスクのマスクパ
ターンに照射して該パターンを半導体ウェハ上に転写す
るＸ線露光装置において、前記アライメント光学系に備
えられている光電変換素子の周囲を少なくとも一部にア
ライメント光が透過する透過窓を有する保護カバーで気
密的に包囲するとともに、この保護カバーの内部を前記
光電変換素子の密閉容器を透過しない拡散係数を持った
気体で充満させたことを特徴とするＸ線露光装置。 - 【請求項２】 前記保護カバーの内部と外部とをガス導
入口を介して連通させたことを特徴とする請求項１記載
のＸ線露光装置。 - 【請求項３】 前記光電変換素子からの配線（信号線及
び電源線）の導線露出部を気密的に封止したことを特徴
とする請求項１記載のＸ線露光装置。 - 【請求項４】 前記配線（信号線及び電源線）を前記ガ
ス導入口の内側に通していることを特徴とする請求項２
記載のＸ線露光装置。 - 【請求項５】 Ｘ線マスクと半導体ウェハとの位置合わ
せ及びギャップの検出を行うアライメント光学系を備
え、Ｘ線源から放射されるＸ線をＸ線マスクのマスクパ
ターンに照射して該パターンを半導体ウェハ上に転写す
るＸ線露光装置において、前記半導体ウェハを着脱自在
に保持するウェハステージ架台を周縁部に上下方向に貫
通して延びる上下方向調整用ボルトを螺入させたベース
本体上に載置するとともに、このベース本体の周囲に水
平方向に貫通して延びる水平方向調整用ボルトを螺入さ
せたブロックを配置したことを特徴とするＸ線露光装
置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13286491 | 1991-06-04 | ||
| JP3-132864 | 1991-06-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547641A true JPH0547641A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=15091329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3343793A Pending JPH0547641A (ja) | 1991-06-04 | 1991-12-26 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547641A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007048881A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Canon Inc | 真空用露光装置 |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP3343793A patent/JPH0547641A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007048881A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Canon Inc | 真空用露光装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
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